PSI-2325-Laboratrio de Eletrnica I

Polarizao de Transistores de Efeito de Campo

de Juno
Escola Politcnica da Universidade de So Paulo
Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrnicos
PSI-2325 Laboratrio de Eletrnica I
Roteiro da Aula
Objetivo do Experimento
Apresentao Terica
Dicas Experimentais
Projeto
Indicao de Bibliografia
PSI-2325 Laboratrio de Eletrnica I
Objetivo
Familiarizao Experimental
com o projeto de circuitos
eletrnicos
Objetivo especfico: estabelecer
as condies de operao de
transistores de efeito de campo
de JUNO (JFET)
PSI-2325 Laboratrio de Eletrnica I
Um Bom Projeto
Resulta em circuitos com
caractersticas
PREVISVEIS e com pequena
disperso para grandes variaes
de parmetros
ESTVEIS com variaes de
temperatura e envelhecimento
PSI-2325 Laboratrio de Eletrnica I
Relao entre os Experimentos 3 e 4
Mesmo problema: estabelecimento
do ponto de polarizao (condies
de operao) de dispositivos ativos
Tratam de tipos distintos de
dispositivos ativos a semicondutor,
Dispositivos operam como
AMPLIFICADORES DE SINAL.
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Em suma
Embora haja diferenas porque os
dispositivos empregam fenmenos
fsicos distintos, os princpios que
norteiam um bom projeto de
eletrnica so os mesmos.
Isso assim desde que a vlvula
eletrnica foi inventada, e deve
permanecer assim para o futuro!
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Que um transistor de efeito
de campo (de qualquer tipo)?
um dispositivo ativo em que
uma TENSO controla uma
CORRENTE
um AMPLIFICADOR DA
POTNCIA associada a um sinal
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Como funciona um transistor
de efeito de campo de
juno?
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JFET diferente de um
transistor de efeito de campo
MetalIsolante-Semicondutor
S
G
D
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Existem Vrios Tipos de
Transistores de Efeito de Campo
JFET um dispositivo diferente
do MOSFET
mas mais proximo deste do
que de um transistor bipolar.
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FETs Servem para Muitas
Coisas
FETs tambem so utilizados em
amplificadores, no apenas em
circuitos digitais
FETs so tambm muito
utilizados em circuitos de
controle de potncia
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Simbologia do JFET
Gate = Porta, Drain = Dreno, Source = Fonte
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Curvas Caractersticas (ID x
VDS)
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Curvas Caractersticas
(I
D
x V
DS
e I
D
x V
GS
)
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Entendendo o Estrangulamento
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Regio de Saturao ou Pinch-off
(usada em AMPLIFICADORES)
I
D
= I
DSS
f(V
GS
,V
P
)

