Corrientes Internas en semiconductores

Si bien es cierto en condiciones de equilibrio tenemos una corriente cero en el semiconductor, si este es perturbado por una excitacin interna dara lugar a una conduccin de corriente.

Por lo tanto el semiconductor estara sujeto a tres tipos de casos: Arrastre Difusin Generacin Recombinacin de portadores Estos casos ocurren simultneamente en un semiconductor los cuales haciendo un anlisis se obtiene una relacin denominada ecuacin de la continuidad.

Corriente de Arrastre
En un primer anlisis un semiconductor en equilibrio tiene una carga neta igual a cero. Aunque, los portadores se mueven en forma aleatoria debido a su energa trmica. Sin campo elctrico

Al aplicar un campo elctrico E sobre un semiconductor se produce una fuerza sobre los portadores (electrones y huecos) que los acelera

Si el campo elctrico es constante la velocidad de los portadores debera incrementarse linealmente con el tiempo. Por la presencia de mecanismos de dispersin (tomos de impurezas ionizados , tomos de la red agitados trmicamente)los portadores ganan o pierden energa

Aplicando un campo elctrico

En promedio las partculas se mueven en presencia de un campo Elctrico a una velocidad de arrastre o deriva, en el mismo sentido del campo para huecos y en sentido contrario para electrones.
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Densidad de Corriente de Arrastre de portadores

Corriente por unidad de rea que circula por un semiconductor debido al desplazamiento por arrastre de los portadores,presencia de un campo elctrico. Partimos de : F = -q x E =

mn

Obtenemos Varrastre = n x E Varrastre = p x E

para electrones para huecos o lagunas

Jap = pxexVarrastre Jan = nxexVarrastre Por lo tanto Jap = p x e x p x E Jan = n x e x n x E Densidad de corriente total de arrastre Jtotal = Jap + Jan

Campos elctricos de gran magnitud

Velocidad de arrastre comparable a la v. trmica. Decrece el tiempo entre colisiones. (Reduce la movilidad)

Corriente de Difusion
La difusin es el proceso por el cual las partculas tienden a dispersarse o redistribuirse como resultado de su movimiento termico,emigrando desde regiones de alta concentracin hasta regiones de baja concentracin. Analoga : Pinsese en un frasco de perfume abierto y colocado en un rincn del aula. Incluso sin corrientes de aire, el movimiento errtico trmico desparramar las molculas de perfume por todo el aula en un tiempo relativamente corto. Para electrones el sentido de la velocidad de movimiento por difusin y el sentido de la corriente de difusin que es opuesto. El movimiento del electrn es opuesto al del gradiente que si se considera monodimensional, OX, la componente del gradiente es dn/dx.
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Dn , Dp son constantes de difusin de electrones y huecos cm2/seg

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Densidad de corriente total

En un semiconductor puede existir simultneamente corrientes de arrastre de electrones y huecos y corrientes de difusin de electrones y huecos. La densidad de corriente total es la suma de componentes

Relacin de Einstein
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Generacin y Recombinacin de portadores

- Generacin: Proceso donde el par electrn-hueco (e-h) es creado. - Recombinacin: Proceso donde el electrn y el hueco se juntan, aniquilando el par e-h. Semiconductor en equilibrio trmico: Cada proceso esta balanceado por el proceso inverso Semiconductor perturbado: * Un exceso o dficit de portadores es creado a partir del estado de equilibrio. * La G-R intenta restablecer el orden. Tipos de procesos G-R: G-R Banda-Banda. Centro G-R. G de portadores va ionizacin por impacto. R de portadores Auger.
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