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Profesora Lucelly Reyes Notas de clase

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Practica: Caractersticas del Diodo Semiconductor

Objetivo: Determinar los parmetros que caracterizan al diodo semiconductor.
Material:
- 1 resistencia de 470
- 1 diodo de germanio o silicio (rectificador),
- 1 diodo de arseniuro de galio (LED)
- 1 diodo zener de 2.7 V (o cercano)
- Un multmetro digital y puntas para multmetro
- Una fuente lineal de voltaje y puntas para fuente
- Un osciloscopio y dos puntas para osciloscopio
- Un generador de funciones y una punta para generador
- Tabla para conexiones (protoboard)
- Un par de cables con banana y caimn

Introduccin:

Los semiconductores ocupan un lugar prominente en el conjunto de los materiales. Esto se
debe al alto grado de desarrollo que se ha alcanzado en el conocimiento de sus
propiedades bsicas as como tambin en el de sus aplicaciones. Podemos decir que hoy
da los semiconductores son piezas bsicas en toda la tecnologa electrnica.
En el curso de electrnica se han estudiado los fenmenos
fsicos bsicos que controlan las propiedades de los semiconductores. A partir de ahora
veremos cmo utilizar estos conocimientos para entender el funcionamiento de estructuras
ms complejas denominadas junturas. Las junturas son uniones entre materiales. Las
mismas pueden realizarse entre semiconductores de diferentes caractersticas (Juntura
PN), entre semiconductores y metales (Juntura Metal-Semiconductor) o entre
semiconductores, metales y aislantes (Juntura Metal-Aislante-Semiconductor). Las
junturas constituyen las estructuras bsicas de cualquier dispositivo electrnico discreto,
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formado por un dispositivo nico, o de un circuito integrado formado por miles de
dispositivos interconectados sobre un mismo chip.

Uno de los dispositivos semiconductores ms importante lo constituye el diodo, e cual est
construido a partir de dos materiales semiconductores diferentes (tipo P y tipo N)
colocados juntos de tal forma que la carga fluya fcilmente en una direccin, pero no en
direccin contraria.
Principio bsico de operacin
La figura 1 muestra un esquema de la juntura PN y de la concentracin de impurezas en
las regiones P y N, para el caso de una juntura abrupta uniformemente dopada.
Inicialmente, al ponerse en contacto los materiales y sin polarizacin externa aplicada, en
la zona de unin metalrgica hay un gradiente de concentracin de electrones y huecos.


Figura 1
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Los electrones y huecos (portadores mayoritarios) comienzan a difundirse a travs de la
unin, o sea se desplazan arbitrariamente en ella. Algunos electrones aparecen en la
vecindad del material P, y algunos huecos en el material N.
El hueco y el electrn pueden chocar y entonces la carga negativa del electrn neutralizara
la carga positiva del hueco y ambos dejaran de existir como portadores de carga. Sin
embargo, este proceso no puede continuar en forma indefinida. Cuando los electrones se
difunden hacia la regin P dejan tomos donadores cargados positivamente. Del mismo
modo, los huecos que se difunden hacia la regin N dejando tomos aceptores cargados
negativamente. La diferencia de carga neta positiva y negativa induce un campo elctrico
en la regin cercana de la unin y dirigido desde la carga positiva hacia la negativa, es
decir, desde la regin N a la regin P, figura 2.

Figura 2
Los dos modos en que puede circular corriente, son por desplazamiento y difusin , tanto
para huecos como para electrones. La densidad de corriente total es debida a la
contribucin de huecos y electrones.

La regin en la cual se produce el campo elctrico se denomina regin de carga
espacial. Los electrones y los huecos son barridos por el campo elctrico hacia afuera de
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la regin de carga espacial, dejando esta zona desprovista de portadores mviles, y por
ello se la suele denominar zona o regin de agotamiento.
Puede considerarse que el gradiente de concentracin en los bordes de la regin de carga
espacial produce una fuerza de difusin sobre los portadores. El campo elctrico E en esta
regin produce una fuerza de deriva sobre los portadores opuesta a la fuerza de difusin.

de modo que en el equilibrio las dos fuerzas tendern a equilibrarse provocando que, sin
polarizacin externa, la corriente neta que circula sea nula, y el nivel de Fermi sea continuo
en todo el sistema. Lo anterior puede expresarse a travs de las siguientes relaciones para
huecos y electrones respectivamente, y del diagrama de bandas de energa resultante de
la unin en equilibrio, figura 3.

