Вы находитесь на странице: 1из 29

Universidade Federal do ABC

Relatrio - Prtica 1
Disciplina: EN2701 Fundamentos de Eletrnica

Discentes: Andr Lucas de O. Duarte 11058710 Douglas Nishiyama Felipe Jun Anzai Ichi Fernanda Silva Guizi 11074309 21033410 11085609

Turma A1 Diurno

Profa. Dra. Ariana Maria da Conceio Lacorte

Santo Andr, 2013

Sumrio 1. Introduo ........................................................................................................................................ 3 2. Objetivos. ......................................................................................................................................... 4 3. Descrio experimental. ................................................................................................................... 4 3.1. Parte A Caracterizao de diodos. .............................................................................................. 4 3.1.1. Componentes e Equipamentos .................................................................................................. 4 3.1.2. Desenvolvimento e resultados. .................................................................................................. 5 3.2. Parte B Circuitos com diodos................................................................................................... 14 3.2.1. Componentes e Equipamentos ................................................................................................ 14 3.2.1. Desenvolvimento e resultados. ................................................................................................ 15 3.2.2. Atividades ps-experimento. .................................................................................................... 19 4. Concluses ..................................................................................................................................... 28 5. Referncias ..................................................................................................................................... 29

1. Introduo
Os diodos so materiais semicondutores, ou seja, um elemento que apresenta caractersticas intermedirias entre os condutores e os isolantes. Atualmente o semicondutor mais utilizado o de silcio. O diodo basicamente constitudo por uma juno PN, uma juno feita atravs de um semicondutor dopado com elementos trivalentes e outro dopado com elementos pentavalentes [1] [2]. O experimento se baseou em analisar as caractersticas eltricas do diodo e suas aplicaes. A primeira caracterstica do diodo a ser analisada o fato de ele ser um dispositivo no linear. Em outras palavras, a relao entre tenso e corrente do diodo no forma uma reta; caracterstica originada pela barreira de potencial formada na juno PN. Essa barreira de potencial gerada na juno devido ao campo eltrico que se forma nos dipolos, dificultando a passagem de corrente de difuso (explicando o termo barreira). Quando a tenso em um diodo menor que a barreira de potencial, a corrente do diodo muito baixa; e quando a tenso excede o valor da barreira de potencial, a corrente aumenta exponencialmente [1]. Alm de diodos comuns, foram utilizados nos experimentos o diodo Zener, equipamento otimizado a trabalhar na regio de ruptura, regio que danificaria um diodo comum. O diodo Zener utilizado principalmente em reguladores de tenso [1]. As aplicaes dos diodos so bem diversificadas, podendo ser utilizadas em circuitos retificadores, ceifadores e grampeadores [3] [4]. Os circuitos retificadores, como seu prprio nome sugere, retificam um sinal de onda, podendo ser aplicado em converses de corrente contnua para corrente alternada. Os circuitos ceifadores so aplicados so utilizados para cortar parte de um sinal de onda, sem alterar a forma de onda do resto e so utilizados principalmente em limitadores de amplitude de sinais, com o intuito de controle de potncia entregue carga. J o circuito grampeador tem a finalidade de adicionar um nvel CC a uma tenso alternada [3][4][5].

2. Objetivos
Parte A Caracterizao de diodos: Obter experimentalmente as curvas caractersticas dos diodos; Analisar sua utilizao como retificador e fonte DC simples.

Parte B Circuitos com diodos: Verificar o funcionamento do retificador Verificar o funcionamento do regulador a diodo Zener Verificar o funcionamento do circuito ceifador Verificar o funcionamento do circuito grampeador negativo

3. Descrio experimental 3.1. Parte A Caracterizao de diodos 3.1.1. Componentes e Equipamentos


1 Multmetro Porttil com adaptador jacar em ambas as pontas de prova 1 Multmetro de bancada com adaptador jacar em ambas as pontas de prova 1 Fonte de tenso contnua varivel 1 Protoboard 1 Par de cabos banana/banana 1 Par de cabos banana/jacar Quantidade Componente 1 Diodo 1N4148 1 Diodo 1N4733 Zener de 5,1V x 1W 1 Resistor de 100 W

3.1.2. Desenvolvimento e resultados


Inicialmente, foi montado o circuito indicado na Figura 1 abaixo:

Figura 1: Esquema do circuito montado em laboratrio. [6] Note que o diodo est polarizado diretamente, pois a corrente est circulando do lado p para o lado n do diodo. Ento, variou-se a tenso da fonte e foi anotado o valor de corrente passando pelo diodo, bem como a queda de tenso sobre o diodo. Estes resultados esto fornecidos na Tabela 1 abaixo:

Tabela 1: Corrente e tenso sobre o diodo polarizado diretamente. Vcc [V] Id [mA] Vd [V] 0,00 0,00 0,001 0,50 0,18 0,530 1,00 3,85 0,672 1,50 7,86 0,709 2,00 12,79 0,736 2,50 17,61 0,754 3,00 22,71 0,770 4,00 32,62 0,793 5,00 41,63 0,809 10,00 90,13 0,867

Com os dados da Tabela 1, foi plotado o grfico de Corrente x Tenso no diodo, que chamado de curva caracterstica do diodo. O grfico est indicado na Figura 2 a seguir:

Figura 2: Curva caracterstica de um diodo polarizado diretamente plotada com o MATBLAB. Pode observar no grfico acima que a corrente comea a aumentar em torno de 0.7V e depois apresenta um comportamento aproximadamente linear, o que est de acordo com a teoria. Diodos de silcio tm uma tenso de joelho tenso da barreira de potencial em torno de 0.7V. A fim de encontrar o ponto quiescente (ponto Q), tambm foi traado a reta de carga circuito:

Figura 3: Curva caracterstica e reta de carga plotadas com o MATLAB. 6

Prolongando-se ligeiramente a curva caracterstica, foi possvel encontrar as coordenadas do ponto Q. A Figura 3 abaixo indica o ponto Q:

Figura 4: Coordenadas do ponto Q obtidas com auxlio do MATLAB. Desta maneira, o ponto quiescente ocorre quando a tenso sobre o diodo de aproximadamente 0.87V e a corrente aproximadamente 91.31mA. O ponto quiescente representa uma soluo simultnea do diodo e a reta de carga. Ou seja, o ponto Q o nico ponto no grfico que trabalha para ambos, diodo e circuito. [1] Percebe-se que o ponto quiescente, neste caso, ocorre para um valor de corrente relativamente alto, onde a tenso sobre o diodo j era maior que a tenso de joelho. interessante notar que no foi obtida tal queda de tenso sobre o diodo em laboratrio, por isso foi necessrio prolongar a curva do diodo para que fosse possvel obter o ponto Q. Para verificar a validade dos resultados obtidos, foi utilizado o software para simulao de circuitos Pspice. A seguir foi montado o circuito abaixo:

Figura 5: Circuito simulado no PSpice. 7

Ento, foram estabelecidas as seguintes configuraes a fim de simular o circuito:

Figura 6: Configuraes da simulao do circuito.

Figura 7: Configurao de temperatura para a simulao do circuito. Finalmente, o circuito foi simulado e obteve-se a seguinte curva caracterstica:

Figura 8: Grfico I x V de um diodo 1N4148 polarizado diretamente obtido com a simulao temperatura ambiente. O grfico indicado na Figura 8 acima extremamente parecido com o grfico indicado na Figura 2, obtido experimentalmente. Percebe-se claramente que em ambos, a corrente passa a aumentar substancialmente a partir de aproximadamente 0.7V e depois passam a apresentar um comportamento aproximadamente linear. Para fins de observar o efeito da temperatura sobre o diodo polarizado diretamente, foi realizada uma simulao do circuito indicado na Figura 5 para uma temperatura de 40C. Os resultados so mostrados a seguir:

Figura 9: Temperatura na qual realizada a simulao.

Figura 9: Curva caracterstica obtida para uma temperatura de 40C. Ao comparar cuidadosamente o grfico acima com o grfico da Figura 8, conclui-se que a corrente no grfico da Figura 10 cresce mais rapidamente com o aumento da tenso. Basta notar, por exemplo, que para uma tenso de 0.8V tem-se uma corrente de 40mA 40C enquanto que, 26.85C h uma corrente de aproximadamente 30mA. Com auxlio da ferramenta Probe Cursor do PSpice, verifica-se que, 26.85C, uma corrente de 40mA ocorre para uma tenso de aproximadamente 817mV, enquanto que 40C, uma corrente de 40mA ocorre para uma tenso de aproximadamente 800mV. Desta forma, segue que:
( 800 817 )( mV ) V = T ( 40 26.85 )( C ) V = 1.3 mV / C T

