CAPTULO II: SPUTTERING Grove (1852) [9,15] observ por primera vez el fenmeno de Sputtering en un tubo de descarga gaseosa

con corriente directa, encontr que la superficie del ctodo se erosion por el impacto de los iones energticos durante el proceso y consecuentemente, el material del ctodo se depsito sobre las paredes del tubo. En ese instante, se consider al Sputtering como un fenmeno indeseado, puesto que el ctodo y la rejilla que existan dentro del tubo; se destruan continuamente. Sin embargo, aos despus, dicho fenmeno se utiliz para producir pelculas metlicas, como capa reflejante en espejos y en aos siguientes se us de igual forma para otras aplicaciones. Con la ayuda de la tecnologa del vaco, el sputtering se ha convertido en una tcnica moderna, que tiene un sinnmero de aplicaciones, entre las que destacan; la limpieza y grabado de superficies, as como el depsito de pelculas delgadas, entre las ms importantes. En el proceso de Sputtering, un material slido se erosiona por el impacto de distintas partculas energticas, como: iones, tomos neutros, electrones; el material que se erosiona en forma de vapor, se deposita sobre una superficie, denominada sustrato, y forma capas. En la tcnica conocida como erosin por magnetrn, el material base del depsito, es decir, el blanco, es el electrodo (ctodo) al que se le aplica una diferencia de potencial negativa. Cuando se quiere producir un depsito, la cmara de crecimiento debe mantenerse a una presin baja del gas formador del plasma, que para ste trabajo en particular es Argn (Ar). El gas de trabajo se ioniza por la presencia de un campo elctrico intenso, sta ionizacin genera un plasma autosostenido, que es confinado por un campo magntico en la regin cercana al ctodo; como se ha mencionado ya, los electrones secundarios en la regin cercana al material slido tienen un camino libre medio corto y en consecuencia, la ionizacin se incrementa y adems se hace continua. Los iones positivos de Argn (Ar+) se aceleran hacia el ctodo, debido al potencial negativo de ste, y lo golpean. La energa de los iones positivos es de varios cientos de 20

electronvolts (eV), es por esto que la colisin con el blanco erosiona el material superficial, que sale en forma de vapor y posteriormente se adhiere a la superficie del sustrato, mediante distintos fenmenos superficiales, principalmente por adsorcin y/o interdifusin de uno u otro material. En lneas arriba se ha revisado ya de manera superficial las principales caractersticas del Sputtering, sin embargo, por ser uno de los conceptos relevantes en el desarrollo de ste trabajo; en el presente captulo se har una revisin ms detallada. 2.1 Mecanismo del Sputtering El sputtering es un proceso estadstico que se presenta como el resultado de un intercambio lineal de cierta cantidad de movimiento [9,16] en un proceso de colisiones que se origina cerca de la superficie del blanco; dicho proceso de colisiones se crea debido a la incidencia de los proyectiles energticos. Las interacciones pueden tratarse como una serie de colisiones binarias, en donde por supuesto, hay una transferencia de energa. Si consideramos que la colisin se da entre dos partculas de masas m y M, adems consideramos a la masa M en reposo y que la masa m colisiona con una velocidad vi y a un cierto ngulo entre la lnea de unin de los centros de las masas m y M y la horizontal. Si consideramos el instante de la colisin y las leyes de conservacin de momento lineal y conservacin de energa tenemos, que la fraccin de la cantidad de energa cintica que se transfiere en dicha colisin elstica es:

f (m, M ) = 4mM

(m + M )

2.1

Donde f es la funcin de transferencia de energa y el segundo trmino corresponde a la fraccin de energa que se transmite en la colisin (ver apartado 1.3). Los casos frontera se dan, cuando las masas de ambas partculas son semejantes y el otro cuando una masa es mucho mayor que la otra. Este ltimo caso frontera, implica que tendramos iones con una masa muy pequea comparada con la masa de los tomos del material slido (blanco), es decir, tendramos una transferencia de energa 21

muy pobre, lo que nos dara como resultado una probabilidad muy baja de eyeccin y por el contrario, aumentara la probabilidad de choques con un consecuente aumento de temperatura. Este hecho nos permite evaluar a nivel macroscpico la eficiencia de Sputtering, aunque es bueno mencionar, que no slo la transferencia de energa la determina [9,19]. Para el presente trabajo, se ha establecido ya que las masas de al menos dos de los elementos con los que se trabajar (Ar y Al), son aproximadamente del mismo orden, por lo que se puede adelantar que no existir ningn problema en cuanto a la transferencia de energa. 2.2 Principio fsico asociado al proceso de depsito por Sputtering El trmino Sputtering se aplica al proceso fsico en el que los tomos de un slido son removidos de la superficie del mismo debido a la transferencia de momento lineal entre una partcula energtica que incide sobre el slido y es generalmente un in, y los tomos de la superficie del slido (blanco); debido a stas colisiones, un gran nmero de tomos superficiales sufren una desviacin, provocando con esto un desplazamiento de su posicin normal en la red cristalina del slido, dando como resultado una estructura desordenada que puede contener tambin algunas de las partculas incidentes, que en ocasiones se implantan en la red. Dentro de sta serie de procesos puede lograrse que algunos de los tomos del blanco sean desplazados de la superficie del mismo, y si stos tienen la energa suficiente, escapan del blanco como tomos, molculas cmulos libres, dependiendo de la energa con la que hayan sido removidos. La produccin de Sputtering, es decir, el nmero de tomos eyectados libres por in incidente, est regida casi linealmente con la energa del in y como una consecuencia del proceso de transferencia de momento, la produccin depende tambin de las masas relativas del tomo y del in. 2.3 Parmetros de Sputtering La eficiencia de Sputtering S, se refiere a la proporcin de tomos eyectados de la superficie del slido debido al bombardeo de los incidentes, y se define como el nmero de tomos removidos de la superficie del slido por in incidente, es decir: 22

