FIG. 1.

SISTEMA DE CMARAS DE MLTIPLES ESQUEMAS

2. La declaracin de grupos de herramienta de sistemas multicmara Varios grupos de sistemas multicmara UHV en diferentes configuraciones se han instalado en varios puntos del mundo. Estos incluyen el laboratorio IMM-CNR en Bolonia y Politecnico di Torino en Italia, la Universidad de Utrecht, la Universidad Tcnica de Delft y Energa Centro Nederland (ECN) en los Pases Bajos, de la Universidad de Barcelona y la ITMA en Espaa, investigacin Philips. Laboratorios en el Reino Unido y LNT en la Universidad Nacional de Vietnam. Las tecnologas de proceso de deposicin utilizado en el DPC de de estos sistemas son PECVD RF, VHF PECVD, HWCVD, p PECVD. Un sistema de grupos de cinco para la cmara de 156mm x 156mm sustratos utilizando rf PECVD en cuatro procesos cmaras (DPC1 para el silicio intrnseco, DPC2 de p-dopado de silicio, DPC3 de n-dopado de silicio, DPC4 para aleaciones de silicio), y grabado por plasma en DPC5 ha sido fabricado e instalado en la REC laboratorios en los Pases Bajos (Fig. 2). El sistema cuenta con un control completo de PC con capacidad de funcionamiento independiente simultnea de cada DPC y ser utilizado para la R&D en varios tipos de dispositivos electrnicos de pelcula delgada.

Fig. 2. Sistema de cmaras mltiples instalado en ECN Las caractersticas principales del sistema de cmaras mltiples clster UHV para declaracin de alta calidad fina pelculas semiconductoras diseado por Elettrorava se describen en la siguiente. El sistema consta de cinco proceso de deposicin de cmaras (DPC de) posicionado en torno a un centro Cmara de transferencia (TC), que contiene el brazo robtico de transporte. El controlador de sustrato utilizado en la cmara de transferencia en el sistema de cmaras mltiples se basa en un probado manipulador robtico compacto confiable y de campo que transfiere al vaco de los necesarios movimientos del portador de substrato. Los siguientes movimientos se llevan a cabo por el brazo durante el operaciones de transferencia de sustrato: giratorias para permitir la colocacin del brazo en frente de cada DPC lineales; horizontal mediante un brazo altamente estable y fiable de dos o cuatro sector para permitir la extensin en el DPC de; lineal vertical para permitir el enganche y suelte del soporte de sustrato por medio de un extremo en forma de pan efector. Una cmara de esclusa de carga adicional (LLC) con fcil acceso est conectada a la parte delantera de la TC para carga frontal de sustratos.

Varios sustratos (156mm x 156mm) se colocan por primera vez en la LLC para introduccin en el TC, los sustratos se introducen a continuacin en uno de los de DPC para realizar la proceso relativo; despus del proceso el sustrato se extrae de la DPC y se puede introducir en cualquier otro DPC para otro proceso o tener en la LLC para la descarga. La DPC y de la LLC son separado de la TC por medio de vlvulas de compuerta que estn abiertas slo para permitir la insercin sustrato y extraccin a partir de la DPC y de LLC. Esta configuracin permite la deposicin de capas en cualquier secuencia para producir cualquier tipo de dispositivo de mltiples capas, evitando la contaminacin cruzada entre diferentes capas. El DPC de cmaras cilndricas son construidos de acuerdo a los altos estndares de ultra vaco (UHV) (Estructura de acero inoxidable y todos los sellos de metal) que permiten a las presiones finales en el rango de 10-9 mbar a temperatura ambiente y en el rango de 10-7 mbar en la temperatura de proceso a ser fcilmente alcanzada; dedicada turbomolecular para cada cmara de bombeo se utiliza tanto durante bomba hacia abajo y durante el proceso, en Para evitar todas las posibles contaminaciones del sistema de bombeo, todas las bombas se purg con nitrgeno para proteger algunas de sus partes ms sensibles y evitar la posible acumulacin de txicos o explosivos componentes cuando se utilizan gases reactivos. El sustrato se coloca por el brazo robtico en cada DPC en un soporte hacia abajo para evitar la acumulacin de partculas de polvo en su superficie; un calentador colocado fuera de vaco (para evitar la contaminacin por esta fuente) calienta el sustrato por irradiacin hasta una mxima temperatura de aproximadamente 500 C; cada DPC tiene un colector de gas dedicado para la entrega de proceso invernadero; alto vaco se mide antes de proceso por un medidor de ionizacin y es la presin del proceso controlado por una vlvula de mariposa conectada a un manmetro de capacitancia; un generador de rf dedicado con relativo de la red concordancia automtica est conectada al electrodo en cada DPC para la excitacin de plasma; la distancia entre el sustrato y el electrodo se puede ajustar externamente desde 1 cm a 5 cm y la brida de donde est instalado el electrodo es extrable y puede ser fcilmente reemplazado con componentes para diferentes tecnologas de deposicin, tales como ECR y HWCVD. Opcionalmente capacidad de alta temperatura (1000 C) est disponible. El sistema de cmaras mltiples es controlada en su totalidad por PC, que permite estable y repetible control de todos los parmetros de deposicin y hacer que el sistema particularmente adecuado para la deposicin de dispositivos de mltiples capas.

