2.

Dispositivos semiconductores de potencia

Los sistemas de Electrnica de Potencia tienen como elementos base a los semiconductores de potencia. Para llegar a comprender, analizar y/o proponer nuevas topologas y aplicaciones es necesario conocer las caractersticas de dichos dispositivos. En este capitulo estudiaremos las caractersticas generales de dichos dispositivos, as como sus capacidades en cuanto a voltajes, corrientes y velocidades de conmutacin. Aunque en el anlisis de convertidores estticos es posible considerar a los semiconductores de potencia como interruptores ideales, el conocimiento de sus caractersticas reales nos servirn para saber hasta que punto los dispositivos pueden ser considerados ideales. Los semiconductores de potencia los podemos clasificar en 3 grandes grupos: Diodos Donde los estados de apagado y encendido son controlados por el circuito de potencia. Inician automticamente la conduccin cuando se les aplica una polarizacin directa. Tiristores Son encendidos por una seal de control pero su apagado esta determinado por el circuito de potencia. Con polarizacin directa conducen al aplicarles una seal de control y siguen conduciendo hasta que su corriente es reducida a cero. Dispositivos controlables Tanto el apagado como el encendido se lleva a cabo por seales de control. Una caracterstica comn a estos 3 tipos de semiconductores de potencia es que solo conducen corriente en un solo sentido. Se les conoce como dispositivos UNILATERALES. Al aplicarles una polarizacin inversa dejan de conducir. El proceso mediante el cual un dispositivo inicia o cesa la conduccin de una corriente se le conoce como conmutacin. Algunas definiciones tiles con respecto a la conmutacin: Conmutacin Interrupcin del flujo de corriente o transferencia hacia un camino alterno. Conmutacin natural o de lnea Debida a las variaciones de los voltajes de la lnea elctrica (voltaje AC). Auto conmutacin o conmutacin forzada Ocasionada por una inherente o artificial capacidad de apagado. Conmutacin por carga Depende de las caractersticas propias o inducidas de la carga. 2.1 Diodos de potencia

2.1.1 Introduccin El diodo de potencia se puede considerar como el elemento semiconductor de potencia ms simple. Su principio se basa en la utilizacin de una estructura semiconductora de tipo p-n. Consta de dos terminales, nodo y ctodo, y sus estados de conduccin o no conduccin estn determinados por el circuito externo de potencia.

2.1.2 Estructura bsica y caractersticas I-V La estructura prctica para un diodo en aplicaciones de potencia es mostrada en la fig. 2.1.

Fig. 2.1.

(a) - Estructura bsica de un diodo de potencia y (b) - smbolo

Esta consiste de un sustrato de tipo n altamente dopado sobre el cual se hace crecer una capa de sustrato tipo n con un grado bajo de dopaje y un espesor determinado. Finalmente la unin de tipo pn es formada por la adicin de una capa semiconductora tipo p altamente dopada la cual formara el nodo del diodo. El rea seccional del diodo vara en funcin de la corriente que deber circular por este. La caracterstica i-v del diodo es mostrada en la fig. 2.2. A notar que en la regin de conduccin directa (polarizacin directa - nodo positivo con respecto al ctodo), la corriente aumenta de manera lineal con respecto al voltaje de polarizacin, en vez de exponencialmente como es el caso de los diodos de pequea seal. Esto es debido a que las grandes corrientes en los diodos de potencia crean cadas de voltaje resistivas que esconden la caracterstica exponencial de i-v.

Fig. 2.2.