S=

tomos removidos iones incidentes

Adems, la eficiencia de Sputtering depende en cierta medida de los siguientes factores: Energa de los iones Material del blanco ngulo de incidencia de los iones Estructura del blanco

La eficiencia de Sputtering se incrementa casi linealmente con la energa, hasta casi 500 eV. Los valores tpicos de la eficiencia de sputtering van de 0.1 a 3 tomos/in para una energa inica final de 1000 eV. En este trabajo se usa Argn (Ar) para producir la descarga gaseosa, su peso atmico es de 39.948 g/mol y los tomos del slido tienen un peso atmico de 26.98 g/mol para el Aluminio (Al) y 60.08 g/mol para la molcula del Dixido de Silicio (SiO2). As para los materiales involucrados en este trabajo [11]: S(Al)= 0.74 a 600 eV S(SiO2)= 0.47 a 600 eV 2.3.1 Energa de los iones En la Figura 2.1 observamos una curva que muestra la variacin tpica de la eficiencia de Sputtering con la energa del in incidente.

Figura 2.1. Eficiencia de Sputtering vs Energa del in incidente [9].

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De la curva anterior podemos deducir dos puntos importantes: 1. Existe una energa umbral en la regin de baja energa para que se presente el Sputtering. 2. En el intervalo de energa de 10-100 keV, la eficiencia produccin de Sputtering tiene un valor mximo. En repetidas ocasiones se ha estudiado el umbral de energa de Sputtering; debido a que se relaciona con el mecanismo propio del proceso y los valores que se han encontrado oscilan entre 50 y 300 eV, estos valores de energa se determinaron [9] midiendo la prdida de peso del ctodo en el intervalo de 10-4 tomos / in. La energa umbral en el Sputtering es muy sensible a la contaminacin del ctodo, a la estructura cristalina que presentan algunos materiales slidos (En el Aluminio no existe dicha cristalinidad, el tipo de estructura que presenta puede ser cristalina amorfa) y por supuesto, al ngulo de incidencia de los iones. 2.3.2 Material del Blanco Experimentalmente [19], la eficiencia del Sputtering S se determina por la expresin:

S = 10 5 W

AIt

2.2

donde W es la prdida de peso del material slido durante el tiempo t durante el proceso de Sputtering, I denota la corriente y A es el nmero atmico del material blanco. En la Figura 2.2, se observan algunos de los resultados tpicos de S en funcin del nmero atmico. 2.3.3 ngulo de incidencia de los iones Cuando los iones bombardean al slido, la direccin en la que lo hacen no se puede controlar, sin embargo, existen ciertos arreglos geomtricos del campo magntico externo con los que se puede establecer una direccin de incidencia preferente, de tal manera que la eficiencia del Sputtering se incrementa con el ngulo de incidencia de los iones. Se ha encontrado [9] un mximo para ngulos entre 60 y 80, y disminuye

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de manera rpida para ngulos mayores; cuando el ngulo de incidencia de los iones es normal a la superficie, la produccin de Sputtering se reduce a un valor muy cercano al cero y adems, los iones energticos tienen una alta probabilidad de implantarse dentro del slido.

Figura 2.2. Eficiencia de Sputtering vs Nmero atmico de distintos elementos.

Figura 2.3. Distribucin angular de los tomos superficiales removidos

Se observa en la Figura 2.3, que los iones de Argn (Ar+) inciden sobre la superficie de un blanco de Silicio (Si) amorfo a 60, la probabilidad de direccin de la partcula eyectada se representa por la longitud de las flechas. Los tomos que salen expulsados de la superficie del slido muestran preferencia de viajar hacia el frente, la

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distribucin angular de los tomos removidos del blanco est regida por la Ley del Coseno de Knudsen (Figura 2.4); donde E es la energa de los tomos eyectados.
E cos

Figura 2.4. Ley del Coseno de Knudsen

Resulta claro, de la ley del coseno de Knudsen, que la probabilidad de que los tomos sean eyectados en una direccin paralela al blanco es nula [9]. 2.3.4 Estructura del material blanco La estructura de la superficie del material slido afecta la eficiencia de Sputtering y la distribucin angular, es por esto que, para el caso de blancos compuestos de materiales policristalinos o amorfos, se pueden obtener distribuciones bajo cosenoidales, es decir, hay mayor concentracin de material expulsado hacia los lados, que en la direccin normal de la superficie del blanco (Figura 2.5). Para el caso de energas altas, se obtiene una distribucin cosenoidal y para energas mayores a 10 keV se tiene una distribucin sobrecosenoidal. En el caso de blancos que son monocristalinos, generalmente no se tiene una distribucin angular uniforme.

