Carrasco Gamez Jonathan 10040944 Nombre: _______________________ Fecha: ________________________ Profesor: ______________________

OBJETIVO
Familiarizarse con las caractersticas del diodo de silicio y de germanio.

EQUIPO A UTILIZAR
Instrumentos Multimetro Digital Componentes Resistores (1) 1-k (1) 1-M Diodos (1) Silicio Fuentes Fuente de alimentacin de Corriente Directa Diversos Pistola de calor

Carrasco Gamez Jonathan 10040944

EQUIPO UTILIZADO
Equipo Multimetro Digital Fuente de alimentacin de CD No. de serie del laboratorio 535-339 222-891-8484

RESUMEN DE TEORA
La mayora de los multmetros pueden ser utilizados para determinar la condicin de funcionamiento de un diodo. Ellos tienen una escala denotada mediante un smbolo de diodo que indica el estado en las condiciones de polarizacin directa e inversa. Si se conecta para establecer una condicin de polarizacin directa, el medidor indicar la tensin directa en el diodo en un nivel general en el sector actual de 2 mA. Si se conecta a establecer una condicin de polarizacin inversa, un "OL" debe aparecer en la pantalla para apoyar la aproximacin en circuito abierto, aplica con frecuencia a esta regin. Si el medidor no tiene Probador de diodos, la condicin del diodo tambin se pueden comprobar mediante la obtencin de una cierta medida del nivel de resistencia en las regiones directa e inversa de polarizacin. Ambas tcnicas para el control de un diodo se introducir en la primera parte del experimento. Las caractersticas de un diodo de silicio o germanio tienen la forma general mostrada en la Fig. 1.1. Tenga en cuenta el cambio en la escala de los ejes vertical y horizontal. En la regin de polarizacin inversa la corriente aumenta muy rpidamente con la creciente tensin del diodo. Tenga en cuenta que las curvas se elevan casi verticalmente a una tensin de polarizacin directa de menos de 1 V. El diodo de polarizacin actual estar limitada solamente por la red en la que est conectado el diodo o por la capacidad mxima de corriente o potencia del diodo.

El "potencial de ruptura" y el umbral de voltaje se determina mediante la extensin de una lnea recta (lneas discontinuas de la figura 2.1.) Tangente a las curvas hasta que choca con el eje horizontal. La interseccin con el eje VD determinar la tensin umbral VT.

Figura 1.1 caractersticas del diodo de silicio y de germanio El RDC o resistencia esttica de un diodo en cualquier punto de una de las caractersticas est determinada por la relacin de la tensin del diodo en ese punto, dividido por la corriente del diodo. Esto es,

Carrasco Gamez Jonathan 10040944 La resistencia de CA en una corriente o tensin de diodo particular se puede determinar utilizando una lnea tangente. El voltaje resultante (V) y las desviaciones de corriente (I), entonces se puede medir y se aplica la siguiente ecuacin.

Fig. 1.2

Se pude demostrar a travs del clculo diferencial que la resistencia de CA de un diodo en la seccin vertical de altura de las caractersticas est dado por

Para los niveles de corriente debajo de la rodilla de la curva, la resistencia de CA de un diodo de silicio es mejor aproximada por PROCEDIMIENTO Parte 1.- Prueba de diodo Prueba en escala de diodo La escala de prueba de diodos de un multmetro digital se puede utilizar para determinar la condicin de funcionamiento de un diodo. Con una polaridad, el multmetro digital debe ofrecer un "potencial de disparo" del diodo, mientras que la conexin inversa debera dar como resultado es un "OL" respuesta para apoyar la aproximacin de circuito abierto. Usando las conexiones mostradas en Fig. 1.2, la fuente de corriente constante de aproximadamente 2 mA interna al medidor enviar sesgo de la unin de polarizaron directa, y una tensin de aproximadamente 0,7 V (700 mV) que deberamos obtener para el silicio y 0,3 V (300 mV) para el germanio. Si los conductores estn reservados, una se obtendr una indicacin de OL.

