TIRISTORES

Introduccin. Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los Tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones. Funcionamiento bsico El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrnico de los interruptores mecnicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque no son capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio bsico puede observarse tambin en el diodo Shockley. El diseo del tiristor permite que ste pase rpidamente a encendido al recibir un pulso momentneo de corriente en su terminal de control, denominado puerta (o en ingls, gate) cuando hay una tensin positiva entre nodo y ctodo, es decir la tensin en el nodo es mayor que en el ctodo. Solo puede ser apagado con la interrupcin de la fuente de alimentacin, abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en sentido inverso por el dispositivo. Si se polariza inversamente, en el tiristor existir una dbil corriente inversa de fuga hasta que se alcance el punto de tensin inversa mxima, provocndose la destruccin del elemento (por avalancha en la unin). Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe generarse una corriente de enganche positiva en el nodo, y adems debe haber una pequea corriente en la compuerta capaz de provocar una ruptura por avalancha en la unin J2 para hacer que el dispositivo conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado activo se debe inducir desde el nodo una corriente de sostenimiento, mucho menor que la de enganche, sin la cual el dispositivo dejara de conducir.

A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de disparo. Se puede controlar as la tensin necesaria entre nodo y ctodo para la transicin OFF -> ON, usando la corriente de puerta adecuada (la tensin entre nodo y ctodo dependen directamente de la tensin de puerta pero solamente para OFF -> ON). Cuanto mayor sea la corriente suministrada al circuito de puerta IG (intensidad de puerta), tanto menor ser la tensin nodo-ctodo necesaria para que el tiristor conduzca. Tambin se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe intensidad de puerta y la tensin nodo-ctodo es mayor que la tensin de bloqueo. Formas de activar un tiristor Luz: Si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta llegar al mismo silicio, el nmero de pares electrn-hueco aumentar pudindose activar el tiristor.

Corriente de Compuerta: Para un tiristor polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo entre compuerta y ctodo lo activar. Si aumenta esta corriente de compuerta, disminuir el voltaje de bloqueo directo, revirtiendo en la activacin del dispositivo. Trmica: Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del nmero de pares electrn-hueco, por lo que aumentarn las corrientes de fuga, con lo cual al aumentar la diferencia entre nodo y ctodo, y gracias a la accin regenerativa, esta corriente puede llegar a ser 1, y el tiristor puede activarse. Este tipo de activacin podra comprender una fuga trmica, normalmente cuando en un diseo se establece este mtodo como mtodo de activacin, esta fuga tiende a evitarse. Alto Voltaje: Si el voltaje directo desde el nodo hacia el ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo, se crear una corriente de fuga lo suficientemente grande para que se inicie la activacin con retroalimentacin. Normalmente este tipo de activacin puede daar el dispositivo, hasta el punto de la destruccin del mismo.

dv/dt: Si la velocidad en la elevacin del voltaje nodo-ctodo es lo suficientemente alta, entonces la corriente de las uniones puede ser suficiente para activar el tiristor. Este mtodo tambin puede daar el dispositivo

Aplicaciones Normalmente son usados en diseos donde hay corrientes o voltajes muy grandes, tambin son comnmente usados para controlar corriente alterna donde el cambio de polaridad de la corriente revierte en la conexin o desconexin del dispositivo. Se puede decir que el dispositivo opera de forma sncrona cuando, una vez que el dispositivo est abierto, comienza a conducir corriente en fase con el voltaje aplicado sobre la unin ctodo-nodo sin la necesidad de replicacin de la modulacin de la puerta. En este momento el dispositivo tiende de forma completa al estado de encendido. No se debe confundir con la operacin simtrica, ya que la salida es unidireccional y va solamente del nodo al ctodo, por tanto en s misma es asimtrica. Los tiristores pueden ser usados tambin como elementos de control en controladores accionados por ngulos de fase, esto es una modulacin por ancho de pulsos para limitar el voltaje en corriente alterna. En circuitos digitales tambin se pueden encontrar tiristores como fuente de energa o potencial, de forma que pueden ser usados como interruptores automticos magneto-trmicos, es decir, pueden interrumpir un circuito elctrico, abrindolo, cuando la intensidad que circula por l se excede de un determinado valor. De esta forma se interrumpe la corriente de entrada para evitar que los componentes en la direccin del flujo de corriente puedan ser daados. El tiristor tambin se puede usar en conjunto con un diodo Zener enganchado a su puerta, de forma que cuando el voltaje de energa de la fuente supera el voltaje zener, el tiristor conduce, acortando el voltaje de entrada proveniente de la fuente a tierra, fundiendo un fusible. La primera aplicacin a gran escala de los tiristores fue para controlar la tensin de entrada proveniente de una fuente de tensin, como un enchufe, por ejemplo. A comienzo de los 70 se usaron los tiristores para estabilizar el flujo de tensin de entrada de los receptores de televisin en color.

