Facilidad de uso

plugging a laptop into a substation communication network, IEDs can be explored, SA configurations based on the SCD file can be inspected and SA network traffic can be thoroughly analyzed. The tools used for these tasks are described in the following paSegunda parte: Tecnologa ragraphs. Stefan Linder
IEC 61850 Substation Browser

Semiconductores de potencia
de encapsulado y desarrollos futuros

The IEC 61850 substation browser is a testing tool which allows an engineer to browse an SA system online with semiconductores de potencia IEDs Los attached. The configuration of an se han extendido durante las ltimas dcadas a una amplia gama de aplicaciones. Esta extensin ha sido consecuencia IED can be loaded from an SCL file del browser continuothen y rpido desarrollo and the connects to thede la tecnologa de semiconductores de pocorresponding servers. It can also detencia, que ha conseguido dispositivos muy potentes, efectivos y fciles de tect IEDs in an SA network, inspect usar. En la primera parte de este artculo, publicado en la anterior edicin de IEDs la for their functions indiscutieron terms of aspectos del diseo y optimizacin de los Revista ABB1), se servers, check for the existence of lochips y se expusieron diversas consideraciones para la aplicacin de diversas gical devices and logical nodes (as dispositivos, attributes), especialmente los IGBT e IGCT. well clases as theirde corresponding La continua optimizacin del silicio ha acercado cada vez ms los rendimienall without having an SCD file at tos a los lmites fsicos y tecnolgicos. El resultado de ello es que, dejando hand. The browser displays process data aparte ie, datala attributes with functional posibilidad de que surjan avances radicalmente nuevos, el potenconstraint status information (ST) or aspecto del diseo est disminuyendo. cial de nuevas mejoras en este measurands (MX) which are continuoLos encapsulados para dispositivos de semiconductores, sin embargo, an usly updated. The user can additionatienen un potencial considerable para impulsar el rendimiento. Por conlly reserve, enable, configure report siguiente, control blocks, este start artculo general profundiza interroga- en este aspecto. Hoy da, casi todos los semiconductores de potencia comerciales se basan tion (GI) or check for extensions (or por words completo en el silicio.devices Mirando al futuro, este artculo discute el potencial in other non-registered responding to ping, SNMP, MMS). Aamplio salto de banda, como el carburo de de los llamados materiales de moresilicio, extensive presentation of el nitruro de galio y plugel diamante. and-play applications build around the concept of the IEC 61860 substation browser can be found in [3].
IEC 61850 Network Analyzer

ientras que, hasta hace una dcada aproximadamente, los encapsulados para semiconductores de potencia eran poco ms que contenedores para los dispositivos, en la actualidad se estn convirtiendo cada vez ms en el elemento limitador de los sistemas electrnicos de corrientes fuertes. Por lo tanto, la atencin de los desarrolladores se est centrando cada vez ms en los aspectos de diseo del encapsulado para abordar sus limitaciones.

Formas de encapsulado

With the growing dependency on Ethernet communication among IEDs and other devices in a substation, there is a distinct need for tools that can analyze the data traffic (ie, basic Ethernet and related TCP/IP traffic) exchange in an SA network. This data is transmitted as a sequence of bits and an engineer must be able to understand the context of any piece of extracted data if he is to discover any irregularities or problems. The IEC 61850 Network Analyzer 3 is a testing tool that can capture and analyze substation communication network traffic in combination with the information found in an SCL file . By simply plugging in a standard laptop to a substation communication network, problems are quickly detected and IEC 61850 protocol implementations are reliably inspected directly off the
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En el campo de las altas potencias se han establecido dos formas de encapsulado conceptualmente distintas: el mdulo aislado y el encapsulado de contacto a presin 1 . La principal diferencia entre ellos es que, en el primer caso, el circuito elctrico est separado galvnicamente del disipador trmico por un aislador cermico, mientras que en el diseo de contacto a presin la corriente circula verticalmente por todo el mdulo, es decir, tambin a travs del disipador trmico. Ambas formas de encapsulado son apropiadas fundamentalmente para los IGBT e IGCT. En la prctica, sin embargo, los IGCT slo se ofrecen en encapsulados de contacto a presin, mientras que los IGBT se fabrican en ambas variantes. El encapsulado aislado predomina actualmente en sistemas con bajas potencias de salida (generalmente por debajo de 1 MW), ya que el circuito se puede implementar con una menor complejidad mecnica y, por tanto, con
Nota
1)

Stefan Linder. Semiconductores de potencia. Primera parte: Bases y aplicaciones, Revista ABB 4/2006, pginas 3439.

