Medici on de la Resistividad Espec ca de una Muestra Plana Aplicando el M etodo de Van der Pauw

Resumen
El prop osito de este trabajo es llevar acabo la comprobaci on del m etodo de van der Pauw como una alternativa de medir la resistividad de una muestra plana y homog enea en espesor, para ello se utiliz o dos muestras de formas diferentes (circular y rectangular) de un mismo material.

Introducci on
La resistividad espec ca de un material conductor se puede medir usando diferentes t ecnicas, cada una de ellas depende de diferentes requerimientos, entre ellas tenemos:

M etodo b asico
el modo mas com un de encontrar la resistividad de un material conductor es usar una muestra rectangular de dimensiones conocidas, la resistividad viene dada por la expresi on = RA/L donde L es la longitud, A la secci on transversal y R la resistencia de la muestra. Una desventaja del m etodo b asico es que tambi en incluir a un t ermino de resistencia de contacto, que para semiconductores puede ser apreciable.

M etodo de dos Puntas

El efecto de la resistencia de contacto puede ser eliminado por uso de la prueba de dos puntos si la secci on transversal del esp ecimen es relativamente uniforme. Las restricciones en la medida son que la corriente debe permanecer sucientemente baja para prevenir el calentamiento de la muestra, el volt metro debe tener una alta impedancia de entrada y las mediciones deber an ser hechas sucientemente lejos de los contactos. Si se tiene una distribuci on de la cantidad dV /dx a lo largo de la muestra la resistividad puede ser calculada aplicando 1

dV on transversal, I la corriente, la siguiente relaci on = A I dx donde A es la secci V la diferencia de potencial y x la distancia a lo largo de la supercie [1]

M etodo de cuatro puntas

En la industria de los semiconductores la t ecnica generalmente m as usada para medir la resistividad es la t ecnica de cuatro puntas. Este m etodo es normalmente no destructivo, sin embargo, los puntos de prueba pueden da nar ciertos materiales semiconductores cuando la presi on de prueba es excesiva. La geometr a usual es colocar los puntos de prueba en una l nea con igual espaciado. La corriente debe pasar a trav es de las dos puntas exteriores y el potencial se debe medir en (V /I ) las otras dos puntas. La relaci on general es = 1/S1 +1/S3 12 /(S1 +S2 )1/(S2 +S3 ) donde Si es el espaciamiento de las puntas, V diferencia de potencial y I corriente. Esto se puede reducir a = 2SV /I si se toman los espaciamientos iguales [1]. Un m etodo no destructivo y valido para muestras conductoras de forma arbitraria es el m etodo de Van der Pauw el cual se describir a a continuaci on

M etodo de Van der Pauw

Este m etodo permite determinar la resistividad espec ca de una muestra plana de forma arbitraria, mientras las siguientes condiciones sean satisfechas [2]: a) Los contactos deben estar en el per metro de la muestra. b) Los contactos deben ser lo sucientemente peque nos. c) La muestra debe ser homog enea en espesor. d) La supercie de la muestra est a conectada singularmente, es decir, la muestra no debe tener huecos.

Teorema que se cumple para una muestra plana de forma arbitraria

Consideremos una muestra plana de un material conductor de forma arbitraria con los contactos sucesivos A,B ,C y D colocados en lugares arbitrarios a lo largo de la periferia, de tal forma que las condiciones antes mencionadas (a) hasta (d) sean satisfechas (ver g. 1). Denimos la resistencia RAB,CD como la diferencia de potencial entre los contactos D y C por unidad de corriente a trav es de los contactos A y B . La corriente ingresa a la muestra a trav es del contacto A y sale a trav es del contacto B (ver g. 1). Similarmente, denimos la resistencia RBC,DA . Se demuestra que la siguiente relaci on cumple: e(RAB,CD d/) + e(RBC,DA d/) = 1 (1)

donde es la resistencia espec ca del material y d es el espesor de la muestra. Para probar la ecuaci on (1) deber amos demostrar primero que se cumple para una forma particular de la muestra. El segundo paso es probar que, si se

Figura 1: Una muestra de forma arbitraria con cuatro contactos peque nos colocados arbitrariamente a lo largo del per metro de la muestra y las equivalencias respectivas de y . cumple para una forma particular, se cumplir a para una forma cualquiera. Nuestra forma particular a elegir ser a un semiconductor plano con contactos P ,Q,R y S a lo largo de su frontera, espaciados las distancias a,b y c respectivamente (ver g.2). Una corriente ingresa a la muestra por el contacto P y sale a trav es del contacto Q. De la teor a elemental se sigue que VS VR = Por lo tanto, RP Q,RS = De la misma forma, tenemos RQR,SP = Por otro lado, b(a + b + c) + ca = (a + b)(b + c) (4) (a + b)(b + c) ln d ca (3) (a + b)(b + c) ln d b(a + b + c) (2) j (a + b)(b + c) ln d b(a + b + c)