Se suelen usar para controlar la rectificacin en corriente alterna, es decir, para transformar esta corriente alterna en corriente continua (siendo en este punto los tiristores onduladores o inversores), para la realizacin de conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos. Otras aplicaciones comerciales son en electrodomsticos (iluminacin, calentadores, control de temperatura, activacin de alarmas, velocidad de ventiladores), herramientas elctricas (para acciones controladas tales como velocidad de motores, cargadores de bateras), equipos para exteriores (aspersores de agua, encendido de motores de gas, pantallas electrnicas...) Principales variantes de tiristores Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta. Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y desactivacin, en general los tiristores pueden clasificarse en nueve categoras: 1. Tiristores de control de fase o rectificador de silicio controlado(SCR). 2. Tiristores de conmutacin rpida (SCR). 3. . Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO). 4. . Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC). 5. . Tiristores de conduccin inversa (RTC). 6. . Tiristores de induccin esttica (SITH). 7. . Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR) 8. . Tiristores controlados por FET (FET-CTH) 9. . Tiristores controlados por MOS (MCT) 10.- Transistor de unin programable (PUT) 11.- Transistor Unijuntura (UJT)

El SCR Un SCR es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn y que tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta. La fig. 1 muestra el smbolo del tiristor y una seccin recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusin. Un tiristor o SCR es un rectificador controlado, donde la corriente circula de forma unidireccional desde el nodo al ctodo .Esta circulacin de corriente es iniciada por una pequea corriente aplicada a la puerta .

La cada de tensin, en conduccin, se deber a la resistencia de las cuatro capas y ser pequea, por lo comn 1V. En conduccin , la corriente nodo ctodo est limitada por una impedancia o una resistencia externa, RL, como se muestra en la fig. 2. La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL, a fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo contrario, al reducirse el voltaje del nodo al ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La corriente de enganche, IL, es la corriente del nodo mnima requerida para mantener el tiristor en estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal de la compuerta. En la fig. 2b aparece una grfica caracterstica V-I de un SCR.

Fig.2 Circuito SCR y caracterstica v-i Una vez que el SCR es activado, se comporta como un diodo en conduccin (Fig-2) y ya no hay control sobre la corriente del dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una capa de agotamiento lo que da vida a movimientos de portadores libres. Sin embargo, si se reduce la corriente directa del nodo por debajo de un nivel conocido como corriente de mantenimiento IH , se genera una regin de agotamiento alrededor de la unin J2 debida al nmero reducido de portadores; el tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del orden de los miliamperios y es menor que la corriente de enganche, IL. Esto significa que IL >IH . La corriente de mantenimiento IH es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en estado de rgimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche. Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin J2 tiene polarizacin directa, pero las uniones J1 y J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje inverso a travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como IR, fluir a travs del dispositivo

MODELO DE SCR DE DOS TRANSISTORES La accin regenerativa o de enganche genera retroalimentacin directa que se puede demostrar mediante un modelo de SCR de dos transistores. Un SCR se puede considerar como dos transistores complementarios, un transistor PNP, Q1, y un transistor NPN, Q2, tal y como se demuestra en la figura 3. La corriente del colector IC de un SCR se relaciona, en general, con la corriente del emisor IE y la corriente de fuga de la unin colector-base ICBO, como Ic = IE + ICBO (1)

