PFC Garcia Rincon

DISSEO E IMPLEMENTACIN DE UN DIVISOR DE POTENCIA EN BANDA DUAL CON ESTRUCTURAS METAMATERIALES BASADAS EN CSRRs
Memoria del Trabajo Final de Carrera de Ingeniera de Telecomunicacin Realizado por Jordi Garcia Rincn y dirigido por Ferran Martn y Jordi Bonache Bellaterra, 14 de Septiembre de 2007
Escola Tcnica Superior dEnginyeria
Els sotasignats, Ferran Martn i Jordi Bonache Professors de l'Escola Tcnica Superior d'Enginyeria de la UAB,
CERTIFICA:
Que el treball a qu correspon aquesta memria ha estat realitzat sota la seva direcci per en Jordi Garcia Rincn
I per tal que consti firma la present.
Signat: ............................................ Signat: ............................................ Bellaterra, 14 de Setembre de 2007
ndice de ttulos
Captulo 1 Introduccin ........................................................................................................ 6 1.1. Introduccin a los Metamateriales .................................................................................. 7 1.1.1. Medios con permeabilidad magntica y permitividad dielctrica negativas.......... 10 1.2. Lneas de transmisin convencional (RHM)................................................................. 13 1.2.1. Caso general ........................................................................................................... 13 1.2.2. Caso sin prdidas.................................................................................................... 16 1.3. Lneas de transmisin metamaterial.............................................................................. 19 1.3.1. Lnea de transmisin zurda (LHM)........................................................................ 19 1.3.2. Lnea de transmisin dual o compuesta (CLRH TL) ............................................. 20 1.3.3. Lneas basadas en el modelo resonante.................................................................. 23 1.3.3.1. Lneas basadas en resonadores de anillos abiertos (SRRs) ............................. 24 1.3.3.2. Lneas basadas en resonadores de anillos abiertos complementarios (CSRRs) ...................................................................................................................................... 25 1.4. Referencias .................................................................................................................... 26
Captulo 2 - Diseo de dispositivos en banda dual con lneas de transmisin metamaterial ........................................................................................................................... 28 2.1. Principio de funcionamiento de los dispositivos en banda dual implementados con lneas de transmisin metamaterial ...................................................................................... 29 2.2. Diseo de inversores de impedancias basados en CSRRs operativos en banda dual ... 32 2.3. Referencias .................................................................................................................... 38 Captulo 3 Aplicacin al diseo de un divisor de potencia en banda dual ..................... 39 3.1. Introduccin a los divisores de potencia ....................................................................... 39 3.1.1. Divisores de potencia implementados con inversores de impedancias.................. 42 3.2. Diseo de un divisor de potencia en banda dual mediante lneas metamateriales basadas en CSRRs................................................................................................................ 44 3.3. Caracterizacin.............................................................................................................. 48 3.4. Referencias .................................................................................................................... 50 Captulo 4 Conclusiones...................................................................................................... 51
ndice de figuras
Figura 1-1 Clasificacin de los materiales en funcin del signo de y . .............................. 8 Figura 1-2 Relacin E, H y k para un medio LHM (a) y un medio convencional RHM (b). . 9 Figura 1-3 Refraccin de las ondas EM en la superficie de contacto entre dos medios iguales (a) y entre un medio RH y otro LH (b). ..................................................................................... 9 Figura 1-4 Lente convencional (a) y lente implementada con metamateriales (b). .............. 10 Figura 1-5 Detalle de un SRR. .............................................................................................. 11 Figura 1-6 Configuracin tridimensional basada en SRRs e hilos de un medio zurdo......... 12 Figura 1-7 Material creado por Pendry y Smith con y negativas.. .................................. 12 Figura 1-8 - Modelo circuital de lnea de transmisin convencional sin prdidas (diestra). ... 13 Figura 1-9 - Equivalente a celda bsica de una lnea de transmisin....................................... 14 Figura 1-10 Matrices de parmetros ABCD de impedancia serie y admitancia paralelo. .... 14 Figura 1-11 - Modelo discreto de una lnea de transmisin convencional sin prdidas. ......... 16 Figura 1-12 - Caso particular de modelo discreto de lnea de transmisin convencional sin prdidas. ................................................................................................................................... 18 Figura 1-13 - Diagrama de dispersin de la celda mostrada en la figura 1-12. ...................... 18 Figura 1-14 - Modelo discreto de una lnea de transmisin zurda sin prdidas....................... 19 Figura 1-15 - Diagrama de dispersin de la celda mostrada en la figura 1-14. ...................... 19 Figura 1-16 - Modelo discreto de una lnea de transmisin dual o compuesta sin prdidas.... 20 Figura 1-17 Diagrama de dispersin para el caso balanceado (a) y para el caso no balanceado (b). ......................................................................................................................... 23 Figura 1-18 Ambas caras de un prototipo de estructura metamaterial CPW. En la cara superior se observa el medio de hilos mientras que en la inferior hay grabados los SRRs. .... 24 Figura 1-19 Topologa del SRR y del CSRR. ....................................................................... 25 Figura 1-20 Lnea de transmisin LHM basada en CSRRs (a). Modelo discreto de un CSRR acoplado como se muestra en la figura a (b)............................................................................ 26 Figura 2-1 Ejemplo de relacin de dispersin para lnea CRLH en el caso no balanceado.. 29 Figura 2-2 Ejemplo de relacin de dispersin para lnea CRLH en caso no balanceado con distintas regiones zurdas sin que haya modificacin en la regin diestra................................ 30 Figura 2-3 Layout en Momentum de un inversor de impedancias basado en CSRR operativo en banda dual............................................................................................................................ 33 Figura 2-4 Resultados obtenidos al simular el layout mostrado en la figura 2-4.................. 35
Figura 2-5 Layout del inversor de impedancias basado en un CSRR operativo en banda dual. .......................................................................................................................................... 37 Figura 2-6 Respuesta del inversor diseado cuyo layout se muestra en la figura 2-5. ......... 38 Figura 3-1 Ejemplo de divisores de potencia de tres puertos en T. ...................................... 41 Figura 3-2 Divisor de potencia mediante lneas de transmisin. .......................................... 42 Figura 3-3 Circuito a analizar para hallar la impedancia de entrada en el puerto 1.............. 43 Figura 3-4 Circuito a analizar para hallar el parmetro de transmisin entre el puerto 1 y los puertos 2 o 3. ............................................................................................................................ 43 Figura 3-5 Layout final del divisor de potencia en banda dual basado en CSRRs. .............. 45 Figura 3-6 Ampliacin de la interconexin de los inversores y lnea de acceso principal. .. 45 Figura 3-7 Resultados obtenidos tras la simulacin del layout del divisor de potencia........ 46 Figura 3-8 Layout de los inversores que implementan el divisor de potencia...................... 47 Figura 3-9 Divisor de potencia. Cara superior (a) y cara inferior (b). .................................. 48 Figura 3-10 Resultado de las mediciones realizadas al divisor de potencia. ........................ 49 Figura 3-11 Resultado de las mediciones realizadas al divisor de potencia superpuestos a los obtenidos con la simulacin. .................................................................................................... 50
ndice de ecuaciones y clculos

Ecuacin (1.1) ............................................................................................................................ 7 Ecuacin (1.2) ............................................................................................................................ 9 Ecuacin (1.3) .......................................................................................................................... 10 Ecuacin (1.4) .......................................................................................................................... 14 Ecuacin (1.4) .......................................................................................................................... 14 Ecuacin (1.5) .......................................................................................................................... 15 Ecuacin (1.6) .......................................................................................................................... 15 Ecuacin (1.7) .......................................................................................................................... 15 Ecuacin (1.8) .......................................................................................................................... 15 Ecuacin (1.9) .......................................................................................................................... 15 Ecuacin (1.10) ........................................................................................................................ 15 Ecuacin (1.11) ........................................................................................................................ 15 Ecuacin (1.12) ........................................................................................................................ 15 Ecuacin (1.13) ........................................................................................................................ 16 Ecuacin (1.14) ........................................................................................................................ 16 Ecuacin (1.15) ........................................................................................................................ 16 Ecuacin (1.16) ........................................................................................................................ 16 Ecuacin (1.17) ........................................................................................................................ 16 Ecuacin (1.18) ........................................................................................................................ 17 Ecuacin (1.19) ........................................................................................................................ 17 Ecuacin (1.20) ........................................................................................................................ 17 Ecuacin (1.21) ........................................................................................................................ 17 Ecuacin (1.22) ........................................................................................................................ 17 Ecuacin (1.23) ........................................................................................................................ 17 Ecuacin (1.24) ........................................................................................................................ 18 Ecuacin (1.25) ........................................................................................................................ 18 Ecuacin (1.26) ........................................................................................................................ 20 Ecuacin (1.27) ........................................................................................................................ 21 Ecuacin (1.28) ........................................................................................................................ 21 Ecuacin (1.29) ........................................................................................................................ 21 Ecuacin (1.30) ........................................................................................................................ 22 Ecuacin (2.1) .......................................................................................................................... 28 4
Ecuacin (2.2) .......................................................................................................................... 28 Ecuacin (2.3) .......................................................................................................................... 31 Ecuacin (2.4) .......................................................................................................................... 31 Ecuacin (2.5) .......................................................................................................................... 31 Ecuacin (2.6) .......................................................................................................................... 31 Ecuacin (2.7) .......................................................................................................................... 32 Ecuacin (2.8) .......................................................................................................................... 34 Ecuacin (2.9) .......................................................................................................................... 34 Ecuacin (2.10) ........................................................................................................................ 35 Ecuacin (3.1) .......................................................................................................................... 39 Ecuacin (3.2) .......................................................................................................................... 40 Ecuacin (3.3) .......................................................................................................................... 40 Ecuacin (3.4) .......................................................................................................................... 40 Ecuacin (3.5) .......................................................................................................................... 40 Ecuacin (3.6) .......................................................................................................................... 40 Ecuacin (3.7) .......................................................................................................................... 41 Ecuacin (3.8) .......................................................................................................................... 41 Ecuacin (3.9) .......................................................................................................................... 41 Ecuacin (3.10) ........................................................................................................................ 42 Ecuacin (3.11) ........................................................................................................................ 43 Ecuacin (3.12) ........................................................................................................................ 43 Ecuacin (3.13) ........................................................................................................................ 44 Ecuacin (3.14) ........................................................................................................................ 44
Introduccin
Captulo 1 Introduccin
La tecnologa es una ciencia que est sujeta a continuos avances. Frecuentemente surgen nuevas tecnologas que son estudiadas por cientficos, ingenieros y tecnlogos de distintos mbitos. Algunas de ellas prosperarn y aportarn beneficios a la sociedad en que vivimos. Por contra, otras se quedarn por el camino y se olvidarn, quizs slo temporalmente para despus volver a emerger. La tecnologa metamaterial es una tecnologa que est resurgiendo recientemente pese a no ser realmente nueva. A finales de la dcada de los 60, el fsico ucraniano Victor G. Veselago realiz algunas especulaciones sobre la existencia de medios que presentaran una permitividad dielctrica () y permeabilidad magntica () negativas. En 1968 escribi un artculo en Soviet Physics Uspekhi [1] donde se postulaban las propiedades que podra tener un medio artificial con y negativas. Dicho artculo cre un gran revuelo, sin embargo, la teora propuesta por Veselago quedo temporalmente apartada al no aportar pruebas concluyentes de la existencia de materiales con semejantes caractersticas. Posteriormente, los doctores John B. Pendry y David R. Smith [2] dieron un vuelco importantsimo a la situacin gracias a la creacin de materiales con unas caractersticas como
Introduccin
las descritas por Veselago. A partir de ese momento, los metamateriales cobraron un gran inters, y en la actualidad son una de las tecnologas que levantan mayores expectativas por sus fascinantes propiedades. En este proyecto, nos proponemos dar un paso ms en el campo de los metamateriales diseando y fabricando un divisor de potencia en banda dual implementado mediante lneas metamateriales. Con la tecnologa microstrip actual ya es posible disear un dispositivo con las caractersticas anteriormente mencionadas, siempre y cuando las frecuencias de funcionamiento sean mltiples la una de la otra, condicin que resulta una importante limitacin. El dispositivo que en este proyecto se disear permitir superar dicha restriccin, permitiendo por lo tanto implementar un solo divisor con dos frecuencias de funcionamiento arbitrarias. A lo largo de este captulo se introducirn las caractersticas bsicas de la tecnologa metamaterial. En primer lugar se vern los comportamientos que los hacen distintos a los materiales convencionales (medios diestros) para despus pasar a mostrar como se pueden modelar mediante SRRs y CSRRs, y por ltimo ver como stos pueden ser aplicados sobre lneas de transmisin.
1.1. Introduccin a los Metamateriales