Caracterstica i-v de los diodos de potencia

En la regin de polarizacin inversa, encontramos solo una pequea corriente de fuga, la cual es independiente del voltaje inverso aplicado. Esta corriente fluir hasta que el voltaje de ruptura inverso sea alcanzado, BVBD. Cuando el voltaje de ruptura se alcanza, este parece mantenerse constante, mientras la corriente aumenta abruptamente, limitada nicamente por el circuito externo. La presencia de un alto voltaje y una alta corriente ocasionan una disipacin de potencia excesiva que puede rpidamente destruir el dispositivo. Esta condicin deber de ser evitada. 2.1.3 Perdidas de conduccin La mayora de las perdidas en un diodo ocurren durante su estado de conduccin, aunque a altas frecuencias de conmutacin las perdidas durante el paso de encendido a apagado comienzan a ser significativas. Para aplicaciones de baja potencia la cada de voltaje es considerada prcticamente como aquella de la unin pn y se le considera prcticamente constante ya que es una funcin logartmica de la corriente. Para diodos de silicio se consideran valores de entre 0.7 a 1V, y la disipacin de potencia se calcula como P = 0.7 I, donde I representa la corriente que fluye a travs del diodo. En el caso de los diodos de potencia, esta consideracin es valida nicamente para valores bajos de corriente. Para niveles elevados de corriente la cada de tensin resistiva deber de tomarse en cuenta para calcular la potencia disipada ya que son estas perdidas las que limitan las capacidades de los diodos de potencia. As, para corrientes altas la cada de voltaje en un diodo en conduccin debe considerar el voltaje de la unin pn y la cada de voltaje de tipo resistiva (Ron I). 2.1.4 Caractersticas de conmutacin El diodo de potencia necesita de un tiempo finito para pasar de un estado a otro, es decir del estado de conduccin al estado de apagado y viceversa. La duracin de este intervalo es importante, pero as mismo lo es la evolucin del voltaje y de la corriente a travs del diodo durante este intervalo de tiempo. Tanto el tiempo de transicin como las formas de onda de corriente y voltaje son determinados por las caractersticas propias del diodo y por el circuito en el cual el diodo esta siendo utilizado. La propiedades de conmutacin de los diodos son especificadas en las hojas de datos para determinadas corrientes, y sus respectivas derivadas con respecto al tiempo, di/dt . La razn de lo anterior se debe a que los diodos son a menudo utilizados en circuitos inductivos, los cuales controlan la derivada de la corriente con respecto al tiempo. Otras veces son usados como diodos d rodada libre, donde el apagado de un dispositivo de estado slido controla dicha derivada. Un patrn tpico de las caractersticas de conmutacin de un diodo se observa en la fig. 2.3.

Fig. 2.3.

Caractersticas de conmutacin de un diodo de potencia.

De especial inters son el sobre impulso de voltaje durante el encendido y la corriente inversa durante el apagado del diodo. A notar que el sobre impulso de voltaje en el encendido no se observa en diodos de pequea seal. 2.1.5 Especificaciones de la hoja de datos (hoja de datos tpica de un diodo de potencia) 2.1.6 Diodos Schottky Un diodo Schotky se obtiene al poner una pequea capa de metal directamente en contacto con un semiconductor. En general el semiconductor utilizado es de tipo n formando el ctodo y el metal el nodo. La caracterstica i-v es muy similar a la de un diodo de tipo pn, pero la cada de voltaje en conduccin es menor, en el orden de 0.3 a 0.4 V. En polarizacin inversa presenta una corriente inversa de fuga mayor que la de un diodo de silicio de unin pn. El voltaje de ruptura inverso es relativamente bajo, en el orden de 100 a 200 V. En lo concerniente a la conmutacin, los diodos Schottky son ms rpidos que sus equivalentes de unin pn. La corriente inversa observada durante el apagado puede ser

similar a la observada en diodos de tipo pn. Por otra parte, el sobre impulso de voltaje al encendido es menor. 2.2 Tiristores (SCRS)

2.2.1 Introduccin Los tiristores son unos de los semiconductores de potencia mas antiguos (1957 General Electric), y aun tienen la mas alta capacidad para el manejo de potencia. Estn formados por una estructura semiconductora de 4 capas, actuando como un interruptor con capacidad de encendido por medio de una tercera terminal (compuerta o gate), pero no pueden ser apagados por medio de una seal de control. 2.2.2 Estructura bsica y caractersticas I-V La estructura bsica comprende 4 capas semiconductoras, donde sus caractersticas varan de acuerdo a las caractersticas deseadas del dispositivo. En la fig. 2.4 se muestra una estructura tpica.

Fig. 2.4.

Estructura genrica de un tiristor

En trminos de dimensiones de la oblea de silicio utilizada, esta es de las ms grandes pudiendo llegar a los 10 cm de dimetro para un solo tiristor de alta potencia. La distribucin relativa de la compuerta y el ctodo varia dependiendo del dimetro del tiristor, la capacidad de di/dt y su velocidad de conmutacin. Las caractersticas I-V se muestran en la fig. 2.5. 9

Fig. 2.5.

Caractersticas I-V de un tiristor.