La ganancia de corriente de base comn se define como =IC/IE. Para el transistor Q1 la corriente del emisor es la corriente del nodo IA , y la corriente del colector IC1 se puede determinar a partir de la ecuacin (1): IC1 = IA + ICBO1 (2)

a) Estructura bsica

b) Circuito equivalente

Fig. 3 Modelo de SCR con dos transistores . Donde alfa1 es la ganancia de corriente y ICBO1 es la corriente de fuga para Q1. En forma similar para el transistor Q2, la corriente del colector I C2 es: IC2 = 2IK + ICBO2 (3)

Donde

2 es la ganancia de corriente y ICBO2 es la corriente de fuga

correspondiente a Q2. Al combinar IC1 e IC2 , obtenemos: IA = IC1 + IC2 = 1IA + ICBO1 + 2IK + ICBO2 (4)

Pero para una corriente de compuerta igual a IG, IK=IA +IG resolviendo la ecuacin anterior en funcin de IA obtenemos: IA = 2 IG + ICBO1 + ICBO2 2) (5)

1-( 1 +

Disparo del SCR Un SCR es encendido haciendo su puerta positiva con el respecto a su ctodo, lo cual, hace que circule corriente en la compuerta. Cuando el tensin de compuerta alcanza el valor de umbral V GT, hace que la corriente de compuerta IGT, llegue al valor umbral dentro de un tiempo muy corto conocido como tiempo de encendido controlado por compuerta, tgt, As, la corriente de carga puede fluir desde nodo a ctodo.. Cuando la corriente aumente, hasta el valor de corriente de enganche (latching) del SCR, la corriente de carga se mantendr , an , despus de quitar la corriente de compuerta. As ,el SCR continuar conduciendo y la corriente de carga contina circulando, , sin la corriente de compuerta. Esto es lo que denominamos tiristor disparado.

. REGLA. Para disparar un SCR(tiristor) (o triac), una corriente de compuerta / IGT debe aplicarse hasta que la corriente de carga sea IL. Esta condicin debe encontrarse tambin al bajar la temperatura de funcionamiento esperada. incrementada por encima de Tjmax, en este punto las corrientes de fuga son tales que pueden alcanzar la corriente de disparo del SCR o triac. Por lo cual puede ser conveniente su reemplazo o bien tener en cuenta este efecto al momento de su utilizacin. Apagado (conmutacin). Para apagar al tiristor, la corriente de carga debe reducirse por debajo de la I H (corriente de mantenimiento), por el tiempo suficiente para permitir a todos los portadores evacuar la juntura. Esto es logrado por "conmutacin forzada" en circuitos CC o al final del hemiciclo de conduccin en circuitos de CA. (La conmutacin forzada es cuando la corriente de carga neta del circuito ocasiona que la misma se haga cero de forma tal, que el tiristor se apague). A este punto, el tiristor habr vuelto totalmente a su estado de bloqueo . Si la corriente de carga no es mantenida por debajo de IH por el tiempo suficiente, el tiristor no habr vuelto totalmente al estado de bloqueo, y cuando la tensin nodo ctodo suba nuevamente, el tiristor podr volver al estado de conduccin sin excitacin de puerta. Note que esta IH se especifica tambin a la temperatura de ambiente , y se reduce a altas temperaturas. Por lo tanto, el circuito debe permitir tiempo suficiente para qu la corriente de carga caiga por debajo de IH a la mxima temperatura esperada, para una conmutacin exitosa. Triac Un triac poder mirarse como un "tiristor bidireccional" debido a que conduce en ambas direcciones. Por el triac , la corriente circula en cualquiera de las dos direcciones entre los terminales principales MT2 y MT1. Esto es iniciado por una corriente pequea aplicada entre el terminal de puerta , Gate, y MT2.