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Si una lectura baja (menos de 1 V) se obtiene en ambas direcciones, la unin est en cortocircuito. Si una indicacin OL se obtiene en ambas direcciones, la unin est abierta. Realizar las pruebas de la tabla 1.1 para diodos de silicio y germanio. Tabla 1.1 Prueba Directa Inversa Si 0.526V OL

Basado en los resultados de la tabla 1.1, estn ambos diodos en buenas condiciones? Si se encuentran en buenas condiciones ya que marco circuito abierto en inversa y un voltaje de ruptura en directa ESCALA DE RESISTENCIAS Como est indicado en el resumen de la teora, las condiciones de un diodo pueden tambin ser checadas usando la escala de resistencias de un voltmetro analgico o digital. Usando la escala apropiada del voltmetro o del multimetro, determine los niveles de resistencia de las regiones de polarizacin directa y polarizacin inversa de los diodos de Si y Ge. Anote los resultados en la tabla 1.2 Tabla 1.2 Prueba Si Directa 2.7Mohm Inversa OL Aunque el potencial de disparo no es muy relevante mediante las escalas de resistencia, un "buen" diodo resultar en un nivel de resistencia ms baja en el estado de polarizacin directa y un mucho mayor nivel de resistencia cuando polarizacin inversa. Anote los resultados en la tabla 1.2 Parte 2. Caractersticas del diodo en polarizacin directa En esta parte del experimento vamos a obtener datos suficientes para trazar las caractersticas de polarizacin directa de los diodos de silicio y germanio en fig.1.4

Carrasco Gamez Jonathan 10040944 a) Construccin de la red de Fig.1.3 con el suministro (E) fijado en 0 V. registrar el valor medido de la resistencia.

b) Aumentar el voltaje de la fuente E hasta que VR (no E) sea de 0.1v. A continuacin, medir e insertar VD la en la Tabla 1.3 Calcular el valor de la ID correspondiente actual usando la ecuacin que se muestra en la Tabla 1.3

c) Repita el paso b para el ajuste restante de VR d) Remplace el diodo de silicio por un diodo de germanio y complete la tabla 1.4 TABLA 1.4 VR(volts) .1 VD(volts) .307 ID=VR/Rmeas(mA) .101 .2 .513 .202 .3 .517 .303 .4 .532 .404 .5 .543 .505 .6 .552 .606 .7 .559 .707 .8 .565 .808 .9 .571 .909

1 .578 1.01

2 .743 2.02

3 .754 3.03

4 .762 4.04

5 .767 5.05

6 .772 6.06

7 .776 7.07

8 .779 8.08

9 .782 9.09

10 .785 10.1

Carrasco Gamez Jonathan 10040944 e) En la Fig. 1.5 grafica ID contra VD para los diodos de silicio y germanio. Terminar las curvas mediante la extensin de la regin inferior de la interseccin de la curva de los ejes ID= 0mA y VD=0V. Etiquetar cada curva y se debern indicar claramente los puntos de datos. Ser ordenado! f) En qu difieren las dos curvas? Cules son sus similitudes?

Figura 1.5

Parte 3. Polarizacin inversa a) En fig.1.5 ha sido establecida una condicin de polarizacin inversa. Puesto que la corriente de saturacin inversa ser relativamente pequea, se requiere una gran resistencia, de 1 M es necesaria si el voltaje a travs de R ha de ser de amplitud medible. Construir el circuito de Fig.1.5 y registrar el valor medido de R en el diagrama.

Fig. 1.6

Carrasco Gamez Jonathan 10040944 b) Medir el voltaje VR. Calcular la corriente de saturacin inversa de IS = VR / (Rmeas / / Rm). La resistencia interna (Rm) del multimetro digital se incluye debido a la gran magnitud de la resistencia R. Tu instructor proporcionar la resistencia interna del multimetro digital para los clculos. Si no est disponible, utilice un valor tpico de 10 MW. Rm = 1.09Mohms (Medido) VR =1.2mv (Calculado) IS =1.32microamperes Is=Vr/(Rmeas||Rm)=1.2mv/0.92Mohms=1.32microamperes (Rmeas||Rm) = (10*1.09)/11.09 = 0.92Mohms

c) Determinar los niveles de resistencia de CD para los diodos de silicio mediante la ecuacin