3. Los resultados experimentales Materiales semiconductores Estado del arte y amorfo microcristalinag se han depositado con los sistemas multicmara instalados por Elettrorava, los programas de investigacin se han llevado a cabo en varias tipos de dispositivos. El extenso programa de

investigacin de clulas solares realizadas en la Universidad de Utrecht y Tcnica Delft University ha permitido depositar dispositivos con eficiencias superiores al 10% (1). Ms recientemente la adicin de cmaras de HWCVD en el sistema multicmara ha permitido optimizar la deposicin de amorfos y policristalinos pelculas delgadas de silicio por HWCVD y producir pin altamente estable dispositivos. Extensos programas de investigacin se han llevado a cabo en el sistema instalado en la IMM-CNR laboratorio de Bolonia y han dado lugar a resultados cientficos informaron en muchos papeles. Los temas principales investigados y los principales resultados obtenidos se resumen a continuacin. Deposicin de aleaciones de carburo de silicio utilizando rf PECVD: las propiedades de optoelctrico amorfa carburo de silicio se han optimizado para las pelculas depositadas en mezclas de gas de silano y metano / acetileno tanto sin diluir y con la adicin de hidrgeno (mezclas de gases diluidos de hidrgeno). Se ha demostrado que la brecha de energa se puede variar en un amplio intervalo y que la dilucin de hidrgeno mejora las propiedades fotoelctrico para pelculas con altos valores de la brecha de energa (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8,9, 10, 11, 12, 14, 17, 19, 20, 21, 22, 25, 26, 27, 29, 33). Deposicin de aleaciones de nitruro de silicio utilizando rf PECVD: las propiedades de optoelctrico amorfa nitruro de silicio se han optimizado para las pelculas depositadas en mezclas de gas de silano y amonaco tanto sin diluir y con la adicin de hidrgeno (mezclas de gases diluidos de hidrgeno). Se ha demostrado que los la brecha de energa se puede variar en una gama muy amplia y que la dilucin de hidrgeno mejora la propiedades optoelctrico para pelculas con altos valores de la brecha de energa (15, 16, 24, 28, 30, 34). La deposicin de silicio y sus aleaciones utilizando VHF PECVD: silicio amorfo, carburo de silicio y pelculas de aleacin de nitruro de silicio se han depositado en 100 MHz. Estas pelculas se depositan en un alto velocidad de deposicin y al mismo tiempo muestran buenas propiedades optoelctrico. La deposicin de estructuras de mltiples capas: estructuras de mltiples capas que consta de brecha alta energa alternativa y las capas de la brecha de bajo consumo han sido depositados, estas estructuras muestran una buena fotoluminiscencia propiedades (30, 32). La deposicin de las clulas solares de heterounin: capas de silicio amorfo intrnseco y dopado han sido depositado sobre obleas de silicio cristalino con el fin de producir dispositivos pin fotoelctricamente activos con buena calidad optoelctrico (13, 23, 31). Deposicin de LED: LED utilizando como activo capa amorfa de carburo de silicio y nitruro de silicio capas, as como multicapas se han depositado, estos dispositivos presentan una buena emisin en el visible espectro (18,32). Extensos programas de investigacin se llevan a cabo en el sistema multicmara PECVD instalado en ECN: optimizacin de los procesos de deposicin de silicio amorfo y microcristalino, silicio xido y carburo de silicio est en curso