Materiales semiconductores intrnsecos y extrnsecos.

Polarizacin directa de un diodo En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de

valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera. De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final. Polarizacin inversa de un diodo En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos. Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable.

Importancia en la vida diaria Los semiconductores son una parte importante de tu vida diaria en el ao 2011, informa el Departamento de Ciencia de los Materiales e Ingeniera de la Universidad de Illinois UrbanaChampaign, ya que se utilizan en la creacin de dispositivos electrnicos comunes. Los semiconductores son una parte de los televisores, equipos de diagnstico mdico eficiente, videojuegos, computadoras y radios. Aunque algunos de estos dispositivos electrnicos que se podan conseguir con la tecnologa de tubo de vaco, no seran tan fiables, compactos o rpidos. Sin la presencia de los semiconductores en dispositivos electrnicos comunes, tu vida sera ms difcil. Usos Los semiconductores se usan en una variedad de productos, nota HistoryKing.com. El silicio es la sustancia ms utilizada en los semiconductores, se utiliza en diodos y transistores. Las placas de circuitos, componentes informticos, galgas extensiomtricas, detectores de radiacin y sensores de fotos tambin utilizan semiconductores de silicio. Hay dos elementales, as como los semiconductores compuestos en el mercado. Los semiconductores de silicio son semiconductores elementales. Los semiconductores compuestos se utilizan en dispositivos como pantallas LED, donde hay inclusin permite la visualizacin de una multitud de colores, que los semiconductores elementales no son capaces de crear. Ventajas y Desventajas Los semiconductores orgnicos ofrecen varias ventajas: Ligeros: de fcil portabilidad Flexibilidad: menos frgiles que los semiconductores inorgnicos que se depositan sobre sustratos rgidos y planos. La facilidad de fabricacin y ensamblaje: los semiconductores son en general fciles y econmicos de fabricar en el laboratorio. La ingeniera qumica puede desarrollar molculas que se autoensamblen. Estos mtodos de fabricacin contrastan con el proceso de fabricacin ms difcil y costoso de las tecnologas inorgnicas; calentar a temperaturas muy altas, por ejemplo. Esta tecnologa tambin presenta algunas limitaciones: Tiempo de vida: La vida til de los dispositivos orgnicos es inferior a los tradicionales LCD. Esto es debido a la decoloracin (bleachingen ingls) de las molculas orgnicas que emiten luz de color. Desechables: La industria de semiconductores orgnicos considera, debido a su bajo costo y facilidad de fabricacin, la posibilidad de fabricar dispositivos electrnicos desechables. Hay dudas acerca del aspecto ecolgico de esta fabricacin. Tipos de Diodos.Diodo Zener: Al diodo Zener, tambin llamado diodo regulador de tensin, podemos definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene la caracterstica de un diodo normal cuando trabaja en sentido directo, es decir, en sentido de paso; pero en sentido inverso, y para una corriente inversa superior a un determinado valor, presenta una tensin de valor constante. Este fenmeno de tensin constante en el sentido inverso convierte a los diodos de Zener en dispositivos excepcionalmente tiles para obtener una tensin relativamente invisible a las variaciones de la tensin de alimentacin, es decir, como dispositivos reguladores de tensin.

Diodo Varactor (Varicap): Este diodo, tambin llamado diodo de capacidad variable, es, en esencia, un diodo semiconductor cuya caracterstica principal es la de obtener una capacidad que depende de la tensin inversa a l aplicada. Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisin y los de receptores de radio en FM. Representacin en Circuito

Smbolo Grfica del Diodo

Diodo Tnel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto rpidamente al observar su curva caracterstica, la cual se ve en el grfico. En lo que respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero en el sentido de paso ofrece unas variantes segn la tensin que se le somete. La intensidad de la corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensin hasta llegar a la cresta (C) desde donde, al recibir mayor tensin, se produce una prdida de intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuado se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensin.

Smbolo

Representacin en circuito

Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su

construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad. Diodo ideal.El diodo ideal conduce en sentido directo sin ninguna cada de tensin, ni por umbral, ni debida a su resistencia directa que no la tiene. En sentido indirecto no conduce nada, es un aislante perfecto. en que afecta la temperatura en los dispositivos semiconductores? Aumenta la conductividad al producirse espontneamente pares electrn-hueco. Los electrones de la banda de valencia al aumentar la temperatura pueden adquirir la energa suficiente para saltar a la banda de conduccin. Al existir mayor nmero de electrones/huecos, aumenta la capacidad para transmitir una corriente elctrica. Regin Zener. Aunque la escala de la figura 2.5 se encuentra en mltiplos de diez voltios en la regin negativa, existe un punto en el cual la aplicacin de un voltaje demasiado negativo dar como resultado un agudo cambio en las caractersticas como se muestra en la figura 2.6.

La intensidad aumenta a una velocidad muy rpida en una direccin opuesta a aquella de la regin del voltaje positivo. El potencial de polarizacin inversa que da como resultado este cambio muy drstico de las caractersticas se llama potencial Zener y tiene como smbolo VZ . La regin Zener del diodo descrito debe evitarse si la respuesta de un sistema no debe ser alterada completamente por el severo cambio de las caractersticas de esta regin del voltaje inverso. El mximo potencial de polarizacin inversa que puede ser aplicado antes de entrar en la regin Zener se conoce como tensin de pico inversa (PIV - Peak Inverse Voltage) o (PRV Peak Reverse Voltage). Figura 2.6 Si una aplicacin requiere un PIV mayor que el de una sola unidad, se deben conectar en serie un cierto nmero de diodos de la misma caracterstica. Los diodo tambien pueden conectarse en paralelo para aumentar la capacidad de transporte de intensidad. Electroluminiscencia

La Electroluminescencia es un fenmeno ptico y elctrico en el cual un material emite luz en respuesta a una corriente elctrica que fluye a travs de l, o por causa de la fuerza de un campo elctrico. Debe distinguirse de la emisin de luz por causa de la temperatura (incandescencia), por causa de la accin de productos qumicos (quimioluminiscencia) o de otros fenmenos que tambin pueden generar luz. Diodos de silicio La construccin de un diodo de silicio comienza con silicio purificado. Cada lado del diodo se implanta con impurezas (boro en el lado del nodo y arsnico o fsforo en el lado del ctodo), y la articulacin donde las impurezas se unen se llama la "unin pn". Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarizacin directa de 0,7 voltios. Una vez que el diferencial de voltaje entre el nodo y el ctodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezar a conducir la corriente elctrica a travs de su unin pn. Cuando el diferencial de voltaje cae a menos de 0,7 voltios, la unin pn detendr la conduccin de la corriente elctrica, y el diodo dejar de funcionar como una va elctrica. Debido a que el silicio es relativamente fcil y barato de obtener y procesar, los diodos de silicio son ms frecuentes que los diodos de germanio. Diodos de germanio Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los diodos de silicio. Los diodos de germanio tambin utilizan una unin pn y se implantan con las mismas impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo los diodos de germanio, tienen una tensin de polarizacin directa de 0,3 voltios. El germanio es un material poco comn que se encuentra generalmente junto con depsitos de cobre, de plomo o de plata. Debido a su rareza, el germanio es ms caro, por lo que los diodos de germanio son ms difciles de encontrar (y a veces ms caros) que los diodos de silicio.