Los metamateriales se definen como medios efectivos y homogneos con propiedades electromagnticas exticas poco comunes en la naturaleza. Por regla general, se llama medio efectivo a una estructura que presenta un tamao medio de celda mucho menor al de la longitud de onda guiada, por lo que para dicha onda, el material ser homogneo [3]. Al trabajar con medios efectivos se pueden especificar magnitudes electromagnticas efectivas (eff y eff), que se podrn ajustar en cierto modo mediante el adecuado diseo de la celda que formar el medio. Un buen diseo permitir imponer valores arbitrarios de impedancia y velocidad de fase, por lo que hasta cierto punto, ser posible controlar el diagrama de dispersin, que relaciona la constante de propagacin con la frecuencia (()), y cuya expresin se muestra en la ecuacin (1.1) [3].
=
regiones de comportamiento tal y como se muestran en la figura 1-1.
(1.1)
En funcin del signo de las magnitudes electromagnticas eff y eff se definirn cuatro
Introduccin
Figura 1-1 Clasificacin de los materiales en funcin del signo de y . Figura extrada de [3].
De los 4 medios que se observan en la figura 1-1, solamente dos de ellos permiten la propagacin: los medios I y III. En el medio I, tanto eff como eff son positivos y esto corresponde a un medio dielctrico convencional (diestro). En el medio II eff es positivo pero eff es negativo, por lo que la constante de propagacin (1.1) ser compleja y slo se admitirn modos evanescentes, imposibilitando por tanto la propagacin. En el medio III, eff y eff son simultneamente negativos. En tal caso la propagacin vuelve a ser posible, con la consideracin que tal comportamiento nicamente se puede dar en materiales artificiales. Por ltimo, en el medio IV eff es negativo pero eff es positivo, de modo que estamos en el mismo caso que el medio II. A lo largo de este documento nos centraremos bsicamente en los medios que conforman el 3er cuadrante. Los medios del 3er cuadrante se denominan tambin medios zurdos (LHM de sus siglas en ingles Left Hended Metamaterial) porque el vector de onda junto con el campo elctrico y el campo magntico no siguen la regla de la mano derecha sino que siguen la de la mano izquierda. En la figura 1-2 se muestra este efecto con ms detalle.
Introduccin
Figura 1-2 Relacin E, H y k para un medio LHM (a) y un medio convencional RHM (b).
Otra caracterstica importante a destacar es que la ley de Snell se invierte al considerar el signo negativo que aparecer en la definicin del ndice de refraccin (1.2).
n =
modo, los efectos Doppler y de Cherenkov tambin se invierten.
(1.2)
Para ver el efecto que produce la inversin de la ley de Snell mirar figura 1-3. De igual
Figura 1-3 Refraccin de las ondas EM en la superficie de contacto entre dos medios iguales (a) y entre un medio RH y otro LH (b). Figura extrada de [3].
En la figura 1-3 se observa como es posible invertir la direccin de propagacin de la onda que incide sobre la superficie de contacto de dos medios distintos (uno RH y el otro LH), comportamiento que puede ser empleado en la construccin de lentes sin que los materiales deban estar curvados tal y como se puede ver en la figura 1-4. En esta figura se puede ver como gracias a la interposicin de un medio LH en un medio convencional RH se consigue crear una lente totalmente plana.
Introduccin
Figura 1-4 Lente convencional (a) y lente implementada con metamateriales (b). Figura extrada de [2].
Uno de los comportamientos que ha levantado mayor expectativa y a su vez controversia en el campo de los metamateriales se da cuando se cumple la condicin (1.3).
0 = 0 = 1
(1.3)
En estas situaciones, la impedancia del medio y la del vaco son iguales y el desfase de la onda entre la fuente y el foco se anula incluso para las ondas evanescentes. Este hecho tendra como resultado la focalizacin ms all del lmite ptico de la longitud de onda, obteniendo por tanto una lente perfecta [4]. A continuacin se mostrar como es posible conseguir los medios con y negativas. En primer lugar se mostraran las partculas que posibilitan obtener valores de permeabilidad magntica negativa y posteriormente las que aportan una permitividad dielctrica negativa.
1.1.1. Medios con permeabilidad magntica y permitividad dielctrica negativas

Tal y como se argument anteriormente, para obtener un medio zurdo es necesario que tanto la permeabilidad magntica como la permitividad dielctrica sean negativas simultneamente. A continuacin se mostrar como es posible obtener estructuras con negativa. A finales de los aos 90, John Pendry present una partcula con la que era posible obtener valores negativos de [5]. Esta partcula, conocida como resonador en anillos abiertos (SRR del ingls Split Ring Resonator), supuso un punto de inflexin en el campo de los metamateriales. El resonador, tal y como se muestra con ms detalle en la figura 1-5, est formado por dos anillos concntricos metlicos con unas pequeas aberturas o cortes en extremos opuestos en un anillo del otro. Entre anillos hay una separacin d.
10
Introduccin
Figura 1-5 Detalle de un SRR.
Esta estructura no se alimenta directamente sino que debe ser excitada mediante un campo magntico variable en la direccin de la superficie que definen los anillos. Este campo magntico puede proceder de una onda externa al medio o tambin de un modo propagado por una lnea coplanar. Las corrientes que se generarn en cada uno de los anillos no se podrn cerrar sobre el propio anillo debido a las aberturas que a ste se le han realizado, por lo que nicamente se podrn cerrar a travs de la corriente de desplazamiento, y esto ser posible por el gran efecto capacitivo que habr dada la proximidad entre los anillos. Para que un dispositivo presente un comportamiento resonante, es necesario un efecto capacitivo y otro inductivo. En los SRRs, el efecto inductivo lo aportan los conductores que crean los anillos mientras que el efecto capacitivo vendr dado por la separacin entre los conductores que forman los anillos y las propias aberturas de ambos anillos. Actualmente existen nuevas topologas para implementar variaciones de los SRRs. Algunas de stas se muestran en [6]. Dado el carcter resonante de los SRRs, mediante un array peridico de estas partculas con una excitacin adecuada es posible obtener valores negativos de permeabilidad magntica efectiva dentro de un determinado rango de frecuencias. As pues, mediante las partculas aqu mostradas se consigue obtener valores negativos de , pero para obtener un medio LH, tambin es necesario obtener valores negativos de . A continuacin se ver como lograr una permitividad negativa. Para obtener permeabilidad negativa se usaron inicialmente las partculas llamadas SRRs. En este caso, para obtener permitividad negativa se usa una estructura conocida como medio de hilos. Este medio est formado por un conjunto de hilos conductores muy finos que, al ser excitados con un campo elctrico que presente su misma direccin, presentarn valores negativos de nuevamente dentro de un determinado rango de frecuencias. Modificando el radio de los hilos y la periodicidad de la red es posible modificar el rango de frecuencias en las que el medio de hilos presenta valores negativos de . Por lo tanto, juntando arrays de partculas SRRs y medios de hilos metlicos se consiguen estructuras con y negativas, que presentarn un comportamiento como el descrito por Veselado sobre los medios zurdos.
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Introduccin
La primera estructura con comportamiento zurdo que se creo presentaban una configuracin tridimensional y fue introducida por Smith [3]. Esta estructura se muestra en la figura 1-6. En ella se pueden apreciar los arrays de SRRs que implementan el medio con negativa y tambin los arrays de hilos metlicos que implementan el medio con negativa.
Figura 1-6 Configuracin tridimensional basada en SRRs e hilos de un medio zurdo. Figura extrada de [3].
Se debe destacar que para que esta estructura se comporte como un medio LH, la excitacin que reciba, tanto el medio de hilos como los arrays de SRRs, debe ser la adecuada tal y como se coment anteriormente. Los hilos metlicos se deben excitar mediante un campo elctrico con su misma direccin mientras que los SRRs se debern excitar con un campo magntico en la direccin del eje de los anillos. La estructura diseada e implementada por Smith fue la base para posteriores materiales zurdos, como el que crearon Pendry y Smith, mostrado en la figura 1-7. En esta estructura se compactaron los SRRs y los medios de hilos. Sin embargo, la estructura segua presentando una configuracin tridimensional que dificultaba la implantacin de esta tecnologa en los sistemas actuales dado que en estos predomina la tecnologa planar.
Figura 1-7 Material creado por Pendry y Smith con y negativas. Figura extrada de [2].
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Introduccin
A parte de una configuracin tridimensional, los medios metamateriales tambin se pueden representar mediante estructuras planares. Durante el ao 2002, el doctor griego Eleftheriades present el modelo coplanar de dichos medios [7] y los doctores Caloz e Itoh realizaron otro gran avance en el campo de los metamateriales al presentar la primera lnea de transmisin dual con tecnologa microstrip [8]. Posteriormente en este documento se trataran estas configuraciones. A continuacin se proceder a analizar la lnea de transmisin convencional (diestra) para posteriormente introducir el modelo circuital de la lnea de transmisin puramente zurda. Por ltimo, al final del captulo se ver como es posible modelar las lneas duales o compuestas mediante una combinacin directa de los modelos de lneas diestras y zurdas as como su comportamiento.
1.2. Lneas de transmisin convencional (RHM)

1.2.1. Caso general
Un mtodo ampliamente extendido para representar las lneas de transmisin consiste en emplear dos conductores divididos en secciones de longitud z, donde z es la direccin que toman los conductores. Cada una de las secciones recibe el nombre de celda elemental y se puede modelar mediante elementos concentrados por unidad de longitud [9]. A continuacin se muestra en la figura 1-8 una celda elemental del modelo circuital equivalente en elementos concentrados de una lnea de transmisin convencional. Los parmetros R, L, C y G se definen como: R: Resistencia serie por unidad de longitud para ambos conductores, en /m. L: Inductancia serie por unidad de longitud para ambos conductores, en H/m. C: Capacidad por unidad de longitud, en F/m. G: Conductancia por unidad de longitud, en S/m.
Figura 1-8 - Modelo circuital de lnea de transmisin convencional sin prdidas (diestra).
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Introduccin
El modelo mostrado en la figura 1-8 se puede representar agrupando los componentes tal y como se muestra en la figura 1-9, donde Z2 hara referencia a la impedancia y la inductancia de la siguiente celda.
Figura 1-9 - Equivalente a celda bsica de una lnea de transmisin.
A continuacin se calcular la matriz de parmetros ABCD de la estructura de la figura 1-9. Para ello se emplearn las matrices de parmetros ABCD de una impedancia serie y una admitancia paralelo tal y como se muestra en la figura 1-10.
A=1 C=0
B=Z D=1
A=1 C=Y
B=0 D=1
Figura 1-10 Matrices de parmetros ABCD de impedancia serie y admitancia paralelo.
A partir de las matrices ABCD de los componentes aislados se puede hallar fcilmente la matriz total nicamente realizando una multiplicacin de matrices. As pues, si se realiza el clculo se obtiene:
1 1 Z 1 1 0 1 Z3
Z1 0 1 Z 1 + 2 Z3 10 1 = 1 Z 3
Z1 Z2 1 + Z + Z1 3 Z2 1+ Z3
(1.4)
Acto seguido se estudiaran las caractersticas de propagacin de una lnea infinita como la mostrada en la figura 1-8. Cada celda bsica de dicha lnea se definir de longitud l (l=z) y una impedancia caracterstica Z0. Si se considera la lnea infinita como si estuviera compuesta por una cascada de una red de dos puertos idnticos, se puede relacionar los voltajes y las corrientes en cada lado de la celda n usando la matriz ABCD (1.5).
Vn A B Vn +1 I = C D I n +1 n
(1.5)
Donde A, B, C y D son los parmetros de la matriz para una cascada de lneas de transmisin de seccin l/2, susceptancia b y otra seccin de lnea de transmisin de longitud l/2. En tal caso, la matriz de parmetros ABCD toma las siguientes expresiones:
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Introduccin
(cos ) b sin ( ) A B 2 C D = b j sin + cos + b 2 2 b b j sin + cos 2 2 b (cos ) sin ( ) 2
(1.6)
Donde =kd, y k es la constante de propagacin de la lnea. Al ser una red reciproca se cumple que AD-BC=1. Tambin se cumple que:
Vn+1 = Vn e l I n+1 = I n e l
Usando los resultados de (1.5) se llega a la expresin (1.8):
(1.7)
Vn A B Vn+1 Vn+1el I = C D I = l n+1 I n+1e n