FIG-3 A: Representacin de un Triac

FIG-3B: Curva caracterstica de un Triac (verFig-5)

Encendido Distinto de los SCR, el triac estndar puede ser disparado por circulacin de corriente positiva o negativa entre compuerta y MT2 . (Las reglas para V GT, IGT e

IL son al igual SCR. Vea Regla 1). Esto permite el disparo del triac en cuatro cuadrantes" como se muestra en el Figura 4. La compuerta debe ser excitada por Corriente Continua o por pulsos unipolares en el cruce por cero de la corriente de carga. Corriente negativa de compuerta es la preferida por las siguientes razones. La construccin interna de los triac hace que la compuerta est ms alejada de la regin de portadores mayoritarios cuando opera en el 3 cuadrante. Esto resulta en: 1. IGT ms alta, esto implica un pico ms alto de IG requerido. 2. Retraso mayor entre IG y el principio de la circulacin de corriente principal, esto requiere una mayor duracin de IG. 3. Mucha menor capacidad de di/dt esto puede implicar una degradacin progresiva de puerta cuando controlamos cargas con di/dt iniciales (P.E: filamentos de lmpara incandescente fra). 4. Mayor IL (tambin cierto para la 1 operacin) - > IG ms largo, la duracin mayor podra necesitarse para cargas muy pequeas cuando conduzcan desde el comienzo de un hemiciclo para permitir la corriente de carga alcanzar el IL .

En controles comunes de ngulo de fase, como por ejemplo atenuadores de luces y controles de motores universales (taladros de mano), la polaridad de la tensin entre compuerta y MT2 son siempre las mismas. Esto significa que la operacin es siempre en el 1 o 3 cuadrante, en los cuales los parmetros de conmutacin del triac son iguales. Por ello se habla de un funcionamiento simtrico de funcionamiento de conmutacin del triac ,donde la puerta est en su estado. ms sensible Mtodos alternativos de disparo. Hay algunas maneras indeseables con las que un triac pueden encenderse. Algn son benignas, mientras otras son potencialmente destructivas. (a) Seal de ruido en la compuerta. En ambientes elctricamente ruidosos, disparos espurios pueden ocurrir si el nivel de ruido excede la tensin V GT y si suficiente corriente de puerta circula para iniciar accin regenerativa dentro del triac. La primea lnea de defensa es minimizar la ocurrencia del ruido en primer lugar. Uno de los mejores resultados es logrado por realizar las co nexiones de puerta tan corta como sea posible y asegurando que el retorno comn desde el circuito de disparo se conecte directamente al terminal MT1 (o ctodo en el caso de un SCR). (los tiristores y triac de potencia incluyen este terminal en su dispositivo). En situaciones donde las conexiones de puerta son de conductor macizo, par torcido o apantallado podra minimizarse acortndolas..

La inmunidad adicional de ruido puede proveerse agregando un resistor de 1kOhm Tambin es posible la utilizacin de un capacitor de tipo cermico o de poliester para filtrar las altas frecuencia o dv/dt. (b) Excediendo el valor permitido de dv/dt Esta es la mas probable ocurrencia cuando tenemos una carga altamente reactiva, donde existe un considerable desfasaje entre la tensin de carga y la corriente de la misma. Cuando el triac se bloquea , esto es la corriente se hace cero, la tensin aplicada en los bornes del mismo no es cero, debido al desfasaje entre ambas magnitudes, como es mostrado en la figura N6. El triac entonces repentinamente requerir bloquear esta tensin. 3 REGLA. Cuando diseamos un circuito de disparo para triacs, trataremos de no dispararlo al mismo en el 3 cuadrante. (MT2 -,G+), cuando esto sea posible. 4 REGLA. Para minimizar el ruido que toma la compuerta, el largo de conexin tiene que ser lo mas corta posible. El retorno al terminal MT1 (o ctodo) tiene que retornar en forma directa al terminal propiamente dicho. Colocar una resistencia de no mas de 1 utilizar la serie H de triacs, es vlida si lo anterior es insuficiente .Sin conmutacin se puede forzar al triac a volver al estado de conduccin si se excede el valor permitido de dv/dt. Esto es debido a que los portadores en la juntura no tienen el tiempo suficiente para abandonarla totalmente. La capacidad para soportar dv/dt es afectada por dos de condiciones: 1. El valor de la cada de corriente en la conmutacin esto es la di/dt. Alta di/dt implica una capacidad de dv/dt. 2. La temperatura de juntura Tj. Si esta temperatura aumenta disminuye la capacidad de soportar dv/dt. Si el triac supera la mxima dv/dt permitida por el dispositivo, es probable ,tambin, que sufra falsos disparos. La manera ms comn para mitigar este problema es con el uso de una red RC de amortiguacin. Estas redes se las conoce como red snubber. Esta deber estar entre los terminales MT1-MT2 para limitar el valor de cambio de voltaje. Los valores comunes son: resistencia de 100 Ohm elegida por su manejo de corriente y un capacitor de 100nF. o