De las ecuaciones (2), (3) y (4), la ecuaci on (1) queda demostrada inmediatamente. Usando los mismos argumentos se puede tambi en demostrar que RP Q,RS = RRS,P Q RQR,SP = RSP,QR (5) (6)

Figura 2: Una muestra en forma de un plano semi-innito con cuatro contactos a lo largo de su frontera para el cual la ecuaci on (1) es probada primero.

RP R,QS = RQS,P R RP Q,SR + RQR,SP + RP R,QS = 0

(7) (8)

Las u ltimas cuatro relaciones, sin embargo, son de una naturaleza mucho m as general que (1) y se sigue del teorema de reciprocidad de multipolos pasivos. Ahora procederemos con el segundo paso y mostrar que la ecuaci on (1) se cumple de manera m as general. Para este n hacemos uso de la bien conocida t ecnica del mapeo conformal1 de campos bidimensionales. Asumiendo que la muestra semi-innita considerada anteriormente coincide con la parte superior del plano z complejo, donde z = x + iy . Introducimos una funci on w = f (z ) = u(x, y ) + iv (x; y ), donde u y v son ambas funciones de x y y . La funci on f (z ) es elegida de modo tal que representa el campo del potencial en la muestra. Las funciones u y v satisfacen las relaciones de Cauchy-Riemann: u v = x y u v = y x (9) (10)

si ahora nos movemos de un punto arbitrario T1 en la parte superior del semiplano a otro punto T2 en la misma parte superior del semiplano (ver g.3), la corriente neta que atraviesa nuestra ruta de derecha a izquierda est a dada por
1 La demostraci on matem atica del teorema de mapeo conformal est a deducido en el libro P. Henrici,Applied and Computational Complex Analysis, Vol.1, Wiley, New-York, 1974., y la apolicacion de la parte sica se puede ver en el paper Jonas Aleiza, Mifodijus Sapagovas, Vytautas aleiza; The Extensi on of the Van der Pauw Method to Anisotropic Media, noviembre del 2006

Figura 3: La misma muestra que en la g.2, coincidiendo con la parte superior del plano- complejo.

jT1 ,T2 =

T2

En ds
T1

donde es la componente normal del campo de fuerza. Rapidamente se puede vericar que esta expresi on es igual a jT1 ,T2 = d
T2

(
T1

u u d dx + dy ) = y x

T2

(
T1

v v d dx + dy ) = (vT2 vT1 ) x y

Por lo tanto, si nos movemos a lo largo del eje real desde hasta + el valor de v permanece constante hasta llegar al punto P . Al pasar el punto P a lo largo de un semi c rculo peque no en la parte superior del semiplano, el valor de aumentar a en j/d. Similarmente, al pasar por el punto Q, el valor de v decaer a en j/d. Consideremos ahora una muestra de forma arbitraria que descansa en un plano complejo diferente que llamaremos el plano t (ver g.4), donde t = r + is. Siempre es posible encontrar una funci on anal tica t(z ) tal que la parte superior del semiplano en el plano z es mapeada sobre la muestra en el plano t. Hay algunas restricciones en cuanto a la forma de la muestra en el plano t, las cuales, sin embargo, no son de inter es f sico. En particular, sean A,B ,C y D en el plano t, las im agenes de los puntos P ,Q,R y S , respectivamente, en el plano z . Adem as, sea k (t) = l + im id entica con f (z ) = f (z (t)) = k (t). De aqu , por denici on m permanece constante cuando viaja en direcci on contraria a las agujas del reloj a lo largo de la frontera de la muestra en el plano t; aumenta solamente en j/d al pasar por el punto A y disminuye en la misma cantidad cuando pasa por el punto B . La demostraci on matem atica del teorema de mapeo conformal est a deducido en el libro P. Henrici,Applied and Computational Complex Analysis, Vol.1, Wiley, New-York, 1974., y la apolicacion de la parte sica se puede ver en el paper Jonas Aleiza, Mifodijus Sapagovas, Vytautas aleiza; The Extensi on of the Van der Pauw Method to Anisotropic Media, noviembre del 2006 5

Figura 4: Una muestra de forma arbitraria, descansando en el plano-t complejo. De la teor a del mapeo conformal se sigue que si m en el plano t es interpretado en el mismo modo que v en el plano z , entonces l representar a el campo del potencial en el plano t. Consecuentemente, si una corriente j ingresa a la muestra por el contacto A y sale a trav es del contacto B , y luego elegimos j /d = j/d, donde y d son la resistividad espec ca y el espesor de la muestra en el plano t, entonces la diferencia de voltaje VD VC ser a igual a la diferencia de voltaje VS VR . Por tanto, (d/)RAB,CD es invariante bajo la transformaci on conformal. Del mismo se cumple para (d/)RBC,DA . De esto se sigue que la ecuaci on (1) es de validez general.