O lo que es lo mismo:
(1.8)
A el C
Vn+1 = 0 D e I n+1 B
l
(1.9)
Entonces, el determinante de la matriz (1.9) vale:
AD + e 2l ( A + D )el BC = 0
Y dado que AD-BC=1,
1 + e 2 l ( A + D )e l = 0 1 + e 2 l = ( A + D )e l e l 1 + e 2 l = A + D e
l
(1.10)
+ e
= A+ D
cosh ( l ) =
A+ D 2
(1.11)
A partir de la expresin (1.11) es posible representar el diagrama de dispersin, que resultar posteriormente muy interesante a fin de poder comprobar el comportamiento de las lneas de transmisiones tanto diestras como zurdas. Anteriormente, en la figura 1-8 se vio el modelo general de una lnea de transmisin. Aplicando las leyes de Kirchoff se puede resolver el sistema [9] y obtener las siguientes relaciones:
(R + jL )(G + jC ) = + j
R + j L
(1.12) (1.13)
Z0 =
( R + j L ) (G + jC )
Donde es la constante de propagacin compleja. La parte real representa las prdidas de propagacin y la parte imaginaria hace referencia a la constante de fase.
15
Introduccin 1.2.2. Caso sin prdidas

Existen determinados casos, como el mostrado en la figura 1-11 en que las prdidas son muy bajas, por lo que se pueden despreciar (=0) quedando entonces (1.12) de la siguiente manera:
=0 = + j j
= j LC = LC
Z0 =
(1.14)
( R + j L ) = ( j L ) (G + jC ) ( jC )
Z0 = L C
(1.15)
Figura 1-11 - Modelo discreto de una lnea de transmisin convencional sin prdidas.
Por otro lado, tenemos que la impedancia de una onda plana (), que se define como la relacin entre los campos E y H , tambin coincide con la impedancia intrnseca del medio y sigue la relacin mostrada en (1.16).
(1.16)
A partir de las expresiones (1.14) y (1.16) resulta directo ver como es posible obtener la expresin (1.1) mostrada al principio del presente captulo. Por lo tanto, de las ecuaciones (1.13), (1.14), (1.15) y (1.16) podemos extraer las siguientes igualdades:
L=
(1.17) (1.18)
C =
Con (1.17) y (1.18) se puede comprobar el comportamiento que ya se introdujo en la figura 1-1; cuando y tengan signo opuesto, el ndice de refraccin ser imaginario al igual que la constante de propagacin, y estaremos en medios donde no habr propagacin. Retomando (1.11) y considerando que ahora se est estudiando el caso sin prdidas, se obtiene la expresin (1.19).
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Introduccin
cos( l ) = A+ D 2
(1.19)
Si se substituyen los parmetros A y D por el valor hallado en (1.4) (por simetra Z1 y Z2 son iguales), se obtiene la expresin (1.20).
cos( l ) =
Z Z A+ D = A cos( l ) = 1 + 1 = 1 + 2 2 Z3 Z3
(1.20)
Como ya se ha comentado, Z1 y Z2 son iguales, de modo que para simplificar la expresin (1.20), ambas impedancias se renombraran a Zs (impedancia serie) y Z3 pasar a llamarse Zp (impedancia paralelo), quedando la ecuacin (1.20) como la expresin mostrada en (1.21).
cos( l ) = 1 +
Zs Zp
(1.21)
Cuando se trabaja con estructuras peridicas, como por ejemplo una configuracin LC para modelar una lnea de transmisin, a diferencia de las estructuras no peridicas, la relacin entre voltajes y corrientes permanece constante en los terminales de las celdas elementales que forman la red. Esta relacin constante para estructuras peridicas entre voltajes y corrientes es conocida como impedancia bloch (ZB) y sigue la expresin mostrada en (1.22) [3].
D2 1 ZB = C
(1.22)
El signo positivo o negativo de la expresin vendr dado por si la onda que viaja por la red es progresiva o regresiva. En el caso de aplicar la expresin (1.22) a una estructura con la forma mostrada en la figura 1-12, la impedancia bloch quedar como se muestra en (1.23).
ZB =
(ZY / 2)2 + ZY
Y
(1.23)
Y operando un poco la expresin (1.23) podemos llegar a obtener la expresin (1.24) para la impedancia bloch, que como se observa, est directamente relacionada con las impedancias de la rama serie y la rama en derivacin.
Z B = Zs (Zs + 2Zp )
(1.24)
A continuacin se representar el diagrama de dispersin para un caso particular como el mostrado en la figura 1-12. En principio, los valores escogidos de L y C carecen de importancia, pero para el caso se ha fijado una L=1nH y una C= 0.39843pF.
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Introduccin
Figura 1-12 - Caso particular de modelo discreto de lnea de transmisin convencional sin prdidas.
El diagrama de dispersin se muestra en la figura 1-13. En esta figura se puede apreciar como la velocidad de fase (1.25) es siempre positiva ya que en todo momento, tanto la frecuencia como la constante de propagacin son positivas. De igual modo, la velocidad de grupo (1.26) tambin es positiva (la funcin representada es creciente), que se corresponde con el comportamiento tpico de un medio convencional diestro.
Figura 1-13 - Diagrama de dispersin de la celda mostrada en la figura 1-12.
Vf = Vg =
(1.25)
(1.26)
Una vez estudiado el comportamiento de una lnea de transmisin convencional se proceder a tratar el caso de la lnea de transmisin zurda. Al igual que en la seccin anterior se realizar el estudio para el caso sin prdidas.
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Introduccin
1.3. Lneas de transmisin metamaterial

1.3.1. Lnea de transmisin zurda (LHM)
Tal y como se pudo ver en la seccin anterior, para la existencia de modos propagativos es indispensable que y tengan el mismo signo. Anteriormente se ha estudiado el caso en que ambos parmetros eran positivos, hecho correspondiente a los medios diestros, por lo que ahora se estudiar el caso en que ambos sean negativos. A partir de las expresiones (1.17) y (1.18) se puede ver claramente que en tal caso L y C debern tener valores negativos, o lo que es lo mismo, la impedancia serie deber ser capacitiva y la impedancia paralela inductiva. Por lo tanto, el modelo que representar una lnea de transmisin zurda ser el mismo que representa la lnea de transmisin diestra intercambiando inductancias por capacidades y capacidades por inductancias. Dicho modelo se muestra en la figura 1-14.
Figura 1-14 - Modelo discreto de una lnea de transmisin zurda sin prdidas.
A continuacin se representar de nuevo el diagrama de dispersin. Para este caso se ha fijado una L=8.83nH y una C=1pF, aunque estos valores podran ser otros perfectamente. El diagrama de dispersin se muestra en la figura 1-15.
Figura 1-15 - Diagrama de dispersin de la celda mostrada en la figura 1-14.
Estudiando el diagrama de dispersin de la celda elemental para una lnea de transmisin zurda mostrada en la figura 1-15, se puede observar como hay un hecho relevante a
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Introduccin
tener en consideracin. Mientras la velocidad de grupo sigue siendo positiva (la relacin sigue presentando una tendencia creciente), la velocidad de fase es ahora negativa, dado que la constante de propagacin toma valores negativos mientras que la frecuencia evidentemente sigue siendo positiva. La propagacin de ondas con velocidad de fase y grupo distintas es un comportamiento tpico de los medios metamateriales y dichas ondas se conoce como ondas de retroceso o Backward waves en ingls.
1.3.2. Lnea de transmisin dual o compuesta (CLRH TL)

Los dos modelos de lneas de transmisin vistos hasta ahora presentaban un comportamiento nicamente diestro o zurdo, sin embargo, existe una variedad conocida como lnea dual o compuesta (en ingls CLRH TL de Composite Left-Right Handed Transmission Line) que tal y como su nombre indica, puede presentar los dos comportamientos en rangos frecuenciales distintos. Su modelo discreto se muestra en la figura 1-16.
Figura 1-16 - Modelo discreto de una lnea de transmisin dual o compuesta sin prdidas.
En la figura 1-16 se puede ver que tanto la impedancia en serie como la impedancia en derivacin presentan un carcter resonante. Por lo tanto, habr una frecuencia que fijar el umbral por encima o por debajo del cual la impedancia en cuestin pasar a ser capacitiva o inductiva. La frecuencia que fijar dicho umbral se conoce como frecuencia de resonancia. La impedancia serie en este caso seguir la siguiente expresin:
Zs = jLR +
j 2 LR C L 1 1 j = jLR = j C L C L C L Zs = j 2 LR C L 1 C L
)
(1.27)
Por lo que a la frecuencia de resonancia (ZS=0) se cumplir la expresin (1.28).
j 0 LR C L 1 1 2 2 2 = 0 0 LR C L 1 = 0 0 L R C L = 1 0 = Zs = 0C L LR C L
2
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Introduccin
0 =
1 LR C L
(1.28)
Por otro lado, si se realiza el proceso correspondiente para la impedancia en derivacin se obtiene la expresin (1.29).
LL 1 jC R CR LL Zp = = = 2 2 1 j L L C R j j L L C R 1 jLL + jC R C R jL L
)
(1.29)
Zp =
j L L 1 2 LL C R
Y la frecuencia de resonancia, en la que se cumplir que Zp=, seguir la expresin mostrada en (1.30).
Zp =
j 0 L L 1 0 LL C R
2
= 1 0 LL C R = 0 0 LL C R = 1 0 = LL C R
2 2 2
0 =
1 LL C R
(1.30)
Para que el modelo mostrado en la figura 1-16 se comporte como una lnea de transmisin, ya sea zurda o diestra, el efecto que predomine en una rama deber ser diferente al de la otra. Por debajo de la frecuencia de resonancia definida para la rama serie, la impedancia ser capacitiva (predominar la impedancia de la capacidad frente a la de la inductancia), mientras que por encima de esa frecuencia predominar la parte inductiva y la impedancia ser inductiva. Por otro lado, para la rama en derivacin, predominar el efecto inductivo por debajo de la frecuencia de resonancia del resonador en paralelo y el efecto capacitivo por encima de dicha frecuencia. Sin embargo, para que la lnea de transmisin tenga un comportamiento zurdo debe predominar el efecto capacitivo en la rama serie e inductivo en la rama derivacin. De igual modo, para que la lnea presente un comportamiento diestro debe predominar el efecto inductivo en la impedancia serie y capacitivo en derivacin. El comportamiento de la lnea de transmisin siempre vendr impuesto por las dos impedancias, dado que si en algn momento, en la impedancia serie y en la derivacin predomina el mismo efecto, se dejar de cumplir el modelo bsico de lnea de transmisin y por lo tanto, no habr propagacin. En el caso en que las dos frecuencias de resonancia tengan distinto valor, sea cual sea la mayor y la menor, mientras la frecuencia sea inferior a ambas frecuencias de resonancia, estar predominando el efecto capacitivo en la rama serie e inductivo en la rama paralelo, por lo que la lnea tendr un comportamiento zurdo. En el momento que la frecuencia est por encima de una de las frecuencias de resonancia y por debajo de la otra, predominar el mismo efecto en ambas
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Introduccin
ramas (si la frecuencia menor es la de la rama serie, el efecto que predominar ser el inductivo; en el otro caso predominar en ambas ramas el efecto capacitivo), de modo que no se estar cumpliendo el modelo de lnea de transmisin y no habr propagacin. Por otro lado, cuando la frecuencia est por encima de ambas frecuencias de resonancia, predominar el efecto inductivo en la rama serie y capacitivo en la rama derivacin, y la lnea de transmisin tendr un comportamiento diestro. Por lo tanto, con esto se demuestra que con un modelo de lnea de transmisin como el mostrado en la figura 1-16 es posible implementar una lnea que presente un comportamiento zurdo dentro del rango de frecuencias en que predomine el efecto capacitivo en la impedancia serie e inductivo en la impedancia paralelo, y un comportamiento diestro en el rango frecuencial en que predomine el efecto inductivo en la impedancia serie y capacitivo en la paralelo. Hasta ahora, en ningn momento se ha especificado que las dos frecuencias de resonancia deban ser iguales. ste es un caso particular que se conoce como caso balanceado, en el que la banda zurda y la diestra van seguidas (no hay salto de frecuencia entre una banda y otra). En el caso balanceado se debe cumplir la expresin (1.31).
0, Serie =
1 , 0, Paralelo = LR C L
1 LL C R 1 LL C R
(1.31)
0, Serie = 0, Paralelo
1 = LR C L
LR C L = LL C R
En el caso general o no balanceado existe una regin donde no se puede dar la propagacin. Este hecho es debido a que tanto en la impedancia serie como en la impedancia en derivacin predomina el mismo efecto, capacitivo o inductivo, por lo que no se cumple la condicin de propagacin a parte de dejarse de cumplir el modelo bsico de lnea de transmisin. A continuacin, en la figura 1-17 se muestra la relacin de dispersin para una lnea compuesta o dual para el caso balanceado y el no balanceado.
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Introduccin
(a) (b) Figura 1-17 Diagrama de dispersin para el caso balanceado (a) y para el caso no balanceado (b).
En la figura 1-17 se observan los casos comentados anteriormente. En primer lugar se muestra el caso balanceado en el que la transicin entre el comportamiento zurdo (a frecuencias inferiores) y diestro (a frecuencias superiores) es continua. Por otro lado, en el diagrama de dispersin mostrado en la figura 1-17 (b) la transicin no es continua dado que hay dos frecuencias de resonancia distintas marcadas en colores rojo y verde. Por debajo de la frecuencia de resonancia inferior (roja), que corresponde a la parte zurda, est predominando el efecto capacitivo en la impedancia serie, mientras que en la impedancia derivacin predomina el efecto inductivo. Por otro lado, por encima de la frecuencia de resonancia superior (verde), que corresponde a la parte diestra, predomina el efecto inductivo en la impedancia serie y capacitivo en la impedancia derivacin. Entre ambas frecuencias de resonancia no se da la propagacin tal como muestra el diagrama de dispersin, dado que en ambas ramas predomina el efecto inductivo. Resulta interesante destacar que, al igual que en los casos en que las lneas de transmisin presentaban un comportamiento nicamente zurdo o diestro, en el caso dual, la velocidad de grupo sigue siendo en todo momento positiva (la funcin sigue siendo creciente) mientras que la velocidad de fase cambia de signo. Con un comportamiento diestro es positiva mientras que con un comportamiento zurdo es negativa.
1.3.3. Lneas basadas en el modelo resonante