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menores costes. Por otro lado, el encapsulado de contacto a presin se prefiere por varias razones para potencias superiores a 10 MW. Aqu discutiremos las dos razones ms importantes: En los sistemas con potencias de salida muy altas, los semiconductores se han de conectar en paralelo y/o en serie. Para este ltimo caso, especialmente, los encapsulados de contacto a presin tienen una gran ventaja, ya que los mdulos se pueden disponer apilados y separados slo por disipadores trmicos. Un ejemplo son las instalaciones de transmisin de energa elctrica HVDC (corriente continua y alta tensin), en las que se conectan en serie hasta 200 mdulos. El encapsulado de contacto a presin debe utilizarse si la aplicacin requiere garantizar la circulacin ininterrumpida de corriente (por ejemplo, un inversor de una fuente de corriente, pero tambin todos los sistemas que han de responder al fallo de un semiconductor o a un fallo de control, descargando la energa del enlace de CC poniendo en circuito los semiconductores). En un encapsulado de contacto a presin, los polos metlicos se funden cuando falla un semiconductor, garantizado en consecuencia una va conductora de corriente con baja impedancia. Por otro lado, en el encapsulado aislado la corriente circula a travs de hilos de soldadura, que en caso de fallo pueden evaporarse dejando abierto el circuito.
Requisitos de la tecnologa de encapsulado

co y trmico. Esto significa que componentes vitales en el encapsulado (contactos de los hilos de conexin, soldaduras) estn sometidos a considerables esfuerzos termomecnicos durante los cambios de carga, lo que limita considerablemente su vida til. Como consecuencia de estos requisitos, no queda ms remedio que utilizar materiales caros y muy sofisticados.
Posibilidad de mejoras en la tecnologa de encapsulado Mayores temperaturas de unin

var un tiempo adecuado de resistencia a los cortocircuitos. Los componentes de silicio han de mostrar un comportamiento estable a 150C, es decir, no pueden permitir ninguna redistribucin de la aceleracin de corriente inducida por la temperatura.
2) Propiedades de la tecnologa de encapsulado e interconexin

La potencia de salida til Ptil de los semiconductores de potencia se determina de acuerdo con la ecuacin: Ptil Tj,max Tambiente Rth (1)

La tecnologa de interconexin ha de tener una resistencia adecuada a la fatiga termomecnica provocada por las cargas alternas. Los materiales usados han de tolerar las temperaturas que puedan presentarse. La capacidad de sobrecarga de los diodos de circulacin libre conectados es un importante obstculo al optimizar la aplicacin de un semiconductor; de hecho es, con frecuencia, el elemento limitador ya a 125C. Un aumento de la potencia de salida, sin embargo, suele ir acompaado por una mayor demanda de corriente de sobrecarga. Esto exige diodos de mayor tamao, lo cual reduce el espacio disponible para los dispositivos de conmutacin (IGBT o IGCT) y generalmente provoca prdidas mayores de encendido. Por eso, si no se aplican enfoques innovadores, el margen de libertad para aumentar el rendimiento aumentando la temperatura de la junta parece limitado. El potencial es mucho menor que lo que sugiere la consideracin puramente trmica de la frmula (1). La resistencia termomecnica a cargas alternas es el principal factor limitador en la tecnologa de interconexin. La figura 2 muestra la capacidad de los modernos mdulos aislados, de alta potencia, en el caso de 125C de temperatura mxima de la junta, y la curva correspondiente aproximada, para la misma construccin de mdulo, si Tj,max aumenta hasta 150C. La figura muestra tambin la curva que se requerira para proporcionar al sistema la misma expectativa de vida til a 150C que la que tiene a 125C. Se puede observar que las demandas aumentan acusadamente a una temperatura mxima ms alta de la junta, especialmente si sta experimenta grandes fluctuaciones. Esto se debe a que los cambios importantes en las condiciones de la carga
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Donde Tj,max es la mxima temperatura de la unin, Tambiente es la temperatura del disipador trmico (ambiente), y Rth es la resistencia trmica entre la junta semiconductora y el ambiente. A partir de esta frmula resulta evidente que si se aumenta la mxima temperatura de unin en dispositivos de alta tensin (superior a 1.700 V) desde 125C (el estndar actual) hasta 150C, resulta un aumento de rendimiento de entre 25 y 30 por ciento (suponiendo una temperatura ambiente de 2040C). Una alternativa para conseguir ms potencia de salida mediante esta mejora de rendimiento es invertir la mejor capacidad refrigeradora en ms prdidas para una potencia dada. Esto permitira hacer funcionar el inversor a una mayor frecuencia de conmutacin, reduciendo as los armnicos y pudiendo utilizar filtros ms pequeos. En la prctica, se han de cumplir varias condiciones bsicas para poder aprovechar totalmente este potencial:
1) Propiedades del silicio

