PONTIFCIA UNIVERSIDADE CATLICA DE MINAS GERAIS IPUC DEPARTAMENTO DE ELETRNICA E TELECOMUNICAO

Dimensionamento de Dissipadores de Calor para Semicondutores

Elaborado por: Prof. Fernando Villamarim PUC Minas, Belo Horizonte Maro, 2008

SUMRIO

1. INTRODUO ................................................................................. 2. A IMPORTNCIA DO CONTROLE DE TEMPERATURA ...... 3. O GERENCIAMENTO TRMICO ............................................... 4. O SISTEMA TRMICO ....................................................................

3 3 3 4

6. EXEMPLOS DE APLICAO........................................................... 10 7. CUIDADOS ESSENCIAIS NA MONTAGEM ............................... 16 8. CONCLUSES ................................................................................... 18 9. REFERNCIAS ................................................................................. 18

1. INTRODUO Este trabalho destina-se a orientar os alunos do IPUC no dimensionamento dos dissipadores de calor usados nos seus projetos de fontes de alimentao e outras aplicaes, visando o controle da gerao e da dissipao de calor nos semicondutores. Trata-se de um texto inicial sobre o assunto, que assume condies de operao em regime permanente e interface trmica convencional. Um estudo mais abrangendo condies transitrias e interfaces mais avanadas ser disponibilizado em outro trabalho.

2. A IMPORTNCIA DO CONTROLE DE TEMPERATURA Tanto a confiabilidade quanto a vida til de um sistema eletrnico so inversamente proporcionais sua temperatura de operao, sendo que uma reduo na temperatura de trabalho de um semicondutor corresponde a um aumento exponencial na sua vida til. Todos os dispositivos semicondutores so, em maior ou menor grau, afetados por variaes na temperatura de trabalho. No caso de um transistor bipolar, por exemplo, o beta decresce com a temperatura, ocorrendo tambm um aumento na tenso de saturao Coletor-Emissor. J nas temperaturas de funcionamento mais elevadas, as tenses de ruptura diminuem e as correntes de fuga aumentam, assim como os tempos de comutao. Estes fenmenos resultam em dissipao adicional de potncia, acarretando uma elevao ainda maior na temperatura dos dispositivos. Tal comportamento no pode ser totalmente compensado atravs de tcnicas para projeto de circuitos. Tendo em vista que a maioria dos circuitos opera em uma ampla faixa de temperatura, torna-se importante trabalhar no desenvolvimento do sistema trmico associado aos dispositivos visando mantlos operando em condies seguras, dentro das suas especificaes mximas de temperatura de operao. Compete ao projetista compreender as limitaes dos parmetros eltricos, mecnicos e trmicos listados nas folhas de especificaes dos semicondutores (data sheets), cuidando para que os valores permissveis no sejam violados sem controle na sua aplicao prtica. O objetivo o de garantir o correto funcionamento dos circuitos e preservar a integridade dos dispositivos, fazendo-os operar na faixa de temperatura de trabalho para a qual eles foram projetados. Caso contrrio, eles podero ser danificados por operao em temperaturas elevadas, que podem atingir valores acima daqueles previstos no seu projeto.

3. O GERENCIAMENTO TRMICO A mxima dissipao de potncia que pode ser alcanada em um dado semicondutor limitada pela temperatura do chip, tambm chamada de temperatura da juno. No caso de transistores bipolares, a temperatura da juno geralmente refere-se temperatura da juno Coletor-Base, onde ocorre a maior parte da gerao de calor. Um importante fator para se garantir que a temperatura da juno permanea abaixo do valor mximo especificado reside na capacidade que o sistema trmico associado ao semicondutor tem para remover o calor gerado no dispositivo e transferi-lo para o meio ambiente. Em qualquer circuito onde circular uma corrente eltrica, haver alguma gerao interna de calor devido aos processos de converso de energia envolvidos. A converso de energia eltrica em calor constitui o objetivo de muitas aplicaes. Este o caso de um ferro de soldar, por exemplo. Contudo, na maioria das aplicaes, a gerao de calor representa uma perda de potncia que deve ser minimizada sempre que for possvel ou, ao menos, levada em considerao em um dado projeto. Como todos os circuitos prticos contm resistncia, ocorrer uma certa perda de potncia at mesmo nos dispositivos cujo propsito bsico o de converter energia eltrica em outra forma de energia, ou seja, parte da sua potncia de entrada transformada em calor. Em algumas aplicaes, esta transformao pode ser desprezada, em outras, no. Se a gerao no intencional de calor se tornar significativa, os componentes envolvidos se aquecero. Este o caso dos semicondutores. 3

Semicondutores que geram calor significativo, ou que so submetidos a temperaturas suficientemente elevadas para alterar o seu funcionamento sem necessariamente danific-los, devem empregar alguma forma de resfriamento atravs da remoo de calor. O mtodo usado para tal finalidade pode ser ativo ou passivo. Mtodos passivos incluem dissipadores de calor e layout cuidadoso de placas e componentes para otimizar o fluxo de ar. Mtodos ativos incluem o uso de ventilao forada, serpentinas para troca de calor, refrigerao lquida ou combinaes destes mtodos. Outra possibilidade consiste no uso de resfriamento atravs de dispositivos termoeltricos, usando o efeito Peltier.