En la actualidad existen dos modelos de resonadores en los que se pueden basar las lneas de transmisin para obtener un comportamiento zurdo: los resonadores en anillos abiertos (SRR de Split Ring Resonator) y los resonadores en anillos abiertos complementarios (CSRR de Complementary Split Ring Resonador). En los dos prximos sub-apartados se estudiaran las caractersticas de ambos resonadores y como se deben aplicar a las lneas de transmisin, tanto coplanares como microstrip, a fin de crear lneas de transmisin metamateriales o lneas zurdas.
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Introduccin
1.3.3.1. Lneas basadas en resonadores de anillos abiertos (SRRs)
Como se vio anteriormente, excitando adecuadamente un array de SRRs y un medio de hilos es posible obtener un medio con permeabilidad magntica y permitividad dielctrica negativa. En la figura 1-6 y la figura 1-7 se mostraron configuraciones volumtricas de estas estructuras, sin embargo, se coment que su geometra tridimensional dificultaba mucho su implantacin. A continuacin se estudiar como implementar estas estructuras mediante tecnologas planares. Al trabajar con tecnologa planar, la lnea de transmisin deber ser microstrip o coplanar. En principio, la mejor opcin ser la que aporte un mejor acoplamiento a los SRRs. Cuando se trabaja con lneas de transmisin coplanar, los anillos son excitados mediante un modo que se propaga por la misma lnea de transmisin, ya que en sta, las lneas de campo magntico presentan una direccin normal a la superficie del slot. Por lo tanto, si se graban los anillos en la zona del slot de la lnea coplanar, el campo magntico de sta los excitar de forma adecuada. Otra posible alternativa sera grabar los anillos en la parte posterior del sustrato, evitando de este modo problemas de adaptacin. En el caso microstrip, los SRRs debern grabarse en la parte superior del metal y cercanos al conductor que forma la lnea. Sin embargo, generalmente los SRRs se excitan mejor con una lnea coplanar, por lo que este tipo de resonadores se suelen combinar con lneas coplanares en lugar de microstrip. Una vez sintetizada la lnea de transmisin con permeabilidad magntica negativa, se debe buscar una forma de obtener tambin una permitividad dielctrica negativa a fin de poder obtener un medio totalmente LH. Una opcin consiste en cortocircuitar la pista central del dispositivo con el plano de masa mediante elementos inductivos [10]. Con ello se obtiene finalmente un dispositivo formado por una lnea de transmisin y SRRs acoplados con un comportamiento zurdo. En la figura 1-18 se muestra un ejemplo de un prototipo de una estructura metamaterial con una gua de onda coplanar (CPW).
Figura 1-18 Ambas caras de un prototipo de estructura metamaterial CPW. En la cara superior se observa el medio de hilos mientras que en la inferior hay grabados los SRRs. Figura extraida de [10]
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Introduccin
1.3.3.2. Lneas basadas en resonadores de anillos abiertos complementarios (CSRRs)
Anteriormente se ha visto como obtener una permeabilidad magntica y una permitividad dielctrica negativas con lneas de transmisin basadas en SRRs y conexiones inductivas al plano de masa. Esta no es la nica posibilidad para obtener materiales con comportamientos zurdos. Como se ha visto inicialmente, los SRRs son partculas en las que hay dos anillos conductores concntricos con aberturas en lados opuestos en un anillo y otro. Existe una variacin de estos SRRs llamados CSRRs en los se parte de una lmina conductora a la que se elimina el metal formando dos anillos concntricos abiertos en los lados opuestos. En otras palabras, lo que era metal en el SRR pasa a ser vaco en el CSRR y lo que era vaco pasa a ser metal (mirar figura 1-19).
Figura 1-19 Topologa del SRR y del CSRR. Figura extrada de [11].
Con los CSRRs tambin es muy importante la excitacin. No obstante, en este caso ha de ser mediante un campo elctrico normal a la superficie definida por los anillos y las consecuencias tambin variarn, ya que ahora ser negativa la permitividad en lugar de la permeabilidad. Al igual que con los SRRs, tambin se pueden excitar mediante lneas microstrip o lneas coplanar. Tanto cuando se excita con lneas microstrip como con lneas coplanar, los CSRRs suelen grabarse en los planos de masa, sin embargo, generalmente se consigue una mejor excitacin de los CSRRs mediante una lnea microstrip. De este modo se obtendrn lneas de transmisin basadas en resonadores de anillos abiertos o CSRRs. Con la finalidad de conseguir un medio con y negativas, en este caso se debe buscar un mtodo de obtener una permeabilidad negativa. La solucin reside en combinar los CSRRs con una lnea de transmisin a la que se le realizan pequeas ranuras o gaps para dar un comportamiento capacitivo. En la figura 1-20 (a) se muestra un layout donde en la parte inferior se puede ver el plano de masa en color gris al que se le ha eliminado el metal para formar los anillos y en la parte superior, de color negro se observa la pista central con los gaps que aportarn el efecto capacitivo esperado para obtener la permeabilidad negativa.
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Introduccin
Figura 1-20 Lnea de transmisin LHM basada en CSRRs. Figura extrada de [11] (a). Modelo discreto de un CSRR acoplado como se muestra en la figura a (b).
En la figura 1-20 (b) se muestra el modelo discreto para un CSRR acoplado a una lnea coplanar con gap capacitivo en la que Lc y Cc modelan el CSRR, L y Cg modelan la lnea de transmisin con el gap capacitivo y C modela el acoplamiento entre la lnea de transmisin y el CSRR. En estas dos ltimas secciones se ha visto como es posible crear lneas de transmisin basadas en SRRs o CSRRs para conferirles un comportamiento zurdo. Ambos modelos, tanto el que se basa en SRRs como el que se basa en los CSRRs son igual de vlidos pese a que los CSRRs presentan alguna pequea ventaja en la fabricacin por el hecho de no tener que realizar vas entre la pista central y el plano de masa. En este proyecto se ha escogido el CSRR para el diseo y la implementacin del dispositivo por lo que de ahora en adelante se hablar nicamente de los anillos complementarios. Una vez introducidos todos los elementos y conceptos necesarios para la comprensin del trabajo se proceder a continuacin a tratar el diseo de dispositivos en banda dual con lneas metamaterial basadas en CSRRs.
1.4. Referencias
[1] V.G. Veselago, Electrodynamics of materials with negative index of refraction Sov. Phys Usp, vol. 10, pp. 509-514, Jan. 1968. [2] J. B. Pendry and D. R. Smith, Reversing Light with Negative Refraction, Physics Today, vol. 57, pp. 37-43, Jun. 2004. [3] C. Caloz and T. Itoh, Electromagnetic Metamaterials: Transmission line theory and microwave applications, Wiley-Interscience. [4] R. Marqus, F. Medina, Una introduccin a los medios electromagnticos zurdos, Facultad de Fsica, Universidad de Sevilla.
[5] J. B. Pendry, A. J. Holden, D. J. Robbins, and W. J. Stewart, Magnetism from conductors and enhanced non linear phenomena, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 47, pp. 2075-2084, Nov 1988.
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Introduccin
[6] J.D. Baena, J. Bonache, F. Martn, R. Marqus Sillero, F. Falcone, T. Lopetegui, M.A.G. Laso, J. Garca-Garca, I. Gil, M. Flores Portillo, and M. Sorolla. Equivalent-circuit models for split-ring resonators and complementary split-ring resonators coupled to planar transmission lines, IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, vol. 53, pp. 1451-1461, April 2005. [7] G.V. Eleftheriades, A.K. Iyer and P.C. Kremer, Planar negative refractive index media using periodically L-C loaded transmission lines, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 50 (12), pp. 2702-2712, December 2002 [8] C. Caloz and T. Itoh, Application of the transmission line theory of left-handed (LH) materials to the realization of a microstrip LH line, in IEEE AP-S Int. Symp., vol. 2, pp. 412415, San Antonio, TX, Jun. 2002. [9] D. M. Pozar, Microwave Engineering, John Wiley & Sons. [10] F. Falcone, F. Martn, J. Bonache, J. Baena, T. Lopetegi, M.A.G. Laso, J. G. Garca, M. Beruete, R. Marqus, M. Sorolla, Estructuras metamateriales en tecnologa plana basadas en partculas SRR y CSRR. [11] F. Falcone, T. Lopetegi, M. A. G. Laso, J. D. Baena, J. Bonache, M. Beruete, R. Marqus, F. Martn and M. Sorolla, Babinet principle applied to the design of metasurfaces and metamaterials, Phys. Rev Lett., vol. 93, pp. 197401-4, Nov. 2004.
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Diseo de dispositivos en banda dual con lneas de transmisin metamaterial
Captulo 2 - Diseo de dispositivos en banda dual con lneas de transmisin metamaterial
En este captulo se estudiar como crear dispositivos de banda dual mediante metamateriales. Los dispositivos de banda dual se caracterizan por desarrollar la misma funcin a dos frecuencias arbitrarias distintas. Es importante destacar que las frecuencias deben ser arbitrarias, dado que con tecnologas actuales y sin usar metamateriales es posible conseguir un mismo funcionamiento pero a frecuencias harmnicas, nunca arbitrarias. Un dispositivo de banda dual deber manifestar una relacin de dispersin que cumpla las relaciones (2.1) y (2.2).
(1 ) = 1 ( 2 ) = 2
(2.1) (2.2)
Donde las dos frecuencias y las dos constantes de propagacin podrn tener cualquier valor. Las lneas de transmisin compuestas (CRLH TL) que han sido tratadas en el primer
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captulo presentan esta propiedad, por lo que se podrn emplear para convertir una lnea de transmisin convencional en una lnea dual. El hecho de poder crear lneas de transmisin duales mediante el uso de lneas de transmisin con comportamiento zurdo y diestro ser un productivo avance dados los numerosos sistemas actuales con funcionamiento en banda dual como la telefona mvil, identificacin por radio frecuencia (RFID) o wireless, al permitir reducir el nmero de circuitos en los componentes de dichos sistemas [3].
2.1. Principio de funcionamiento de los dispositivos en banda dual implementados con lneas de transmisin metamaterial
Para obtener dispositivos de banda dual implementados mediante lneas de transmisin metamaterial es necesario trabajar con lneas de transmisin compuestas (CRLH TL). Como se vio durante la introduccin terica, en la relacin de dispersin de una lnea de transmisin compuesta se diferenciaban las dos regiones de comportamiento; la zurda a bajas frecuencias y la diestra a altas. En la figura 2-1 se vuelve a mostrar otro ejemplo de cmo suele ser el diagrama de dispersin en el caso no balanceado para estas lneas de transmisin y perfectamente se puede diferenciar entre la regin zurda por debajo de la lnea roja (que define su frecuencia de corte) y la diestra por encima de la lnea verde (que define la otra frecuencia de corte).
Figura 2-1 Ejemplo de relacin de dispersin para lnea CRLH en el caso no balanceado.
Si recordamos tambin el modelo circuital en elementos discretos de la lnea CRLH mostrado en la figura 1-16, en l aparecan 2 resonadores, uno en serie y el otro en derivacin. El resonador serie estaba formado por los elementos LR y CL mientras que el resonador en
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paralelo lo formaban CR y LL. Los elementos con subndice L modelaban el comportamiento zurdo que predomina a bajas frecuencias mientras que la inductancia y la capacidad con subndice R aportaban el comportamiento que ms afecta a frecuencias superior, el diestro. Por lo tanto, viendo el modelo en elementos discretos de una lnea de transmisin compuesta, queda patente que se dispondr de cuatro grados de libertad que darn la flexibilidad necesaria en el momento de realizar el diseo. Cabe destacar que en la banda zurda, la longitud elctrica es negativa mientras que en la diestra es positiva, el cual es un factor que se deber tener en cuenta. No obstante, en el dispositivo que nos proponemos disear, estudiar e implementar en este proyecto, este comportamiento no es relevante, por lo que no se le va a dar mayor importancia al signo. En las lneas de transmisin complementarias, los cambios que se efecten sobre los elementos que modelen una de las bandas no deberan tener efectos sobre la otra. Evidentemente, en el caso prctico siempre habr fluctuaciones en ambas respuesta al realizar modificaciones en alguna de las bandas, pero en ese caso ya se tomarn las medidas necesarias para paliar estos efectos. En la figura 2-2 se muestra como la banda diestra no vara a pesar de modificar los elementos propios de la regin zurda.
Figura 2-2 Ejemplo de relacin de dispersin para lnea CRLH en caso no balanceado con distintas regiones zurdas sin que haya modificacin en la regin diestra.
Por lo tanto, queda patente que mediante lneas de transmisin metamaterial compuestas es posible dar un comportamiento en banda dual a los dispositivos, teniendo en cuenta que habr un desfase de 180 o radianes en la fase de la respuesta. En estas condiciones, el caso balanceado ser especial dado que para balancear la respuesta ser necesaria una ecuacin adicional. Por consiguiente, obtener un dispositivo en banda dual balanceado ser un caso en el que se realiza el diseo y se obtiene una respuesta balanceada sin
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que se haya realmente buscado dicho comportamiento. No obstante, esta situacin no es comn. Si realmente se quisiera obtener un dispositivo balanceado, se debera aadir otro grado de libertad a fin de poder obtener otra ecuacin de diseo. En el diseo de un dispositivo en banda dual bsicamente intervienen dos ecuaciones que ya fueron estudiadas en la introduccin; las ecuaciones (1.21) y (1.24). Si bien esto slo representa dos ecuaciones, cuando se fijen las dos frecuencias de diseo, las dos ecuaciones se convertirn en 4, que son las necesarias para obtener un sistema de 4 ecuaciones con 4 incgnitas, quedando el sistema por lo tanto totalmente definido tal y como se muestra en las expresiones (2.3).
cos( (1 )l ) = 1 + cos( ( 2 )l ) = 1 +
Zs (1 ) Zp (1 ) Zs ( 2 ) Zp ( 2 )
(2.3)a
(2.3)b (2.3)c (2.3)d
Z B (1 ) = Zs(1 ) (Zs(1 ) + 2Zp(1 )) Z B (2 ) = Zs(2 ) (Zs(2 ) + 2Zp(2 ))
Con el conjunto de expresiones mostrado en (2.3) queda completamente claro que ser posible obtener un funcionamiento dual, aunque en el caso prctico podrn aparecer algunos problemas cuando las frecuencias se hallen demasiado prximas o separadas. Cabe destacar tambin que al estar el modelo discreto de la lnea CRLH totalmente definido es posible saber que expresin presentar Zs y Zp. Estas expresiones se muestran en (2.4) y (2.5).
Zs ( ) =
j 2 LR C L 1 CL
(2.4)
Zp ( ) =
j LL 1 2 LL C R
(2.5)
Si nos fijamos en las ecuaciones (2.3)a y b, cuando la longitud elctrica de las lneas de transmisin sea de lambda cuartos, el sistema resultante se simplificar bastante tal y como se muestra a continuacin:
cos(l ) = 1 +
Zs ( ) Zs ( ) Zs ( ) cos = 0 = 1 + 1 = Zs ( ) = Zp( ) 2 Zp( ) Zp( ) Zp( )
En este caso particular, las ecuaciones a resolver sern las ms sencillas posibles (dentro de la dificultad de resolver un sistema de 4 ecuaciones con 4 incgnitas). El sistema a resolver ser como el mostrado a continuacin en (2.6).
Z B (1 ) = Zs(1 ) = jZs(1 )
2
(2.6)a (2.6)b
Z B (1 ) = Zp(1 ) = jZp(1 )
2
31
Z B (2 ) = Zs(2 ) = jZs(2 )
2
(2.6)c (2.6)d
Z B (2 ) = Zp(2 ) = jZp(2 )
2
Por lo tanto, las ecuaciones finales a resolver son las mostradas en (2.7).
Z B (1 ) =
(1
2 1
LR C L 1 C L
1
(2.7)a
Z B (1 ) =
ZB
( L C 1) ( ) = (1 L C )
L R
2 2
1 LL
(2.7)b
2 CL
(2.7)c
Z B (2 ) =
2 LL
2 2
LL C R 1
(2.7)d
Ahora, con los parmetros de diseo como son las dos frecuencias de operacin y la impedancia bloch deseada se debera resolver el sistema y obtener el valor de los 4 elementos que modelan la lnea de transmisin. Si se desea una longitud elctrica de la lnea distinta a la anteriormente especificada, el sistema a resolver ser de mayor dificultad. En el caso prctico no es tan sencillo, ya que no hay un mtodo directo para pasar del diseo discreto a un layout equivalente, por lo que se deber trabajar directamente sobre el layout.
2.2. Diseo de inversores de impedancias basados en CSRRs operativos en banda dual