Crear un diseo de encapsulado es un desafo que comprende dos factores principales: Los semiconductores de potencia modernos operan con una disipacin continua de potencia de 100200 W/ cm2 de silicio. Esta densidad de potencia es (por rea de superficie) aproximadamente una magnitud mayor que la de una placa de cocina calentada a la mxima potencia. Esto impone extraordinarias exigencias a la tecnologa de encapsulado y a los materiales utilizados. El coeficiente de dilatacin trmica (CTE) del silicio es aproximadamente de cinco a diez veces menor que el de la mayora de los metales (Cu, Al) adecuados para acoplamiento elctriRevista ABB 1/2007

El semiconductor de potencia ha de poder desconectar la mayor corriente nominal a la mayor temperatura de unin. En los inversores de tensin, los diodos de circulacin libre han de poder resistir con toda seguridad la mayor sobrecorriente en caso de fallo. Los dispositivos IGBT han de conser-

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(por ejemplo, ciclos de carga mxima/ carga nula) causan desviaciones mayores de la temperatura (hasta 25C ms). Las demandas no aumentan tanto para un pequeo incremento T, puesto que las pequeas fluctuaciones de la potencia de salida influyen poco sobre la temperatura de la junta. Por ejemplo, si la potencia de salida baja del 100 al 90 por ciento a temperatura ambiente de 30C, la temperatura de la unin disminuye en 9,5C a Tj,max = 125C y en 12C a Tj,max = 150C. Considerando el hecho de que la capacidad de soportar cambios de carga de los productos ms modernos apenas satisface los requisitos en muchas aplicaciones (particularmente en traccin), se puede deducir que es preciso aumentar la capacidad de los mdulos en al menos el factor 5 para aumentar la temperatura de la junta hasta 150C. Esto slo puede conseguirse desarrollando nuevas tecnologas. En particular, las juntas soldadas de gran superficie probablemente tendrn que ser sustituidas por tecnologas de conexin perfeccionadas. La ms prometedora, segn parece, es la llamada tcnica de unin a baja temperatura (LTB), que conecta dos elementos por medio de una capa aglomerada por sinterizacin hecha con copos esponjosos de plata. Adems de una mayor elasticidad durante el ciclo de la carga, las uniones a baja temperatura tambin tienen menos resistencia trmica.

Reduccin de la resistencia trmica

Como alternativa a aumentar la temperatura mxima de la junta, tambin es posible aumentar la potencia de salida reduciendo la resistencia trmica Rth (vase frmula 1). La distribucin tpica de Rth en una estructura con un mdulo aislado IGBT de alta potencia, con una superficie IGBT total de unos 45 cm2, es aproximadamente la siguiente: Junta del IGBT con la placa de AlSiC (aluminio-carburo de silicio) 7 K/kW Placa base de AlSiC con el disipador trmico (contacto seco) 6 K/kW Disipador trmico con el ambiente 1035 K/kW*
* Este valor depende estrechamente del mtodo de refrigeracin (bajo para lquidos de refrigeracin, ms alto para refrigeracin por aire forzado)