Figura 2.5. Distribucin angular para un blanco policristalino

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2.4 Sputtering de aleaciones En el Sputtering, la composicin qumica de las pelculas delgadas que se depositan a partir de un material slido de una aleacin, es muy cercana a la composicin qumica de dicho blanco; esto nos sugiere que en el proceso de Sputtering, los procesos trmicos no gobiernan, es decir, esto nos confirma que lo que gobierna son los procesos de transferencia de momento. Sin embargo, cuando la temperatura del blanco se eleva demasiado, la composicin qumica puede cambiar, debido a la difusin trmica de los materiales; por lo tanto, obtenemos un depsito que tiene una composicin qumica diferente a la del blanco e incluso, tambin la pelcula puede presentar una composicin qumica diferente cuando el sustrato tenga una temperatura alta (debida a la cercana extrema con el plasma), puesto que esto ocasionara la reevaporacin del material depositado. Otra variante del Sputtering de aleaciones reactivo, es cuando se produce una reaccin qumica entre el vapor producido del material slido y uno (o ms) gases que se introducen en la cmara de proceso, lo que origina un depsito cuya naturaleza ser diferente a la del blanco. 2.5 Tcnicas de depsito de pelculas delgadas y recubrimientos La infraestructura actual, el avance tecnolgico y el conocimiento de algunos principios fsicos han hecho posible desarrollar la metodologa y la instrumentacin necesaria para crecer pelculas delgadas y recubrimientos de cualquier material que se desee. Las tcnicas de preparacin de recubrimientos se dividen en dos grandes grupos: el depsito fsico de vapores (PVD) y el depsito qumico de vapores (CVD). Las tcnicas englobadas en ambos grupos parten de la formacin de un vapor de material a depositar, con la finalidad de que el vapor se condense sobre la superficie de un sustrato formando una capa delgada. Este proceso, se realiza generalmente al vaco, o bien, en una atmsfera controlada con el objeto de evitar que el vapor generado del slido interacte con la atmsfera del aire. Figura 2.6. En el grupo de los depsitos fsicos de vapores (PVD), se parte de un material slido que se vaporiza mediante calentamiento (evaporacin trmica) o bien, a partir del 27

bombardeo con iones; as, el material termina condensndose sobre la superficie de un sustrato en forma de una capa pelcula delgada. En las tcnicas qumicas (CVD) se parte directamente de gases o de lquidos que luego pasan al estado gaseoso. Estos gases, mediante reacciones qumicas, dan origen a un nuevo compuesto que se condensa y de igual forma que en el grupo anterior, se condensa sobre la superficie del sustrato. Las subdivisiones de ambos grupos de depsito, se muestran en el Diagrama 2.1.
Sustrato Recubrimiento

Cmara de vaco Fuente de vapor

Figura 2.6. Esquema del proceso de depsito de pelculas delgadas

Evaporacin Trmica al vaco Evaporacin Trmica Procesos Fsicos Sputtering Ablacin Lser Crecimiento Epitaxial Can de iones Can de electrones

Procesos de Depsito de Pelculas Delgadas Plasma CVD Procesos Qumicos Sol Gel Lser CVD

Diagrama 2.1. Clasificacin de los procesos de depsito

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Como se ha mencionado ya, para los fines del presente trabajo y de acuerdo a la tecnologa a la que se tiene acceso, se opt por trabajar con el proceso de Sputtering, cuyos detalles se vern a lo largo de este captulo; sin embargo, se consider pertinente revisar de manera breve las dems tcnicas de depsito, con la finalidad de resaltar las ventajas de la tcnica elegida. 2.5.1 Depsitos por Procesos Fsicos (PVD) Se denomina Depsito Fsico de Vapor (PVD), al recubrimiento de superficies slidas con capas (pelculas) delgadas mediante la condensacin de un cierto vapor proveniente de un slido; en stos procesos slo estn involucrados procesos fsicos. Existe el caso en el que el proceso de crecimiento de la pelcula delgada involucra reacciones qumicas, pero se trata de un caso particular de evaporacin reactiva. En cualquier mtodo fsico, el crecimiento de una pelcula delgada se lleva a cabo en tres etapas: 1. Generacin del vapor 2. Transporte de las partculas en su fase de vapor, desde el material slido hasta el sustrato. 3. Y finalmente, la condensacin del vapor para producir la estructura slida sobre la superficie del sustrato. Sin embargo, cada uno de los procesos fsicos que se incluyen en ste grupo tienen sus particularidades, por lo que a continuacin se revisan los ms importantes. 2.5.1.1 Evaporacin Trmica sta tcnica en general consiste en evaporar un material slido, dentro de una cmara que se mantiene a una presin total menor a 1 x 10-6 Torr (1.3 x 10-4 Pa), as, las partculas en la fase de vapor se mueven a travs de un medio de baja densidad molecular para finalmente condensar sobre la superficie del sustrato. 2.5.1.2 Resistencia Elctrica El trmino evaporacin trmica resulta muy general y adems comprende varias tcnicas para aumentar la temperatura del material slido del cual se genera el vapor.

