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Eduardo Amaro Campos Henrique Mariano Rodrigues Ferreira Pedro Schatz Wisnerowicz Rodrigo da Silva Ferreira
Sumrio
1.0 - Introduo ............................................................................................................................. 3 2.0 - Objetivos ............................................................................................................................... 6 3.0 - Materiais ............................................................................................................................... 6 4.0 - Metodologia Experimental.................................................................................................... 7 Parte 1- Determinao do ganho de corrente hfe e levantamento da curva caracterstica Ic x Vce. ............................................................................................................................................ 7 Parte 2- Polarizao por divisor de tenso ............................................................................... 8 Parte 3 Amplificadores de pequenos sinais ........................................................................... 8 Parte 4 Transistor como chave ............................................................................................... 9 5.0 - Resultados e Discusses ........................................................................................................ 9 Parte 1 ....................................................................................................................................... 9 Parte 2 ..................................................................................................................................... 13 Parte 3 ..................................................................................................................................... 15 Parte 4 ..................................................................................................................................... 17 6.0 - Concluso ............................................................................................................................ 19 7.0 - Referncias Bibliogrficas ................................................................................................... 19
1.0 - Introduo
Transistores so componentes eletrnicos utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de sinais eltricos. [1] O primeiro tipo de transistor foi inventado nos Laboratrios da Beel Telephone em dezembro de 1947 por Bardeen e Brattain. Esse era um transistor chamado de point-contact, que acabou no se popularizando muito pelo seu elevado custo. No entanto, em 1951, a mesma empresa anunciava a criao do dispositivo conhecido como transistor de juno. [2]
O Transistor de juno consiste em uma juno de trs materiais semicondutores, sendo que o do meio (conhecido como base) ser de um tipo diferente dos das pontas, como mostra a figura 1.
O transistor mostrado na figura 1 um do tipo npn, tambm havendo o tipo pnp. Quando s houver tenso nas regies do tipo P, o transistor no ir conduzir, pois a regio do meio possu portadores de carga positiva, e no negativa. [3] Por questo de conveno, a simbologia dos transistores tipo pnp e npn so demostradas na figura 2.
Como mencionado anteriormente, o transistor pode ser utilizado como interruptor de sinal eltrico, pois quando no houver corrente na base, ele no ir conduzir entre as pontas de emissor e coletor. Para ele conduza entre o E e C (emissor e coletor), ter que ser imposta uma corrente em sua base, como mostrado na figura 3 e 4.
Exatamente pelas condies caractersticas dos semi-condutores, dependendo da condio de polarizao de cada juno, so obtidos diferentes modos de operao para o transistor, como mostrado na figura 5.
A parte inicial da curva chamada de regio de saturao. toda a curva entre a origem e o joelho. A parte praticamente plana chamada de regio ativa. Nesta regio uma variao do VCE no influencia no valor da corrente de coletor (IC). IC mantm-se constante e igual a corrente de base vezes o ganho CC do transistor (CC) IC = IB * CC. A parte final a regio de ruptura ou Breakdown e deve ser evitada. [2]
2.0 - Objetivos
Este experimento possui as metas de introduzir os conceitos bsicos sobre os transistores, obter experimentalmente as curvas caractersticas de transistores e discutir e apresentar o funcionamento bsico dos transistores como chaves.
3.0 - Materiais
1 Multmetro Porttil com adaptador jacar em ambas as pontas de prova 1 Multmetro de bancada com adaptador jacar em ambas as pontas de prova 2 Fontes de tenso contnua varivel 1 Protoboard 1 Osciloscpio com duas pontas de prova 1 Gerador de funes com cabo BNC e ponta jacar 2 Pares de cabos banana/banana 2 Pares de cabos banana/jacar 1 BC547 1 Resistor de 220k x 1/8W 1 Resistor de 12k x 1/8W 1 Potencimetro de 100 k x 1W 1 Resistor de 820 x 1/8W 2 Resistor de 2,2k x 1/8W 2 Capacitores eletrolticos de 10uF x 25V
Figura 6: Circuito 1
A) Montar no protoboard o circuito 1. Com o multmetro de bancada medir as correntes e com o porttil, as tenses. Variar o potencimetro P1 para Vce = V1/2.
