FUENTE TRANSISTORIZADA

Yeisson Bernal Ospina 1801458 David Leonardo Fajardo 1801376 Giovanni Zambrano Pinilla 1801544 Ing. Jos Quintero Pachn Resumen: este informe tiene como objetivo el diseo de una fuente transistorizada con diodo zener, partiendo desde los parmetros establecidos, sus clculos, simulacin y por ultimo su respectiva medicin. Palabras clave: transistor, diodo zener, resistencias, potencia, voltaje y corriente. Abstract: This report aims to design a transistor with zener diode source, starting from the parameters, their calculations, simulation and finally the respective measurement. Keywords: transistor, zener diode, resistors, power, voltage and current.
I . INTRODUCCIN.

En este informe se encuentra el diseo de una fuente de voltaje que a la salida nos entregara un voltaje variable de 3-18 voltios y una corriente de 1 amperio. La primera parte de este texto encontramos los objetivos propuestos, seguido por sus respectivos clculos matemticos, encontrando as los diagramas elctricos del circuito con su respectiva simulacin, una tabla de valores para comparar y por ltimo la conclusin o conclusiones a las que se lleg.

II . OBJETIVOS.

Objetivo general: Disear una fuente con carga variable utilizando transistores NPN y PNP en polarizacin por divisin de voltaje con un diodo Zener para regular la tensin sobre la carga.

III . DISEO.

Como se dijo anteriormente este es un circuito que permitir sobre su salida mantener un voltaje entre 3 y 18V con 1 amperio sobre la resistencia de carga.

El diseo consiste en hallar cada una de las resistencias que posee este circuito y la potencia que disipara cada uno de los dispositivos que componen a este circuito. En la siguiente figura (figura 1) se encontrara el circuito que se diseara:

Figura 1. Y tenemos los siguientes parmetros: Voltaje de entrada V1: 25.7V10% Corriente de salida Io= 1A Voltaje zener Vz=12V Potencia zener Pz=1W Beta del transistores 1=25,B2=200,B3=25,B4=25,B5=1000; Con todo esto empezamos a realizar los respectivos clculos. -Corriente diodo zener: P=V*I I=P/V Izmax=1W/12V=83.8mA Iz=Izmax*60%=50mA

-Corriente de base de los transistores: Ib1=Io/B1 Ib1=1 A/25 Ib1=40mA Ib2=Ib1/B2 Ib2=40mA/200 Ib2=200uA Ic3>>10Ib2 Ic3=3mA Ib3=3mA/25 Ib3=120uA Ib2=Ib1/B2 Ic4=Ic3=3mA - resistencias:

R4=10.47K

R3= 3.9K

RT= 25.7K Rp=5K R1= 2.7K R2= 910

IV . SIMULACIN.

V . Tabla de datos.

Valor () Ro1 Ro2 Ro3 31 50 90

Tensin (V) 18.02 V 18.1V 18.5 V

Tension(V) Vomin Vomed Vomax 23.13 25.7 28.27

Tension out (V) 17.98 18 18.05

VI . CONCLUSIN.

Para el diseo de la fuente transistorizada se debe tener en cuenta los Beta de los transistores con el cual trabajamos, as como tambin la potencia que nos va a disipar. La no precisin del valor en el montaje de los componentes en especial de las resistencias genero inconvenientes en las mediciones. Se debi realizar la conexin del Transistor fuera de la protoboard ya que el cable que se estaba utilizando para extender los buses era muy delgado y estaba generando resistencia, se realizo la conexin con caimanes obteniendo medidas ms cercanas, sin embargo en las mediciones tomadas sobre los caimanes que fueron conectados al transistor se encontr una perdida aproximadamente de 1 Voltio. Se evidencio que luego de varios minutos de estar encendida la fuente el amperaje requerido hacia la fuente de voltaje disminuyo, esto debido al calentamiento de los componentes (causa variacin en el beta del transistor)

VII .

BIBLIOGFRAFIA

MALVINO, Albert Paul. Principios de Electronica , 3ra Edicion en espaol, pag 888-897. Mac Graw Hill RASHID, Muhammad. Circuitos Microelectrnicos, anlisis y diseo. Editores Thomson