En la regin de polarizacin inversa, el tiristor se comporta muy similar a un diodo. El voltaje mximo inverso al cual puede trabajar un tiristor se le conoce como V RWM y puede tener valores hasta de 7000 V. Con polarizacin directa se tienen dos estados estables de operacin, los cuales estn conectados por una regin inestable. La primera regin estable es de baja corriente y alto voltaje, o estado de apagado, la segunda se caracteriza por una alta corriente y bajo voltaje o estado de encendido. Estas regiones se pueden apreciar en la fig. 2.5. En el estado encendido, un tiristor de potencia puede conducir corrientes en el orden de 2000 a 3000 A con una cada de voltaje de unos cuantos volts. Los parmetros ms importantes, y especificados en la hoja de datos del dispositivo son: La corriente de sostenimiento, IH Representa la corriente mnima que puede fluir por el tiristor y aun mantener al dispositivo en su estado de encendido. Voltaje de sostenimiento, VH Voltaje correspondiente a IH. (Estos dos valores representan los valores mnimos necesarios para mantener el estado de conduccin) Voltaje directo de bloqueo, VBO Es el voltaje mximo que puede soportar un tiristor antes de entrar en conduccin, con una corriente de compuerta nula. Corriente mxima de bloqueo, IBO - Es la corriente correspondiente al VBO (Si una corriente de compuerta es aplicada para valores menores a VBO, entonces el dispositivo pasara al estado de conduccin) Corriente de compuerta, IG Corriente necesaria en la compuerta para encender al tiristor.

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La corriente de compuerta necesaria para hacer conducir al tiristor no necesariamente tiene que ser una corriente sostenida, esta puede ser un pulso nicamente con una duracin determinada. Sin embargo, una vez que el tiristor entra en conduccin la seal de compuerta no puede ser empleada para llevar al tiristor al estado de apagado. La nica manera de apagar el dispositivo es haciendo que la corriente que circula a travs de este, caiga a un valor menor al de la corriente de sostenimiento, IH, durante un periodo mnimo de tiempo. Esto se logra por el circuito externo de potencia, o por circuitos especiales, conocidos como de conmutacin forzada.

2.2.3

Caractersticas de conmutacin

2.2.3.1 Transitorio de encendido y limitaciones de di/dt El encendido de un tiristor se lleva a cabo aplicando un pulso de corriente en su compuerta, mientras se tiene una polarizacin directa entre nodo y ctodo. El proceso de conmutacin de apagado a encendido se muestra en la fig. 2.6.

Fig. 2.6. Formas de onda de corriente y voltaje durante el encendido de un tiristor. En proceso de encendido se puede dividir en 3 etapas diferentes, las cuales se pueden apreciar en la fig. 2.6. En la primer etapa, inmediatamente despus de aplicar el pulso de corriente a la compuerta, existe un tiempo de retardo, t d(on), antes de que la corriente inicie su ascenso a un diF/dt constante durante la segunda etapa, t r. La derivada de la corriente en esa etapa es controlada por el circuito externo debido a los tiempos de conmutacin de otros semiconductores o limitado por las inductancias del circuito. Finalmente en la tercera

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etapa, una vez que la corriente llega a su valor final, existe un tiempo, t ps, durante el cual el voltaje entre nodo y ctodo se estabiliza a su valor final en estado de conduccin. Es importante hacer notar que la velocidad de motado de la corriente, diF/dt , debe limitarse a un valor mximo dado en las especificaciones del dispositivo. Si la corriente sube mas rpido de lo especificado, la densidad de corriente sera muy elevada. Esto podra destruir el dispositivo o provocar una falla. Esto es ocasionado por el tiempo necesario para que el flujo de corriente dentro de la estructura del dispositivo se reparta uniformemente en toda el rea semiconductora. Al inicio la densidad de corriente es muy alta sobre una pequea seccin del dispositivo, provocando un sobrecalentamiento, que puede destruir al dispositivo. Valores elevados de la corriente de compuerta durante el tiempo de retardo, t d(on), ayudan a reducir la disipacin instantnea de potencia, mejorando las capacidades de diF/dt , del dispositivo. 2.2.3.2 Transitorio de apagado, tiempo de apagado y limitaciones de dv/dt El proceso de apagado de un tiristor requiere que este sea polarizado inversamente por el circuito externo de potencia durante un periodo mnimo de tiempo. Este tiempo deber de ser mayor que el tiempo de recuperacin inversa del dispositivo (duracin del periodo de conduccin de corriente inversa durante el transitorio de apagado). 2.2.4 Mtodos para mejorar las capacidades de di/dt y dv/dt Para incrementar la capacidad de di/dt es necesario que haya una gran area del catodo conduciendo, dado que esto es lo que limita el di/dt . La manera de lograrlo es incrementando la corriente de compuerta. De preferencia se desea que el circuito de manejo de compuerta no proporcione corrientes muy elevada. Entonces esto se logra con un tiristor auxiliar, como se muestra en la fig. 2.7.