4. O SISTEMA TRMICO Considera-se, por exemplo, a montagem de um dissipador de calor sobre um circuito integrado do tipo PGA (Pin Grid Array), conforme a Figura 1. Usando o conceito de resistncia trmica, um circuito trmico equivalente pode ser esquematizado para esta montagem, conforme mostrado. Neste modelo simplificado, o calor gerado no chip flui por conduo para seu invlucro (encapsulamento) e, atravs da interface trmica, at ao dissipador, onde finalmente transferido ao ar ambiente e nele dissipado por meio de um processo de troca de energia trmica fundamentalmente baseado em fenmenos convectivos. Quanto maior for a rea de troca de calor, maior ser a eficincia do dissipador. Por isso, os dissipadores so projetados com aletas finas para aumentar sua rea, sem aumentar muito o volume ocupado. O arranjo trmico da Figura 1 pode ser aplicado em vrios tipos de dispositivos e seus correspondentes circuitos trmicos, tais como diodos, transistores, tiristores, reguladores de tenso e circuitos integrados diversos. Trata-se de um sistema trmico unidimensional. Nas aplicaes prticas podem ser encontrados sistemas de dissipao que no so exatamente unidimensionais, especialmente nos casos onde os dissipadores so montados dentro de um gabinete, tal como em um PC, por exemplo.

Fig. 1 - O Sistema Trmico e suas Resistncias Na Figura 1, as seguintes definies so aplicveis: Tj Tc = = Temperatura na juno do semicondutor, dada em C. O valor mximo permitido especificado no data sheet dos dispositivos. o ponto mais quente do sistema. Temperatura do invlucro do semicondutor, dada em C. Uma vez que a temperatura do invlucro depende do ponto onde ela medida, Tc usualmente representa a mxima temperatura que pode ser obtida. Temperatura do dissipador em C. Representa a mxima temperatura do dissipador no ponto mais prximo do chip. Temperatura ambiente, em C. Representa a temperatura do fludo, geralmente o ar, com o qual haver a troca de calor. a regio mais fria do sistema. Resistncia trmica juno-invlucro do dispositivo, dada em C/W. Resistncia trmica da interface invlucro-dissipador, dada em C/W. Resistncia trmica dissipador-ambiente, dada em C/W.

Ts Ta

= =

Rj-c = Rc-s = Rs-a =

Fazendo uma analogia com circuitos eltricos, a mxima potncia trmica PD que pode ser dissipada no chip dada por:

PD =

T , R j a

(1)

onde T = Tj - Ta representa a diferena entre a temperatura ambiente e a temperatura da juno do semicondutor e Rj-a representa a resistncia trmica total entre a juno e o ambiente, dada por:

R j a = R j c + R c s + R s a ,

(2)

A resistncia trmica Rj-c especificada nos data sheets dos fabricantes dos semicondutores. No caso do transistor 2N3055 da ON Semiconductor, por exemplo, ela de 1,52 C / W. O valor de Rj-c para um dado dispositivo depende do projeto do chip, dos materiais usados na sua montagem e do invlucro do mesmo, sendo considerada constante, no podendo ser alterada pelo projetista. A resistncia trmica invlucro-disipador, Rc-s , definida por:
Rc s =

(Tc s ) (Tc Ts )
PD = PD

(C / W)

(3)

O valor de Rc-s depende muito da qualidade do acabamento das superfcies em contato trmico, assim como dos materiais usados na de interface trmica entre o semicondutor e o dissipador, conforme ser visto abaixo. De modo similar, a resistncia trmica dissipador-ambiente, Rs-a , definida por:
R s a =

(Ts a ) (Ts Ta )
PD = PD

(C / W)

(4)

O valor de Rs-a depende do tamanho, formato e material usado na fabricao do dissipador. Depende tambm se o dissipador do tipo passivo (conveco natural) ou ativo (conveco com ar forado). O alumnio o material mais usado na construo de dissipadores, mas o cobre oferece uma condutividade trmica muito melhor do que o alumnio, sendo mais eficiente na transferncia de calor ao ambiente. Substituindo a equao (2) e T=Tj - Ta em (1) e reorganizando a equao, tem-se que a mxima resistncia trmica que o dissipador de calor pode oferecer, de tal forma que quando uma dada potncia PD for dissipada no transistor ainda se possa manter a temperatura da juno abaixo do valor mximo especificado, dada por:
Rs a =

(T

Ta PD

Rj c Rc s

(C / W)

(5)

Em um semicondutor, a resistncia trmica R j-a geralmente muito maior do que a resistncia trmica Rj-c. Por exemplo, no caso do regulador de tenso LM7905 da National Semicondutor, o data sheet informa que Rj-c = 5C/W e R j-a = 60 C/W (valores mximos). Se o dispositivo no for montado em um dissipador de calor, sua resistncia trmica total juno-ambiente ser muito maior do que a soma das resistncias trmicas Rj-c + Rc-s + Rs-a, obtida quando se usa um dissipador adequado. Assim, a falta de um dissipador de calor introduz uma severa limitao na capacidade de dissipao de potncia e, portanto, na aplicao do dispositivo.

Para dissipar calor, preciso haver rea adequada. Em uma aplicao prtica, mesmo se um semicondutor estiver dissipando apenas algumas centenas de miliwatts, impraticvel aumentar o tamanho do seu invlucro para tornar o termo Rc-a compatvel com Rj-c. Como resultado, quase todos os semicondutores de potncia so projetados para usar um dissipador externo. A eficincia de um dissipador externo depende diretamente da qualidade da interface trmica invlucrodissipador. Vrias interfaces trmicas foram desenvolvidas, sendo a pasta trmica a mais comum delas. A Figura 2 apresenta as resistncias trmicas Rc-s de vrias interfaces que podem ser usadas na montagem de semicondutores que usam invlucros TO-220 e TO-3(TO-204MA). A pasta trmica usada na montagem de todos os tipos de interfaces cujas curvas de resistncia trmica esto mostradas na Figura 2.