A continuacin se proceder a tratar el diseo de inversores de impedancias basados en resonadores de anillos abiertos complementarios. Por regla general, los SRRs se excitan mejor con lneas coplanares, mientras que los CSRRs con microstrip. En este proyecto, para implementar el inversor se partir de una lnea de transmisin microstrip, de modo que para mejorar la excitacin del resonador se grabar un CSRR en su plano de masa tal y como ya se explic anteriormente. En tal caso, el modelo discreto equivalente ser como el que se mostr en la figura 1-20 (b). En ese modelo se apreciaban cinco variables: L, Cg, C, Cc y Lc. Se vio que L y Cg modelaban la lnea de transmisin y el gap capacitivo que haba en sta, C el efecto capacitivo entre la lnea y el resonador y Cc junto con Lc el resonador. En este caso se dispone de 5 elementos para realizar el diseo del dispositivo, por lo que tambin permitir trabajar en banda dual, que es un aspecto clave en este proyecto. En la seccin anterior se vio como realizar un
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diseo desde un punto de vista terico a partir del modelo equivalente de un dispositivo. El diseo terico para el inversor sera idntico teniendo en cuenta que ahora se dispone de un grado de libertad ms, por lo que en este apartado, se tratar el diseo directamente a partir de layout del dispositivo, el cual se muestra en la figura 2-3. Cuando se trabaja con un layout que posteriormente se deber fabricar, es importante que el sustrato que se especifique cuando se realice el diseo sea el mismo con el que se implementar el dispositivo. El sustrato con el que se trabajar es el Rogers3010, que presenta una constante dielctrica de 10.2, un factor de disipacin de 0.0023 y un grosor de 1.27m (50mils). Por otro lado, el conductor tiene un grosor de 35m y una conductividad de 5.88e7Siemens/m. El grosor del sustrato y el sustrato utilizado en s afectarn directamente a la capacidad C del modelo equivalente mostrado en la figura 1-20 (b). Por lo tanto, si en algn momento del diseo se hubiera de modificar esa capacidad, se debera buscar otros mtodos sin que se pudiera cambiar el grosor. Por ejemplo, modificar el rea del strip central o utilizar interdigitacin en el gap del strip (aumentara el rea aunque esto tambin tendra un efecto directo sobre la Cg del modelo), etc. Como se puede apreciar, trabajando con el layout, un pequeo cambio tiene efectos sobre otros aspectos del diseo, por lo que se deber ir con sumo cuidado al efectuar el diseo para obtener la respuesta deseada.
Figura 2-3 Layout en Momentum de un inversor de impedancias basado en CSRR operativo en banda dual.
La impedancia caracterstica de la celda con la que se trabaja es de 70.71, por lo que se cargar el dispositivo con puertos de 70.71 para evitar reflexiones. Para que funcione correctamente como inversor, a las frecuencias de operacin se deber ver esta carga con una fase de 90 y totalmente adaptado (mxima transmisin y mnima reflexin). En la ecuacin
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(2.8) se recuerda la expresin de la impedancia de entrada de una lnea de transmisin cargada para el caso sin prdidas [9].
Z in = Z 0
Z L + jZ 0 tan ( l ) Z 0 + jZ L tan ( l )
(2.8)
Cuando la longitud elctrica de la lnea es de /4, la expresin (2.8) queda como se muestra en (2.9). De esta expresin se extrae que una lnea con longitud elctrica /4 o cualquier mltiplo entero e impar de lambda cuartos se comportar como un inversor de impedancia.
Z in = Z 0
Z L + jZ 0 tan (l ) Z 0 + jZ L tan (l ) l =
2 Z L + jZ 0 tan = Z0 2 Z 0 + jZ L tan
Z in = Z0 ZL
2
Z L + jZ 0 tan 4 2 = Z0 Z 0 + jZ L tan 2 4
( ) ( )
(2.9)
Por lo tanto, si a las frecuencias de operacin se tiene la impedancia deseada con una fase de 90, el dispositivo funcionar correctamente como un inversor. En la figura 2-3 se muestra con detalle la celda base que formar el inversor de impedancias. En color marrn se aprecia la lnea de transmisin con el gap capacitivo que corresponde a la capa superior del diseo. En color amarillo estn los anillos del CSRR que estarn grabados en el plano de masa. Es importante destacar que al trabajar con CSRR, en realidad el color amarillo representa la parte de metal que ser eliminada del plano de masa en lugar del metal propiamente dicho. El objetivo de este proyecto es realizar un diseo que posteriormente sea implementable, por lo que se debern respetar en todo momento los lmites de fabricacin fijados por la fresadora con la que se fabricar el dispositivo. Los factores ms importantes a tener en cuenta son los grosores mnimos: 0.16mm en el slot y 0.10mm en el metal. Al realizar la simulacin del diseo mostrado en la figura 2-3 se obtienen los resultados mostrados en la figura 2-4. Para obtener estos resultados se han tenido que aadir las ecuaciones (2.10) al data display. Estas ecuaciones realizan la conversin de parmetros S a parmetros ABCD para poder representar correctamente la impedancia bloch y la relacin de dispersin. De la relacin de dispersin se muestra tanto su parte real como la imaginaria, ya que cuando sta sea imaginaria no habr propagacin, de modo que una respuesta obtenida con un valor de parte imaginaria distinto de cero no sera vlida.
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Eqn Mat=stoabcd(S,PORTZ(1)) Eqn A=Mat(1,1) Eqn B=Mat(1,2) Eqn C=Mat(2,1) Eqn D=Mat(2,2) Eqn ZB=(B*1)/(((A**2)-1)**0.5) Eqn bl=mag((real((acos(A)*360)/(2*PI)))) Eqn bl_imag=mag((imag((acos(A)*360)/(2*PI))))
(2.10)
Y los resultados se muestran a continuacin en la figura 2-4.

0 -5 -10
500
dB(S(1,1)) dB(S(2,1))
mag(real(ZB))
-15 -20 -25 -30 -35 1
m1 freq=1.498GHz dB(S(1,1))=-33.769 m2 freq=4.460GHz dB(S(1,1))=-26.720 m1

