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Un diodo es un componente que restringe la dirección del movimiento

de los portadores de la carga. Esencialmente, permite que una
corriente eléctrica fluya en una dirección, pero la bloquea en la
dirección opuesta.
Presentan:
Domínguez Barradas Norely
López Rodríguez Adriana Desiree
Ortega Cabrera Ana Luisa
Pérez Uscanga José Juan
Santiago Duran Margaret

El diodo funciona como un componente que presenta resistencia nula al

Los primeros diodos eran válvulas grandes
paso de la corriente en un determinado sentido y resistencia infinita en
en chips o tubos de vacío, también
otro sentido.
llamadas válvulas termoiónicas
constituidas por dos electrodos rodeados
El diodo se puede hacer trabajar de dos maneras diferentes:
de vacío en un tubo de cristal, con un
aspecto similar al de las lámparas
incandescentes. 1. Polarización directa
Es cuando la corriente circula del
ánodo al cátodo.

Los diodos constan de dos partes, una llamada N

y la otra llamada P, separados por una juntura
llamada barrera o unión. Esta barrera o unión es 2. Polarización inversa
de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 Es cuando la corriente del cátodo al
voltios aproximadamente en el diodo de silicio. ánodo.

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2) Diodos Rectificadores
Este tipo de diodos soportan elevadas
temperaturas, siendo su resistencia muy
baja y la corriente en tensión inversa muy
1) Diodo emisor de luz.
pequeña.
El LED es un tipo especial de
diodo, que trabaja como un
diodo común, pero que al ser
atravesado por la corriente
eléctrica, emite luz.

3) Diodo Semiconductor
El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor más sencillo y
se puede encontrar, prácticamente en cualquier circuito electrónico.

4) Diodo Zener 6) Diodo Schottky

El diodo zener es un tipo especial de
diodo, que siempre se utiliza
polarizado inversamente.
5) Fotodiodo
Son dispositivos semiconductores
construidos con una unión PN,
sensible a la incidencia de la luz
visible o infrarroja.
Se caracterizan por su velocidad de
conmutación, una baja caída de
voltaje cuando están polarizados en
directo.
(1) Resorte a presión.
(2) Contacto de oro.
(3) Silicio.
(4) Molibdeno vaporizado.
(5) Soldadura.
7) Diodos Gunn
Es un diodo que no contiene una unión sino una sucesión de tres capas de
tipo n más o menos dopadas.

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9) Diodo Tunnel
Cambia su comportamiento cada vez que se va
aumentando una tensión aplicada en sentido
directo.
Son dispositivo que controlan el flujo de una señal por medio de
una segunda señal de mucha menor intensidad. La señal de control
puede ser una señal de corriente o voltaje.

10) Diodo varactor (Varicap)

Diodo semiconductor con polarización inversa
cuya capacidad entre los terminales disminuye en
función de la tensión inversa aplicada entre sus
extremos.

Los transistores pueden dividirse en dos categorías:

categorías:
El 16 de diciembre de 1947, William Shockley, John Bardeen y
Walter Brattain construyeron el primer transistor de contacto
(metal-semiconductor) en los laboratorios Bell. Transistores de Unión Bipolar (BJT)
BJT)

Utilizo Germanio puro para un mezclador de señales a utilizarse en El transistor BJT fue el primer transistor producido en masa. Son
los radares desarrollados en la segunda guerra mundial. llamados así porque conducen utilizando tanto portadores
mayoritarios como portadores minoritarios. Es el más común de los
transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio.

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del

flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el
gráfico de cada tipo de transistor.

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El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes
nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo
siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el gráfico de
transistor.
Transistor NPN Transistor PNP
La compuerta controla el flujo de electrones al crear o eliminar un
canal entre la fuente y el drenaje.
Los electrones fluyen desde la fuente hacia el drenaje.
El cuerpo es el substrato, y muchas veces se conecta a la terminal de
mayor o menor voltaje.
El canal de un FET esta dopado para producir en FET tipo N o uno
tipo P.
El drenaje y la fuente pueden doparse de manera opuesta (aunque
no necesariamente).
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Transistores de Efecto de Campo (FET)
FET)
Es un tipo de transistor que utiliza un campo eléctrico para
controlar la forma y así la conductividad de un “canal” en un
semiconductor.
Los FET (a excepción de los JFET) tienen cuatro terminales:
• Compuerta
• Fuente
• Drenaje
• Cuerpo (en algunos casos el cuerpo se conecta a la fuente).
Tipos de FET
• MOSFET. Transistor efecto de campo metal-óxido-semiconductor.
• JFET. Transistor de efecto de campo de unión.
• MESFET. Transistor de efecto de campo metal-semiconductor .
• HEMT (High Electron Mobility Transistor). Transistor de alta
movilidad de electrones.
• MODFET (Modulation Doped Field Effect Transistor).
• IGBT. Transistor bipolar de puerta aislada .
• FREDFET. Retroceso rápido Epitaxal Diodo Transistor de Efecto
de Campo.
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Ventajas:
• Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
• Son más estables con la temperatura que los BJT.
• Son más fáciles de fabricar que los BJT pues suelen requerir menos
pasos de enmascaramiento y difusiones.
• Es posible fabricar un mayor número de dispositivos en un circuito
integrado.
Desventajas:
• Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la
alta capacitancia de entrada.
• Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
• Los FET se pueden dañar al manejarlos debido a la electricidad
estática.
CARACTERÍSTICAS

Es uno de los tipos más importantes de los dispositivos
semiconductores de potencia.

