Introduccin a los Semiconductores.

Examen de Verdadero y Falso.

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. 13. 14. Un tomo es la partcula ms pequea en un elemento. Verdadero. Un electrn es una partcula cargada negativamente. Verdadero. Un tomo esta compuesto por electrones, protones y neutrones. Verdadero. Los electrones son una parte del ncleo de un tomo. Falso. Los electrones de valencia existen en la capa externa de un tomo. Verdadero. Se forman cristales mediante el enlace de tomo. Verdadero. El silicio es un material semiconductor. Falso. Todos los diodos tiene una unin pn. Verdadero. Las regiones p y n en un diodo se forman mediante un proceso llamado ionizacin. Falso. Las dos regiones de un diodo son el nodo y el colector. Falso. Un diodo puede conducir corriente cuando en dos direcciones con igual facilidad. Falso. Un diodo conduce corriente cuando est polarizado en directa. Verdadero. Cuando est polarizado en inversa, un diodo idealmente aparece como un corto. Falso. Dos tipos de corriente en un diodo son la de electrones y la de huecos. Verdadero.

Examen de Accin de Circuitos.

1. Cuando un diodo est polarizado en directa y el voltaje de polarizacin se incrementa, la corriente de polarizacin en directa: a. Se incrementa. b. Se reduce. c. No cambia. 2. Cuando un diodo esta polarizado en directa y el voltaje de polarizacin se incrementa, el voltaje a travs del diodo (de acuerdo con el modelo prctico): a. Se incrementa. b. Se reduce. c. No cambia. 3. Cuando un diodo est polarizado en inversa y el voltaje de polarizacin se incrementa, la corriente en inversa (de acuerdo con el modelo prctico): a. Se incremente. b. Se reduce. c. No Cambia. 4. Cuando un diodo est polarizado en inversa y el voltaje de polarizacin se incrementa, la corriente (de acuerdo con el modelo completo): a. Se incremente. b. Se reduce. c. No Cambia.

5. Cuando un diodo est polarizado en directa y el voltaje de polarizacin se incrementa, el voltaje a travs del diodo (de acuerdo con el modelo completo): a. Se incremente. b. Se reduce. c. No Cambia. 6. Si la corriente de polarizacin en directa en un diodo se incrementa, el voltaje en el diodo (de acuerdo con el modelo practico): a. Se incremente. b. Se reduce. c. No Cambia. 7. Si la corriente de polarizacin en directa en un diodo se reduce, el voltaje en el diodo (de acuerdo con el modelo completo): a. Se incremente. b. Se reduce. c. No Cambia. 8. Si se excede el potencial de barrera de un diodo, la corriente de polarizacin en directa: a. Se incremente. b. Se reduce. c. No Cambia.

Autoevaluacin
1. Cada elemento conocido tiene: a. El mismo tipo de tomos. b. El mismo nmero de tomos. c. Un tipo nico de tomo. d. Varios tipos diferentes de tomos 2. Un tomo est compuesto por: a. Un ncleo y slo un electrn. b. Un ncleo y uno o ms electrones. c. Protones, electrones y neutrones. d. Respuestas b y c. 3. El ncleo de un tomo est compuesto por: a. Protones y neutrones. b. Electrones. c. Electrones y protones. d. Electrones y neutrones. 4. Los electrones de valencia estn: a. En la rbita ms cercana al ncleo. b. En la rbita ms distante del ncleo. c. En varias rbitas alrededor del ncleo. d. No asociado con un tomo particular.

5. Un ion positivo se forma cuando: a. Un electrn se escapa de tomo. b. Hay ms huecos que electrones en la rbita externa. c. Dos tomos se enlazan entre s. d. Un tomo adquiere un electrn de valencia extra. 6. El material semiconductor ms utilizado en dispositivos electrnicos es el: a. Germanio. b. Carbn c. Cobre. d. Silicio. 7. La diferencia entre un aislante y un semiconductor es: a. Una banda prohibida ms amplia entre la banda de valencia y la banda de conduccin. b. El nmero de electrones libre. c. La estructura atmica. d. Respuesta a, b y c. 8. La banda de energa en la cual existen los electrones libres es la: a. Primera banda. b. Segunda banda. c. Banda de conduccin. d. Banda de valencia. 9. En un cristal semiconductor, los tomos se mantienen unidos por: a. La interaccin de los electrones de valencia. b. Las fuerzas de atraccin. c. Los enlaces covalentes. d. Respuestas a, b y c. 10. El nmero atmico del silicio es: a. 8 b. 2 c. 4 d. 14 11. El nmero atmico del germanio es: a. 8 b. 2 c. 4 d. 32 12. La capa de valencia en un tomo de silicio tiene la designacin de nmero de: a. 0 b. 1 c. 2 d. 3