TO-220 (1) Thermalfilm II, espessura de 25 m (2) Thermalfilm I, espessura de 25 m (3) Mica, espessura de 75 m (4) Mica, espessura de 50 m (5) Alumnio anodizado, espessura de 0,5 mm (6) Montagem direta, sem acabamento

TO-3 (1) Borracha de silicone, espessura de 0,3 mm (2) Thermalfilm II, 50 m (3) Thermalfilm I, 50 m (4) Borracha de silicone, espessura de 0,15 mm (5) Mica, espessura de 75 m (6) Mica, espessura de 50 m (7) xido de alumnio, espessura de 1,5 mm Nota: (8) Alumnio anodizado, espessura de 0,5 mm Todas as montagens usam a pasta Thermalcote ou (9) xido de Berlio, espessura de 1,5 mm Dow Corning 340, ou equivalente. (10)Montagem direta, sem acabamento Fig. 2 - Resistncia Trmica Rc-s para TO-220 e TO-3
(Adaptado de: Willians, Arthur B., Designers Handbook of Integrated Circuits, McGraw-Hill, USA,1984))

A funo da pasta trmica a de preencher as falhas intersticiais existentes entre as superfcies de contato no exatamente planas do semicondutor e do dissipador de calor, onde se formam bolsas de ar quando as superfcies estiverem em contato. Como o ar pssimo condutor de calor, a interface trmica apresenta falhas que originam pontos quentes. A pasta trmica expulsa o ar e oferece um percurso de baixa resistncia trmica entre as duas superfcies, facilitando a conduo de calor do semicondutor para o dissipador de calor. Uma boa pasta trmica quinze vezes melhor condutora de calor do que o ar. Quando a quantidade de calor gerada na juno de um semicondutor for igual quantidade de calor removida do dispositivo, uma condio trmica estvel, correspondente ao regime de trabalho permanente do semicondutor, ter sido atingida. A equao (1) permite ento determinar a temperatura da juno:
T j = PD R
j a

+ Ta

(6)

A temperatura ambiente geralmente informada nos data sheets como sendo Ta = 25 C, significando que os parmetros eltricos de semicondutores so especificados, testados pelo fabricante dos dispositivos, publicados e garantidos para uma temperatura ambiente de 25 C, exceto se for indicado em contrrio. As especificaes de potncia dos semicondutores so baseadas em condies trmicas estveis. Usando a equao (5), pode-se determinar o pior caso de dissipao:

PD

max

Tj

(max)

Ta

T j Ta Rj c + Rc s + Rs a

(7)

j a (max)

A temperatura Tj(max) normalmente determinada atravs do projeto eletromecnico do dispositivo, baseando-se tambm nos resultados de testes de durabilidade realizados em laboratrio, ou ento levandose em conta alguma degradao sria observada em algum parmetro importante. Para que a temperatura Tj(max) no seja ultrapassada em uma dada aplicao, PD deve ser correspondentemente reduzida de modo linear, para que os dispositivos possam operar com segurana. A Figura 3 apresenta as caractersticas tpicas de reduo (ou degradao) de potncia de transistores bipolares, em funo da temperatura, que podem ser usadas para determinar os mximos valores de dissipao permissveis para temperaturas do invlucro acima de Ta = 25 C. As curvas da Figura 3 so geralmente publicadas nos data sheets dos dispositivos, sendo preparadas para cada tipo individual de semicondutor ou tipos muito similares, derivados do mesmo chip, usando o mesmo tipo de invlucro. Os fabricantes geralmente publicam apenas as curvas referentes ao limiar da mxima temperatura e o projetista pode fazer o traado de novas curvas partindo da mxima temperatura aplicvel no seu projeto especfico.

Fig. 3 - Grfico de Mxima Dissipao Permissvel em Funo da Temperatura do Invlucro

(Adaptado de: TIP41/TIP42 Data Sheet, ON Semiconductor, USA, 2004)

A curva de degradao pode ser dada diretamente em funo da potncia mxima permissvel ou ento em valores percentuais da mxima potncia permissvel. Alguns fabricantes publicam curvas em funo da temperatura ambiente e da temperatura do invlucro, que so disponibilizadas em um nico grfico ou ento em grficos separados. Se a temperatura de referncia for a temperatura do invlucro, a inclinao das curvas ser dada por (-1/R j-c). Porm, se a temperatura de referncia for a temperatura ambiente, a inclinao das curvas ser dada por (-1/R j-a). Em alguns casos, nenhuma curva publicada pelo fabricante do semicondutor, mas a dissipao mxima permissvel informada para Tc = 25 C juntamente com a taxa de degradao aplicvel na potncia, em termos de W/C, nas temperaturas acima de 25C. Trata-se de uma maneira indireta de fornecer as curvas da Figura 3. 7

Exemplo 1 Um transistor dever operar em uma aplicao que exige alta confiabilidade, onde Tc no poder ultrapassar 100 C. O projetista optou pelo uso do transistor TIP41B no projeto, o qual oferece uma dissipao mxima de 65 W para Tc = 25 C e Tj max =150 C. As caractersticas de dissipao da famlia TIP41 esto mostradas na Figura 3. Qual a mxima dissipao que poder ser utilizada no projeto? Soluo: Uma linha vertical traada partindo de T =100 C at atingir a curva correspondente a Tc = 150 C, Determina-se ento que o valor de PD dever ser de no mximo 25W. Exemplo 2 O data sheet de um transistor informa que ele capaz de dissipar 200 W com Tc = 25 C. Suas especificaes indicam uma degradao de 1,5 C/W. Qual a mxima dissipao permitida de modo a manter Tj 125 C? Soluo: A elevao mxima permitida para a temperatura da juno T = 125C - 25C = 100C. A degradao da potncia dever ser de 100C x 1,5 W/C = 150 W. A mxima dissipao de potncia do transistor dever ser limitada em 200 W - 150 W = 50 W. A rea de Operao Segura A equao (7) e os dados da Figura 3 no definem com exclusividade a mxima potncia que pode ser manipulada por um transistor. Nas aplicaes onde esto envolvidas elevadas dissipaes, preciso levar em conta, alm da temperatura mdia da juno, se a rea de operao segura dos dispositivos no est sendo de alguma forma violada, o que uma condio requerida para se fazer um projeto confivel. A rea de operao segura especificada para cada dispositivo ou famlia de dispositivos, sendo disponibilizada nos data sheets dos semicondutores na forma de um grfico, conforme exemplificado na Figura 4 para as famlias complementares TIP41 (NPN) e TIP42 (PNP).

