EE530 Eletrnica Bsica I

Prof. Fabiano Fruett

4A - Fsica do Transistor Bipolar de Juno (TBJ) Introduo e evoluo do transistor Estrutura Fsica e Modos de Operao Operao do Transistor npn no Modo Ativo Transistor pnp Smbolos para Circuitos e Convenes
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Evoluo da Eletrnica transistorizada

1947 1958 1961 1997

1 transistor

7,5 M transistores

Comparativo e evoluo da tecnologia para microprocessadores

Nome Intel 4004 8-Core Itanium 62-Core Xeon Phi n de transistores 2,300 3,100,000,000 ano Fabricante Pitch 10 m 32 nm * rea de Si 12 mm 544 mm 1971 Intel 2012 Intel

5,000,000,000

2012 Intel

22 nm

*
3

Circuitos conceituais
Amplificador
AV = Vout = Vin

Chave

Transistor bipolar

Estrutura

Smbolo

Anlise preliminar das correntes envolvidas em um transistor operando na regio ativa

Estrutura simplificada de um transistor NPN

NDE >> NAB > NDC

Exemplo: Assuma que o NPN tenha a JEB diretamente polarizada e a JCB reversamente polarizada. Esboce os limites das camadas de depleo e aponte a direo dos campos eltricos nas junes.
N
Fig. 4.1

Transistor NPN operando no modo ativo

Difuso de eltrons
Difuso de lacunas

Deriva de eltrons

Fig. 4.3

Correntes em um NPN operando na regio ativa

IE

IC

IB VBE VCB

Fluxo convencional

Corrente no emissor devido a difuso de eltrons

n p (0) = n p 0 exp vBE /VT

Difuso:

n p (W ) = n p 0 exp vBC /VT

dn p ( x) dx A qD n n (0) = AE qDn p = E n p 0 exp vBE /VT W W
N 10

I n = AE qDn

Corrente de coletor
A maioria dos eltrons que se difundem pela base alcanaro os limites da regio de depleo coletor-base. Devido a ao do campo eltrico, estes eltrons sero transpostos para o coletor atravs do mecanismo de deriva.
iC = I n = AE qDn n p 0 W exp vBE /VT
np0 ni2 = NA

iC = I S exp vBE /VT

IS = AE qDn n p 0 W
N

AE qDn ni IS = N AW

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Corrente de base
Corrente de base ( iB ) = Corrente de difuso de lacunas da base para o emissor ( iB1 ) + Recombinao na base ( iB2 )

Componente de Difuso:

iB1 =
N

AE qD p ni2 N D Lp

exp vBE /VT

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Corrente de base Componente de recombinao (iB2)

iB 2 =
iB 2 =

Carga de minoritrios Tempo de vida mdio do eltron minoritrio na base

Qn

1 Qn = AE q n p (0)W 2
Qn = AE qWni2 exp vBE /VT 2NA
N

iB 2

1 AE qWni2 exp vBE /VT = 2 b N A

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Corrente de base
Corrente de difuso de lacunas da base para o emissor ( iB1 ) + Recombinao na base ( iB2 ) = Corrente de base ( iB )

iB1 =

AE qDp ni2 N D Lp

exp vBE /VT

+ =

iB 2

1 AE qWni2 = exp vBE /VT 2 b N A

Dp N A W 1 W 2 iB = iB1 + iB 2 = I S + exp vBE /VT Dn N D L p 2 Dn b

iB =

IS i exp vBE /VT = C

N

o ganho de corrente de emissor comum

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Ganho de corrente de emissor comum (NPN)

iB = iC

Dp N A W 1 W2 = 1/ + 2 Dn b Dn N D L p
Como pode ser maximizado

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Quatro pontos de vista a respeito do controle da corrente de coletor iC iC controlada por vBE iC controlada por iE iC controlada por iB iC controlada pelo excesso de carga na base

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Transistor bipolar como fonte de corrente

Modelamento como fonte de corrente e sua caracterstica I/V

Modelo genrico para grandes sinais na regio ativa

17

Modelos Equivalentes para grandes sinais

18

Caractersticas I versus V

19

Estrutura dos transistores bipolares reais

20

10

Transistor PNP operando no modo ativo

Difuso de lacunas
Difuso de eltrons

Deriva de lacunas

Fig. 4.7

21

Modelo para grandes sinais do pnp

Base Comum iC contrololada por vEB

Emissor Comum iC contrololada por vEB

22

11

Smbolos

23

Polaridades

24

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Resumo das equaes para o TBJ no modo ativo

iC = I S exp vBE /VT

iC I S = exp vBE /VT i I iE = C = S exp vBE /VT Nota: Para o transistor pnp, substitua vBE por vEB iB =
iC = iE
iC = iB

iB = (1 )iE =
iE = ( + 1)i B

+1

iE

+1

VT = tenso trmica = kT/q 25 mV a temperatura ambiente

N 25

Sugesto de estudo
Sedra/Smith cap. 4 sees 4.1 at 4.4 Razavi, cap. 4 Para saber mais: Paul R. Gray e Robert G. Meyer, Analysis and Design of Analog integrated Circuits, John Wiley & Sons

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FIM

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