Santiago Sur

Telecomunicaciones Conectividad y Redes Electrnica Aplicada

ZONAS DE TRABAJO DEL TRANSISTOR

Nombre Alumno (s): Patricia Fernanda Alarcon Jaque Nombre Profesor: Luis Ramos Fecha: 23 noviembre 2011 Seccion: 721

Introduccin: Existen 4 condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o del signo de los voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor, este se puede encontrar en alguna de las 4 regiones se que pueden observar en el grfico de abajo. Estas regiones son; regin activa directa regin de saturacin, regin de corte y regin inversa. A continuacin podemos observar el comportamiento de cada una de estas regiones.

En el siguiente informe detallaremos ms profundamente estos 4 zonas de trabajo.

Desarrollo: 1. El presente laboratorio pretende determinar en forma prctica, la ganancia de corriente en corriente continua (hFE) en un transistor de baja potencia. 2. Establecer en cules situaciones el transistor se encuentra en las zonas de corte, activa y saturacin, de acuerdo a los resultados obtenidos. Materiales Cantidad 1 1 1 1 1 1 1 6 3 2 Descripcin Alicate de punta Alicate cortante Protoboard Alambre para protoboard Transistor TIP 31 C Resistencia 5,1K, 500mW Ampolleta 12 V, 3W Chicote Banana Caimn Multitester digital Fuente de Tensin

El TIP-31C El transistor que se usar en este laboratorio es el TIP-31C que es un transistor de baja potencia cuyo encapsulado es el TO-220 y sus principales grados mximos (Absolute maximum ratings), los cuales si son sobrepasados el transistor puede destruirse, se muestran en la siguiente tabla: Rating Smbolo Valor Unidad Voltaje colector-emisor VCE0 100 V Corriente de colector IC 3 A Disipacin total de potencia PD 40 W Las principales diferencias entre un transistor de una serie y otra, se encuentra, entre otras, en los ratings mostradas en la tabla anterior. Ganancia de corriente La ganancia de corriente en corriente continua es una de las principales caractersticas elctricas de un transistor bipolar BJT. Cada serie de transistor tiene una ganancia caracterstica y que, en el caso del TIP-31C, la determinaremos luego de completar una tabla con una serie de medidas realizadas en un circuito con montaje en emisor comn. Zonas de operacin Un transistor siempre lo encontraremos en una de las siguientes zonas de operacin:

 Zona de corte: Un transistor se encuentra en la zona de corte cuando no circula corriente por la base, por consiguiente, tampoco existir corriente de colector. Bajo esta condicin, el transistor, en la malla de la corriente de colector se comporta como circuito abierto y entre el colector y emisor cae, prcticamente, todo el voltaje de la fuente. Respecto al voltaje base-emisor (VBE), este es menor que el voltaje de barrera en polarizacin directa puede incluso existir polarizacin inversa entre la base y el emisor. Puesto que la potencia en el transistor es el producto entre la corriente de colector y el voltaje colector-emisor, en la zona de corte, es prcticamente nula. Aunque el voltaje colectoremisor tiene su mximo valor bajo esta condicin, la potencia es prcticamente nula debido a que la corriente de colector tiende a cero amperios. Zona activa: Un transistor en la zona activa se reconoce porque existe tanto corriente de base como corriente de colector. El grado de conduccin del transistor, en la malla de la corriente de colector, depender de la magnitud de la corriente de base. En la zona activa, el voltaje colectoremisor tiene un valor comprendido entre el voltaje colector-emisor de saturacin (VCEsat), que normalmente es un voltaje cercano inferior a 1 voltio, y el voltaje de la fuente de la malla de la corriente de colector (VCC). En la zona activa, existe una proporcionalidad directa entre la corriente de base y la de colector. Respecto al voltaje base-emisor, este presenta el potencial de barrera en polarizacin directa, que para el caso de un transistor de silicio es aproximadamente de 650 mV. Una caracterstica importante de la zona activa, es que existe un valor intermedio tanto de la corriente de colector como del voltaje colector-emisor. Esto produce transformacin de energa elctrica en calor cuya potencia elctrica es el producto entre la corriente de colector y el voltaje colector-emisor (PD=ICVCE). Zona de saturacin: Un transistor se encuentra saturado cuando un incremento en la corriente de base no produce un incremento en la corriente de colector. Esto se debe a que la corriente de colector ha alcanzado un valor tal que el transistor no puede conducir ms debido a la limitacin de corriente producida por la resistencia de la carga (en el caso del presente laboratorio, la resistencia de carga es una ampolleta de filamento incandescente). Bajo esta condicin, el voltaje colectoremisor es igual a VCEsat y es cuando el voltaje base-emisor alcanza su mximo valor, que es ligeramente mayor que el voltaje de barrera en polarizacin directa. La potencia disipada por el transistor bajo esta condicin es, en la mayora de los casos, prcticamente despreciable, debido a que el voltaje colector-emisor es muy bajo aunque la intensidad de colector tenga su mximo valor. El punto en que el transistor se saturar depender de la malla de la corriente de colector, es decir, de la resistencia del resistor de carga y del voltaje de la fuente VCC. Cuando se usa un transistor como amplificador de seales continuas (tal como una seal de audio) se hace trabajar al transistor en la zona activa dado que el voltaje de salida puede tener un barrido comprendido entre VCEsat y el voltaje de la fuente. Cuando se usa un transistor en conmutacin, es decir, como interruptor, este se encontrar en corte (off) en saturacin (on), mientras que se encontrar en la zona activa solamente, durante un pequeo intervalo de tiempo, en la transicin desde corte a saturacin y de saturacin a corte. El transistor en conmutacin lo encontraremos en las fuentes de alimentacin conmutadas (switching power supply), como las de los computadores, y en los circuitos integrados digitales tales como compuertas lgicas y microprocesadores, entre otros.