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El mecanismo de calentamiento del slido mas comn, trata de un filamento que se calienta cuando se aplica una diferencia de potencial (Efecto Joule). El material a depositar se evapora por el calentamiento de una resistencia en forma de filamento, que generalmente es de Tungsteno, o en un crisol, que pueden ser de cuarzo, grafito, almina (Al2O3), berilia (BeO), nitruro de boro (BN) y zirconia (ZrO2). ste mtodo se conoce formalmente como evaporacin trmica al vaco. Una de las variantes de esta tcnica de crecimiento, es la evaporacin trmica reactiva. Para este caso en particular el procedimiento es exactamente el mismo, con excepcin de la introduccin, dentro de la cmara de proceso, de uno o ms gases que originan una reaccin qumica con el vapor eyectado del material slido; lo que consecuentemente genera, que la naturaleza del depsito sea diferente a la del blanco. 2.5.1.3 Ablacin Lser El mtodo de ablacin lser se aplica para el depsito de aleaciones y/o compuestos que requieren una composicin qumica controlada. En este mtodo se usa un lser pulsado de alta potencia, la energa se irradia al interior de la cmara de crecimiento a travs de una ventana de cuarzo; el haz pulsado incide sobre la superficie del material slido (blanco), Figura 2.7, y en consecuencia, la temperatura aumenta de manera rpida en forma local. El material slido se mantiene fijo o puede instalarse un sistema (portablancos) que permita moverlos con patrones fijos de barrido.
Sustrato Cmara de Vaco

Blanco

Haz Lser

Ventana

Figura 2.7. Esquema de un sistema de crecimiento por Ablacin Lser.

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2.5.1.4 Crecimiento epitaxial por haces moleculares El mtodo de evaporacin por crecimiento epitaxial (MBE) es un proceso totalmente controlado, en el cual la velocidad de evaporacin de los distintos materiales se controla en el sitio mismo por una unidad computarizada que controla el proceso. A diferencia de los otros procesos por evaporacin trmica, la fuente de vapor es un sistema sofisticado llamado Celda K o bien, Celda de Knudsen (Figura 2.8). Dentro de dicha celda, se coloca el material que se va a evaporar y consecuentemente, la temperatura se aumenta de manera uniforme y controlada, para generar as el vapor a una tasa muy baja; las partculas en la fase gaseosa ocupan el volumen de la celda y posteriormente, salen a la cmara de crecimiento a travs de una apertura circular de dimetro pequeo.
Apertura Celda Calefactor

Vapor Material Slido

Figura 2.8 Celda de Knudsen

Las partculas en fase de vapor que salen de la celda, siguen una distribucin cosenoidal, y de acuerdo a la distribucin cosenoidal de Knudsen, la direccin preferencial de salida es en la direccin normal al plano de la tapa de la celda; esto nos permite establecer un haz del vapor (haz molecular) que viaja hasta la superficie del sustrato en una direccin establecida, lo que nos permite realizar un depsito en dicha direccin preferencial. 2.5.1.5 Can de Electrones ste mtodo consiste en aumentar la temperatura del blanco, que en este caso se trata de material en forma de polvo granos, con un haz de electrones de corriente alta.

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El material base se coloca en un crisol, la fuente de energa en ste caso, es un filamento a una temperatura mayor a 2000 C. El filamento produce electrones trmicos que se coliman y aceleran a travs de una fuente de alimentacin externa. ste haz de electrones se dirige hasta la parte donde el polvo se encuentra expuesto, gracias a un campo magntico que lo deflecta 270. Al incidir el haz de electrones directamente ocasiona que la temperatura aumente localmente hasta el punto de fusin del material base y en consecuencia, se inicia el proceso de evaporacin. Obviamente, el dispositivo se tiene que colocar en una atmsfera controlada, o bien en una cmara de vaco; esto es para evitar cualquier tipo de contaminacin o reaccin con el aire. Entre una de las ventajas de ste mtodo, est la posibilidad de evaporar varios materiales sobre un mismo sustrato, es decir, el crecimiento de pelculas multicapa. Esta caracterstica es posible gracias a que el soporte de los crisoles puede ser tipo revlver lineal. Adems, sta tcnica tiene grandes aplicaciones en la industria, debido a su tasa de evaporacin muy alta y como se mencion; a su capacidad de depsitos multicapa. 2.5.2 Depsitos por Procesos Qumicos (CVD) En el grupo de depsitos qumicos, se engloban todos los procesos que consisten en obtener una estructura slida a partir de la reaccin qumica de dos o ms gases, o bien vapores reactivos, que son denominados precursores o promotores. En la mayora de estos procesos, es a travs de una fuente externa que se inicia y se mantiene la reaccin qumica y es precisamente; a partir del tipo de fuente externa, que se nombran los diferentes mtodos existentes. Los procesos qumicos, a diferencia de los procesos fsicos (PVD), se originan en reactores que tienen una presin base que oscila en el intervalo de presin cercano a la presin atmosfrica; una vez que se estabiliza la presin base, se procede a inyectar los precursores, lo que ocasiona que se tenga una nueva presin estable que est por encima de la presin atmosfrica. En la mayora de los procesos qumicos se tiene una temperatura alta, sin embargo, en el caso de gases reactivos, la temperatura es cercana al ambiente.