Fig. 4 - rea de Operao Segura da Famlia TIP41/TIP43

(Adaptado de: TIP41/TIP42 Data Sheet, ON Semiconductor, USA, 2004)

No caso da rea de operao segura da Figura 4, pode-se observar que a dissipao mxima permitida para polarizaes com VCE at 10V de 60W, sendo limitada pela capacidade de transporte de corrente dos fios internos que conectam o chip aos seus terminais externos. Entre VCE=10V e VCE=30V, a limitao trmica prevalece. Acima de VCE=30V e at que seja atingido o limite imposto pela tenso de ruptura VCEO dos transistores da famlia TIP41/TIP42, a limitao se deve segunda ruptura. 8

A segunda ruptura um fenmeno pode ocorrer quando transistores bipolares estiverem trabalhando em uma regio particular da sua rea de operao segura onde prevalecem tenses e correntes elevadas. A segunda ruptura em polarizao direta, cuja sigla Is/b, pode ocorrer at mesmo sob um regime de operao abaixo da mxima dissipao estabelecida pela equao (7). Trata-se de um fenmeno potencialmente destrutivo, causado por uma concentrao na corrente injetada pelo emissor devida ao intenso campo eltrico estabelecido na regio da base do transistor. O campo tende a focalizar a corrente em pequenas regies ao redor das quinas do emissor, resultando em uma elevao rpida e localizada da temperatura e na formao de pontos quentes no chip, causando grande variao na concentrao de portadores de carga nas suas imediaes. A conseqncia que, se a segunda ruptura ocorrer, a corrente de base passa a no mais governar a corrente de coletor, que atinge rapidamente valores elevados, sendo limitada apenas pela resistncia do circuito externo. O resultado geralmente a destruio do dispositivo. No caso de polarizao reversa, o fenmeno geralmente decorre do chaveamento de cargas indutivas, sendo denominado de Es/b. Se os dispositivos estiverem trabalhando com alta temperatura de juno, as limitaes trmicas prevalecem, reduzindo a potncia que pode ser manipulada para valores abaixo dos valores limites impostos por segunda ruptura. Os transistores de potncia do tipo MOSFET, por serem unipolares, no esto sujeitos aos fenmenos de segunda ruptura. Contudo, o projetista deve consultar nos data sheets as informaes sobre a rea de operao segura dos dispositivos, sejam eles bipolares ou unipolares, para verificar se a sua aplicao est sendo mantida dentro de limites seguros de dissipao. A anlise e o desenvolvimento das equaes do sistema trmico, realizada acima, considerou que o mesmo est em equilbrio, permitindo ao projetista determinar a dissipao de potncia sob condies de operao estveis. A estabilidade trmica do sistema juno-invlucro alcanada geralmente em poucos segundos aps o equipamento ter sido energizado, ao passo que o equilbrio trmico do sistema junoambiente pode requerer minutos para ser atingido. Em muitas aplicaes, os semicondutores trabalham em regime contnuo de dissipao de potncia. Este geralmente o caso de um regulador de tenso linear, por exemplo. Em outros casos, a dissipao mdia mais importante. Contudo, em vrias aplicaes o regime de operao no contnuo, assim com a dissipao envolvida. Notar, na Figura 4, que algumas curvas ou regies de trabalho so especificadas para regimes pulsativos. Exemplo 3 Um transistor TIP42 vai ser usado em um regulador linear de tenso, operando nas seguintes condies de pior caso:
VCE = - 30V, IC = - 0,5A, TA = 50 C (mximo) Tipo de Montagem: Isolada com mica de 75m Pasta trmica disponvel: Equivalente pasta Thermalcote

Pede-se: a) Determinar o valor mximo de Rs-a que o dissipador usado no projeto poder ter b) Verificar se o transistor est operando protegido contra Is/b. Soluo: a) O TIP42 usa invlucro TO-220 do JEDEC (Joint Electron Devices Engineering Council). Para montagem de um TO-220 com arruela de mica de 75m usando pasta trmica similar pasta Thermalcote, a Figura 2 indica que o valor de Rc-s de 1,75 C/W. O data sheet do TIP42 revela que Tjmax. = 150 C e que Rj-c = 1,67 C/W. Substituindo os valores na equao (5), tem-se que:

Rs a =

T j Ta PD

Rj c + Rc s

Rs-a mx = [(150 C - 50 C) / 15 W] - (1,67 C/W +1,75 C/W) = 6,67 C/W - 3,42 C/W 3,3 C/W

b) Examinando a rea de operao segura do TIP 42, na Figura 4, verifica-se que a tenso VCE = 30V est abaixo da tenso de ruptura, e que o ponto de operao onde VCE = 30V e IC = 0,5A est fora da regio limitada por Is/b. Portanto, embora o projeto no seja conservativo com relao temperatura mxima da juno, os parmetros do TIP42 no esto sendo violados.