ctodo. Una red snubber es aconsejable para la compuerta. La alternativa de

Ntese que la resistencia de la red snubber nunca debe omitirse, porque si as fuere cuando el triac se dispare, pueda sufrir daos, debido a el dispositivo puede superar el valor mximo de di/dt permitido al descargarse el capacitor entre los bornes MT1 y MT2 sin limitacin de corriente.

(b) Excediendo el valor permitido de di/dt Altas di/dt son causadas por cargas altamente inductivas, alta frecuencia de lnea u onda no senoidal de corriente de carga. Una causa bien conocida de corrientes de carga no senoidales y de di/dt un rectificador que alimenta una carga inductiva. Esto puede generalmente implicar una conmutacin fallada en un triac comn. Como la tensin de alimentacin baja mas, el EMF la corriente de la carga y de el triac baja rpidamente a cero.

El efecto de esto se muestra en la Figura 7.

Durante la condicin de corriente cero por el triac, la corriente de carga ser transiente sobre el circuito rectificador. Las cargas de esta naturaleza pueden generar di/dt tan altas que el triac no puede soportar una leve dv/dt realimentada de 50 Hz que sube desde cero Volt. En este caso no trae ningn beneficio poner una red snubber, ya que el problema no es la dv/dt. La di/dt tendr que ser limitada agregando una inductancia de algunos mH en serie con la carga. (d) Excediendo el valor permitido de dv/dt Si se produce un cambio de tensin muy alto a travs de un triac bloqueado (o el tiristor sensible de puerta en particular) sin exceder su VDRM (en Figura. 8), debido a capacidad interna puede circular corriente suficiente para activar al triac. Esta condicin se ve magnificada por el aumento de la temperatura. Cuando ocurre este problema, la dv/dt debe ser limitada por una red snubber entre sus terminales MT1 y MT2 (o nodo y ctodo, para el caso del tiristor). La utilizacin de Hi-com triacs ,en este caso ,puede ser beneficioso.

e) Excediendo el valor permitido de VDRM (Tensin mxima repetitiva de trabajo

) Si el voltaje de MT2 excede VDRM, tal como podra ocurrir durante un severo y anormal transiente de lnea, la corriente de fuga entre los terminales MT2 y MT1, podr hacer que el dispositivo pase al estado de conduccin. Esto se ve en la Figura 9. Si la carga permite que un alto incremento de corriente fluya hacia la misma, la densidad de corriente dentro de la pastilla del semiconductor puede hacer que se forme un "punto caliente", estos puntos van destruyendo las caractersticas del triac (o tiristor), hasta su destruccin total del mismo. Las lmparas incandescentes, cargas capacitivas y protecciones del tipo crowbar son circuitos que frecuentemente ocasionan estos inconvenientes.