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2.5.2.1 Depsito por procesos qumicos asistido por plasma (PCVD) Esta tcnica es una variante de los procesos CVD convencionales. En la Figura 2.9 se observa un sistema tpico del depsito de vapor qumico asistido por plasma (PCVD).

Plasma Precursores Electrodos / Porta sustratos

Conexin al vaco

Radiofrecuencia

Figura 2.9. Diagrama simple, sistema PCVD

La potencia elctrica en el sistema PCVD que se suministra al reactor, tiene como objetivo producir el plasma que es el responsable de la reaccin qumica; la presin de trabajo en ste sistema oscila en el intervalo de 0.1 a 1.0 Torr. El plasma se produce debido a la radiofrecuencia, y en ste existen iones y electrones que se desplazan a travs de las partculas neutras adquiriendo la energa del campo elctrico. Generalmente, la temperatura de los iones dentro del plasma oscila alrededor de los 500K. En sta tcnica se puede controlar la temperatura del proceso de crecimiento de pelculas delgadas sobre el sustrato, mediante sistemas de refrigeracin o bien, de calefactores en el caso de que se requiera una temperatura alta. Este mtodo tiene gran importancia dentro de la industria electrnica. Adems, el mtodo PCVD, es ms sofisticado que el mtodo CVD convencional, puesto que presenta el uso de radiofrecuencia aplicada entre los electrodos, y en consecuencia la generacin de un plasma; adems se requiere de una presin base ms baja, lo que implica equipos de alto vaco. Para finalizar, se enlistan algunas de las ventajas ms sobresalientes de los depsitos por procesos qumicos.

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Ventajas del proceso CVD: Alta Densidad Cristalinidad mejorada Control de alta temperatura Alta adherencia Excelente velocidad de crecimiento Control de la estabilidad trmica Velocidad de crecimiento alta

Para finalizar este apartado, remarcaremos una vez ms algunas de las ventajas del mtodo de Sputtering, a partir del anlisis precedente de los otros mtodos de depsito de pelculas delgadas. 2.5.3 Algunas Ventajas del Mtodo de Sputtering Alta pureza en los depsitos. Control del espesor del recubrimiento. Tiene la opcin de producir diferentes microestructuras, as como modificaciones cristalogrficas, como es el caso de depsitos amorfos. Excelente anclaje del recubrimiento con la superficie del sustrato. Gran variedad en la naturaleza de los depsitos, ya que puede ser cualquier metal, aleaciones, compuestos refractarios, materiales dielctricos (Sputtering con RF), algunos polmeros, etc. Acabados superficiales de la misma calidad del sustrato. Control de la temperatura del sustrato, sta puede variar desde temperaturas bajo cero, hasta altas temperaturas. Parmetros de depsito reproducibles, es decir, una vez encontrados los parmetros ptimos, stos se pueden repetir infinidad de veces teniendo la seguridad de que la calidad del depsito ser la misma (por supuesto, depende de la limpieza del sustrato). Eliminacin de ciertos contaminantes y flujo de gases durante el proceso. Puede reproducir recubrimientos a altas temperaturas.

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2.6 La descarga gaseosa con corriente directa y el mtodo de Sputtering El arreglo ms simple que existe para las aplicaciones de depsito de pelculas delgadas y recubrimientos, es el arreglo tipo diodo; dicho arreglo se muestra en la Figura 2.10.
Cmara de Vaco nodo Blanco (Ctodo) d Sustrato

Diferencia de Potencial Negativo

Figura 2.10 Arreglo simple de diodo con cd.