Las bandas de conduccin y de valencia se curvan en la regin de carga espacial porque
hay un cambio en la posicin del nivel de Fermi intrnseco entre las regiones P y N.
Los electrones en la banda de conduccin de la regin N ven una barrera de potencial de
altura (q Vbi) cuando tratan de moverse hacia la banda de conduccin de la regin P. Lo
mismo ocurre con los huecos en la banda de valencia. La altura de esta barrera de
EC
EV
EFi
EF
P N
q Vbi
(EF - EFi)
P

(EF - EFi)
N

EC
EV
EFi
EF
e
h
q Vbi
Figura 3
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energa potencial es igual a la suma de las diferencias entre el nivel de Fermi respecto al
nivel intrnseco en cada regin (P y N). El potencial de la barrera se denomina potencial
de contacto Vbi (built-in potential barrier) y est dado por:

N
D
y N
A
son las concentraciones de impurezas en las zonas N y P respectivamente.
Anlisis de la regin de carga espacial: aproximacin de vaciamiento
El principio fsico que gobierna el comportamiento elctrico en la regin de carga espacial
es el teorema de Gauss que relaciona el campo elctrico con la concentracin de carga
espacial. Para un tratamiento unidimensional queda expresado por:

donde E es el campo elctrico, la concentracin de carga espacial y c es la permitividad
dielctrica del material semiconductor. El teorema de Gauss en la regin de carga espacial
puede expresarse como:

porque en esta zona la carga de las impurezas inmviles (N
A
, N
D
) domina la concentracin
de carga. Como el campo elctrico se relaciona con el potencial en la forma:

resulta la forma conocida como ecuacin de Poisson:

Para poder calcular las distribuciones de carga, campo elctrico y potencial en la regin de
carga espacial suele utilizarse la aproximacin de vaciamiento. Esta aproximacin se basa
en la hiptesis de que toda la capa de carga espacial est desprovista de portadores de
carga mviles, es decir, huecos y electrones, de modo que la carga en esta zona est
determinada solamente por la distribucin de impurezas. La figura 4 compara la
distribucin real en la zona de carga espacial y la resultante de aplicar la aproximacin de
vaciamiento, para un caso general. Con esta aproximacin hay una regin de carga
negativa debida a aceptores ionizados que se extiende desde la zona de unin hasta el
punto x
p
en el lado P, y una regin de carga positiva debida a donadores ionizados que se
extiende desde el punto de unin hasta el punto x
n
sobre el lado N. El ancho total de la
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regin de carga espacial w estar dado por w = x
p
+ x
n
. Adems, la carga total negativa y
positiva tienen la misma magnitud de modo que se cumple:
x
p
N
A
= x
n
N
D








El espesor de esta regin w suele ser del orden de 10
-4
cm=1 micra.
En consecuencia la corriente neta es nula, remplazando el campo elctrico por el gradiente
del potencial e integrando en las ecuaciones anteriores, tenemos finalmente que:

donde

Esta condicin de equilibrio, corriente neta cero, permite calcular la altura de la barrera de
potencial V
bi
=V
0
(tensin umbral SI ~ 0.65 V. GE ~ 0.25 V).
Clculo de campo elctrico mximo y ancho de la regin de agotamiento

Se aplicar la aproximacin de vaciamiento al caso mostrado en la figura 5.
Se debe tener en cuenta que siempre se cumple x
p
N
A
= x
n
N
D
. La carga negativa en la
mitad izquierda de la regin de agotamiento es igual a la carga positiva de la mitad
derecha (neutralidad de carga).