13. La capa de valencia en un tomo de silicio tiene la designacin de: a. Cuatro electrones de valencia. b. Cuatro electrones de conduccin. c. Ocho electrones de valencia, cuatro propios y cuatro compartidos. d. Ningn electrn de valencia porque todos son compartidos con otros tomos. 14. Los pares de electrn-hueco se producen por: a. Recombinacin. b. Energa trmica. c. Ionizacin. d. Dopado. 15. Ocurre recombinacin cuando: a. Un electrn cae en un hueco. b. Un ion positivo e ion negativo se enlaza. c. Un electrn de valencia se convierte en un electrn de conduccin. d. Se forma un cristal. 16. La corriente en un semiconductor es producida por: a. Slo electrn. b. Slo huecos. c. Iones negativos. d. Tanto electrones como huecos. 17. En un semiconductor intrnseco: a. No hay electrones libres. b. Los electrones libres son producidos trmicamente. c. Solo hay huecos. d. Hay tantos electrones como huecos. e. Respuestas b) y d). 18. En proceso de agregar impurezas a un semiconductor intrnseco se llama: a. Dopado. b. Recombinacin. c. Modificacin atmica. d. Ionizacin. 19. Se agregan impurezas trivalente al Silicio para crear a. Germanio. b. Un semiconductor tipo p. c. Un semiconductor tipo n. d. Una regin de empobrecimiento. 20. El propsito de una impureza pentavalente es a. Reducir la conductividad del Silicio. b. Incrementar el nmero de huecos. c. Incrementar el nmero de electrones libres. d. Crear portadores minoritarios. 21. Los portadores mayoritarios en un semiconductor tipo n son:

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a. Huecos. b. Electrn de valencia. c. Electrones de conduccin. d. Protones. Los huecos en un semiconductor tipo n son: a. Portadores minoritarios producidos trmicamente. b. Portadores minoritarios producidos por dopado. c. Portadores mayoritarios producidos trmicamente. d. Portadores mayoritarios producidos por dopado. Se forma una unin pn mediante: a. La recombinacin de electrones y huecos. b. Ionizacin. c. El lmite de un material tipo n y un tipo p. d. El choque de un protn y un neutrn. La regin de empobrecimiento se crea por: a. Ionizacin. b. Difusin. c. Recombinacin. d. Respuestas a), b) y c). La regin de empobrecimiento se crea por: a. Nada ms que portadores minoritario. b. Iones positivos y negativos. c. Nada de portadores mayoritarios. d. Respuestas b) y c). El termino polarizacin es: a. La relacin de los portadores mayoritarios a los portadores minoritarios. b. La cantidad de corriente a travs de un diodo. c. Un voltaje de cc aplicado para controlar la operacin de un dispositivo. d. Ni a) ni b) ni c). Para polarizar en directa un diodo: a. Se aplica un voltaje externo positivo en el nodo y negativo en el ctodo. b. Se aplica un voltaje externo negativo en el nodo y positivo en el ctodo. c. Se aplica un voltaje externo positivo en la regin p y negativo en la regin n. d. Respuestas a) y c). Cuando un diodo esta polarizado en directa: a. La nica corriente es la de huecos. b. La nica corriente es la de electrones. c. La nica corriente es la producida por los portadores mayoritarios. d. La corriente es producida tanto por los huecos como por los electrones. Aunque la corriente est bloqueada con polarizacin en inversa: a. Hay algo de corriente debido a los portadores mayoritarios. b. Hay una corriente muy pequea debido a los portadores minoritarios.