O que significa dizer que a barreira de potencial diminui de 1.3mV para cada grau Celsius de aumento na temperatura. De acordo com a literatura, para um diodo de silcio este valor de 2 miliVolts. [1] Continuando com a parte experimental, para estudar diodos polarizados reversamente, foi montado no laboratrio o circuito mostrado a seguir:

10

Figura 10: Circuito montado em laboratrio. [6] Claramente o diodo est polarizado reversamente, pois a corrente est fluindo do lado n para o lado p, ao contrrio da polarizao direta onde a corrente flui do lado p para o lado n do diodo. Analogamente com o primeiro circuito montado, variou-se a tenso da fonte e foram observadas ambas, a corrente e tenso sobre o diodo. A Tabela 2 a seguir resume os resultados obtidos. Tabela 2: Resultados obtidos para o diodo polarizado reversamente. Vcc [V] Id [mA] 0.00 0 0.50 0 1.00 0 -0.989 1.50 0 -1.567 2.00 0 -2.064 2.50 -0.003 -2.550 3.00 -0.019 -3.043 4.00 -0.303 -4.013 5.00 -2.680 -4.741 10.00 -48.42 -5.172

Vd [V] -0.001 -0.529

Com os dados da Tabela 2 acima, foi traado com o MATBLAB o grfico I x V para o diodo:

Figura 6: Curva I x V para o diodo polarizado reversamente. 11

Percebe-se que a corrente comea a cair bruscamente, caracterizando o efeito de avalanche fenmeno que ocorre quando surge repentinamente um nmero muito grande de portadores na camada de depleo [1] - em torno de -4.9V, indicando que a tenso de ruptura est em torno desse valor de -4.9V. Buscando este valor em um datasheet [7] fornecido pela SEMTECH ELETRONICS LTD., verificamos que este valor vale -5.1V, como mostrado abaixo:

Figura 7: Datasheet indicando as tenses de operao de diodos Zener. O resultado obtido experimentalmente difere ligeiramente do valor fornecido pelo datasheet. Seria possvel obter um resultado mais prximo, se tivesse sido anotado o valor de corrente no diodo para um ou dois valores de tenso da fonte entre 5V e 10V. Assim, teria-se mais um ou dois pontos no grfico que auxiliarem na obteno de um resultado melhor. Para comparar os resultados obtidos, montou-se o seguinte circuito no PSpice:

Figura 8: Circuito utilizado para simulao. Os parmetros desta segunda simulao foram setados da mesma maneira que os da primeira simulao. Foi obtida a seguinte curva caracterstica:

12

Figura 9: Curva caracterstica para o diodo 1N4733 polarizado reversamente obtida com a simulao temperatura de 26.85C. O grfico acima difere razoavelmente na regio de ruptura do grfico obtido experimentalmente indicado na Figura 10. Isto ocorreu devido a no ter sido anotado nenhum par corrente/tenso sobre o diodo para um valor de tenso da fonte entre 5V e 10V. H um salto muito grande nesse intervalo, considerando que a tenso de ruptura do diodo 1N4733 de 5.1V, que atrapalha nos resultados. Para fins de observar o efeito da temperatura sobre o diodo polarizado reversamente, foi realizada uma simulao do circuito indicado na Figura 14 para uma temperatura de 40C. Os resultados so mostrados a seguir:

Figura 15: Temperatura na qual realizada a simulao. 13

Figura 16: Temperatura na qual realizada a simulao.

Os resultados obtidos 40C diferem muito pouco dos obtidos 26.85C. Observando-se cautelosamente os grficos das figuras percebe-se que para um mesmo valor de tenso, os valores de corrente lidos no grfico da simulao 40C so maiores do que os valores de corrente do grfico obtido com a simulao 26.85C.

3.2. Parte B Circuitos com diodos 3.2.1. Componentes e Equipamentos


1 Multmetro Porttil com adaptador jacar em ambas as pontas de prova 1 Multmetro de bancada com adaptador jacar em ambas as pontas de prova 1 Fonte de tenso contnua varivel 1 Protoboard 1 Osciloscpio com duas pontas de prova 1 Gerador de funes com cabo BNC e ponta jacar 2 Pares de cabos banana/banana 2 Pares de cabos banana/jacar 1 Transformador monofsico, entrada 110Vef , sada 12Vef + 12Vef com center tap 2 Diodos 1N4007 diodo retificador 14

1 Diodo 1N4733 Zener de 5,1V x 1W 2 Diodos 1N4728 Zener de 3,3V x 1W 1 Resistor de 220 W x 5W 1 Resistor de 470 W x 5W 1 Resistor de 1kW x 1/8W 1 Capacitor eletroltico de 100uF x 25V 1 Capacitor eletroltico de 1uF x 25V

3.2.1. Desenvolvimento e resultados.


Primeiramente foi montado o circuito retificador de onda completa da figura 16. Na sequncia foram medidas com o osciloscpio as tenses Va, Vb e Vr indicadas na figura e tambm seus respectivos valores de Amplitude (A), Valor mdio (Vm), Valor Eficaz (Vef), Perodo (T) e frequncia (f). Estes ltimos parmetros so apresentados na tabela 3.