2 3 4 5 6
400
m5 freq=1.498GHz mag(real(ZB))=71.701 m6 freq=4.460GHz mag(real(ZB))=69.134
300
m2
200
100
m5
m6
0 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
freq, GHz
freq, GHz
(a)
250 200 bl_imag bl 150 100 50 0 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
(b)
m4 m3 freq=1.498GHz freq=4.460GHz bl=148.079 bl=89.596 m4 m3
6.0
freq, GHz
(c) Figura 2-4 Resultados obtenidos al simular el layout mostrado en la figura 2-4.
En la figura 2-4 (a) se muestran las dos frecuencias a las que deber trabajar el dispositivo. Es importante que las frecuencias no sean mltiples para evidenciar que el dispositivo funciona realmente en banda dual. Las frecuencias a las que deber operar el inversor no son importantes, por lo que el proceso de diseo ser ms flexible. Para realizar el diseo del inversor se parti de una celda cuyo funcionamiento estaba centrado en 1.5GHz, por lo tanto, a esa frecuencia el parmetro S21 (referente al coeficiente de transmisin) presenta un mximo, el S11 (referente al coeficiente de reflexin) un mnimo, la impedancia bloch es de 71.70 (slo hay 1 de error) y la fase es de casi 90, que era lo esperado. Ahora se debera ajustar la segunda frecuencia para tener un comportamiento dual, pero resulta imposible ajustar la segunda frecuencia sin que los cambios afecten a la primera, por lo que se deber ajustar las dos frecuencias a la vez. El proceso de diseo se realizar mediante la optimizacin de la celda base y resultar un tanto largo y laborioso, pero por el momento es el nico mtodo de diseo conocido.
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Para conseguir que el inversor tenga el comportamiento deseado se podr modificar cualquier parmetro del layout teniendo en cuenta los lmites de fabricacin y que el strip central nunca debera solaparse con los anillos. En un momento dado, si esto llegara a suceder se podra descentrar un poco los anillos respeto al gap capacitivo para ganar un poco de espacio, pero si se desplazaran mucho podra llegar a afectar a la excitacin de los anillos y esto si que tendra consecuencias negativas. Modificando la longitud de la lnea se vara la fase, pero esto no es suficiente para ajustar las dos frecuencias. Esta modificacin, que hace variar la inductancia L del modelo equivalente mostrado en la figura 1-20 (b), al ser la ms fcil de realizar y la que presenta unos efectos ms controlables, es la idnea para terminar de ajustar la respuesta cuando se est cerca de obtener el resultado esperado. Modificando el largo del strip se podran llegar a ganar unos 5, pero difcilmente ms. Adems, se debe tener presente que la fase que aumenta en una banda disminuye en la otra, por lo que se debe conseguir que la respuesta se quede por encima de la fase deseada en una y por debajo en la otra para en ltimo lugar poder ajustar solamente con la longitud. Otra variacin que se puede realizar sobre el diseo y que tambin afecta a la L del modelo en elementos discretos, es la modificacin del ancho del strip. La modificacin de este parmetro tiene su consecuencia ms directa sobre las impedancias, aunque las frecuencias de resonancia y la fase tambin se ven afectadas. Ensanchando la lnea bajan las frecuencias de resonancia, la de la banda diestra (la segunda) ms que la zurda (la primera), y la fase de la primera banda decrece en mayor proporcin que la de la segunda banda. La ltima modificacin que se puede realizar sobre la lnea es con el gap capacitivo, que se representa mediante la Cg en el modelo de elementos discretos, aunque esta modificacin tambin alterar el valor de la capacidad C de la figura 1-20 (b). Para tener ms libertad se pueden usar las capacidades interdigitales, que permiten especificar el nmero de dedos, grosores, longitud de los dedos, etc. Aumentando esta capacidad baja la frecuencia de resonancia de la rama serie y la banda diestra de transmisin se acerca a la zurda. En principio, esta modificacin no debera tener grandes efectos en la banda zurda, pero evidentemente algunos habr. Si modificando todos estos parmetros del strip no es suficiente, se deber proceder a modificar tambin los resonadores. En el diseo realizado en este proyecto no se consigui obtener una respuesta satisfactoria modificando nicamente el strip, por lo que tambin se modificaron los anillos. Escalando los anillos y hacindolos ms grandes se consigue bajar las dos frecuencias de resonancia, aumentar la fase de la banda zurda y bajar la de la banda diestra. Si adems se reduce el ancho del gap entre anillos aun baja ms la fase de la banda diestra, que en un principio es la que est ms lejos de su valor de diseo. Separando los anillos se reduce la
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capacidad Cc, pero los resultados varan en funcin del anillo que se modifique. El grosor de los anillos est directamente relacionado con la inductancia Lc del modelo, pero al igual que con Cc, en funcin de cmo se realice la modificacin habr unos cambios u otros en la respuesta. Despus de realizar el proceso de optimizacin sobre la celda base mostrada en la figura 2-3 modificando todos los parmetros disponibles hasta llegar a estar cerca de la respuesta deseada, con algunas pequeas variaciones de la longitud de la lnea y su ancho se consigui el resultado deseado. El layout final del inversor se muestra en la figura 2-5 y los resultados obtenidos en la figura 2-6.
Figura 2-5 Layout del inversor de impedancias basado en un CSRR operativo en banda dual.
Tal y como se puede observar en la figura anterior, el layout ha variado muchsimo. La longitud total del dispositivo (en la direccin del strip) ha aumentado 2.5mm, el strip es casi el doble de estrecho, los anillos del CSRR son ms grandes y ms anchos y se ha aadido una capacidad interdigitada para aumentar el valor del gap capacitivo que haba antes en el medio de la lnea. Tambin es importante destacar que la primera frecuencia de resonancia ha bajado cerca de 0.5GHz, hecho que tambin explica que el dispositivo tenga un tamao superior. En ltimo lugar sera importante destacar que si el dispositivo es escalado todo por igual, las frecuencias de resonancia varan (si se escala por un factor superior a 1 se hacen ms pequeas y si el factor de escalado es menor que 1 suben) pero su funcionamiento sigue siendo bueno. No obstante, el escalado no es perfecto y surgen algunos problemas para escalar la capacidad interdigitada, por lo que la fase vara un poco y se debera volver a cuadrar del todo.
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Este hecho ha sido verificado aunque dentro de unos mrgenes no muy amplios de escalado. A continuacin se muestran los resultados de la simulacin en la siguiente figura.
0
900
-10
m2 freq=2.800GHz dB(S(1,1))=-41.773
mag(real(ZB))
800 700 600 500 400 300 200 100
dB(S(1,1)) dB(S(2,1))
-20
m5 freq=1.093GHz mag(real(ZB))=69.458 m6 freq=2.800GHz mag(real(ZB))=70.797
-30
m1 m1 freq=1.093GHz dB(S(1,1))=-34.057
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
-40
m2
m5
m6
-50 3.0 3.5 4.0

0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
freq, GHz
freq, GHz
(a)
300 250 200 bl_imag bl 150 100 50 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
(b)
m3 freq=1.093GHz bl=90.007 m3
m4 freq=2.800GHz bl=90.806 m4
4.0
freq, GHz
(c) Figura 2-6 Respuesta del inversor diseado cuyo layout se muestra en la figura 2-5.
En la figura 2-6 (a) se pueden apreciar las frecuencias de operacin del inversor en banda dual. La primera frecuencia es 1.093GHz y la segunda 2.8GHz, quedando de manifiesto por lo tanto que realmente es un dispositivo de banda dual dado que las frecuencias no son mltiplos la una de la otra. Las impedancias a las frecuencias de diseo tambin tienen el valor esperado con menos de 1 de error en la primera banda (en la segunda el valor es exacto). Por ltimo, las fases en ambas bandas son de 90, por lo que se puede concluir que el diseo del inversor en banda dual ha sido excelente al cumplirse perfectamente todas las especificaciones requeridas.
2.3. Referencias
[3] C. Caloz and T. Itoh, Electromagnetic Metamaterials: Transmission line theory and microwave applications, Wiley-Interscience. [9] D. M. Pozar, Microwave Engineering, John Wiley & Sons.
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Aplicacin al diseo de un divisor de potencia en banda dual
Captulo 3 Aplicacin al diseo de un divisor de potencia en banda dual
3.1. Introduccin a los divisores de potencia

Un divisor de potencia es un dispositivo capaz de repartir la potencia que recibe por su puerto de entrada entre un nmero n de salidas, habitualmente de forma equitativa. Los divisores de potencia son utilizados en radiofrecuencia (RF) y microondas (MW), comunicaciones pticas, etc. para enviar a varios dispositivos la potencia recibida por un solo puerto manteniendo las impedancias adaptadas a fin de tener un bajo nivel de potencia reflejada. En el caso de un divisor de potencia de tres puertos, el dispositivo se puede caracterizar mediante una matriz de parmetros S con nueve parmetros independientes:
S11 [S ] = S 21 S 31
S12 S 22 S 32
S13 S 23 S 33
con S ij =
Vi Vj
+
Vk = 0 ,k j
+
(3.1)
39

Si el dispositivo es de naturaleza pasiva y no contiene materiales anistropos 1 deber ser reciproco y por lo tanto, la matriz ser simtrica, Sij=Sji. Para que el dispositivo est adaptado en los tres puertos se tiene que cumplir (3.2).
S11 = S 22 = S 33 = 0
Por lo que la matriz mostrada en (3.1) quedar de la siguiente manera:
(3.2)
0 [S ] = S 21 S 31
siguiente relacin:
S12 0 S 32
S13 S 23 0
(3.3)
Adems, para que el dispositivo sea pasivo y sin prdidas tambin se deber cumplir la
0 S 21 S 31
S12 0 S 32
S13 0 * S 23 S 21* 0 S 31
S12 0 * S 32
* S13 1 0 0 * S 23 = 0 1 0 0 0 0 1
(3.4)
Para que una red pasiva y sin prdidas de 3 puertos est adaptada debern cumplirse las 6 ecuaciones mostradas en (3.5).
2 2
S12
+ S13
=1
(3.5)a (3.5)b (3.5)c (3.5)d (3.5)e (3.5)f
S12 + S 23 S13 + S 23
*
2
=1 =1
S13 S12 = 0 S 23 S13 = 0 S12 S 23 = 0

* *
Para que se puedan cumplir todas las ecuaciones mostradas en (3.5), como mnimo 2 elementos deben valer cero. No obstante, con esta imposicin se imposibilita que se cumplan todas las especificaciones, por lo tanto, es imposible que exista una red pasiva y sin prdidas de 3 puertos, de modo que se deber relajar alguna condicin. Si se sacrifica la reciprocidad, el dispositivo resultante se conoce como circulador, cuya matriz de parmetros S se muestra en (3.6).
0 [S ] = 0 e j
e j 0 0
0 0 e j [S ] = e j 0 0
0 0 e
j
e j 0 0
(3.6)
Medios, generalmente cristalinos, en los que alguna propiedad fsica depende de la direccin de un agente.
40

Los circuladores tienen bastantes aplicaciones, como por ejemplo duplexores. Sin embargo, el objetivo de este proyecto es disear un divisor, por lo que esta opcin no ser vlida. En los divisores de potencia se prefiere la reciprocidad a costa de perder adaptacin en uno de los puertos, quedando la matriz de parmetros S tal y como se muestra en (3.7).
0 [S ] = S 21 S 31
S12 0 S 32
S13 S 23 S 33
(3.7)
Uno de los divisores de potencia ms comn es la unin T. ste es un divisor de potencia de tres puertos, recproco, sin prdidas, y por lo tanto, con uno de los puertos desadaptados. Se suelen fabricar en tecnologa coaxial, gua de ondas y microstrip. A continuacin se muestran algunos ejemplos de divisores en T en la figura 3-1.
Figura 3-1 Ejemplo de divisores de potencia de tres puertos en T.
Todas las uniones T de la figura 3-1 se pueden modelar como se indica en la figura (e), habindose modelado la discontinuidad mediante una susceptancia . Las impedancias caractersticas Z1, Z2 y Z3 de los segmentos de lnea de transmisin que constituyen los brazos de la unin T se consideran reales, de tal forma que la admitancia a la entrada del puerto 1 es:
Yin = j +
1 1 + Z 2 Z3
(3.8)
Para que el puerto 1 est adaptado es preciso que Yin=1/Z1, que es posible siempre y cuando las impedancias Z1, Z2 y Z3 sean reales. Normalmente se supone que la susceptancia es pequea y se impone (3.9).
1 1 1 = + Z1 Z 2 Z 3
(3.9)
La condicin Z2=Z3 implica reparto de potencia a partes iguales (divisor de 3dB). Por ltimo, slo mencionar que en el caso mostrado en la figura 3-1 (b), cuando el puerto de entrada es el 1, las salidas 2 y 3 estn en contrafase. En tal caso se habla de T Plano E, ya que las
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lneas del campo elctrico estn contenidas en el plano de la T. Por el mismo motivo, la figura (c) se conoce como T Plano H. Una vez vistos los divisores de potencia de un modo general procederemos a estudiar los divisores de potencia implementados con inversores de impedancias, cuyas caractersticas especiales los harn propicios para el desarrollo del dispositivo que en este proyecto se propone disear e implementar.
3.1.1. Divisores de potencia implementados con inversores de impedancias