(
(

|
|
.
|

\
+
|
|
.
|

=
2
3
P
GS
P
GS
DSS D
V
V
2
V
V
3 1 I I
\

2
P
GS
DSS D
V
V
1 I I
(

=
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Parmetros Importantes
V
P
: tenso de estrangulamento
(pinch-off), disperso grande (100%)
I
DSS
: grande disperso (100%)
I
D
mx: corrente mxima de dreno
P
mx
: dissipao mxima de potncia
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Auto Polarizao
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Polarizao para variao dos
parmetros do FET
DD
2 1
2
G
.V
R R
R
V
+
=
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Comparem e vejam a
semelhana com o circuito de
polarizao do transistor
bipolar com corrente I
E
constante
Isso no mera coincidncia!!!
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Configuraes de Amplificadores
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Percebam que
Uma coisa a polarizao DC
(que estabelece as condies de
operao)
Outra coisa o tipo
configurao do amplificador
(que estabelece as
caractersticas dinmicas o
ganho AC)
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Podemos, por exemplo, ter um
amplificador na configurao
fonte comum (sada do sinal AC
no dreno), e usar o esquema de
autopolarizao para definir o
ponto quiescente DC
Nada impede outras
combinaes
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Modelo Simples do FET
vgs
gm.vgs
gds
G
S
D
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Ganho de Tenso, Impedncia de
Entrada e Impedncia de Sada
( )
s ds m
s m
R g g 1
R g
A
+ +
=
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Montagem hbrida para melhoria do
ganho e impedncia de entrada
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Ante-Projeto dos Circuitos de
Polarizao
atentar que a impedncia de
entrada ser sempre menor que
R
1
//R
2
, portanto para preservar
o alto valor de impedncia de
entrada do amplificador nem R
1
nem R
2
podem ter valores
baixos
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Ante-Projeto de Circuitos de
Polarizao
I
D
quiescente: normalmente escolhe-
se um valor indicado pelo
fabricante, pois resulta em boas
caractersticas
no circuito com fonte de corrente,
escolhemos V
CEQ
que garanta que o
transistor bipolar sempre apresente
alto ganho de corrente (linear) e I
C
quiescente I
D
quiescente
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Refinamento do Projeto do
Circuito de Polarizao
Feito o ante-projeto, refinamos
o projeto
calculando as sensibilidades
usando modelos matemticos
mais exatos
simulando o circuito
fazendo os ajustes que forem
necessrios.
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REPETINDO: Um Bom Projeto
Resulta em circuitos com
caractersticas
PREVISVEIS e com pequena
disperso para grandes variaes
de parmetros
ESTVEIS com variaes de
temperatura e envelhecimento
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Queremos um Projeto Robusto
Queremos amplificadores que
devem ser robustos do ponto de
vista de variao de parmetros
As duas caractersticas bsicas
do JFET (IDSS e VP) podem variar
em 100% e mesmo mais!!!
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Dicas de Projeto
LEMBRE-SE: o projeto tem que
estar de acordo com a lista de
componentes disponveis
Algumas partes do
procedimento experimental no
devem ser realizadas
INTERMISSION!!!
Agora, os alunos devem
fazer o projeto
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Objetivo da simulao
Nesta aula, as simulaes servem para complementar o
projeto manual.
No projeto manual voc ganha o sentimento de causa e
efeito e realiza a sntese do circuito a partir de
especificaes de projeto. Nele voc escolhe a
configurao do circuito e os valores bsicos dos
componentes.
Na simulao, se o modelo dos componentes correto,
voc pode determinar com preciso os valores das
grandezas importantes para o circuito previamente
determinado. Ou seja, para um circuito com componentes
especificados, voce capaz de dizer com preciso qual
ser seu desempenho, e qual ser seu comportamento
sob variaes das condies de operao (temperatura,
etc.)
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Onde e como fazer a simulao
Na sala pr-aluno est
disponvel o programa PSPICE
v.9.1, o mesmo que j usaram
na disciplina Circuitos Eltricos
Deve ser usada a biblioteca de
componentes do Laboratrio de
Eletrnica
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Anlise de Monte Carlo
Nesta experincia, no estamos
pedindo.
Porm a utilidade a mesma,
sugere-se que faam essa anlise
para ver, por exemplo, o efeito da
disperso de R
S
no circuito simples,
e comparar com o efeito da
disperso do ganho do transistor
bipolar na segunda
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Para Pensar e Responder
Chegamos a um amplificador
com GANHO DE TENSO da
ordem de 0,85, que MENOR
QUE 1,00
Qual a utilidade disso? Por que
no usar simplesmente um
atenuador resistivo?
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Bibliografia
1. J. Millman. e C. C. Halkias, Eletrnica.
Mc Graw Hill, 1981, volume 2.
2. I. Getreu, Modeling the Bipolar
Transistor. Tektronix Inc., 1976.
3. Schematic capture users guide:
version 6.3. MicroSim Corp., Irvine, 1995.
4. P. W. Tuinenga, SPICE: a guide to
circuit simulation and analysis using
Pspice. Englewood Cliffs, Pentice-Hall,
1988.