El encendido por superacin de VDRM no es necesariamente la amenaza principal a su seguridad. S, lo es, la di/dt que le sigue. Esta si es muy probable que pueda ocasionar el dao. ,debido al tiempo requerido para que la conduccin sea generalizada en toda la Juntura 5 REGLA. Cuando ocurran altas dvD/dt o dvCOM /dt es probable que causen problemas. Una solucin es la colocacin de una red snubber entre los terminales MT1 y MT2. Del mismo modo, cuando altas di/dt son probables causas del problema, la colocacin de un inductor de algunos mH en serie con la carga mitiga el problema. El uso de Hi-com Triacs es una solucin alternativa para ambos casos. . El valor permitido de di/dt en estas condiciones, es inferior al que se produce si el triac es encendido correctamente por una seal de compuerta. Si de alguna manera se puede proteger al triac para que la di/dt no sobrepase este valor( dado en los manuales de datos del dispositivo), es muy probable que el Triac o tiristor en cuestin sobreviva. Esto podra lograrse adaptando un inductor no saturable (ncleo de aire), de algunos uH en serie con la carga. Si la solucin anteriormente es inaceptable o poco prctica, una solucin alternativa sera proveer un filtro adicional y clamping para impedir que los picos de tensin alcancen los bornes del semiconductor. Esto involucrara probablemente el uso de un Varistor (de Oxido Metlico- MOV) como un limitador de los picos de voltaje de la lnea de alimentacin , en serie con la inductancia seguida por el paralelo del capacitor y MOV. Las dudas han sido expresadas por algunos fabricantes sobre la confiabilidad de circuitos que usan MOVS, debido principalmente que en temperaturas ambientales altas, las caractersticas de los mismos fallan catastrficamente. Esto se debe al hecho que su voltaje activo posee un coeficiente de temperatura negativo. Sin embargo, si el grado recomendado de voltaje de 275V RMS se usa para 220V de tensin de alimentacin, el riesgo de que el MOV falle, debera ser insignificante. Los tales fracasos son ms probables si MOVS de Vn = 250V RMS se usan, son utilizados para 220 VAC, a temperaturas ambiente potencialmente altas.

Encendido diT/dt Cuando un triac o SCR es disparado por el mtodo correcto, esto es va compuerta, la conduccin comienza en el rea adyacente a la compuerta, entonces rpidamente se esparce para cubrir el rea activa entera. Esta demora de tiempo impone un lmite sobre el valor permisible de incremento por unidad de tiempo de la corriente de carga. En otras palabras estamos hablando de la di/dt que es la causa de "puntos calientes" dentro de la juntura. Estos puntos son fusiones, lo cual lleva en un corto tiempo a un corto circuito entre los terminales MT1 y MT2. Si el disparo es en el 3 cuadrante, un mecanismo adicional reduce la di/dt permitida. Es posible momentneamente tomar la puerta en la avalancha inversa durante el rpido incremento inicial de corriente. Esto no llevar a la destruccin inmediata sino que habra progresivos puntos calientes en la juntura compuerta - MT1 (dados como disminucin de la resistencia efectiva), despus de la exposicin repetida a estos procesos. Esto dara lugar a un aumento de la IGT hasta que el triac no podr ser mas disparado. Los triacs sensibles son probablemente los ms susceptibles.

6 REGLA. Si la tensin VDRM del triac es probablemente superada, por transitorios de lnea se pueden adoptar las siguientes medidas: inductancia no saturable de algunos mH en serie con la carga.

la alimentacin. La capacidad de soportar di/dt es a fectada por cuan rpido aumenta la corriente de compuerta (diG/dt) y el valor pico de I . Un alto valor de diG/dt y de IG(sin exceder las caractersticas de compuerta), dan como resultado un mayor capacidad de absorber diT/dt. Como se ha mencionado, una carga comn con una corriente alta inicial es la lmpara incandescente que tiene una resistencia de filamento fra muy baja. Para cargas resistivas tal como esta, la diT/dt estara a su ms alto valor si la conduccin comienza en el pico de la senoidal de la tensin de alimentacin. Si es probable que la corriente exceda la caracterstica de di/dt del triac adoptado, se debe limitar esta di/dt con la inclusin de un inductor de unos mH

