UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA Docente: ING. VIRGINIA ROMERO F.

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LABORATORIO N 8 - CIRCUITOS ELECTRNICOS EE 441

EL TRANSISTOR UNIPOLAR FET - 16 NOVIEMBRE

I. OBJETIVO. Estudiar las caractersticas de polarizacin de los transistores unipolares de efecto de campo (FET TEC), Determinar la operacin del FET en seal alterna. Identificar los terminales, sistema de polarizacin, impedancia de entrada. Identificar los niveles de seale del FET sin distorsin

II.

MATERIAL Y EQUIPO:

01 FET canal N NTE 312 Resistores de 1K, 2K, 10K, 5.6K, 3.3K, 1M 01 Generador de funciones

01 panel de conexiones Conductores de conexin 01 Potencimetro de 10K

Capacitores 2x10uf, 47uf (25v) 01 Osciloscopio

01 Multmetro 02 Fuentes de Alimentacin

III.

PARA EL INFORME PREVIO Realice los clculos empleando el simulador ORCAD / Pspice o similar. Ajuste la tensin y frecuencia del generador a los valores de la experiencia. Simule el circuito y anote las tensiones y corrientes que se piden en el experimento para ambos circuitos considerando todos los valores resistivos dados. Determine el estado de corte y saturacin para ambos circuitos.

IV. PROCEDIMIENTO: 1. Con la ayuda del manual o data sheet reconocer los terminales del FET. Dibujar su esquema de pines y colocar sus datos:

RDS = RGD = RGS=

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2. Armar el circuito de la figura 1.

V2 12Vdc

R1 2k

D G
C1 Entrada 10uf V1 VOFF = 0 VAMPL = 50mV FREQ = 1KHz R2 R3 1M 1k J1 U312

C2 Salida 10uf

S
R4 10k C3 47uf

+ Vo -

Fig. 1

3. Polarizar el circuito y medir los terminales del FET con respecto a tierra, evaluando el punto de operacin. VD = VDS = VS = VGS = VG = ID =

4. Repetir el paso anterior para los valores de RD (R1) y RS indicados. RS = 1 K

RD = 3.3 K RD = 5.6K RD = 2 K

RS = R 3= 3.3 K
RD = 5.6 K RD = 1 K

VD VS 5. Graficar las curvas de transferencia y las rectas de carga en cada caso. Trazar las rectas de polarizacin y de carga indicando los puntos de operacin logrados. Evaluar por extrapolacin IDss (Corriente de Drenaje de Saturacin) y Vpo, asi como la transconductancia gm. 6. Aplicar una seal V1 de 50mV, 1Khz senoidal y medir la seal Vo a fin de determinar la ganancia del transistor.

Vo =

AV =

V0 Vi

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7. Aumentar la amplitud de Vi hasta lograr una deformacin de Vo y determinar la mxima amplitud de la salida que se puede obtener sin distorsin.

Vo(mx.) sin distorsin =

Vi (mx.) =

8. Retirar el condensador C3 y evaluar la ganancia, as como la mxima seal obtenible sin distorsin.

AV =
7.33448V

Vo (mx.) =

7.33446V

7.33444V

7.33442V V(D) 50mV

0V

SEL>> -50mV 0s

0.2ms V(ENTRADA)

0.4ms

0.6ms

0.8ms

1.0ms

1.2ms

1.4ms Time

1.6ms

1.8ms

2.0ms

2.2ms

2.4ms

2.6ms

2.8ms

3.0ms

Forma de onda en la carga y en la entrada con C3 9. Armar el circuito de la figura mostrada (fig. 2), dando el punto Q y la ganancia de tensin. Explicando las ventajas y desventajas que se logra.
C1 0.1uf R2 V1 VOFF = 0 VAMPL = 50mV FREQ = 1KHz R3 3.3k 10k V2 10Vdc R1 33k J1 U312 C2 10uf

Fig. 2

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7.334452V

7.334448V

7.334444V

7.334440V V(D) 50mV

0V

SEL>> -50mV 0s

0.2ms V(ENTRADA)

0.4ms

0.6ms

0.8ms

1.0ms

1.2ms

1.4ms Time

1.6ms

1.8ms

2.0ms

2.2ms

2.4ms

2.6ms

2.8ms

3.0ms

Forma de onda en la carga y en la entrada

V.

INFORME FINAL: 1. 2. En una tabla compare los valores tericos con los valores experimentales. Qu porcentaje de error hay entre los valores experimentales y los tericos? Cmo los explica? 3. Dibuje la forma de onda de entrada (V1) y de la carga (Vo). Qu relacin de fases hay entre ellas? 4. 5. Qu impedancia de entrada tiene el FET? Qu impedancia de salida tiene el FET?