(vase Revista ABB 4/2006) y por el hecho de que estn empezando a emerger nuevos materiales capaces de reducir la resistencia trmica interna de los mdulos entre un 30 y 50 por ciento. Entre estos materiales estn los MMC (compuestos matriciales metlicos) avanzados, que tienen una favorable adaptacin CTE y una conductividad trmica muy alta. Un ejemplo lo constituyen los MMC de diamante, que ofrecen conductividades trmicas de 400700 W/mK y que, por tanto, pueden superar incluso al cobre. Debido a la gran diferencia entre su coeficiente CTE y el del silicio, el cobre slo se usa en combinacin con otros materiales que tienen un coeficiente CTE adaptado (por ejemplo, molibdeno, vase 1i ). Adems de las mejoras en el disipador trmico, el contacto seco (no soldado) con el mdulo merece atencin especial. Su resistencia trmica no slo es alta, sino tambin muy propensa a las variaciones, puesto que es muy difcil garantizar una presin homognea de contacto y un buen contacto entre las superficies. El uso de grasas trmicas y aceites de silicona slo mitiga ligeramente los problemas, puesto que la conductividad trmica de estas sustancias es, como mnimo, 100 veces menor que la de los metales de la base del mdulo y el disipador trmico. Un enfoque muy prometedor para resolver este problema est en el uso de sustra-

Hay que destacar que el contacto seco del mdulo con el disipador trmico tiene aproximadamente la misma resistencia trmica que el propio mdulo y que la resistencia Rth est localizada, en un 40 a 70 por ciento, entre el disipador trmico y el ambiente. Desde este punto de vista, abordar la resistencia Rth externa del mdulo promete ms ventajas que concentrarse exclusivamente en la resistencia interna del mdulo. La razn para concentrarse en la resistencia Rth externa queda reforzada por los grandes mrgenes de rendimiento de los dispositivos modernos

Formas comunes de encapsulado para semiconductores de alta potencia: Un mdulo aislado (izquierda) y un mdulo de contacto a presin (a la derecha se muestra un IGCT tpico). En los mdulos de contacto a presin, la corriente de carga entra por una superficie k y sale por la superficie opuesta. Las bajas resistencias elctrica y trmica de los contactos estn aseguradas por la alta presin mecnica aplicada sobre esas superficies. En caso de fallo, las piezas polares metlicas j se funden y la corriente puede seguir circulando por el mdulo.
h i

En los mdulos de encapsulados aislados, el semiconductor f est aislado galvnicamente del disipador trmico c . Los contactos elctricos dentro del mdulo se hacen con hilos soldados. En caso de fallo del dispositivo, los hilos tienden a vaporizarse y el mdulo deja de conducir.

a b c d

Conexiones de Energa y de control Hilo de conexin Disipador de calor Cermica (normalmente AIN)
a

e f g

Placa base (norm. AISIC) Semiconductor Caja

a a

Disipador de calor Compensacin CTE (Mo)

j k

Caja (cermica) Cobre

Semiconductor

b f d e

k g l i k i j

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Facilidad de uso

tos intermedios metlicos con alta conductividad trmica, cuyas propiedades han sido determinadas de forma que se vuelvan muy suaves o incluso fluidos en condiciones normales de operacin. Por consiguiente forman entre el disipador trmico y el mdulo una conexin con un valor Rth similar al de una soldadura. Es perfectamente imaginable que, alternativamente, se vuelva a los mdulos con disipador trmico integrado, ya que el contacto seco se ha eliminado en este concepto. Estos productos no han conseguido establecerse a gran escala hasta ahora por su complejidad y altos costes.
Nuevas generaciones de semiconductores Dispositivos de silicio

dopados en la seccin intermedia que con el silicio, aspectos que, por razones que ya se han discutido en la primera parte4), suponen prdidas considerablemente menores en el semiconductor. Actualmente slo el SiC puede considerarse un serio candidato en el rango de alta potencia. El SiC es hasta ahora el nico material que permite construir componentes verticales, es decir, componentes en los que la corriente circula verticalmente por el cuerpo del semiconductor y no por su superficie. Solamente una construccin vertical como sta permite obtener una seccin transversal adecuadamente grande para las corrientes requeridas, manteniendo al mismo tiempo un tamao aceptable de los componentes.