Taux Tp R1

Fig. 2.7.

Circuito para mejorar el di/dt del tiristor principal.

La mejora de dv/dt, generalmente se logra por modificaciones a la estructura de silicio.

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2.2.5

Especificaciones de la hoja de datos (Hoja de datos )

2.3 Tiristor con apagado de compuerta (GTO) 2.3.1 Introduccin Al igual que el tiristor, el GTO puede ser encendido por la aplicacin de un pulso de corriente en la compuerta. Pero a diferencia de este, e l GTO puede ser apagado aplicando un voltaje inverso entre compuerta y ctodo, lo cual inducir una corriente inversa entre estas dos terminales. Esta corriente debe permanecer el tiempo necesario para que el dispositivo conmute (tiempo de apagado), sin embargo deber tener valor elevado, normalmente 1/3 del valor de la corriente principal entre nodo y ctodo.

2.3.2 Estructura bsica y caractersticas I-V La estructura bsica del GTO consta de 4 capas semiconductoras al igual que en un tiristor convencional. Sin embargo existen algunas diferencias en cuanto a su estructura. Fig GTO1. Estas modificaciones hacen que se tenga la capacidad de apagado, por medio de la compuerta.

Fig. GTO1.

Vista de la estructura de un GTO

Las caractersticas I-V de un GTO en polarizacin directa son similares a las de un tiristor. En polarizacin inversa, la capacidad de bloqueo puede ser baja, dependiendo de la estructura utilizada. 2.3.3 Proceso de apagado El principio bsico de apagado del GTO consiste en hacer que la corriente de sostenimiento sea ms dependiente de la corriente de compuerta. La ganancia para el apagado deber de

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ser tan grande como sea posible, y evitar as grandes corrientes de compuerta para el apagado, sin comprometer demasiado otros parmetros. Esta modificacin implica que el GTO tenga una cada de voltaje mayor que un tiristor convencional. Los tiempos de apagado y de recuperacin inversa son generalmente menores que los de un tiristor convencional. 2.3.4 Caractersticas de conmutacin Dado que l os GTO son empleados en aplicaciones de media y alta potencia, los niveles de voltaje y corriente son bastante elevados. Esto hace necesario la utilizacin de circuitos de ayuda a la conmutacin ( snubbers), para mantener las derivadas de voltajes y corrientes en valores seguros. Usaremos el circuito de la fig. GTO2, para explicar el proceso de conmutacin de un GTO.

Fig. GTO2. Convertidor reductor (step-down) con GTO y circuitos de ayuda a la conmutacin tanto para el apagado como para el encendido. Adems, otros semiconductores usados en conjunto con el GTO pueden ser lentos (dados los niveles de potencia manejados). En el circuito de la fig. GTO2, el diodo Df tendr un tiempo de recuperacin inversa mayor al tiempo de subida de la corriente cuando el G TO es encendido. Sin circuito de proteccin grandes corrientes pueden circular tanto por el diodo como por el GTO debido al gran tiempo de recuperacin inversa del diodo. Cuando el GTO es apagado, la derivada del voltaje entre nodo y ctodo, dv/dt , deber limitarse a los valores especificados para evitar el re-encendido del GTO. 2.3.4.1 Transitorio de encendido Cuando el GTO esta apagado, la corriente circula por el diodo de rodada libre, Df. La conduccin del GTO inicia por la aplicacin de un pulso de corriente en la compuerta; este proceso es similar que en un tiristor. El valor de la derivada de la corriente de compuerta, diG/dt , y el valor mximo de esta corriente, IGM, debern ser suficientemente elevados para

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garantizar una reparticin equilibrada de la corriente de nodo en toda el rea del dispositivo. Esto evitara que se creen puntos aislados con disipacin de potencia elevada. La corriente elevada, IGM, deber circular hasta que el proceso de encendido se termine (por ejemplo durante 10 us). Una vez completo el proceso de encendido, es necesario que circule una corriente mnima por la compuerta, IGT, para asegurar que el GTO permanece encendido durante todo el periodo de encendido. A esta corriente se le denomina a veces backporch current . Un circuito para el manejo del GTO se muestra en la fig. GTO3