Figura 17: Retificador onda completa com transformador CT.

15

Figura 18: Formas de onda visualizadas no osciloscpio para o retificador de onda completa. Sendo Va,Vb e Vr indicadas respectivamente pelas formas de onda amarela,verde e azul. Tabela 3: Tenses do retificador de onda completa da figura 16.
A* [V] 37 37 18 Defasagem entre Va e Vb (graus) Vm* [V] -49 mV -102 mV 9,807 Vef* [V] 12,223 11,996 5,248 T* [ms] 16,674 16,644 8,374 178o f* [Hz] 60,08 60,10 119,56

Va Vb Vr

A defasagem entre Va e Vb foi calculada utilizando a seguinte expresso: = . 360 Em seguida foi montado o circuito retificado com filtro capacitivo apresentado na figura 18. Observou-se com o osciloscpio para este circuito a tenso Vrc indicado na figura 18 e seu Valor mdio (VDC), Valor eficaz (Vef) e Valor de ripple (VRIPPLE).

16

Figura 19: Circuito retificador de onda completa com filtro capacitivo

Figura 20: Forma de onda visualizada no osciloscpio para o retificador de onda completa com filtro capacitivo. Na figura est representada a tenso Vrc.

Tabela 4: Valor mdio (VDC), Valor eficaz (Vef) e Valor de ripple (VRIPPLE) da tenso Vrc.
Tenso Vrc VDC [V] Vef [V] VRIPPLE [Vpp]

15,123 15,2 2,33

17

Na sequncia foi montados o circuito ceifador (figura 22) e circuito grampeador (figura 23). Para ambos os circuitos foram visualizadas as formas da tenso Va (circuito ceifador) e da tenso Vb ( circuito grampeador).

Figura 21: Circuito ceifador.

Figura 22: Circuito grampeador.

Figura 23: Forma de onda visualizada no osciloscpio para a tenso Va no circuito ceifador.

18

Figura 24: Forma de onda visualizada no osciloscpio para a tenso Vb no circuito grampeador. 3.2.2. Atividades ps-experimento. 1. Sabendo-se que a tenso da rede de aproximadamente 127 Vef, foi calculada a relao de espiras do transformador por meio da expresso mostrada a seguir. Nesta expresso V1 e V2 representam respectivamente as tenses no primrio e no secundrio do transformador, j N1 e N2 indicam o nmero de espiras de cada uma das sees mencionadas. A constante a o resultado da razo de V1 por V2 ou N1 por N2.

V1 = 127 Vef e V2 = 12 Vef = = 127 = 10,58 12 O resultado obtido indica que o nmero de espiras no primrio deve ser 10,58 vezes maior que o nmero de espiras no secundrio para obteno da tenso de 12,7 Vef a partir de uma tenso de 127 Vef aplicada no primrio do transformador. 2. O retificador de onda completa mostrado na figura 16 funciona da seguinte maneira: durante o semiciclo positivo da tenso senoidal Va, o diodo D_1N4007_1 estar conduzindo enquanto o diodo D_1N4007_2estar cortado, assim para sada ser transferida uma tenso senoidal retificada, ou seja, somente com os semiciclos positivos. A tenso Vb est defasada de 180 em relao a tenso Va, logo Vb possui seu semiciclo positivo quando Va est no semiciclo negativo e desta maneira o 19

