LECCIN 6 TRANSISTORES FET Y MOSFET

TRANSISTOR FET FET (Field Efect Transistor): transistor de efecto del campo. Esta formado por una barra de semiconductor N o P que se llama el canal, tiene un cinturn o estrechamiento del otro tipo de semiconductor, los extremos del canal se unen a terminales D(drain, drenaje) y S (Source, surtidor o fuente), el cinturn se une al terminal G (Gate, compuerta). Al aplicar voltaje entre D y S (VDS) se forma una corriente ID que depende de la resistencia del canal, si se aplica un voltaje VGS negativo (G = -, S = +) el diodo formado por el cinturn y el canal queda en inverso y no hay corriente de compuerta (IG = 0) pero el voltaje negativo es G repele las cargas negativas que pasan por el canal que aparece como un aumento de resistencia y la corriente IDdisminuye, haciendo mayor o menor la magnitud de VGS haremos que ID disminuya o aumente, as se obtiene un control de ID, siendo la variable de control del voltaje VGS. En el FET la relacin entre ID y VGS est dada por la ecuacin de Schotkley: ID = IDSS (1 - (VGS/VP)) IDSS y VP son constantes caractersticas de cada tipo o referencia de transistor, se obtienen en las hojas de especificaciones del fabricante. Los circuitos de polarizacin de FET y MOSFET se encuentran en la Tabla No. 3donde el punto de trabajo se da por el corte de la parbola de la ecuacin de Schotkley y la recta de carga del circuito. Los transistores FET y MOSFET se usan como amplificadores, donde su caracterstica ms importante es su alta impedancia de entrada por efecto de IG = 0. En la Tabla No. 4 se especifican las frmulas de Zi, Zo y Av para cada uno de los circuitos amplificadores.

TABLA No. 3 Configuraciones polarizacin de FET

TIPO

CONFIGURACIN

ECUACIONES PERTINENTES

SOLUCIN GRFICA

JFET Con polarizacin fija

VGSQ = - VGG VDS = VDD - IDRS

JFET Con autopolarizacin

VGSQ = - IDRS VDS =VDD - ID(RD + RS)

JFET Con polarizacin mediante divisor de voltaje

VG = R2 VDD/(R1 + R2) VGS = VG - IDRS VDS =VDD - ID(RD + RS)

Compuerta comn JFET

VGSQ = Vss - IDRS VDS =VDD+Vss-ID(RD+ RS)

JFET (VGSQ = 0 V)

VGSQ = 0 V IDQ = Iss

VGSQ = -IDRS JFET (RD = 0 ) VD = VDD VS = IDRS VDS =VDD - IDRS

MOSFET De tipo decremental (todas las configuraciones arriba de los casos positivos donde = + voltaje) polarizacin Fija

VGSQ = + VGG VDS = VDD - IDRS

MOSFET de tipo decremental polarizacin mediante divisor de voltaje

VG = R2 VDD/(R1 + R2) VGS = VG - ISRS VDS =VDD - ID(RD + RS)

MOSFET de tipo incremental configuracin por retroalimentacin

VGSQ = VDS VDS = VDD - IDRS

MOSFET de tipo incremental Polarizacin mediante divisor de voltaje

VG = R2 VDD/(R1 + R2) VGS = VG - IDRS

TABLA No. 4: Zp Zo Av para las diferentes configuraciones FET

CONFIGURACIN

Zp

Zo Media (2 K)

Av = Vo/Vi Media (-10) = -gm (rd || RD) -gm RD (rd 10RD)

Alta (10 M) = RG

=RD || rd RD (rd 10RD)

Alta (10 M) = RG

Media (2 K) =RD || rd RD (rd 10RD)

Media (-10) = -gm (rd || RD) -gm RD (rd 10RD)

Alta (10 M) = RG

Media (2 ) = RD/(1 + gmRs + (RD+Rs)/rd) RD/(1 + gmRs) (rd 10(RD+Rs ))

Media (-2) = - gmRs/(1 + gmRs + (RD+Rs)/rd) - gmRs/(1 + gmRs) (rd 10(RD+Rs ))

Alta (10 M) = R1 || R2

Media (2 K) =RD || rd RD (rd 10RD)

Media (-10) = -gm (rd || RD) -gm RD (rd 10RD)

Alta (10 M) = RG

Baja (100 k) = rd || RS || 1/gm RS || 1/gm (rd 10RS)

Baja (<1) = gm(rd || RS)/(1 + gm(rd || RS)) gmRS/(1 + gmRS) (rd 10RS)

Baja (1 k)

Media (2 K) = RD || rd RD

Media (+10)

= (gmRD + (RD/rd))/(1+ (RD/rd)) gmRD (rd 10RD)

RS || 1/gm (rd 10RD)

(rd 10RD)

Media (1 k) = (RF + rd || RD)/(1+gm(rd | | RD))

Media (2 K) = RF || rd || RD RD

Media (-10) = - gm (RF || rd || RD)

RF/(1+gmRD) (R r 10R ) F d D

- gmRD (RF rd 10RD)

Media (1 M) = R1 || R2

Media (2 K) =RD || rd RD (rd 10RD)

Media (-10) = -gm (rd || RD) -gm RD (rd 10RD)