Aproximacin de vaciamiento
x
q ND
- q NA
-xp
xn
0
Distribucin real
w
Figura 4
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Como puede verse de la figura 5, se tiene:

(x) = 0 para - < x < -x
p

(x) = - q N
A
para -x
p
< x < 0
(x) = q N
D
para 0 < x < x
n

(x) = 0 para x
n
< x <

Se quiere encontrar una expresin para la
altura de la barrera de potencial V
bi
, el campo
elctrico mximo E
mx
y el ancho de la regin
de carga espacial o de agotamiento w.
El campo elctrico se puede hallar aplicando
el teorema de Gauss a la distribucin de carga
espacial.


Integrando esta ecuacin se obtiene una expresin para el campo elctrico sujeta a las
condiciones de contorno. El campo elctrico debe anularse en x= - x
p
y x = x
n
porque en
estos puntos se definen los lmites de la regin de agotamiento.
Si nos basamos en la definicin de integral de una funcin como el rea debajo de la curva
definida por sta, obtenemos directamente que el campo elctrico resulta dado por el rea
de un rectngulo. Aplicando lo anterior para x < 0 y considerando un x cualquiera:

x
N q
- E(x)
A
A =
c

donde Ax = x - (-x
p
)
El campo aumentar linealmente con Ax llegando al valor mximo (E
mx
) en el punto x= 0
(Ax= x
p
), resultando:
p
A
mx x
N q
- E
c
=

c

=
dx
dE
Figura 5
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Cumpliendo con la condicin de neutralidad de carga:
n
D
p
A
mx x
N q
- x
N q
- E
c c
= =
Para x > 0 el campo elctrico disminuye pues debe anularse en x= x
n
.
Para calcular la altura de la barrera de potencial se considera la relacin entre el campo
elctrico y el potencial dada por:

dx
dV
- E =
Aplicando un criterio similar al anterior para calcular la integral resulta que la altura de la
barrera de potencial Vbi, es aproximadamente igual al valor, cambiado de signo, del rea
del tringulo que corresponde al campo elctrico:
w E
2
1
- ) x (x E
2
1
- V mx p n mx bi = + =
Operando con las ecuaciones anteriores:

|
.
|

\
|
+ =
D A
bi
N
1

N
1
V
q
2
w
c

Polarizacin del diodo
Supongamos ahora que se aplica exteriormente una diferencia de potencial a la unin de
manera que incremente la barrera interna, segn se representa en la figura, (polarizacin
inversa).
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La intensidad de la corriente electrnica que va de la regin P a la N es proporcional a la
concentracin de electrones n
p
en la regin P, es decir.

donde C
1
es una constante en la que influyen el rea de la unin y las propiedades del
cristal semiconductor, las cuales no nos interesan directamente ahora. El signo menos de
la ecuacin se debe a que el electrn tiene carga negativa.
El nmero de electrones que se difunden a travs de la unin procedentes de la regin N
se reduce mucho puesto que muy pocos electrones tendrn energa suficiente para
remontar la gran barrera de potencial.

En cambio, el nmero de los que se mueven de la parte P a la N no se ve afectado porque
estos electrones no encuentran barrera alguna. As pues, existir una corriente resultante
que est limitada por el pequeo nmero de electrones existentes en la regin P. Si se
invierte la polaridad de la tensin exterior, (polarizacin directa), se reduce la barrera
interna y se hace grande I
1
, a causa del gran nmero de electrones existente en la regin
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N. Tampoco ahora se ve afectada la intensidad I
2
de la corriente de electrones que pasan
del tipo P al tipo N. En este caso la corriente es muy intensa y corresponde al sentido
favorable o directo. La polaridad inversa incrementa la barrera de potencial y da lugar a
una corriente muy dbil.


En la determinacin de la caracterstica intensidad-tensin del diodo de unin se aplican
las mismas consideraciones a la corriente transportada por los portadores positivos que a
la transportada por los electrones y la intensidad de la corriente total es la suma de las
dos.
Centrando primeramente la atencin en los electrones, la intensidad de la corriente
electrnica que va de la regin P a la N es proporcional a la concentracin de electrones n
p

en la regin p, es decir.