Se han estudiado muchos conceptos Conceptos sobre componentes preferidos de SiC distintos de nuevos componentes, esAnlogamente al silicio, el SiC permite pecialmente durante los aos noventa; la fabricacin de semiconductores tanto los ms conocidos son el MCT (tiristor unipolares como modulados por concontrolado por MOS), el FCTh (tiristor ductividad (bipolares). Sin embargo, de silicio controlado por campo) y el debido al mayor dopado permitido en EST (tiristor conmutado por emisor). El la zona de deriva, el uso econmico de objetivo comn de estos conceptos de componentes unipolares de SiC es viadispositivo era combinar propiedades ble hasta tensiones de bloqueo significomo las del tiristor2) con una menor potencia del controlador. Puesto que cativamente mayores que con el silicio, todos estos componentes tenan deficoncretamente hasta unos 24 kV. Adeciencias conceptuales y dado que la ms, los componentes bipolares de SiC distribucin del plasma en los moderatraen el mximo inters para su uso nos IGBT se ha aproximado ya estreen el rango de alta tensin y alta poUn problema fundamental de los comchamente al tiristor ideal en los modertencia. ponentes de SiC con modulacin de nos IGBT, la innovacin con nuevos ticonductividad se debe al hecho de que En el caso de los componentes unipos de estructuras se ha reducido notalas uniones pn del SiC slo empiezan a polares, hoy da ya hay disponibles blemente. Actualmente, la probabilidad conducir a 2,8 V aproximadamente (a en el mercado diodos Schottky con de que el IGBT y el IGCT sean sustituidiferencia del silicio, que slo requiere dos por un componente de siuna tensin en torno a 0,7 V). licio bsicamente diferente paPuesto que todos los compo2 Expectativa de resistencia a la fatiga en funcin de las desviaciones rece ms remota que nunca. nentes modulados por contrmicas de los modernos mdulos IGBT aislados, de alta potencia, ductividad tienen al menos con placas base de AlSiC (por ejemplo, ABB HiPak o Infineon IHM) Materiales de amplio salto una unin pn en el camino de de banda la corriente, las prdidas de 107 Los componentes hechos con conduccin son altas. Por eso, Capacidad necesaria para los llamados materiales semiestos componentes pierden Tj,max = 150C (estimada) conductores de amplio salto mucho inters para tensiones de banda son otra va de dede ruptura inferiores a aproxi6 10 sarrollo. La ventaja de estos madamente 46 kV. Adems, materiales, de los que los ms la tensin de conduccin conocidos son el carburo de (tensin built-in) de las Capacidad actual a 105 silicio (SiC), el nitruro de galio uniones pn de SiC tiene un Tj,max = 125C (GaN) y el diamante (C), resicoeficiente de temperatura Capacidad actual a de en que presentan una rigimuy negativo, lo que puede Tj,max = 150C (estimada) dez dielctrica claramente masuponer el riesgo de que la 4 10 yor que el silicio, lo que percorriente se distribuya no ho40 50 60 70 80 90 100 mite conseguir componentes mogneamente en grandes Ciclo de temperatura (T) de la junta [C] con menores espesores y ms componentes.
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Nmero de ciclos hasta el fallo

corrientes nominales de hasta 20 A y tensiones de hasta 1.200 V. Estos dispositivos se usan principalmente en conmutacin de fuentes de alimentacin y en inversores de clulas solares. Adems, ya se han fabricado interruptores de SiC (MOSFET y JFET) con excelentes resultados, aunque slo a escala de laboratorio. Un problema importante es el hecho de que los MOSFET y JFET de SiC, con interesantes caractersticas elctricas, hasta ahora siempre han sido conductores, a menos que sean controlados (normalmente en conduccin). Los componentes con estas caractersticas nunca han sido bien aceptados por el mercado, incluso aunque los problemas asociados parezcan tcnicamente resolubles. Adems de diodos, ya se han fabricado con excelentes resultados componentes bipolares como IGBT, transistores bipolares (BJT) y tiristores para tensiones de hasta 10 kV. En el caso del BJT, hay que recalcar que, aunque es un componente bipolar, no suele producirse en l modulacin de la conductividad en estado de conduccin (a no ser que funcione con una ganancia muy baja). Por tanto, el BJT debera ser considerado como un componente unipolar por sus caractersticas de prdidas.