Parte Experimental
Satisfechas las condiciones antes mencionadas que precisa la realizaci on del m etodo de van der Pauw, el procedimiento experimental a seguir requiere la obtenci on de datos medidos de VC VD , IAB , VA VD e IBC . En la realizaci on del experimento se usaron como muestras planas una de forma circular y otra de forma rectangular. El esquema del circuito se muestra en la g. 5.

C alculos y resultados
Se realizaron medidas correspondientes para para una muestra plana de forma circular con un espesor (d=2.6mm) y una muestra plana de forma rectangular con un espesor (d=3.1mm) Reemplazando correlativamente los datos en la ecuaci on (1), se obtienen, con ayuda de matlab, las soluciones correspondientes. En realidad, las ecuaciones que preceden a estas soluciones son planteadas anal ticamente en la forma 6

Figura 5: Ubicaci on de los dispositivos de medici on en la muestra

f () = e(RAB,CD d/) + e(RBC,DA d/) 1 = 0 Luego, las intersecciones con el eje horizontal que se derivan del m etodo gr aco en f () vs arrojan las soluciones buscadas. Obtenida las soluciones de resistividad para ambos tipos de muestras En las guras 5 y 6 se muestran los histogramas de las soluciones correspondientes a las muestras circular y cuadrada, respectivamente. Asimismo, en ambas guras se puede apreciar una curva gausseana en la que se proporciona informaci on de la media y la desviaci on est andar de la distribuci on de soluciones correspondientes. Luego, seg un lo obtenido en las guras 5 y 6, tenemos media () en ( m) Desviacion estandar ( ) en ( m) muestra circular 1.06480 105 0.02744 105 5 muestra rectangular 1.14241 10 0.02835 105 Para la muestra circular, la desviaci on est andar representa el 2.58% respecto de la media, mientras que para la muestra rectangular es el 2.48%. De acuerdo al m etodo general de propagaci on de errores, el valor estimado de la resistividad de la muestra esta dada por = 1.10361 105 ( m), con desviaci on est andar = 0.03945 105 ( m), la cual representa el 3.58% de su valor medio.

Figure 6: Histograma de las soluciones de la muestra circular

Figure 7: Histograma de las soluciones de la muestra cuadrada

Discusi on
Las condiciones que requiere la aplicaci on del m etodo de van der Pauw para medir la resistividad espec ca de muestras planas de forma arbitraria, la obtenci on de cuatro contactos sucientemente peque nos sobre la periferia de la muestra represent o la principal dicultad en la realizaci on del m etodo. El m etodo debe evitar el efecto de contacto pobre que puede derivar en errores en las lecturas de corriente y voltaje. Asimismo, dado que los contactos se realizan con pintura de nitrato de plata, se debe evitar que la inyecci on de este u ltimo en las zonas de contacto llegue a ser excesivo. Por otro lado, los otros requerimientos del m etodo de van der Pauw est an m as relacionados con la preparaci on de la muestra plana, los cuales en la realizaci on del experimento no han constituido gran dicultad. Por tanto, son requerimientos que no representan las principales contribuciones al error en la medida. Otros aspectos a ser considerados, que inuyen directamente en el error de la medida, son la temperatura y humedad del medio ambiente.

Conclusiones
Se ha vericado que el m etodo de van der Pauw representa una t ecnica apropiada para la obtenci on de la resistividad espec ca de muestras planas conductoras de forma arbitraria. Se obtuvo que la resistividad de la muestra trabajada a temperatura ambiente (T = 20C ) es = 1.10361 105 ( m) la cual comparada con tablas de resistividad no corresponde al grato tal como se supuso al inicio

Referencias
[1] WR Runyan, Semiconductor Measurements and Instrumentation. mcgraw Hill, New York, 1975, and D. Schimmel and MJ Elkind [2] van der Pauw, L.J. (1958). A method of measuring specic resistivity and Hall eect of discs of arbitrary shape (PDF). Philips Research Reports 13: 1-9. van der Pauw, L.J. (1958). A method of measuring the resistivity and Hall coecient on lamellae of arbitrary shape (PDF). Philips Technical Review 20: 220-224.

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