5. EXEMPLOS DE APLICAO O dimensionamento do sistema trmico de um semicondutor envolve as seguintes etapas fundamentais: 1 - Tabelar todas as condies e restries aplicveis ao projeto, incluindo: dissipao de potncia, tamanho permissvel para o radiador, localizao de montagem, mxima temperatura ambiente, etc. 2 - Escolher o semicondutor adequado e analisar seu data sheet para verificar suas restries de I, V, PD, T, Is/b, resistncias trmicas e outros parmetros aplicveis no projeto. 3 - Escolher o tipo de montagem em funo do semicondutor a ser usado, especialmente a interface trmica, levando em conta a necessidade ou no de isolamento, condies de manufatura, custos, etc. 4 - Calcular Rs-a mx e escolher o dissipador a ser usado. 5 - Degradar Rs-a do dissipador escolhido em funo do tamanho, diferena de temperatura dissipadorambiente e altitude. 6 - Verificar se o valor final de Rs-a atende os requisitos do projeto e se existe alguma margem de segurana. APLICAO 1 Um regulador de tenso do tipo LM7805 da National Semiconductor vai ser usado no projeto de uma fonte de +5V, trabalhando nas seguintes condies:
VIN = 10V, IL = 1A, Ta(max) = 50 C Dissipador passivo. Montagem sem isolador, com pasta trmica.

Pede-se dimensionar o dissipador de calor a ser usado no projeto. Soluo: Dados do regulador LM7805 obtidos no seu data sheet:
Tjmax = 125 C Encapsulamento: TO - 220 Rj-c = 3 C/W (valor tpico)

A resistncia trmica do dissipador dada pela equao (5):

Rs a = T j Ta PD Rj c + Rc s

A potncia dissipada no regulador : PD = V x IL = (10 5)V x 1A = 5W. Notar que, na determinao de PD , a potncia dissipada na polarizao do LM7805 foi desprezada (seu valor PQ = VIN x IQ = 10V x 2mA = 20mW). 10

Usando a Figura 2 (ou outros dados que estiverem disponveis sobre interfaces trmicas) tem-se para um invlucro TO-220, montado com pasta trmica e sem arruela isoladora, o valor Rc-s de 1W/ C, para torque de montagem entre 2 e 6 pol-lb. Substituindo-se os dados conhecidos, vem:
Rs-a = (125 50)C / 5W (3C/W + 1C/W) = 11 C/W

(8)

O valor de Rs-a = 11C/W representa a mxima resistncia trmica que o dissipador de calor poder ter. preciso agora consultar os catlogos dos fabricantes de dissipadores, escolher um modelo que melhor se adapta ao projeto e fazer as correes necessrias. Se o dissipador for super-dimensionado, poder haver problemas de custo, peso e volume. Se for sub-dimensionado, a temperatura do chip do semicondutor poder exceder o valor mximo permitido e afetar a sua confiabilidade. Especificando o Dissipador para o Projeto As variaes das condies de projeto dos sistemas trmicos so muitas e difceis de serem uniformizadas. Por isso, a maneira como os fabricantes de dissipadores tais como a HS Disipadores e a Aavid Thermalloy especificam seus produtos no permitem geralmente seu uso imediato em todas as situaes. As caractersticas trmicas publicadas precisam ser corrigidas para condies particulares de projeto ou local de uso. Destaca-se entre elas o comprimento do dissipador, a diferena de temperatura dissipador-ambiente de aplicao e a altitude local. Correo do Comprimento As curvas com as caractersticas de dissipao dos dissipadores dependem do seu tamanho. Isto se deve ao fato de que a fonte primria de calor pode ser considerada pontual (em vista do pequeno tamanho do chip) e no uniformemente distribuda, fazendo com que a resistncia trmica no varie linearmente ao longo da superfcie de dissipao. Desta forma, as curvas so publicadas para dissipadores com tamanhos padronizados. No caso da HS Dissipadores, as curvas so vlidas para dissipadores de 100mm de comprimento (4), ao passo que as curvas da Aavid Thermalloy so vlidas para 75mm (3). Suponha-se que, no projeto em questo, foi escolhido inicialmente o dissipador HS 2816 com 50mm, visando economizar espao na montagem de um regulador com invlucro do tipo TO-220. A Figura 5 apresenta as caractersticas mecnicas e trmicas do HS 2816.

Fig. 5 - Dados Tcnicos do Dissipador HS 2816

(Adaptado do Catlogo da HS Dissipadores)

11

Para usar o HS 2816 com 50mm, preciso fazer a correo da resistncia trmica em funo do tamanho, conforme as informaes contidas no catlogo da HS Dissipadores. O catlogo indica que a correo por comprimento de 43%, resultando em um aumento na sua resistncia trmica efetiva para:
Rs = 7,92 C /W x 1,43 = 11,33 C /W

As curvas da Figura 6 foram traadas para mostrar a variao da diferena de temperatura entre o corpo do dissipador HS 2816 e o ar ambiente, para diversos tamanhos deste modelo de dissipador, em funo da potncia dissipada.
Disssipador 2816
80 40mm 70 50mm 70mm 80mm 90mm 100mm

60mm

60

Delta T (graus C)

50

40

30

20

10

0 0 1 2 3 4 5 calor dissipado (watts) 6 7 8 9 10

Fig. 6 - Curvas do Dissipador HS 2816 para Diversos Tamanhos O valor Rs-a = 11,33 C /W do HS 2816 com 50mm maior do que o valor mximo de 11C/W permitido para o projeto, determinado conforme a expresso (8). Portanto, o dissipador HS 2816 com tamanho de 50mm e ventilao natural no poder ser usado no projeto. Se o tamanho do HS 2816 for aumentado para 100mm, tem-se que:
Rs = 7,92 C /W x 1,04 = 8,24 C /W