Figura 7: Circuito 2
B) Montar no protoboard o circuito 2. Com o multmetro de bancada medir as correntes Ib e Ic, e com o multmetro porttil, as tenses Vbe e Vce. Variar o potencimetro P1 para Ib=120 A e variar P2 para diferentes valores de Vce.
Figura 8: Circuito 3
A) Montar no protoboard o circuito 3. Medir as tenses e correntes quiescentes do circuito e anotar os valores.
Figura 9: Circuito 4
A) Montar o circuito 4. Com o gerador desligado, medir as tenses e calcular as correntes quiescentes do circuito.
B) Calcular as tenses Vce, Vbe e Vcb. C) Aplicar na entrada um sinal senoidal de 1V de pico, com frequncia de 1kHz e medir com o osciloscpio as formas de onda na entrada (Vi) e na sada (Vo) e imprimir as formas de onda.
A) Monte o circuito mostrado na Fig. 5. Utilize o gerador de funes para gerar o sinal quadrado na frequncia de 5 kHz com amplitude de 0 a 5 V. Salve a curva de entrada e sada do circuito.
V1 (V) 10 15
O valor obtido de hfe do experimento com valor de V1 = 10V para o de V1 = 15V variou cerca de 4%, uma variao aceitvel para valores experimentais. De acordo com o DataSheet do fabricante, o BC547 possu valor mnimo de ganho de 110 e mximo de 800, conforme Figura 11.
Dessa forma, possvel dizer que os valores de hfe obtidos experimentalmente so condizentes com os obtidos a partir do DataSheet. Para fins comparativos, foram feitas simulaes do circuito proposto utilizando a plataforma online Circuit Lab. Foi gerado o circuito representado pela figura 12.
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A partir dos dados obtidos do circuito exemplificado na figura 6 e da simulao (figura 12) foram montadas as seguintes tabelas:
Tabela 2: dados do experimento da figura 6, com V1 = 10V
Os
dados
da
simulao
esto
bem
prximos
aos
valores
obtidos
experimentalmente, a maior diferena percentual foi no valor de hfe, 4,06%, onde temos um ganho hfe variando de 120-130, o que corresponde ao datasheet do transistor BC547, portanto os dados obtidos so confiveis. Para o circuito 2 (figura 7) os dados obtidos foram organizados na tabela 4 e tambm no grfico da figura 13, o qual tem forma semelhante e condizente com as curvas do datasheet do componente (figura 14) .
Tabela 4: valores para o circuito 2
0,005 0,02
0,1 8,14
0,3 23,8
0,5 26,7
0,7 29,42
0,9 31,43
1 32,16
2,22 36,08
40 35 30 25 20 15
10
5 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5
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Parte 2
A partir do circuito apresentado na figura 8 foram medidas as tenses e correntes quiescentes, vide tabela 5
Tabela 5: tenses e correntes quiescentes do circuito 3
Vrc1(V) 4.320
Vre1(V) 1.129
Vrb1(V) 10.274
Vrb2(V) 1.797
Vce(V) 6.594
Ic(mA) 5.26
Ie(mA) 5.22
Ib(mA) 0.016
Destes valores possvel calcular a potncia dissipada em cada componente. Estes valores so apresentados na tabela a seguir:
Correntes Ic Ie Irb1
Vrb2
1,8
Irb2
0,86
1,54
Vce
6,59
Ib
0,02
38,91
A potncia total dissipada no circuito de 38,91mW segundo demonstrado na tabela 6. O circuito foi simulado no software Multisim para temperaturas de juno de 40 e 27C segundo a figura 15 e os valores apresentados na tabela 7.
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Vrc1(V) Vre1(V) Vrb1(V) Vrb2(V) Vce(V) Experimento 4,32 1,129 10,274 1,797 6,594 Simulado 4,256 1,146 10,171 1,829 6,598 (27C) Simulado 4,152 1,118 10,171 1,829 6,73 (40C) Diferena Simulao 2,50 2,50 0 0 1.96 40C e 27C (%) Diferena Simulado (27C) e 1,5 1,48 1,01 1,75 0,1 Experimento (%)
Ie(mA) Ib(mA) Irb1(mA) Irb2(mA) 5,22 0,016 0,852 0,857 5,21 5,08 0,016 0,016 0,848 0,848 0,831 0,831
2,20
2,56
14,82
0,19
0,47
3,13
Como pode se observar na tabela acima, a diferena entre os dados experimentais e o da simulao feita a 27C muito pequena e portanto as anlises feitas a partir dos dados experimentais so vlidas. Da mesma tabela possvel verificar que a variao das correntes no transistor mnima e portanto o projeto de polarizao bom.