Como se observa en la Figura 2.10, los electrodos, que son circulares o rectangulares, se mantienen paralelos y pueden estar separados una distancia d que oscila entre los 2 y los 12 cm; justo en sta distancia de separacin se produce la descarga gaseosa debido a la diferencia de potencial que se aplica al ctodo y por supuesto, al gas de trabajo, que es generalmente un gas noble; y que como ya se ha mencionado en repetidas ocasiones, para este trabajo se trata de Argn. El sistema se alimenta con una fuente de corriente directa, y como se observa en la Figura 2.10, el ctodo tiene dos funciones: como blanco, puesto que se trata del material slido del cual se extraen tomos, y como electrodo negativo. Por otra parte, el blanco aumenta de manera considerable su temperatura durante el proceso de Sputtering, esto se debe al impacto de tomos neutros, iones y electrones secundarios y por esta razn es que debe tener un sistema de enfriamiento mediante un circuito de agua, bien, de otro refrigerante. El arreglo que se muestra en la Figura 2.10 es un circuito elctrico, en el cual la resistencia depende especficamente de la naturaleza del gas de trabajo y por

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supuesto, de su presin; lo anterior nos obliga a mantener el dispositivo en una atmsfera que pueda ser controlada. La descarga gaseosa puede existir en diferentes intervalos de presin, pero esto depende directamente del gas de trabajo, de la diferencia de potencial y de la distancia entre el sustrato y el blanco, sin embrago, en base a experiencias anteriores, se puede ubicar a la presin en el intervalo de .01 Torr y los 10 Torr, esto para voltajes que sean menores a 10 000 Volts. 2.7 Proceso de Sputtering con radiofrecuencia (13.56 MHz) En el punto anterior se analiz un dispositivo que se alimenta con una fuente de corriente directa, sin embargo, el mismo arreglo puede ser alimentado con una fuente de corriente alterna y, aunque el resultado es muy similar; los principios fsicos asociados al proceso son ms complicados en el sentido de que adems de la resistencia del sistema se involucra una frecuencia. Debido a lo anterior, deben incluirse otros parmetros elctricos tales como las reactancias capacitivas e inductivas asociadas al sistema en cuestin. Como se ha mencionado ya, el proceso de Sputtering tiene la ventaja de poder depositar materiales conductores, semiconductores y aislantes, en el caso de los ltimos la nica restriccin es que el proceso slo puede llevarse a cabo con radiofrecuencia, es decir, con la aplicacin de voltajes alternos. Dicha restriccin se da debido a que cuando los iones del gas de trabajo colisionan con la superficie del blanco, la carga de stos se neutraliza, lo que hace difcil que el potencial de aceleracin entre la superficie del blanco y el plasma se mantenga. En la Figura 2.11, se observa el circuito elctrico asociado a este dispositivo. De la figura destacamos la fuente y su circuito RLC, que comnmente se denomina autoentonador. En la figura 2.11 destaca el autoentonador, ste es un dispositivo que consta de un circuito RLC; ste tiene como funcin acoplar la impedancia del sistema de crecimiento de pelculas a la fuente de alimentacin. En ste tipo de dispositivo, los factores que 36

son determinantes son: la presin del gas de trabajo, la resistencia del sistema de crecimiento y la longitud del cable de interconexin entre la fuente y el sistema de crecimiento; puesto que, a mayor longitud del cable, mayor disipacin de potencia de la fuente en forma de calor.
Vca Fuente de radiofrecuencia 13.56 MHz

Autoentonador d Rf Electrodo (Blanco Slido)

Figura 2.11. Circuito elctrico con RF.

2.8 La descarga gaseosa con CD A travs de las historia , la descarga gaseosa se ha utilizado porque proporciona una medio simple mediante el cual se puede dirigir un flujo uniforme de iones hacia un blanco slido de metal ( no metal), para producir los efectos del proceso de Sputtering; incluso hasta nuestros das, la descarga gaseosa sigue siendo una fuente de iones principalmente. Como hemos visto, la descarga gaseosa puede formarse con corriente directa (cd) por radiofrecuencia (rf); en ambos procesos, se considera que el sistema tiene una presin inicial del gas de trabajo P0 y que consta de dos electrodos que se conectan a una fuente cd, con un cierto voltaje de fuente Vf y una resistencia de la fuente Rf, Figura 2.12. Cuando el proceso inicia la resistencia del gas de trabajo es mucho mayor que la resistencia de la fuente Rf, esto da como resultado que el voltaje total a travs de la descarga sea V = Vf; por otra parte, existe un electrn libre que probablemente se haya formado por algn rayo csmico algn fotn ultravioleta cerca del ctodo. El electrn 37

libre se acelerar hacia el nodo por efecto del campo elctrico, dicha aceleracin ocasionar que el electrn gane energa y produzca la ionizacin del gas, que provoca una multiplicacin en el nmero de electrones libres, lo que da origen a una corriente elctrica que se emite desde el ctodo:

I d = I 0 exp(d )
separacin de los electrodos.
Vf

2.3

donde es la probabilidad de que se provoque la ionizacin y d, la distancia de

d Rf P0

I (p, d)

Figura 2.12 Circuito elctrico cd.

Los iones se acelerarn tambin por efecto del campo elctrico, y cuando stos impacten la superficie del ctodo (blanco), se emitirn electrones secundarios que tambin sern acelerados por el campo elctrico. stos electrones secundarios generarn ms ionizacin, es decir, ms iones; con este efecto, la corriente I (p, d) se incrementa de manera rpida y se conoce como condicin de descarga. El voltaje mnimo para poder iniciar la descarga se conoce como la Ley de Paschen; esta ley afirma que las caractersticas de la descarga en un hueco, es decir, entre la distancia de separacin de los electrodos, son una funcin lineal, del producto de la presin del gas y la longitud del hueco, normalmente se expresa: V= f (p, d); donde p es la presin y d la distancia. En la realidad, la presin se sustituye por la densidad del gas.