Procedimientos: 1. Determine cules son los terminales emisor, base y colector del transistor completando las siguiente tabla con las mediciones realizadas en la funcin prueba de diodos (del mutitester digital). + 1 1 2 2 3 3 2 3 1 3 1 2 Lectura

2.- Arme el siguiente circuito:

Amplificador Emisor comn

3.- Complete la tabla N 1 de la siguiente forma: En cada fila de la tabla, ajuste la fuente VBB hasta que la lectura de la corriente de base, IB, sea la indicada en la tabla. En la primera fila (IB=0,0 mA) ajuste la fuente VBB al mnimo. Mida y anote la lectura de la corriente de colector (IC). Mida y anote la lectura del voltaje colector-emisor (VCE). Mida y anote la lectura del voltaje base-emisor (VBE) Complete la columna correspondiente a la ganancia de corriente (hFE) usando la siguiente ecuacin: Tabla N 1 IB IC VCE VBE hFE 0,0 (m (m (V) (V) 0,2 A) A) 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 4. Luego de la clase, realice un grfico usando los datos de la tabla N 1, de acuerdo a las siguientes instrucciones: Use la columna A para ingresar los valores de la intensidad de base. Use la columna B para ingresar los valores de la intensidad de colector. Selecciones todos los datos de ambas columnas. Seleccione un tipo de grfico con los mens: Insertar-Grfico-Lneas. Titule el grfico como Curva de transferencia de un BJT. Rotule el eje x como Intensidad de base (mA). Rotule el eje y como Intensidad de colector (mA).

5.

Renase con los compaeros de su grupo fuera de la clase y realicen las siguientes actividades: Lea rigurosamente y discuta cada uno de los tpicos de la lectura previa con sus compaeros de grupo. Basndose en los datos de la tabla N 1 y el grfico, determine junto a sus compaeros, en qu momentos el transistor se encontr en la zona activa, en el corte saturado.

Seale en el grfico, las zonas de corte, activa y saturacin.

 Anote cules fueron los criterios usados para determinar en qu zona se encontr trabajando el transistor. Anote al menos 3 preguntas, cuyas respuestas servirn para aclarar reforzar su aprendizaje en los puntos ms dbiles en el estudio de esta gua.

Conclusin: DE LOS EXPERIMENTOS REALIZADOS. PODEMOS CONCLUIR LO SIGUIENTE: EL FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR BJT. YA SEA NPN O PNP, DEPENDE DE LA POLARIZACION QUE SE LE APLICA EN SUS TERMINALES , YA QUE UNA MALA POLARIZACION PODRIA FUNCIONAR MAL TODO EL CIRCUITO EN EL QUE SE LE APLIQUE O EL USUARIO NO PODRIA TERNER LOS RESULTADOS SATISFACTORIOS. DURANTE EL EXPERIMENTO PODIMOS COMPROBAR LA TEORIA QUE FUE ASIMILADA EN EL SALON DE CLASES, POR EJEMPLO. QUE LA CORRIENTE DEL COLECTOR DESPUS DE CIETO VOLTAJE SE APROXIMA ALA CORRIENTE DEL EMISOR. TAMBIEN SE PUDO DEMOSTRAR QUE SI SE APLICA UN VOLTAJE ENTRE EL EMISOR Y LA BASE SE PUEDE OBTENER UNA GANACIA DE VOLTAJE EN EL COLECTOR Y LA BASE ASI SE PUEDE COMPROBAR QUE ESTE TIPO DE SISPOSITIVOS SE PUEDEN UTILIZAR COMO AMPLIFICADORES. Tambin podemos concluir que los transistores si trabajan en sus respectivas zonas de trabajo, comprobando as la teora como la practica