Es un elemento unidireccional; una vez aplicada la señal de
mando a la puerta, el dispositivo deja pasar una corriente que
sólo puede tener un único sentido.

Se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos de
potencia.

Se operan como conmutadores biestables, pasando de un
estado no conductor a un estado conductor.

Se puede suponer que los Tiristores son interruptores o
conmutadores ideales.
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TIRISTORES
Dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres
uniones pn tiene tres terminales: ánodo cátodo y compuerta.
Símbolo del tiristor y tres uniones pn.
Los dos terminales principales son el de ánodo y el de cátodo, y la
circulación entre ellos de corriente directa (electrones que van del cátodo
al ánodo o corriente que va de ánodo a cátodo) está controlada por un
electrodo de mando llamado "puerta“.
Activación del tiristor
Un tiristor se activa incrementando la corriente del ánodo. Esto se
puede llevar a cabo mediante una de las siguientes formas:
•TERMICA: Si la temperatura de un tiristor es alta habrá un aumento en
el número de pares electrón-hueco, lo que aumentará las corrientes de
fuga.
•LUZ: Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor,
aumentaran los pares electrón-hueco pudiéndose activar el tiristor. La
activación de tiristores por luz se logra permitiendo que esta llegue a los
discos de silicio.
•ALTO VOLTAJE: Si el voltaje directo ánodo a cátodo es mayor que el
voltaje de ruptura directo VBO, fluirá una corriente de fuga suficiente
para iniciar una activación regenerativa. Este tipo de activación puede
resultar destructiva por lo que se debe evitar.
•CORRIENTE DE COMPUERTA:S i un tiristor está polarizado en
directa, la inyección de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje
positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales del cátodo
activará al tiristor.
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Tipos de tiristores:
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusión. Para controlar el di/dt,
el tiempo de activación y el tiempo de desactivación, los fabricantes utilizan varias
estructuras de compuerta.
1. Tiristores de control de fase o de conmutación rápida (SCR): tiristor de
tres terminales, conocido también como el rectificador controlado de silicio o
SCR. Este dispositivo lo desarrolló la General Electric en 1958 y lo denominó
SCR. Se utilizan ampliamente para cambiar o rectificar aplicaciones.
2. Tiristores de desactivación por compuerta (GTO):Un tiristor GTO es un
SCR que puede apagarse por una pulsación suficientemente grande en su
compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH. Se han vuelto comunes
en las unidades de control de motores, puesto que ellos eliminaron la
necesidad de componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc.
3. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC). se comporta como dos SCR
conectados en contraposición, con una compuerta de paso común; puede ir en
cualquier dirección desde el momento en que el voltaje de ruptura se
sobrepasa.
4. Tiristores de conducción inversa (RTC): es un intercambio entre
características del dispositivo y requisitos del circuito; puede considerarse
como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado. Se conoce también
como tiristor asimétrico (ASCR). El voltaje de bloqueo directo varía de 400 a
2000v y la especificación de corriente llega hasta 500 A. El voltaje de bloqueo
inverso es típicamente 30 a 40v.
5. Tiristores de inducción estática (SITH):es activado al aplicársele un voltaje
positivo de compuerta y desactivado al aplicársele un voltaje negativo a su
compuerta. Es un dispositivo de portadores minoritarios, tiene una baja
resistencia en estado activo así como una baja caída de potencial, y se puede
fabricar con especificaciones de voltaje y corriente más altas.
6. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR): Se
activa mediante radiación directa sobre el disco de silicio provocada con luz.
Los pares electrón-hueco que se crean debido a la radiación producen la
corriente de disparo bajo la influencia de un campo eléctrico. La estructura de
compuerta se diseña a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el
disparo, a partir de fuentes luminosas prácticas

Aplicaciones.
7. Tiristores controlados por FET (FET-CTH): combina un MOSFET y Rectificación de corriente
un tiristor en paralelo. Tiene una alta velocidad de conmutación, un • carga de baterías
di/dt alto y un dv/dt alto. Se puede activar como los tiristores o soldadura
convencionales, pero no se puede desactivar mediante control de o generación de potencia a distancia
compuerta. o procesos electroquímicos
o regulación de fuentes de alimentación
8. Tiristores controlados por MOS (MCT): combina las características • Control de velocidad de motores
de un tiristor regenerativo de cuatro capas y una estructura de o máquinas herramientas
compuerta MOS. Se puede operar como dispositivo controlado por 37
compuerta, si su corriente es menor que la corriente controlable pico. o vehículos de tracción
Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores que su corriente • Sustitución de dispositivos electromecánicos
controlable pico de especificación, puede provocar la destrucción del o relés
dispositivo. o protectores de sobre carga
o graduadores de iluminación
o sistema de encendido de motores de explosión
o control de temperatura con termopares

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• Control de potencia
o radar,
o laser de impulsos
o generadores de ultrasonidos
• Circuitos lógicos
o multivibradores de potencia
o control de tiempo, contadores
o fines de carrera, detección de niveles
o circuitos de alarma
o control de alumbrado de emergencia