Segn lo anterior, I
2
es independiente de la tensin aplicada V. La intensidad I
1
de la
corriente que va de la regin N a la P, es proporcional al nmero de electrones de la regin
N que tienen suficiente energa para remontar la barrera. Este nmero se puede
determinar a partir de la distribucin de Boltzmann, la cual relaciona las concentraciones
en las dos regiones que tengan energas potenciales diferentes.
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Dicha distribucin da

donde n
o
es la concentracin de electrones en la regin N y la exponencial representa la
relacin de Boltzmann.
Cuando es nula la tensin aplicada, I
1
=I
2
. Entonces,

La corriente electrnica total tendr, pues, una intensidad

Para la corriente de portadores positivos puede obtenerse una expresin anloga.

donde p
n
es la concentracin de portadores positivos en la regin n y C
2
es una constante
anloga a C
1
. La intensidad total es la suma de las dos corrientes
I I I
C
n C
p
e
I I
e n p p
n
qV kT
o
qV kT
= +
= +

=

1
2
1 1
( )
( ) ( )
/ /

donde I
o
recibe el nombre de la intensidad de saturacin. La ecuacin anterior se conoce
con el nombre de ecuacin del diodo.
Es posible escribir una expresin nica para la corriente que se aplica en condiciones de
polarizacin tanto en directa como en inverso. La expresin se aplica siempre que la
tensin no exceda la de ruptura.
Si se opera a temperatura ambiente (25) y en la regin de polarizacin directa (
0 >
D
V
),
entonces predomina el primer trmino del parntesis y la corriente se puede expresar
aproximadamente por:

Si se miden las caractersticas elctricas de un diodo y se ajustan a la ecuacin, es posible
determinar la resistencia elctrica, la corriente de fuga, e inclusive, la constante de
fabricacin del dispositivo.

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Caracterizacin del diodo 1N4148
La fuente se programo para generar una rampa en Multisim.




Procedimiento experimental

Usando el hmetro en la opcin de continuidad y prueba de diodos, compruebe que cada
uno de los diodos se encuentra en buenas condiciones identificando nodo (A) y ctodo
(K); reporte las mediciones:

Diodo Z
pol. directa
() Z
pol. inversa
()
Silicio
Germanio
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Arseniuro de Galio
Schottky
Zener

Curva Caracterstica

Arme el siguiente circuito para cada uno de los diodos; mida voltaje y corriente en el diodo
(aplique ley de Ohm para determinar la corriente midiendo el voltaje en la resistencia).
D
V D
I
F
V
O 470


Circuito para obtener la curva caracterstica del diodo


Grafique los datos experimentales colocando en el eje x el voltaje y en el eje y la corriente
(V
D
vs I
D
) de forma que todas las curvas queden en una misma grfica (cada curva de
diferente color); el grfico mostrar la curva caracterstica de cada diodo.

Tiempo de Recuperacin Inverso

Arme el circuito mostrado para cada uno de los diodos (excepto zener), inicie en 100 Hz y
eleve gradualmente la frecuencia en el generador de funciones hasta observar claramente
el tiempo de transicin entre conduccin y no-conduccin, reporte el tiempo de
recuperacin inversa en cada caso.
Onda
Cuadrada
O 470
P
V t v 5 ) ( =

Fig. 2. Circuito para medicin del tiempo de recuperacin inverso

Diodo Silicio o germanio Arseniuro de Galio
t
rr
(seg)
Cuestionario

1. A partir de los datos experimentales, determine el voltaje de umbral (V
U
), la
constante de fabricacin (n), y la corriente de fuga (I
O
) de los diodos de silicio,
germanio, arseniuro de galio (vase el anlisis mostrado en el apndice A); se
recomienda usar el programa Matlab y la funcin semilogy que incluye.

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2. Use las curvas caractersticas de los diodos de silicio, germanio y arseniuro de galio
para calcular la resistencia esttica (R
e
), dinmica (r
d
) y promedio (R
prom
) de cada
diodo en el punto de operacin (Q) localizado aproximadamente a dos terceras
partes de la regin de polarizacin directa de dicha curva.

3. Use la curva caracterstica del diodo zener y determine la resistencia dinmica (r
dz
)
y esttica (R
ez
) del codo de la regin zener.

4. Haga una tabla con las ventajas y desventajas comparativas entre cada uno de los
diodos rectificadores de germanio, silicio y arseniuro de galio.