Logo, verifica-se que o dissipador HS 2816 de 100mm, sem ventilao forada, atende o limite do projeto de Rs-a < 11C/W e que o sistema trmico est preliminarmente adequado s condies especificadas. Correo de Temperatura Na troca de calor por conveco, a eficincia depende da diferena entre a temperatura do dissipador e a temperatura ambiente. Os valores das resistncias trmicas indicadas nos catlogos da HS Dissipadores e da Aavid Thermalloy referem-se a um T = 75C. Quanto menor for o valor de T, pior ser o desempenho dos dissipadores, que devem ter seus parmetros corrigidos conforme as tabelas apresentadas nos catlogos dos fabricantes. No projeto em questo, as curvas de T em funo de PD mostradas nas Figuras 5 e 6 revelam que, para uma dissipao de 5W, a diferena entre a temperatura da carcaa do dissipador e a temperatura ambiente de Ts-a= 45C. preciso fazer correes de temperatura, pois Ts-a < 75C. Usando os dados do catlogo da HS Dissipadores, a correo 1,13 vezes. Logo:
Rs-a = 8,24C /W x 1,13 = 9,3 C/W

Portanto, o dissipador HS 2816 de 100mm est, at agora, adequado ao projeto. 12

Correo da Altitude A troca de calor entre o dissipador e o meio ambiente depende da altitude, pois realizada principalmente por conveco, fenmeno termodinmico que afetado pela densidade do ar. Desta forma, preciso levar em conta um fator de correo, conforme recomendado na Tabela 1. Tabela 1 Correo da Altitude Altitude (metros) 0 1000 1500 2000 3000 3500 Fator de Correo 1,00 0,95 0,90 0,86 0,80 0,75

No caso de Belo Horizonte, pode-se aplicar um fator de degradao de 5% no valor de Rs-a do dissipador a ser usado, de modo que:
Rs-a (corrigida p/ altitude) = 9,3 C/W / 0,95 = 9,8 C/W.

O resultado acima indica que o dissipador escolhido est atendendo os requisitos do projeto de Rs-a =11C/W e que o sistema trmico est adequado s condies especificadas, apresentando ainda uma pequena reserva na sua capacidade de dissipao. O valor final de Rs-a obtido no projeto permite que o chip do regulador trabalhe em uma temperatura abaixo de Tjmax quando Ta 50C, ou ento permite que o mesmo trabalhe com Ta um pouco maior do que 50C sem violar Tjmax. Existe uma reserva no projeto. Para reduzir a resistncia trmica de um dissipador, pode-se adotar ventilao forada, conforme os dados indicados na curva da direita na Figura 5. Outra possibilidade consiste em usar um modelo que oferea menor resistncia trmica inicial, tal como o HS 3030, embora sua altura seja maior. A HS Dissipadores disponibiliza em www.hsdissipadores.com.br um software de aplicao que pode ser usado para dimensionar os dissipadores de calor em funo do seu modelo e tamanho. Contudo, as correes de T e de altitude devem ser realizadas manualmente pelo projetista. Alguns modelos de dissipadores so especificamente projetados para serem usados com determinados tipos de invlucros, tais como TO-66(TO-213) e TO-3(TO-204MA). Nestes casos, no preciso fazer a correo de tamanho, mas as correes de T e de altitude devem ser realizadas. APLICAO 2 Uma fonte linear regulada de CC, para uso no laboratrio, dever fornecer uma sada mxima de 15V com 10A. O retificador da fonte fornece uma tenso mdia de 26V na entrada do estgio regulador. Os semicondutores usados no projeto devero trabalhar isolados do dissipador com arruelas de berlio. Pedese dimensionar o regulador e o sistema trmico associado. Soluo: Para realizar um projeto econmico, o projetista decidiu usar transistores 2N3055 da ON Semiconductor, cujos dados obtidos no data sheet so os seguintes:
Rj-c max = 1,52 C/W Tjmax = 200C

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A potncia dissipada no regulador : PD = (26-15)V x 10A = 110W. As curvas de dissipao e rea de operao segura do 2N3055 esto mostradas na Figura 7.

Fig. 7 - Limitaes Trmicas e rea de Operao Segura do 2N3055

(Adaptado de: 2N3055 Data Sheet, ON Semiconductor, USA, 2005)

Visando aumentar a confiabilidade, o projetista decidiu manter a temperatura mxima da juno em Tjmax = 150C. Atravs da Figura 2, determina-se que uma interface trmica usando isolador de xido de berlio apresenta Rc-s = 0,2 C/W. Supondo inicialmente o uso de um dissipador de Rs-a = 0,5 C/W, a equao (1) pode ser usada para calcular a elevao da temperatura da juno do 2N3055:

T = PD ( R j a ) = 110W (1,52 + 0,2 +0,5) C/W = 244,2 C

Para uma temperatura no laboratrio de 25C, a temperatura final da juno do 2N3055 seria de (25+244,2) C = 269,2 C. Obviamente, trata-se de uma impossibilidade para o 2N3055, cuja Tjmax de 200C. A soluo consiste em usar transistores 2N3055 em paralelo. Mas, quantos? Para responder a pergunta, preciso determinar primeiro qual a potncia que um nico 2N3055 poder dissipar com segurana no projeto, para ento determinar quantos so necessrios para manipular a potncia de 110W. A Figura 8 apresenta um modelo para o sistema trmico do regulador, consistindo de quatro dispositivos montados sobre o mesmo dissipador. Notar que as resistncias trmicas R j-c e R c-s trabalham em paralelo, mas a resistncia trmica R s-a nica para o sistema.