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De todo lo anterior se resume, que la descarga luminosa con cd se obtiene cuando se aplica un potencial entre dos electrodos con un gas en el medio, y en la mayora del espacio entre los electrodos se genera el resplandor de la descarga luminosa, que generalmente se conoce como descarga negativa; sta es el resultado de los procesos de excitacin y la subsecuente recombinacin. La regin de transicin entre el plasma y la superficie slida que se encuentra en contacto con l, se denomina espacio oscuro y es en sta regin en donde se produce una carga espacial debido a que se acumulan electrones o iones. 2.9 La descarga gaseosa con RF En el mtodo de Sputtering para materiales dielctricos se utiliza una fuente de radiofrecuencia (RF), en ste proceso una superficie se acopla capacitivamente con la descarga gaseosa, producindose un voltaje negativo que se conoce como bias. Este acoplamiento exige que la corriente neta para cada ciclo de RF sea cero, puesto que en cada medio ciclo los electrones se cargan con la misma cantidad de cargas positivas que negativas. Para provocar la erosin en un blanco slido y depositar una pelcula, se requiere que exista alguna asimetra en el dispositivo, por ejemplo, que el electrodo (blanco) sea ms pequeo comparado con el otro que est a tierra; sta es la configuracin que se utiliza comnmente en un sistema de Sputtering debido a que un electrodo est en contacto con las paredes de la cmara. La capacitancia del espacio oscuro frente a cada electrodo aumenta con el rea y disminuye con la distancia, los electrodos estn dispuestos de tal manera que forman un divisor de capacitancia y la mayor cada de potencial se origina en el electrodo ms pequeo. El valor de Vcd para el blanco ser mucho ms grande que para el electrodo a tierra, puesto que el rea del blanco es menor que el rea del otro electrodo, con esto la erosin por sputtering se origina primero (y con ms probabilidad) en el blanco [1].

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2.10 Fuentes de Sputtering tipo magnetrn El proceso de Sputtering es uno de los ms eficientes para la produccin de pelculas delgadas y recubrimientos, sin embargo, a nivel comercial de laboratorio dicha eficiencia requiere mantener una produccin de iones durante perodos largos, es decir, se tiene que tener un control de la produccin del plasma. A mediados de los aos 70, se construyeron diferentes prototipos de fuentes magnticas con geometra circular que se agregaron al dispositivo de diodos ya existente; es decir, se tuvo como resultado la superposicin de los campos magntico y elctrico. Estos campos cruzados, propician un mecanismo de ionizacin eficiente, pero sobre todo, un confinamiento efectivo del plasma en la zona cercana a la superficie del blanco y que est cercada por un escudo a tierra; a stos dispositivos para depsito por Sputtering en el que se tiene una combinacin de un campo elctrico intenso y un campo magntico, se les conoce como Fuentes de Sputtering tipo Magnetrn. Un esquema de dichas fuentes se observa en la Figura 2.13.
2 1 Plasma

-V

(a)

(b)

Figura 2.13. Diagrama de una fuente de sputtering tipo magnetrn circular

Donde en la parte (a): 1. Corresponde al material slido (blanco), del cual se extraern los tomos de la superficie que est expuesta a la zona del plasma; sta se erosiona por el

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impacto de los iones que han sido acelerados por la presencia del potencial negativo en el blanco. 2. Se refiere al escudo conectado a tierra, y que es al mismo tiempo, el electrodo positivo del diodo. El escudo puede tener diferentes geometras, conservando siempre la distancia d entre el escudo y el electrodo negativo. Esa distancia d corresponde al espacio oscuro de Faraday y puede obtenerse a partir de la intensidad del campo elctrico, de la naturaleza de la especie electrnica, es decir, de los electrones secundarios que provienen del material slido y de la intensidad del campo magntico. 3. Es el arreglo magntico que se instala en la parte posterior del material slido, tiene como limitantes blancos no magnticos, o bien, los blancos pueden ser magnticos pero muy delgados (para este caso en particular trabajaremos con blancos no magnticos de 3 mm de espesor). En la parte (b) de la Figura 2.13, observamos el campo de induccin magntico generado por el arreglo de un botn y un anillo magnticos; este campo es uniforme, lo que nos asegura una distribucin inica constante, que adems est cercana a la superficie del blanco. 4. Es el potencial negativo que se aplica al material slido a travs de una fuente (que puede ser de cd RF), este potencial negativo es el responsable de la atraccin de los iones positivos hacia el blanco; y en consecuencia de la aceleracin de stos. 2.10.1 Movimiento de una partcula cargada en un campo magntico uniforme La expresin matemtica que establece la fuerza magntica que recibe una carga en movimiento es:

r r r Fm = qv xB

2.4

que por definicin del producto vectorial, Fm no slo es perpendicular a la velocidad v, sino tambin lo es al campo magntico B; adems de lo anterior, de la ecuacin se deduce que cuando la velocidad v es paralela al campo B, la fuerza magntica es cero.