diodo D_1N4007_2 conduzir no momento que D_1N4007_1 estiver cortado, e de modo anlogo a ir tambm transferir para a sada uma tenso retificada. A tenso de sada Vr visualizada na sada do circuito ser constituda de semiciclos positivos das tenses senoidais Va e Vb conforme visto na figura 17. 3. Na conduo os diodos D_1N4007_1 e D_1N4007_2 apresentam uma tenso praticamente nula entre os seus terminais e na no conduo, uma tenso -24 Vef, pois quando um deles estiver cortado o outro estar conduzindo, fazendo com que a tenso total do secundrio do transformador seja aplicada sobre o diodo cortado. 4. Ao comparar os trs valores de tenso mdia VDC para as sadas dos retificadores de tenso construdos na prtica observa-se este parmetro aumenta a medida que o circuito se torna mais incrementado de elementos. No primeiro retificador de onda completa tem-se que VDC = 9,807 V, que corresponde ao valor mdio da onda senoidal retificada. No segundo retificado com filtro capacitvo o valor mdio de VDC = 15,123 V, este valor maior do que o primeiro devido ao fato da tenso de sada do retificador com filtro capacitivo apresentar menor variao em cada ciclo pois o capacitor ao se descarregar mantm o nvel de tenso de sada prximo ao valor mximo com a apresentao de uma pequena variao ( ripple). 6. No circuito grampeador durante o semiciclo positivo o diodo D1 est reversamente polarizado e se comportar como uma chave em aberto at o momento em que a tenso de entrada seja igual a sua tenso de operao. Nesta situao a tenso Va ter a mesma forma de onda que a tenso de entrada da fonte. Quando tenso de entrada se iguala a tenso de operao do diodo Zener D1 (3,3 V), este ltimo manter sobre si uma queda de tenso de valor constante a qual permanecer at o momento em que a tenso de entrada se tornar menor do que a tenso de operao. Durante a operao do diodo D1, Va tambm apresentar um valor de tenso constante igual a 3,3 V a caracterizando assim o ceifamento do sinal senoidal de entrada. Na operao o diodo Zener D1, o diodo Zener D2 est polarizado diretamente e se comporta como um curto. Durante o semiciclo negativo ocorre inverso, D2 polarizado reversamente e D1 polarizado diretamente quando o diodo D2 entra em operao. A diferena neste caso que a tenso de sada Va mostra o semiciclo negativo do sinal senoidal de entrada ceifado em - 3,3 V. 7. No circuito grampeador supondo o diodo como ideal e o capacitor inicialmente descarregado, para o semiciclo positivo da tenso de entrada, at esta atingir seu valor de pico, o diodo estar conduzindo e o capacitor estar se carregando com a tenso de entrada da fonte. A partir do 20

momento em que o potencial da tenso de entrada inicia seu decrscimo, o diodo estar polarizado reversamente e assim estar cortado. medida que o potencial da entrada decresce a tenso de sada Vb se mostrar como uma senoide negativa crescente abaixo de 0 V. Esta senoide resultante da diferena entre o potencial armazenado no capacitor e potencial do sinal de entrada. Durante o semiciclo negativo, esta situao prossegue, pois o potencial do capacitor se soma ao da entrada, resultando na sada uma tenso negativa com o dobro da tenso de pico do sinal de entrada e no momento em que a tenso de entrada for nula a tenso de sada ter o valor igual tenso de pico de entrada com sinal negativo. A partir de um novo semiciclo positivo ocorrer novamente a subtrao entre os potenciais do capacitor e da entrada e quando a entrada atingir seu valor de pico a tenso de sada Vb ser nula. 8. Simulao dos circuitos retificadores no QUCS:

Figura 25: Simulao do retificador de onda completa no QUCS.

21

Figura 26: Tenso Va simulada para o circuito retificador de onda completa.

Figura 27: Tenso Vb simulada para o circuito retificador de onda completa. 22

Figura 28: Tenso Vr simulada para o circuito retificador de onda completa. Na simulao do retificador de onda completa no software QUCS, observou-se que as tenses Va, Vb e Vr apresentaram comportamentos similares aos visualizados no osciloscpio tanto no que diz respeito as formas de onda como nos valores encontrados experimentalmente, validando o experimento.

Figura 29: Simulao do retificador de onda completa com filtro capacitivo QUCS. 23

Figura 30: Tenso Vrc simulada para o circuito retificador de onda completa com filtro capacitivo. Podemos verificar na simulao, que a tenso sobe rapidamente at um valor prximo de 12V (a tenso de sada do transformador),e depois passa a apresentar um sinal que somente varia prximo aos valores de tenso fornecida pelo transformador. A onda fica "achatada", com uma oscilao em uma faixa muito pequena, resultado tambm obtido no laboratrio e previsto na teoria.

24

Figura 31: Simulao do retificador de onda completa com filtro capacitivo QUCS.

Figura 32: Tenso Vrz simulada para o circuito retificador de onda completa com regulador de tenso a diodo Zener.