o con un termistor de Coeficiente Negativo de Temperatura con la carga, de forma de que con la carga fra el ngulo de disparo sea grande (<Vef). Nuevamente, el inductor no debe saturarse durante el pico de corriente mximo. Si lo hace, su inductancia se derrumbara y no limitara ms la diT/dt. Un inductor de ncleo de aire es aceptado para este requerimiento. Una solucin ms elegante que puede evitar el requerimiento de un limitador de corriente en serie dispositivo estara en usar el disparo en el cruce por cero. Esto permitira a la corriente comenzar a crecer mas gradualmente, desde el comienzo de la onda senoidal. NOTA: Es importante recodar que el disparo por el cruce de cero es nicamente aplicable sobre cargas resistivas. Usar el mismo mtodo para cargas inductivas donde hay desfasaje entre el voltaje y la corriente puede ocasionar conducciones en media onda o unipolares, conduciendo a la saturacin de las cargas reactivas, produciendo recalentamientos y corrientes de pico mayores y posibles destrucciones. Ms avanz el control y en la actualidad se da el disparo por corriente cero o disparo de ngulo variable como requiere en este caso. Apagado Desde que apareci en el mercado el triac se usa en los circuitos de Corriente Alterna, ellos conmutan naturalmente al final de cada ciclo medio de corriente de la carga a menos que una seal de puerta se aplique en el inicio del siguiente hemiciclo para mantener conduccin. Las reglas para IH son al igual que para el tiristor. Vea la Regla 2. Hi-Com triac El triac Hi-Com tiene una construccin interna diferente al triac convencional. Una de las diferencias es que las dos mitades de tiristor "son bien separadas para reducir la influencia que ellos tienen sobre el uno al otro. Esto ha rendido varios beneficios:

1- Ms alto dVCOM/dt. Esto los permite controlar cargas reactivas sin la necesidad que una red snubber en la mayora de los casos, mientras todava evite la falla de conmutacin. Esto reduce la cantidad de componentes, baja los costos y elimina disipacin de potencia de la red snubber.

7 REGLA . Un buen circuito de disparo y evitar los disparos en el 3 cuadrantes mejora notablemente la capacidad de absorcin de diT/dt

8 REGLA . Si la diT/dt se espera superar un inducto r de ncleo de aire de algunos mH o una termistor NTC debe ser colocado en serie con la carga, o en el circuito de control (este ltimo circuito de disparo). Una alternativa puede ser el empleo de circuitos de disparo por cruce por cero para cargas resistivas.

2- Ms alto dICOM/dt. Esto drsticamente mejora las oportunidades de conmutar a frecuencia mas alta o seales no senoidales, sin la necesidad de un limitador de diCOM/dt (inductor en serie con la carga). 3- Ms alta dvD/dt. El Triacs llega a ser ms sensible a temperaturas activas altas. La mayor capacidad de dvT/dt del triac Hi-com reduce su tendencia a disparos aleatorios producidos por dv/dt, cuando el dispositivo esta a una alta temperatura. Esto los habilita a ser utilizados en aplicaciones de alta temperatura, como control de cargas resistivas como: hornos elctricos, cocinas elctricas, donde el uso de triacs comunes se dificulta por su temperatura de entorno. La construccin interna diferente tambin significa, que el disparo en el 3 cuadrante no es posible. Esto no debera ser un problema en la gran mayora de los casos porque este es el el cuadrante en el cual no debera dispararse un triac, o sea que es conveniente en reemplazo de un triac convencional por uno Hi-com. Siempre que sea posible. Diac: Fundamentos Bsicos El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para Disparar T r i a c s y Tiristor es (es un dispositivo disparado por tensin). Tiene dos terminales: A1 y A2. Ver el diagrama.