En la seccin anterior se han introducido los divisores de potencia de manera general. A lo largo de esta seccin se ver como es posible implementarlos mediante inversores de impedancias. Se partir de un caso general en que el inversor de impedancias se implementa mediante una lnea de transmisin de /4 y en el apartado 3.2. se substituir esta lnea de transmisin por el inversor de impedancias basado en CSRR diseado en la seccin 2.2. para implementar un divisor de potencia en banda dual. Mediante un esquema basado en lneas de transmisin como el mostrado en la figura 3-2, es posible disear un divisor de potencia adaptado a la entrada y balanceado en los puertos de salida. Las longitudes de las redes de acceso d y d2 podrn ser arbitrarias siempre y cuando presenten una impedancia caracterstica Z0.
Figura 3-2 Divisor de potencia mediante lneas de transmisin.
Como se puede observar en la figura 3-2, con la finalidad de cumplir con la adaptacin en el puerto de entrada (ecuacin (3.10)) se utilizan lneas de transmisin de longitud /4 e impedancia caracterstica
Z0 '= Z0 2 .
S11 = b1 a1 = 0 Z in = Z 0
a 2 = a3 = 0
(3.10)
No obstante, los puertos de salida no estarn ni adaptados (S22 y S33 0) ni aislados (S23 y S32 0). La matriz de parmetros S que definir a la red resulta muy sencilla de obtener [9] y se muestra en (3.11).
42
0 [S ] = j 2 j 2
j 1
2 1 2
2 1 2 1 2
(3.11)
Para obtener un divisor de potencia se debe tener la fase de 90 dado que con 180 correspondera a conectar las cargas directamente en paralelo, no habra transformacin en el valor de la impedancia y habra desadaptacin. Para poder hallar la impedancia caracterstica de la lnea de transmisin de longitud elctrica /4 se deben desplazar las impedancias de carga de los puertos 2 y 3, aplicando para ello la regla del transformador en cuarto de onda (expresin (2.9)) y despus realizar el paralelo entre las dos lneas de los puertos 2 y 3 del divisor e igualar la impedancia caracterstica de la lnea de transmisin.
Figura 3-3 Circuito a analizar para hallar la impedancia de entrada en el puerto 1.
En la figura 3-3 se muestra el circuito equivalente a analizar para encontrar el valor de la impedancia de entrada. Haciendo los clculos mostrados en (3.12) se obtiene que la impedancia de entrada debe valer
Za = Z 0 2 .
Zd2 = Zd3
2 Za Za 2 Zin = Zo Z0 Zp = Z 0 Za = Z 0 2 2 2Z 0 Za = Z0
(3.12)
Para poder obtener los parmetros de transmisin entre los puertos 1 y 2 se debe cargar el puerto 3 con la impedancia caracterstica, desplazarla al plano de referencia del divisor y analizar la red como una red de dos puertos. Es importante destacar que se deber considerar la tensin a lo largo de la lnea de transmisin.
Figura 3-4 Circuito a analizar para hallar el parmetro de transmisin entre el puerto 1 y los puertos 2 o 3.
A continuacin, en (3.13) se analizar el circuito mostrado en la figura 3-4 para poder obtener los parmetros de transmisin.
43
S 21 =
V2 V1
(1 + S11 ) =
a2 = a3 =0
V2 V1
=
Z L =Z0
I (0 ) Z 0 2 j V + V =j + V +V V (0 )
V (0 ) =2 Z0 I (0 )
Z0 2 1 =j 2Z 0 2
V1 = V (0 ) = V + + V V = V + e j z + V e j z + + V2 = V (d ) = jV + jV = j V V 1 1 I= V + e jz V e jz I (0 ) = V + V Z0 2 Z0 2
(3.13)
Llegados a este punto, la submatriz construida con los puertos 2 y 3 se puede obtener fcilmente y de manera compacta aplicando la propiedad de simetra una vez el puerto 1 ha sido cargado con la impedancia caracterstica de la lnea de transmisin tal y como se muestra en (3.14).
0 [S ] = j 2 j 2
j 2 S 22 S 32
2 S 23 S 33
(3.14)
Una vez estudiado el caso general se proceder a disear un divisor de potencia con inversores de impedancias donde el inversor estar basado en resonadores de anillos abiertos complementarios, por lo que aportar un comportamiento en banda dual que nicamente con lneas de transmisin sera imposible de conseguir.
3.2. Diseo de un divisor de potencia en banda dual mediante lneas metamateriales basadas en CSRRs
En la figura 3-2 se mostr como se debera implementar un divisor de potencia mediante inversores de impedancias y en la figura 2-5 se present el layout final de un inversor de impedancias basado en un CSRR operativo en banda dual. A continuacin se emplear el inversor de impedancias mostrado en la figura 2-5, cuya impedancia caracterstica era de 70.71 ( 50 2 ), para construir un inversor como el mostrado en la figura 3-2. Dado que los anillos tienen un radio bastante grande, la mejor configuracin ser la T, evitando con ella acoplos no deseados entre los anillos de los dos inversores. Anteriormente tambin se vio que las lneas de acceso podran tener cualquier longitud mientras se respetara la impedancia caracterstica Z0. Estas lneas servirn para conectar ambos
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inversores al igual que para facilitar el acceso desde el exterior a los puertos del divisor. Su ancho, que fijar la impedancia, se puede calcular fcilmente a partir de la herramienta Linecalc de Agilent ADS, especificando los parmetros del sustrato con el que se est trabajando, y se obtiene que para una impedancia de 50 sta debe ser de 1.15mm de ancho. A continuacin, en la figura 3-5 se muestra el layout completo del divisor de potencia implementado mediante los inversores de impedancias. En esta figura no se aprecia pero ahora los puertos ya estn cargados todos ellos con 50 dado que esta es la impedancia ms estandarizada y por lo tanto, se podr conectar a un mayor nmero de dispositivos manteniendo la adaptacin.
Puerto 1
Puerto 2
Puerto 3
Figura 3-5 Layout final del divisor de potencia en banda dual basado en CSRRs.
Dado que el strip central del inversor de impedancias sobresale muy poco del anillo, al interconectar los dos inversores y la lnea de acceso hay un solapamiento que podra producir efectos no deseados en la respuesta. En la figura 3-6 se muestra mejor este solapamiento producido por el ancho de la lnea de acceso, cuya longitud cabe recordar que viene impuesta por la impedancia de la lnea, por lo que no se podr modificar. En principio, al ser poca la superficie de contacto que hay, no debera haber grandes problemas, pero se deber tener en cuenta y por si fuera necesario, se debera volver a ajustar el diseo para que el divisor funcione perfectamente.
Figura 3-6 Ampliacin de la interconexin de los inversores y lnea de acceso principal.
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Una vez presentado el layout del divisor de potencia se proceder ya a mostrar los resultados de la simulacin del dispositivo. En este caso las ecuaciones (2.10) no funcionarn ya que este dispositivo tiene 3 puertos y los parmetros ABCD slo sirven para caracterizar dispositivos de 2 puertos. Sin embargo, tampoco resultarn necesarias porque viendo el coeficiente de reflexin en el puerto de entrada (puerto 1) y los coeficientes de transmisin del puerto 1 al 2 y 3 ya habr suficiente informacin para verificar si el dispositivo est funcionando correctamente o no. Los resultados se muestran en la figura 3-7.
0
m3
m4
-5
-10
dB(S(3,1)) dB(S(2,1)) dB(S(1,1))
m1 f req=1.108GHz dB(S(1,1))=-16.416 m3 f req=1.108GHz dB(S(2,1))=-3.248 m1 m2 m2 f req=2.918GHz dB(S(1,1))=-18.117 m4 f req=2.918GHz dB(S(2,1))=-3.231
-15
-20
-25 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 4.0
freq, GHz
Figura 3-7 Resultados obtenidos tras la simulacin del layout del divisor de potencia.
Tal y como se observa, los resultados obtenidos son muy satisfactorios. Las frecuencias de funcionamiento se han desplazado un poco, pero dado que no haba ninguna especificacin al respeto que cumplir, este hecho no ser de gran importancia. Si realmente el dispositivo diseado hubiera de funcionar a dos frecuencias especficas, entonces s que sera un problema y se debera volver a ajustar el diseo para cumplir las especificaciones, pero en este caso no se realizar este proceso. A estas frecuencias, el parmetro S11 est en ambos casos por debajo de los -16dB, presentando una notable adaptacin, y los coeficientes de transmisin estn alrededor de los 3dB, que tambin era el valor esperado para el funcionamiento como divisor de potencia. Por lo tanto, se puede concluir diciendo que el diseo presenta un comportamiento satisfactorio despus de realizar las simulaciones pertinentes. Es importante destacar que no se ha debido realizar ninguna modificacin ni optimizacin del diseo de los inversores despus de que estos fueran diseados para ser utilizados en la implementacin del divisor al tener un funcionamiento correcto desde el principio.
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A continuacin se realizar una comparativa respecto al tamao entre este divisor y uno convencional. El divisor de potencia diseado funciona correctamente en dos bandas frecuenciales, hecho caracterstico del dispositivo presentado. Por otro lado, para implementar un divisor de potencia con tecnologa convencional que trabajara a dos frecuencias, seran necesarios ms inversores de impedancias. Evidentemente, el inversor con mayor tamao ser el que opere a la frecuencia inferior, de modo que ste ser el que ms afecte en el tamao final del dispositivo. La frecuencia de operacin inferior del dispositivo diseado es de 1.1GHz. A esta frecuencia y con el sustrato utilizado, mediante la herramienta de Agilent Linecalc se obtiene que la lnea de lambda cuartos deber tener una longitud de 27mm. Esto representa un nico inversor, para el dispositivo completo con tecnologa convencional seran necesarios 3 inversores ms; otro de ellos de estas mismas dimensiones y los otros dos adaptados para trabajar a la frecuencia superior, siendo por lo tanto ms pequeos. Los inversores de la frecuencia superior deberan tener una longitud de 10.2mm. En la figura 3-8 se observa como los dos inversores de impedancias con los que se implementa el divisor, sin tener en cuenta las lneas de acceso, tienen una longitud de 28.24mm. Estos son los nicos inversores del divisor diseado y miden casi lo mismo que uno fabricado con tecnologa convencional, por lo que se puede concluir que, como mnimo, no se pierde espacio. No obstante, tambin se debe destacar que los inversores convencionales sern con total seguridad ms estrechos y se podr optar por una configuracin en Y en lugar de T, que es posible que optimice algo las dimensiones. Como se ha comentado anteriormente, sern necesarios igualmente dos inversores de 27mm y dos de 10.2mm para implementar un divisor de potencia que opere a dos frecuencias, sin embargo, y esto es sumamente importante, no ser un dispositivo dual.
Figura 3-8 Layout de los inversores que implementan el divisor de potencia.
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Con la comparativa realizada se llega a la conclusin que el dispositivo diseado con tecnologa metamaterial presentar unas mejores prestaciones con un tamao muy similar o incluso inferior al de un divisor implementado con tecnologa convencional. En ltimo lugar se proceder a fabricar el divisor de potencia diseado a fin de poder verificar la operatividad de la tecnologa metamaterial para la fabricacin de dispositivos en banda dual.
3.3. Caracterizacin
Disear un dispositivo puede ser un proceso muy complejo o muy sencillo en funcin de la complejidad de ste. No obstante, en la mayora de los casos el objetivo real es llegar a construir un dispositivo funcional. En este proyecto se ha realizado un diseo orientado a poder ser fabricado. Por ello se han cumplido en todo momento las limitaciones tecnolgicas y se han definido los parmetros del sustrato y conductores con los que se va a fabricar el divisor. El diseo realizado mediante el software Momentum permite generar los archivos necesarios para poder fabricar el diseo deseado. A pesar de ser un proceso no muy complejo, su descripcin no est dentro de los objetivos del presente documento adems de ser especfico de la herramienta Momentum, por lo que no se va a tratar. A continuacin se mostrarn imgenes del dispositivo ya fabricado y su respuesta en la figura 3-9 y la figura 3-10 respectivamente.
(a) (b) Figura 3-9 Divisor de potencia. Cara superior (a) y cara inferior (b).
En la figura 3-9 (a) se puede apreciar la cara superior del divisor de potencia formada por los strips, las capacidades interdigitadas y las lneas de acceso, que se diferencian de los strips por ser un poco ms anchas. En la imagen (b) se muestran los anillos complementarios grabados en el plano de masa del dispositivo. Los conectores han sido soldados a las lneas de acceso para poder acceder al dispositivo sin problemas.
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Una vez construido el divisor se proceder a realizar las mediciones necesarias para verificar si el dispositivo se comporta tal y como fue diseado. Para ello se emplear un analizador de redes. Los resultados de las mediciones se muestran en la figura 3-10. En esta figura se representan los parmetros S11, S21 y S31 y queda patente que el dispositivo funciona perfectamente. A las dos frecuencias de operacin la adaptacin sigue siendo satisfactoria, con un nivel de -17dB en el S11 en la primera banda y de -25dB en la segunda. El coeficiente de transmisin S21 ha bajado un poco en la primera banda, sin embargo, sigue siendo un valor admisible y en la segunda resonancia tanto el S21 como el S31 estn a -3dB, por lo que podemos decir que se siguen cumpliendo las especificaciones del divisor.
Figura 3-10 Resultado de las mediciones realizadas al divisor de potencia.
Los resultados de las mediciones y los obtenidos mediante la simulacin son bastante parecidos tal y como se muestra en la figura 3-11, si bien existe un pequeo desplazamiento en frecuencia. La adaptacin a la segunda frecuencia de operacin se ha visto mejorada respecto al valor obtenido con el diseo y los coeficientes de transmisin se mantienen igual a un valor muy cercano a los -3dB especificados por el tipo de divisor que ha sido diseado y construido. Las pequeas diferencias podran ser debidas a muchas causas, pero efectos como un plano de masa finito, imperfecciones en la capa de metal y dialctico, las soldaduras y los conectores no incluidos en el diseo, sean posiblemente los que ms afecten al resultado. Este hecho deja patente la fiabilidad de los resultados que es posible obtener actualmente con las herramientas de diseo electromagntico como Momentum.
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Figura 3-11 Resultado de las mediciones realizadas al divisor de potencia superpuestos a los obtenidos con la simulacin.
Llegados a este punto ya se puede dar por finalizado este proyecto en el que se ha diseado y posteriormente construido un divisor de potencia implementado mediante inversores de impedancias en banda dual con metamateriales y cuyo funcionamiento se ha verificado que es muy satisfactorio.
3.4. Referencias
[9] D. M. Pozar, Microwave Engineering, John Wiley & Sons.
50
Conclusiones
Captulo 4 Conclusiones
Las estructuras metamateriales presentan algunas caractersticas que las hacen atractivas para la fabricacin de dispositivos con determinadas prestaciones. Una de ellas es la posibilidad de controlar la relacin de dispersin, permitiendo con ello la implementacin de dispositivos en banda dual. A lo largo de este trabajo se han tratado y estudiado estas estructuras as como su uso para la creacin de otras ms complejas como inversores de impedancias y divisores de potencia. Al comienzo de este documento se introdujeron todos los conceptos cuyo conocimiento era necesario para la comprensin del posterior trabajo. Se vio como nacieron los metamateriales cuando se empez a especular sobre los medios con y simultneamente negativas, y como esta caracterstica conduca a materiales con propiedades exticas. Tales propiedades iban desde las ondas de retroceso, hasta la inversin de la ley de Snell y el efecto Doppler. Con la dedicacin de algunos grandes cientficos, estos comportamientos desembocaron en una nueva lnea de investigacin centrndose en temas como la creacin de la lente perfecta as como la posibilidad de crear dispositivos operativos en banda dual. Posteriormente en el documento, con una firme base sobre el funcionamiento de los metamateriales adquirida, se introdujeron estructuras algunas planares que manifestaban sus
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Conclusiones
caractersticas. De este modo, se empez a hablar de las lneas duales o compuestas y las lneas basadas en modelos resonantes. Especial atencin recibieron los resonadores de anillos abiertos (SRRs) y sus homlogos complementarios (CSRRs) al ser stos unas estructuras clave en la creacin de dispositivos con caractersticas propias de los metamateriales. A continuacin se empez a tratar ya el diseo propiamente dicho de dispositivos metamateriales. Se realiz un minucioso diseo de un inversor de impedancias basado en las celdas previamente tratadas, concretamente los CSRRs, con la importante caracterstica de presentar funcionalidad en banda dual. La dualidad de banda se obtuvo mediante una nica lnea de transmisin microstrip con un CSRR grabado en su plano de masa, hecho destacable a tener en consideracin. Con el inversor ya diseado se empez a tratar otro nuevo dispositivo: los divisores de potencia. Se introdujeron sus principales caractersticas as como algunas de sus posibles implementaciones, viendo que una posibilidad era el uso de inversores de impedancias. Finalmente se dise un divisor basado en el inversor ya estudiado, adoptando su caracterstica de funcionamiento en banda dual. Todos los diseos fueron comprobados mediante simulaciones, obteniendo en todos ellos resultados muy satisfactorios. Sin embargo, en este proyecto se fue un poco ms all y se fabric el divisor diseado. El dispositivo construido fue medido y testeado, y presentaba unos comportamientos como los mostrados en el diseo, funcionamiento en banda dual con frecuencias de trabajo arbitrarias, buena adaptacin a estas frecuencias y divisin de potencia de forma equitativa en ambos puertos (-3dB). Los resultados obtenidos en las mediciones de este dispositivo se podran calificar nuevamente de muy buenos. Valorando el conjunto de este proyecto, se puede concluir diciendo que se han alcanzado todos los objetivos requeridos tanto en las simulaciones como en la implementacin del diseo, y por lo tanto, se dar as por finalizado el presente estudio. No obstante, los metamateriales siguen en auge, y el proyecto realizado slo es una muestra de todo lo que se puede conseguir con esta nueva tecnologa. En un futuro estudio, y demostrada la viabilidad de la implementacin de un divisor de potencia en banda dual, resultara interesante intentar disear otro divisor de potencia en banda dual en el que las frecuencias de operacin vinieran definidas por aplicaciones actuales como la identificacin por radio frecuencia (RFID). La RFID est llamada a ser uno de los sistemas ms importantes de los prximos aos. Sin embargo, presenta una importante salvedad, y es que no se ha conseguido crear un estndar mundial en lo referente a frecuencias de operacin. Actualmente, los sistemas de RFID europeos y americanos funcionan a frecuencias distintas, haciendo imposible la importacin directa de productos desde un continente a otro con este sistema. Sera necesario un dispositivo que realizar las tareas de interconexin entre ambos sistemas, y este es uno de los contextos
52
Conclusiones
donde los metamateriales, con sus caractersticas de operacin en banda dual, pueden tener una importante labor a desarrollar.
53
Firma del autor:
Resumen del TFC