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c. Hay una corriente de avalancha. Para un diodo de silicio, el valor del voltaje de polarizacin en directa en general: a. Debe ser mayor que 0.3 V. b. Debe ser mayor que 0.7 V. c. Depende del ancho de la regin de empobrecimiento. d. Depende de la concentracin de portadores mayoritarios. Cuando se polariza en directa un diodo: a. Bloquea la corriente. b. Conduce corriente. c. Tiene una alta resistencia. d. Reduce un voltaje grande. Un diodo opera normalmente en: a. La condicin de ruptura con polarizacin en inversa. b. La regin de polarizacin en directa. c. La regin de polarizacin en inversa. d. Respuesta b) y c). La resistencia dinmica puede ser importante cuando un diodo: a. Se polariza en inversa. b. Se polariza en directa. c. Se encuentra en la condicin de ruptura con polarizacin en inversa. d. No esta polarizado. La curva V-I para un diodo muestra: a. El voltaje a travs del diodo con una corriente dada. b. La cantidad de corriente con un voltaje de polarizacin dado. c. La disipacin de potencia. d. Ninguna de estas situaciones. Idealmente, un diodo puede ser representado por: a. Una fuente de voltaje. b. Una resistencia. c. Un interruptor. d. Todas las anteriores. En el modelo practico de diodo: a. El potencial de barrera se toma en cuenta b. La resistencia dinmica con polarizacin en directa se toma en cuenta c. Ninguna de las anteriores d. Tanto a) como b) En el modelo completo del diodo: a. El potencial de barrera se toma en cuenta. b. La resistencia dinmica con polarizacin en directa se toma en cuenta. c. La resistencia con polarizacin en inversa se toma en cuenta. d. Todas las anteriores.

38. Cuando un diodo de Silicio funciona apropiadamente, un DMM puesto en la posicin prueba de diodo indicara: a. 0 V b. OL c. Aproximadamente 0.7 V d. Aproximadamente 0.3V 39. Cuando un diodo de Silicio est abierto, un DMM indicara en general: a. 0 V b. OL c. Aproximadamente 0.7 V d. Aproximadamente 0.3 V

Problemas Bsicos.
1. Si el numero atmico de un tomo neutro es 6 Cuntos electrones tiene el tomo? Cuntos Protones? 6 electrones y 6 protones. 2. Cul es el nmero mximo de electrones que pueden existir en la tercera capa de un tomo? 18 electrones. 3. En dada uno de los diagramas de energa que aparecen en la figura 1-40, determine la clase de material con base en comparacin relativas.

4. 5. 6. 7. 8.

a. Aislante. b. Semiconductor. c. Conductor. Cierto tomo tiene cuatro electrones de valencia Qu tipo de tomo es? Tetravalente. En un cristal de Silicio Cuantos enlaces covalentes forman un solo tomo? 4. Qu sucede cuando se agrega calor al silicio? Se hace un buen conductor. Nombre dos bandas de energa donde se produce corriente en silicio. Conduccin y de Valencia. Describa el proceso de dopado y explique cmo altera la estructura atmica del silicio

9. 10. 11. 12. 13. 14.

El proceso ms comn para dopar algn semiconductor es el mtodo de Czochraiski el cual consiste en fundir el material en este caso el Silicio al cual ya estando fundido se le aade la impureza del tipo necesario (n o p), despus se introduce la semilla en el fundido la cual se hace girar al sentido contrario del cual est girando el material fundido lo cual hace que semilla crezca. Qu es el Antimonio? Qu es el Boro? El Antimonio es una pentavalente y el Boro un trivalente. Cmo se crea el campo elctrico a travs de la unin pn? Por la recombinacin de los electrones (para electrn-hueco). Debido a su potencial de barrera puede ser utilizado un diodo como fuente de voltaje? Explique: No, El potencial de barrera es una cada de tensin. Para polarizar en directa un diodo qu regin se debe conectar la terminal positiva de una fuente de voltaje? Al nodo. Explique porque se requiere un resistor en serie cuando un diodo se polariza en directa. Para reducir el voltaje. Explique cmo se genera la parte de polarizacin en directa de la curva caracterstica

15. Qu provocara que el potencial de barrera de un diodo de silicio disminuyen de 0.7 V a 0.6V? Provocara que dejara de pasar corriente.