25

Figura 33: Simulao do circuito ceifador

Figura 34: Tenso Va simulada para o circuito ceifador. A simulao mostra uma onda com partes "cortadas", uma vez que podemos verificar picos mais "achatados" para as oscilaes. Porm, a forma de onda, de forma geral, permanece a mesma: somente o topo das cristas e a base dos vales que foi alterada, fazendo com que a onda se assemelhe a uma onda quadrada. Curiosamente essa forma de onda no se assemelhou muito com a onda obtida em laboratrio. 26

Figura 35: Simulao do circuito grampeador.

Figura 36: Tenso Va simulada para o circuito grampeador. A onda nesse circuito simplesmente "troca" de lugar, passando a oscilar em valores prximos de 0V a -10V ao invs do natural 5V a -5V. Podemos verificar isso claramente na simulao. O experimento do laboratrio apresentou uma forma de onda semelhante, confirmando o experimento com a simulao.

27

4. Concluses
A aula prtica realizada no laboratrio auxiliou no entendimento de como os circuitos eltricos vistos na sala de aula e a utilidade dos componentes utilizados no laboratrio podem ser aplicados no cotidiano. Por exemplo, a polarizao dos diodos, a montagem desses componentes no Protoboard e a compreenso dos grficos estudados. Na primeira parte, observou-se o comportamento dos diodos em relao a sua polarizao (direta ou inversa). Ao traar as curvas caractersticas pode-se observar os comportamentos caractersticos de cada polarizao, como a curva em joelho (direta) e o efeito avalanche (reversa). Sabe-se que acima de um determinado valor ocorre um efeito de ruptura, ou chamado efeito avalanche, quebrando a barreira de potencial e a corrente cresce quase que verticalmente. Percebese tambm que esse efeito pode acontecer com a tenso reversa aplicada ao diodo, por isso os fabricantes especificam um valor mximo de corrente direta e tenso reversa mxima do diodo. As figuras obtidas se assemelharam com as da teoria estudada nas aulas e ao simular os mesmos circuitos no software Pspice obteve-se as mesmas curvas caractersticas, validando assim os valores encontrados experimentalmente. Porm nica discrepncia ocorreu nos valores de corrente para os respectivos valores de tenso entre 5V e 10V, onde houve um salto no grfico 12, para esse intervalo. Isso se deve ao intervalo ser muito distante, havendo a necessidade de um dado experimental para esse intervalo. Na segunda parte do experimento observou-se as diversas utilidades dos diodos em relao s montagens dos circuitos, por exemplo, o retificador de onda completa de um transformador e o uso de filtros capacitivos. No primeiro circuito da figura 16, observou-se o comportamento das ondas do retificador de onda completa. A onda de Va est defasada 180o em relao Vb, deve-se ao fato de enquanto o semiciclo positivo de Va estar ocorrendo, em Vb ela esta cortada e vice versa. J a sada Vr apresentou somente os valores positivos de ambos os valores em uma s onda. O mesmo ocorreu quando fez-se a simulao, tanto para as imagens quanto para os valores. Observou-se o comportamento dos componentes de um circuito retificador com filtro capacitivo e diodo zener, que tem por objetivo fornecer a carga uma tenso desejada, de acordo com a tenso do diodo zener especificada pelo fabricante. 28

Tambm possvel notar a importncia do dimensionamento da resistncia R4 para limitar a corrente em cima do diodo zener, que necessita de uma corrente mnima para conduzir que se restringi a uma corrente mxima para no queimar, havendo assim uma faixa de variao de R4.

5. Referncias
[1] MALVINO, Abert; BATES, David J. Eletrnica Volume1. 7 edio. McGraw Hill [2]KASCHNY, J.R. Circuitos com diodos: retificadores. Disponvel em

<http://physika.info/physika/documents/diodos.pdf>, acessado em 19/05/ 2013. [3]FURLAN, Rogrio. Retificadores. Disponvel em

<http://www.lsi.usp.br/~roseli/www/psi2307_2004-Teoria-1-Retif.pdf>, acessado em 20/05/2013 [4]Circuitos com diodos Disponvel em: <http://www.corradi.junior.nom.br/CircDiodo.pdf> , acessado em 20/05/2013. [5] SEDRA, Adel S. Microeletrnica. 5 edio. Prentice Hall [6] Roteiro da prtica. [7] Datasheet diodo <http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/1/N/4/7/1N4733.shtml>, 23/05/2013. acessado em

29