(Calculado) RDC (Si) =15.33Gohm (20-0.0012)/1.32microamperes = 15.33Gohms

Son los niveles de resistencia lo suficientemente altos para ser considerados equivalente de circuito abierto, si aparecen resistencias en series con un rango bajo de kilo ohm? Si

Parte 4. Resistencia CD a) Utilizando la curva de Si de Fig.1.5, determinar el voltaje del diodo en los niveles de corriente indicados en la tabla 1.5. Entonces, determinar la resistencia de corriente continua en cada nivel de corriente. Mostrar todos los clculos. Tabla 1.5

b)

Repetir la parte 4(a) para el germanio y completar la tabla 2.6 (la tabla 1.6 es lo mismo como

Carrasco Gamez Jonathan 10040944

ID 0.2 1 5 10

VD .513 .578 .656 .685

RDC 2.565 .578 .1312 .0685

.513/0.2 =2.565 .578/1=.578 .656/5=.1312 .685/10=.0685

c) Hay alguna tendencia en la resistencia de corriente continua (para el Si y Ge) cuando aumenta la corriente del diodo y que avanza la seccin de elevacin vertical de las caractersticas? Si la resistencia disminuye mientras la corriente aumenta

Parte 5. Resistencia CA a) Usando la ecuacin rd=V/I, determinar la resistencia de CA del diodo de silicio en ID = 9 mA utilizando la curva en la figura 1.4. Muestre todo el trabajo. 26mv/9mA= 2.88

(Calculado) rd=2.88ohm b) Determinar la resistencia de CA a ID = 9 mA utilizando la ecuacin rd=26mV/ID (mA) para el diodo de silicio. Muestre todo el trabajo

Carrasco Gamez Jonathan 10040944 (Calculado) rd=2.88ohm Cmo son los resultados de la parte (a) y (b)?, Compare iguales c) Repita el paso 5(a) para ID = 2mA para el diodo de silicio. (26mv/2)=13ohm

(Calculado) rd=13ohm d) Repita el paso 5(a) para ID = 2mA para el diodo de silicio. Use la ecuacin rd=26mV/ID (mA) e) 2*(26mv/2)=26ohm

(Calculado) rd=26ohm Cmo son los resultados de la parte 5 (c) y 5(b)? compare Con la ecuacin 2.4 la resistencia es el doble Parte 6. Disparando Potencial Grficamente determinar el potencial de disparo (tensin de umbral) de cada diodo de sus caractersticas tal como se define en el resumen de la teora. Ver las aproximaciones en lnea recta sobre fig.1.4 VT (silicio)=.6Volts

Parte 7. Efectos de la temperatura (demostracin) Reconstruir el circuito de la Fig. 1.4 usando el diodo de silicio. Estableciendo una corriente de aproximadamente 1mA ajustando VR a 1V.

a) Colocar la seccin de voltmetro en el multmetro digital a travs del diodo y anotar la lectura conforme el instructor calienta el diodo con la pistola de calor. Registrar sus efectos en VD de calentar el diodo. El voltaje en el diodo disminuye

Carrasco Gamez Jonathan 10040944 b) Dejar enfriar el diodo y despus colocar el voltmetro en la seccin de resistencia Robserve los efectos sobre VR de calentamiento del diodo. Desde ID =VR / R cul es el efecto sobre la corriente del diodo de los resultados de la red de calentamiento del diodo? Incrementa el voltaje en la resistencia y la corriente aumenta

c) Desde R diodo= VD/ID Cul es el efecto de incremento de temperatura sobre la resistencia del diodo? La resistencia disminuye

d) Un diodo semiconductor tiene un coeficiente de temperatura positivo o negativo? Explique Negativo ya que al aumentar la temperatura la resistencia disminuye

Cuestionario 1.- Comparar las caractersticas de silicio y germanio en las regiones de polarizacin directa e inversa. En particular, cual diodo est ms cerca de cortocircuito en la regin de polarizacin y cual est ms prximo del circuito abierto en la regin de polarizacin inversa? Cmo son similares y cules son sus diferencias ms notables?

2.- Investigar los efectos del calor sobre la resistencia terminal de materiales semiconductores y revisar brevemente por qu la resistencia terminal decae con la aplicacin de calor. Por que los electrones se pueden mover con mayor facilidad a mayor temperaturas en los semiconductores