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Por otro lado, si la fuerza depende de la velocidad, entonces no es posible asociar una energa potencial con la interaccin magntica, adems, la fuerza no puede hacer ningn trabajo; esto es, una partcula que se mueve a travs de un campo magntico constante no tiene cambios en su energa cintica. Lo anterior nos lleva a concluir que, una partcula sometida a una fuerza magntica cambiar la direccin de su velocidad, pero no su valor, es decir, ser desviada pero su energa permanecer constante. Dentro de sta aseveracin podemos considerar tres casos importantes: 1. v paralela o antiparalela a B 2. v perpendicular a B 3. Otros ngulos entre v y B. Caso 1 Para ste caso, la partcula cargada se mueve al principio en la direccin del campo magntico y avanza en esa direccin sin cambiar el valor de su velocidad, tal y como se muestra en la Figura 2.14 (a). Caso 2 En la Figura 2.14 (b) observamos, que si la velocidad de la partcula es perpendicular al campo magntico, entonces se tiene un movimiento circular uniforme. La direccin de la fuerza magntica es siempre hacia el centro de la trayectoria circular en la que se est moviendo la partcula cargada con un valor constante de su velocidad v; adems, la partcula cargada rodea las lneas del campo magntico en un plano que es perpendicular a B. Caso 3 De la segunda ley de Newton:

Fr = mar
donde Fr (la fuerza radial resultante) es la fuerza magntica:

2.5

Fm = qv B
y la aceleracin radial es:

2.6

a r = v

= 2r

2.7

42

sustituyendo el valor de la aceleracin de la ecuacin 2.7 en la expresin 2.5, obtenemos:

qv B =
as finalmente:

mv

= m 2 r

2.8

en donde r, es el radio del crculo y es la velocidad angular de la partcula cargada,

r = mv

qB

2.9

En el caso de que la trayectoria de la partcula cargada de velocidad v no sea perpendicular a B, existe una componente de la velocidad v = cos a lo largo del campo magntico B, dicha componente no cambia de direccin ni de magnitud, a parte existe la componente perpendicular a B, v = vsen , sta componente cambia su direccin continuamente y mantiene constante su magnitud; entonces, el movimiento resultante ser la superposicin de un movimiento en lnea recta con velocidad constante y de un movimiento circular uniforme en un plano que es perpendicular a dicha recta, lo que ocasiona que, la partcula cargada se mueva con una trayectoria helicoidal cuyo eje de simetra es la direccin del campo magntico en cada punto. Figura 2.14 (c).

Figura 2.14. Trayectorias de una partcula cargada movindose en un campo uniforme, (a) con v paralela a B; (b) con v perpendicular a B; (c) para otros ngulos entre v y B.

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Siempre que una partcula cargada se proyecta en un campo magntico uniforme, se mueve en una hlice enrollada alrededor de las lneas del campo magntico con rapidez constante; en el caso de que las partculas cargadas sean electrones, que difieren entre ellos en su velocidad y energa inicial, y que sean inyectados en un campo magntico uniforme, cada electrn se mover en una trayectoria inicial; y aunque los electrones tienen diferentes velocidades entre s, cada uno mantendr constante su velocidad. Otro punto importante de mencionar es que todos los electrones, a pesar de que difieren en sus velocidades, trayectorias y energas; completan una vuelta en el mismo tiempo, lo que origina que tengan la misma frecuencia. A sta frecuencia se le conoce como Frecuencia del Ciclotrn. En la ecuacin 2.9, la velocidad v se desconoce, por lo que hay que encontrarla en trminos de la diferencia de potencial. Suponiendo que no hay prdida de energa, y por la ley de la conservacin de la energa, tenemos que la energa potencial es igual a la energa cintica, entonces:

2 q v= m

2.10

sustituyendo esta expresin en la ecuacin 2.9, obtenemos finalmente:

2m r = q

(1B ) = (2m e )

( ) 2 (1 B )
1

2.11

donde: m, es la masa del electrn secundario proveniente del blanco en [kg]; e, la carga del electrn en [Coulombs]; , la diferencia de potencial (del blanco) en [Volts]; B, el campo magntico en [Teslas] y r, es el radio de giro de los electrones cuando se encuentran inmersos en un campo B. Esta expresin establece tambin el ancho del espacio oscuro que corresponde a 2r, o sea, dos veces el radio electrnico que est en funcin del voltaje aplicado al blanco y por supuesto, de la intensidad de campo magntico que se instala en la fuente de Sputtering tipo magnetrn.

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Para finalizar es importante remarcar que adems, la presencia del campo magntico optimiza la ionizacin al hacer que la trayectoria de los electrones sea helicoidal; lo que incrementa la distancia que stos viajan y en consecuencia, aumenta la probabilidad de ionizacin, adems de reducir los desplazamientos laterales de los electrones hacia las paredes de la cmara de crecimiento.

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