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Parte 3
O circuito da figura 9 foi montado e os valores das tenses e resistncia dos componentes foram obtidas e a partir desses valores calculou-se a corrente, estes dados so apresentados na tabela 8.
Tabela 8: valores para o circuito da figura 9.
Os valores das tenses Vce, Vcb e Vbe foram calculadas da seguinte maneira:
Vce = Vcc-VRc1-Vre1 = 12,145 4,441 1,158 = 6,546 V Vcb = VRb1 VRc1 = 10,316 4,441 = 5,875 V Vbe = VRb2 Vre1 = 1,814 1 158 = 0,656V A partir das tenses acima calculadas e dos dados da tabela, foram obtidos os valores de e e algumas relaes foram testadas: = Ic/Ib = 5,335/0,041 = 130,12 = Ic/Ie = 5,335/5,376 = 0,992 Ie = Ic + Ib => 5,376mA = 5,335mA + 0,041mA = 5,376mA. Portanto verdadeiro. IRb1 = IRb2 + Ib = 824,55uA + 41uA = 865,55uA ~ 859,67uA. Pequeno erro experimental, porm o erro no grande o suficiente para desvalidar a relao ou o experimento. =/(1 +) => 0,992 = 130,12/(130,12+1)= 0,992. Portanto verdadeiro
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O circuito da figura 9 foi montado e os sinais de entrada e sada foram capturados no osciloscpio. Uma simulao foi feita no Multisim segundo a figura 16 e os grficos obtidos foram os seguintes:
Figura 16: imagem do osciloscpio para o circuito da figura 9. Curva em verde o sinal de entrada e a curva em amarelo o de sada.
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Figura 18: grfico obtido pela simulao feita em Multisim, o sinal de entrada o de menor amplitude e o de sada o de maior amplitude.
Aps uma rpida observao dos grficos verifica-se que a simulao e o as curvas experimentais so muito semelhantes em formato e amplitude. O ganho do circuito pode ser calculado pelos valores apresentados na figura 17, AV = Vo/Vi = - (5,39-2,09) = 2,578. O sinal de entrada e de sada possuem uma diferena de fase de 180 em relao ao sinal de entrada. Isto ocorre pois quando o a tenso na base do transistor mxima, ele conduz mais, o que causa um aumento na tenso Rc1, e consequente queda na tenso Vo. Quando a tenso na base atinge seu mnimo o diodo conduz menos, o que causa uma diminuio na tenso Rc1, e consequente aumento na tenso Vo.
Parte 4
O circuito abaixo foi simulado no programa Circuit Lab, o sinal de sada apresentado na figura 19.
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O transistor ir funcionar como uma chave eletrnica ao se aplicar a onda quadrada na base. Quando a onda atinge o seu valor mnimo (zero volts) a corrente na base, Ib, zero e o transistor no conduzir corrente. No havendo portanto corrente em R4 e a tenso de sada igual a tenso da bateria 5V. Quando a tenso aplicada na base do transistor for mxima, o transistor conduz e a tenso de sada ser igual a tenso de referncia, ou seja, 0 Volts. Dessa forma a onda de sada tambm quadrada, figura 20.
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6.0 - Concluso
Com esse experimento consolidou-se o conhecimento sobre os transistores e algumas de suas aplicaes, verificou-se experimentalmente a sua atuao como amplificador de corrente e de pequenos sinais, alm da sua atuao de chave num circuito, tambm foi possvel por meio de simulaes e comparaes com os resultados experimentais observar o efeito da variao de temperatura nos transistores, alm da avaliao do ganho nos diversos circuitos.
[1] Morimoto, Carlos E. (26 de junho de 2005). Transstor. Guia do Hardware. [2] BOYLESTAD, R. L. Dispositivos Eletronicos e teoria de circuitos. 8 a Edio [3] Behzad Razavi. Fundamentals of Microelectronics
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