El electromagnetismo es una rama de la fsica que est en continuo estudio. Hasta mediados de la dcada de los 60 se crea que para que la propagacin de las ondas electromagnticas fuera posible, los medios propagativos deban presentar una permitividad dielctrica y una permeabilidad magntica simultneamente positivas. Sin embargo, Vctor G. Veselago revolucion la teora electromagntica con la idea de los medios con y negativas, dando con ello origen a los medios metamateriales. En el presente trabajo se estudiarn los principios fsicos en los que se fundamentan los metamateriales. Se vern algunas de sus caractersticas que los convierten en medios exticos y como stas pueden ser utilizadas en el desarrollo de dispositivos con prestaciones difciles de obtener con las tecnologas convencionales. A continuacin se aplicarn los conceptos tratados en el diseo de un inversor de impedancias implementado mediante resonadores en anillos abiertos complementarios. Este dispositivo, que presentar un funcionamiento en banda dual, ser usado en el posterior diseo de un divisor de potencia. Finalmente se realizar la implementacin fsica del divisor de potencia diseado y se verificar su correcto funcionamiento con las mediciones pertinentes.
Resum del TFC

Lelectromagnetisme s una branca de la fsica que est en continu estudi. Fins a mitjans de la dcada dels 60 es pensava que, per a la propagaci de les ones electromagntiques fos possible, els medis propagatius havien de presentar una permitivitat dielctrica i una permeabilitat magntica simultniament positives. No obstant, Victor G. Veselago va revolucionar la teoria electromagntica amb la idea dels medis amb i negatives, donant amb aix origen als medis metamaterials. En el present treball sestudiaran els principis fsics en els que es fonamenten els metamaterials. Es veuran algunes de les seves caracterstiques que els converteixen en medis extics i como aquestes poden ser utilitzades en el desenvolupament de dispositius amb prestacions difcils dobtenir amb les tecnologies convencionals. A continuaci saplicaran els conceptes tractats en el disseny dun inversor dimpedncies implementat mitjanant ressonadors en anells oberts complementaris. Aquest dispositiu, que presentar un funcionament en banda dual, ser utilitzat en el posterior disseny dun divisor de potencia. Finalment es realitzar la implementaci fsica del divisor de potencia dissenyat i es verificar el seu correcte funcionament amb les mesures pertinents.
TFCs Brief
Electromagnetism is a branch of physics which is under continuously consideration. Until the middle of 60th decade, it was thought so that the electromagnetic waves propagation were possible, the propagatives mediums must present dielectric permittivity and magnetic permeability simultaneously positive. Nevertheless, Victor G. Veselago revolutionized the electromagnetic theory with the idea of mediums with negatives and , giving with it origin to the metamaterials. In the present essay, the physical principles in which the metamaterials are based will be studied. It will be also showed some of their characteristics that turn them into exotics mediums and how they can be employed to develop new devices with performance features which are hard to obtain with the conventional technologies. Then, the treated concepts will be applied into the design of impedances inverter implemented by complementary split ring resonators. This device, which will display dual band operation, will be used in the later design of a power divider. Finally, it will be realized the physical implementation of the designed power divider and their correct operation will be verified with the pertinent measurements.

PFC Garcia Rincon

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DISSEO E IMPLEMENTACIN DE UN DIVISOR DE POTENCIA EN BANDA DUAL CON ESTRUCTURAS METAMATERIALES BASADAS EN CSRRs

Escola Tcnica Superior dEnginyeria

I per tal que consti firma la present.

Signat: ............................................ Signat: ............................................ Bellaterra, 14 de Setembre de 2007

ndice de ecuaciones y clculos

1.1. Introduccin a los Metamateriales

1.1.1. Medios con permeabilidad magntica y permitividad dielctrica negativas

Figura 1-5 Detalle de un SRR.

1.2. Lneas de transmisin convencional (RHM)

Figura 1-9 - Equivalente a celda bsica de una lnea de transmisin.

Figura 1-10 Matrices de parmetros ABCD de impedancia serie y admitancia paralelo.

Vn A B Vn+1 Vn+1el I = C D I = l n+1 I n+1e n

Entonces, el determinante de la matriz (1.9) vale:

Introduccin 1.2.2. Caso sin prdidas

Figura 1-13 - Diagrama de dispersin de la celda mostrada en la figura 1-12.

1.3. Lneas de transmisin metamaterial

Figura 1-15 - Diagrama de dispersin de la celda mostrada en la figura 1-14.

1.3.2. Lnea de transmisin dual o compuesta (CLRH TL)

Por lo que a la frecuencia de resonancia (ZS=0) se cumplir la expresin (1.28).

1.3.3. Lneas basadas en el modelo resonante

Diseo de dispositivos en banda dual con lneas de transmisin metamaterial

Captulo 2 - Diseo de dispositivos en banda dual con lneas de transmisin metamaterial

Diseo de dispositivos en banda dual con lneas de transmisin metamaterial

Diseo de dispositivos en banda dual con lneas de transmisin metamaterial

Diseo de dispositivos en banda dual con lneas de transmisin metamaterial

(2.3)b (2.3)c (2.3)d

Z B (1 ) = Zs(1 ) (Zs(1 ) + 2Zp(1 )) Z B (2 ) = Zs(2 ) (Zs(2 ) + 2Zp(2 ))

Zs ( ) Zs ( ) Zs ( ) cos = 0 = 1 + 1 = Zs ( ) = Zp( ) 2 Zp( ) Zp( ) Zp( )

Diseo de dispositivos en banda dual con lneas de transmisin metamaterial

2.2. Diseo de inversores de impedancias basados en CSRRs operativos en banda dual

Diseo de dispositivos en banda dual con lneas de transmisin metamaterial

Diseo de dispositivos en banda dual con lneas de transmisin metamaterial

Diseo de dispositivos en banda dual con lneas de transmisin metamaterial

Y los resultados se muestran a continuacin en la figura 2-4.

-15 -20 -25 -30 -35 1

m1 freq=1.498GHz dB(S(1,1))=-33.769 m2 freq=4.460GHz dB(S(1,1))=-26.720 m1

m5 freq=1.498GHz mag(real(ZB))=71.701 m6 freq=4.460GHz mag(real(ZB))=69.134

Diseo de dispositivos en banda dual con lneas de transmisin metamaterial

Diseo de dispositivos en banda dual con lneas de transmisin metamaterial

Diseo de dispositivos en banda dual con lneas de transmisin metamaterial

800 700 600 500 400 300 200 100

m5 freq=1.093GHz mag(real(ZB))=69.458 m6 freq=2.800GHz mag(real(ZB))=70.797

-50 3.0 3.5 4.0

Aplicacin al diseo de un divisor de potencia en banda dual

Captulo 3 Aplicacin al diseo de un divisor de potencia en banda dual

3.1. Introduccin a los divisores de potencia

Aplicacin al diseo de un divisor de potencia en banda dual

(3.5)a (3.5)b (3.5)c (3.5)d (3.5)e (3.5)f

S13 S12 = 0 S 23 S13 = 0 S12 S 23 = 0

Aplicacin al diseo de un divisor de potencia en banda dual

Figura 3-1 Ejemplo de divisores de potencia de tres puertos en T.

Aplicacin al diseo de un divisor de potencia en banda dual

3.1.1. Divisores de potencia implementados con inversores de impedancias

Figura 3-2 Divisor de potencia mediante lneas de transmisin.

Aplicacin al diseo de un divisor de potencia en banda dual

Figura 3-3 Circuito a analizar para hallar la impedancia de entrada en el puerto 1.

Aplicacin al diseo de un divisor de potencia en banda dual

Aplicacin al diseo de un divisor de potencia en banda dual

Figura 3-6 Ampliacin de la interconexin de los inversores y lnea de acceso principal.

Aplicacin al diseo de un divisor de potencia en banda dual

dB(S(3,1)) dB(S(2,1)) dB(S(1,1))

m1 f req=1.108GHz dB(S(1,1))=-16.416 m3 f req=1.108GHz dB(S(2,1))=-3.248 m1 m2 m2 f req=2.918GHz dB(S(1,1))=-18.117 m4 f req=2.918GHz dB(S(2,1))=-3.231

Aplicacin al diseo de un divisor de potencia en banda dual