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Montaje de un mdulo HiPak semiconductor de potencia

Interior de un mdulo HiPak (vase tambin

, izquierda)

Calidad del material de SiC

El SiC sigue siendo un material muy difcil de producir en una calidad equiparable a la del silicio. Los microtubos, frecuentemente puestos en cuestin, son slo uno de los varios defectos perjudiciales del cristal, alguno de los cuales puede afectar negativamente a la estabilidad a largo plazo del componente, especialmente en el caso de componentes bipolares. As pues, la produccin industrial de componentes de SiC de gran superficie no es an posible. Otro aspecto negativo es el hecho de no es demasiado interesante mejorar la calidad del SiC. La razn est en que la mayora del SiC producido no se utiliza para fabricar semiconductores de potencia, sino como material soporte para la fabricacin de LED (diodos emisores de luz). El material que se utiliza para los LED es un tipo diferente de SiC (6H en vez de 4H), con mucha peor calidad, adecuado para una fabricacin econmica de los LED, dado su pequeo tamao.
Tecnologa de encapsulado de SiC

Por las razones mencionadas en la seccin Mayores temperaturas de unin, es difcil establecer una tecnologa de encapsulado que haga posibles temperaturas de junta significativamente ms altas que las habituales con el silicio. Por consiguiente, puede asumirse que las prdidas por unidad de superficie en los mayores dispositivos de SiC se mantendrn dentro de los mismos lmites que en los componentes de silicio, supuesto que no varen los requisitos de fiabilidad. Adems, existe el problema de que los dispositivos de SiC tienen tiempos ms cortos de conmutacin (es decir, mayor di/dt) que el silicio. Debido a ello, las inductancias parsitas permitidas en los encapsulados son menores que en los componentes de silicio. Sin embargo, el hecho de que las inductancias parsitas estn determinadas bsicamente por las distancias de aislamiento y las secciones transversales, hace difcil conseguir los valores requeridos en los encapsulados para altas potencias de salida. Desafortunadamente, la combinacin de problemas de calidad del material SiC, los elevados costes y las dificultades tcnicas, tanto en los componentes como en la tecnologa de encapsulado, reducen las esperanzas de que el progreso del SiC en el rango de alta potencia se produzca en un prximo futuro.
Resumen

go de las potencias ms altas. Ambos conceptos se desarrollan en paralelo y es perceptible que los objetivos de desarrollo convergen cada vez ms. En la etapa actual, ambos componentes pueden considerarse maduros (es decir, parece poco probable que se produzcan avances espectaculares, y el progreso futuro tendr seguramente carcter evolutivo, no revolucionario). Sin embargo, esto no es aplicable a las tecnologas de encapsulado y de interconexin, que todava pueden permitir el aprovechamiento del potencial del silicio, hasta ahora desaprovechado. La motivacin para innovar en este campo es alta, ya que la introduccin en gran escala de materiales de amplio salto de banda en el rango de alta potencia tiene todava un largo camino por delante. En la actualidad, el SiC parece ser el nico de estos materiales con posibilidades reales.

Es incuestionable que los componentes de SiC, incluso a largo plazo, seguirn siendo considerablemente ms caros que los componentes de silicio del mismo tamao. La perspectiva del xito comercial en el rango de alta potencia se basa en el hecho de que los componentes pueden operar a una densidad de corriente significativamente mayor que los componentes de silicio, debido a sus menores prdidas y a la mayor temperatura permitida de la junta (ms de 400C). Por desgracia, hay dos serios obstculos en el camino hacia este objetivo:
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Stefan Linder ABB Switzerland Ltd, Semiconductors Lenzburg, Suiza stefan.linder@ch.abb.com

Notas
2)

Vase tambin la subseccin Optimizacin de las prdidas de potencia en conduccin y corte por ajuste de la distribucin del plasma, en la primera parte de este artculo (Revista ABB 4/2006, pgina 36).

Sin duda, los IGBT e IGCT se han establecido como los dos interruptores de semiconductores con mejores resultados durante los ltimos aos en el ran-

3)

La llamada zona de deriva, vase figura 4 de la primera parte de este artculo, pgina 37. Objetivos del diseo del IGBT y del IGCT en la primera parte de este artculo (pgina 35).

4)

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