Fig. 8 - Sistema Trmico com Quatro Semicondutores Mantendo a tentativa inicial de se usar um dissipador de Rs-a = 0,5 C/W, o projetista escolheu o dissipador modelo HS 12544, da HS Dissipadores, por considerar que este modelo mecanicamente adequado ao projeto, permitindo a montagem de at quatro dispositivos TO-3 (TO-204MA) na rea plana disponvel. As caractersticas do HS 12544 esto mostradas na Figura 9. 14

Fig. 9 - Dados Tcnicos do Dissipador HS 12544

(Adaptado do Catlogo da HS Dissipadores)

Para que o HS 12544 seja capaz de apresentar um valor de Rs-a = 0,5 C/W, preciso adotar ventilao forada de 4m/s a 5m/s e tamanho nominal de 100mm (4), tornando desnecessria a correo de comprimento. A correo de altitude para Belo Horizonte resulta em Rs-a = (0,5 C/W) / 0,95 = 0,53 C/W. Com Rs-a = 0,53 C/W, a mxima temperatura que o dissipador atingir quando a potncia dissipada for de 110W ser:
Ts = Ta + PD (Rs-a ) = 25C + 110W (0,53C/W) = 83,3 C

Este resultado mostra que a elevao de temperatura do dissipador com relao temperatura ambiente de 25C ser de (83,3-25)C = 58,3C. preciso ento fazer uma correo de temperatura de 6%, conforme os dados do catlogo da HS Dissipadores. Os resultados corrigidos Rs-a para o modelo HS 12544 ficam ento:
Rs-a = 0,53C/W x 1,06) = 0,56 C/W Ts = Ta + PD (Rs-a ) = 25C + 110W (0,56C/W) = 86,8 C

Considerando um projeto conservativo onde o projetista deseja manter Tjmax = 150C, tem-se que a elevao de temperatura em cada transistor ser de:

T = (150 86,8) C = 63,2 C

Usando agora a equao (1), a mxima potncia que cada 2N3055 poder dissipar ser de:
PD = 63,2 C / (1,52 + 0,2) C/W 37 W

Portanto, para trabalhar com uma potncia total de 110W, o regulador dever empregar quatro 2N3055, conectados em paralelo, cada um deles manipulando PD = 110W/4 = 27,5W, sendo que o mximo permitido nas condies do projeto de 37W. A montagem no dissipador HS 12544 usar ventilao forada de 4m/s ou 5m/s, pasta trmica e arruelas isoladoras de xido de berlio para TO-3, com 1,5mm de espessura, com torque de montagem entre 3 e 6 pol-lb. 15

A curva de degradao de potncia do 2N3055 na Figura 7 revela que, para cada 2N3055 dissipando uma potncia PD = 27,5W, os transistores vo trabalhar sem que a mxima temperatura de juno especificada no projeto seja violada. As curvas da rea de operao segura, tambm na Figura 7, revelam que para VCE = 11V e IC = 10A / 4 = 2,5A por transistor, os transistores 2N3055 vo trabalhar fora da regio delimitada por Is/b, protegidos contra ruptura coletor-emissor e bem abaixo do limite trmico mximo. Quando semicondutores so usados em paralelo visando aumentar a capacidade de corrente total, preciso levar em conta que os ganhos de corrente de transistores bipolares no so iguais, mesmo tratando-se de semicondutores do mesmo tipo. O mesmo ocorre com as tenses VF dos diodos. O resultado que quando dois transistores iguais so montados em paralelo, um deles conduzir mais corrente de coletor do que o outro e dissipar mais potncia. O projeto eltrico deve assegurar que as potncias dissipadas em cada um dos transistores sejam as mais idnticas possveis, atravs do controle da repartio da corrente total do circuito entre os mesmos. No caso de transistores ou diodos operando em paralelo nos reguladores de tenso ou nos amplificadores de potncia, a maneira mais simples forar a repartio da corrente de carga consiste em usar resistores em srie com os emissores ou com os catodos dos dispositivos, para equalizar suas polarizaes de VBE e VF, respectivamente. Resistores de 10m at 100 m so geralmente suficientes para esta funo. Calcular a potncia dissipada nos resistores em funo da corrente mdia circulante e dar uma margem de segurana de no mnimo 200% para especificlos adequadamente.