FIG-10: Representacin de un Diac y estructura interna

Fundamentos Bsicos del DIAC

El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en paralelo, pero orientados en formas opuestas. La conduccin se da cuando se ha superado el valor de tensin del zener que est conectado en sentido opuesto. El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga. La conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza. Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control depoten cia mediante control de fase. Es un componente electrnico que est preparado para conducir en los dos sentidos de sus terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su tensin de cebado o de disparo (30v aproximadamente, dependiendo del modelo). Hasta que la tensin aplicada entre sus extremos supera la tensin de disparo VBO; la intensidad que circula por el componente Ees muy pequea. Al superar dicha tensin la corriente aumenta bruscamente y disminuyendo, como consecuencia, la tensin anterior. La

aplicacin ms conocida de este componente es el control de un triac para regular la potencia de una carga. 2.-)Funcionamiento:

Un diac es un elemento semiconductor utilizado normalmente en el control de potencia, lo que significa que servir para controlar electrnicamente el paso de corriente elctrica. La palabra diac quiere decir Diodo de Corri ente Alterna. Este componente es simtrico, por lo que se podr conectar indistintamente en cualquiera de los dos sentidos posibles. Dicho componente cuenta con dos patillas de conexin. El diac es un componente simtrico porque est formado por dos diodos conectados en paralelo y en contraposicin, por lo que cada uno de ellos permitir el paso de corriente de cada uno de los semiciclos de la corriente alterna a que se le somete. Para que un diac comience a funcionar, necesitar que se le apliquen entre sus bornes una tensin determinada, momento despus del cual empezar a trabajar. La tensin mnima necesaria se denomina tensin de disparo. Dicha tensin de disparo ser aproximadamente de 30 V. Normalmente, este tipo de componentes se emplean para controlar el disparo de tipo de componentes, como lo son los tiristores y, fundamentalmente, para el disparo de Triacs. Fundamentos Bsicos del DIAC 3.-) Principio de operacin y curva caracterstica: La operacin del DIAC consiste fundamentalmente en llevar la estructura NPN hasta un voltaje de ruptura equivalente al BVCEO del transistor bipolar. Debido a la simetra de construccin de este dispositivo, la ruptura puede ser en ambas direcciones y debe procurarse que sea la misma magnitud de voltaje. Una vez que el dispositivo empieza a conducir corriente sucede un decremento en el voltaje de ruptura BVCEO, presentando una regin de impedancia negativa (si se sigue aumentando la corriente puede llegar hasta la segunda ruptura), entonces se logra que el dispositivo maneje corrientes muy grandes.

Figura 11.- Curva caracterstica del DIAC

TRANSITOR MONOUNION (UJT) El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de disparo en los SCR. En la fig.10 se muestra un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs en cd, se carga el capacitor C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo que el voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a travs de RB1 a una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga. El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para

activar el SCR. El periodo de oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y est dado por: T = 1/f = RC ln 1/1-n

Fig.12.- Circuito bsico de disparo de un UJT

TRANSISTOR MONOUNIN PROGRAMABLE El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor que aparece en la fig.11. Un PUT se puede utilizar como un oscilador de relajacin, tal y como se muestra en la fig.7b. El voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentacin mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y determina el voltaje de punto de pico Vp. En el caso del UJT, Vp est fijo para un dispositivo por el voltaje de alimentacin de cd, pero en un PUT puede variar al modificar al modificar el valor del divisor resistivo R! y R2. Si el voltaje del nodo VA es menor que el voltaje de compuerta VG, le dispositivo se conservar en su estado inactivo, pero si el voltaje de nodo excede al de compuerta en una cada de voltaje de diodo VD, se alcanzar el punto de pico y el dispositivo se activar. La corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentacin en cd Vs. N general Rk est limitado a un valor por debajo de 100 Ohms.

R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2. El periodo de oscilacin T est dado en forma aproximada por: T = 1/f = RC lnVs/Vs-Vp = RC ln (1+R2/R1)

Fig.13.- Circuito de disparo para un PUT y simbologa Diodo Shockley

FIG- 14.- Smbolo del diodo Shockley.

FIG-15.-

Grfica V-I del diodo Shockley

Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor. La caracterstica V-I se muestra en la figura 15. La regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar V s , tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih , corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A). Vrb es la tensin inversa de avalancha. Este dispositivo fue desarrollado por W. Shockley tras abandonar los Laboratorios Bell y fundar Shockley Semiconductor. Fueron fabricados por Clevite-Shockley