5. CUIDADOS ESSENCIAIS NA MONTAGEM Alguns cuidados essenciais devem ser observados na montagem do sistema trmico para se obter a mxima eficincia na dissipao de calor do chip e garantir uma confiabilidade adequada ao projeto. As seguintes recomendaes so aplicveis. a) Todas as montagens devem usar pasta trmica ou um material equivalente na interface trmica. Uma camada espessa deve ser uniformemente espalhada ao longo de todas as superfcies de contato entre o semicondutor, o sistema de isolamento (se for usado) e o dissipador. b) No caso de uma remontagem, a pasta antiga deve ser removida e substituda por uma nova camada. c) Se o projeto do sistema trmico no usar isolamento, o dissipador de vrios tipos de dispositivos com invlucro TO-126, TO-220, TO-66(TO-213) e TO-3(TO-204MA), entre outros, vai trabalhar com tenso aplicada devido ao contato com algum terminal dos semicondutores. Cuidar para que o dissipador seja mantido isolado dos demais circuitos e da caixa do projeto. d) As Figuras 9 e 10 apresentam quatro possibilidades para montagem de TO-220 e uma para TO66(TO-213)/TO-3(TO-204MA), respectivamente, incluindo montagens isoladas. No caso de TO-220, o terminal de solda e a ltima porca sextavada podem ser dispensados nas Figuras 9a, 9b e 9c, caso a conexo de coletor seja realizada atravs da placa impressa. e) Para projetar sistemas trmicos eletricamente isolados, usar interfaces trmicas isoladoras conforme aquelas listadas na Figura 2. Os parafusos de montagem dos semicondutores devem ser igualmente isolados usando-se buchas de passagem e arruelas de nylon ou teflon, conforme as Figuras 9 e 10. f) O semicondutor deve ser montado preferencialmente no centro do dissipador. Abrir furos, se necessrio, para a passagem dos pinos e conexes. Existem soquetes prprios para se fazer a montagem de semicondutores nos dissipadores, sem que seja necessrio soldar ou desoldar fios nos pinos em caso de substituio dos componentes. g) Usar torque de montagem conforme recomendado pelo fabricante do semicondutor ou do material de interface trmica. Aperto insuficiente aumenta a resistncia trmica do conjunto, ao passo que aperto excessivo pode provocar trincas no chip. No caso de semicondutores montados no dissipador com um nico parafuso, tal como o caso do TO-220, um aperto excessivo pode causar empenamento do invlucro, ficando parte do mesmo sem contato com o dissipador. Alm de a resistncia trmica aumentar, o chip o poder trincar. h) Soldar os terminais do semicondutor na placa impressa apenas depois que o mesmo for apertado no dissipador.

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i)

j) k)

l) m)

o) p)

No caso de semicondutores encapsulados em plstico (TO-126, TO-220, TO-3P, etc.), usar um alicate de bico fino para firmar os pinos antes de dobr-los. No recomendado dobrar os pinos de dispositivos metlicos do tipo TO-66, TO-3 (TO-204), etc., pois esta ao pode trincar o vidro de isolamento dos terminais de emissor e base. Semicondutores inteiramente de plstico, tal como um TO-3P, no dispensam o uso de pasta trmica. Dissipadores instalados verticalmente fazem peso e transmitem vibraes aos semicondutores, podendo quebr-los facilmente ou ocasionar mau contato. Nas montagens verticais, o dissipador deve ser apoiado na placa impressa, conforme mostrado na Figura 9d. Se o dissipador no possuir pinos de montagem, usar suportes isolados para sustent-lo. Verificar se o dissipador pode ser aparafusado na caixa do equipamento e assegurar que o semicondutor est isolado do dissipador. Montar o dissipador em um local do equipamento onde o ar possa circular livremente atravs das suas aletas e seguir para o exterior. Os dissipadores passivos devem ser montados com as aletas orientadas de modo a permitir a maior troca possvel de ar por conveco. Nos dissipadores ativos, a montagem das aletas pode ser vertical ou horizontal. As conexes dos dispositivos ao circuito da placa impressa devem ser as menores possveis para minimizar os efeitos de componentes parasitas. Isto essencial nas aplicaes de RF. Isoladores de xido de berlio so excelentes condutores trmicos mas no dispensam o uso da pasta trmica. Os mesmos no devem ser lixados ou raspados por nenhum processo, pois o p irritante e pode atingir o pulmo.

Figura 9 - Montagens de Semicondutores com Invlucro TO-220

Adaptado de: Power Transistors Applications, RCA Solid State, USA, 1981

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Fig. 10 - Montagem de Semicondutores com Invlucro TO-66(TO-213) e TO-3 (TO-204MA)

Adaptado de: Power Transistors Applications, RCA Solid State, USA, 1981

6. CONCLUSES O gerenciamento do sistema trmico de semicondutores fundamentalmente importante para sua correta aplicao e durabilidade. Na maioria dos casos, os projetos de maior confiabilidade devem ser conservativos nas especificaes das mximas condies de trabalho exigidas dos semicondutores. Com a crescente miniaturizao dos sistemas eletrnicos, os sistemas trmicos esto assumindo um papel cada vez mais importante, em vista dos compromissos que devem ser adotados entre custo, peso, volume, interferncias eletromagnticas e remoo de calor. Novos materiais esto constantemente sendo disponibilizados aos projetistas para que se possa realizar um projeto adequado para as diversas aplicaes de dissipao de calor. Em qualquer caso, a pasta trmica representa a interface mnima entre um dispositivo semicondutor e o seu dissipador de calor. A correta aplicao de um dissipador precisa levar em conta as degradaes no desempenho causadas por altitude, alm das correes devidas T e ao comprimento efetivo do dissipador. No existe uma receita pronta para se usar no dimensionamento de dissipadores. Cada aplicao envolve caractersticas distintas e deve ser estudada nos seus diversos detalhes para que o sistema trmico possa ser otimizado. Alm de um bom gerenciamento trmico, o projetista deve garantir que os semicondutores sejam corretamente montados no seu sistema de dissipao de calor e que estejam operando dentro das suas especificaes de capacidade de manipulao de potncia e de segunda ruptura (no caso dos dispositivos bipolares).

7. REFERNCIAS 1 - Power Transistors Applications, RCA Solid State, USA, 1981 2 - Willians, Arthur B., Designers Handbook of Integrated Circuits, McGraw-Hill, USA 1984. 3 - TIP41/TIP 42 Transistor Data Sheet, ON Semiconductor, USA, 2004. 4 - 2N3055 Transistor Data Sheet, ON Semiconductor, USA, 2005. 4 - Catlogo Geral da HS Dissipadores, disponvel em www.hsdissipadores.com.br 5 - Catlogo Geral da Aavid Termalloy, USA, disponvel em www.aavidthermalloy.com

6 - The Radio Amateurs Handbook, ARRL, USA, 2000.

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