Fig. GTO3. Circuito para el manejo de un GTO El valor levado del pulso de corriente inicial se logra encendiendo los transistores TG1 y TG2. Las inductancias debern minimizase para lograr un diG/dt elevado durante el encendido. Una vez transcurrido un tiempo t w1 , la corriente de compuerta ser reducida de IGM a IGT apagando el transistor TG1. Durante el la subida de la corriente de nodo, el voltaje de entrada es compartido entre la inductancia de ayuda a la conmutacin y el GTO. Si la derivada de esta corriente es

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limitada por el valor elevado de la inductancia, entonces el voltaje a travs del GTO caer rpidamente a un valor razonablemente bajo, esto se muestra en la fig. GTO4. El sobre impulso de la corriente de nodo se debe al tiempo de recuperacin inversa del diodo.

Fig. GTO4.

Formas de onda del encendido de un GTO en un convertidor reductor y con circuitos de ayuda a la conmutacin.

2.3.4.2 Transitorio de apagado El apagado del GTO se logra aplicando un pulso negativo de corriente elevada en la compuerta. Las formas de onda caractersticas del apagado se muestran en la fig. GTO5.

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Fig. GTO5. Formas de onda del apagado del GTO en un convertidor reductor y con circuitos de ayuda a la conmutacin. El pulso de corriente negativa es obtenido por el encendido de TG3 en el circuito de la fig. GTO3. Este pulso deber de ser de valor elevado, en el orden de 1/5 a 1/3 de la corriente de nodo, pero deber de ser aplicado durante solo un pequeo periodo de tiempo. El valor de la derivada de la corriente de compuerta, diG/dt deber limitarse a los valores especificados por el fabricante. Este valor es limitado por VGG- y LG. VGG deber de ser menor que el voltaje de ruptura de la unin compuerta-ctodo. Una vez conocido VGG-, se selecciona el valor de LG para dar la derivada deseada. La corriente inversa de compuerta detiene el proceso de regeneracin y la corriente de nodo comienza a disminuir. La corriente Io-iA conmuta hacia el capacitor de ayuda al apagado Cs. Simultneamente hay un rpido incremento del voltaje a travs del GTO

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favorecido esto por la inductancia en el circuito de ayuda al apagado L. Esta inductancia deber minimizarse para mantener el sobre impulso de voltaje a niveles aceptables durante el descenso de la corriente de nodo. El tiempo de descenso de la corriente de nodo t fi termina cuando la unin compuerta-ctodo recobra su capacidad de bloqueo inverso. En este momento el voltaje compuerta-ctodo inicia su descenso hacia un valor negativo y por lo tanto el valor de la corriente inversa de compuerta disminuye. El voltaje de la inductancia LG hace que la corriente continu a circular y la unin compuerta-ctodo entra en conduccin por avalancha, operando en este momento como un diodo zener. La derivada de la corriente diG/dt en este momento es dada por: diG VGK ,rompimiento VGG = dt LG Esto determina la duracin de t w2 y es controlado por LG. Este periodo de tiempo debe limitarse a las especificaciones del dispositivo para evitar la destruccin de la unin compuerta-ctodo. Al final de t w2 una pequea corriente de nodo seguir fluyendo (tail current) y el tiempo durante el cual circula se le conoce como tahal. Durante este intervalo, el voltaje a travs del GTO crece con una derivada constante dada por: dv AK I = o dt CS En este intervalo se presentan prdidas importantes ya que su duracin es relativamente grande y el voltaje a travs del GTO elevado. El sobre impulso de voltaje observado se debe a las inductancias parsitas del circuito de potencia.

2.3.4.3

Aspectos de operacin (tiempos mnimos de encendido y apagado, Corriente mxima de nodo, proteccin contra sobre corrientes) Existen algunas otras consideraciones a observar para el funcionamiento adecuado del GTO. A continuacin resumimos algunas de ellas. Tiempos mnimos de los estados de encendido y apagado Tanto el estado de apagado como el de encendido deben tener una duracin mnima. Esto garantiza que la distribucin de corriente sea uniforme, evitando el calentamiento de puntos aislados por alta densidad de corriente. Adems los circuitos de ayuda a la conmutacin necesitan de tiempos de apagado y encendido mnimos para operar correctamente. Corriente mxima de nodo controlable El apagado del GTO por medio de una corriente inversa de compuerta esta asegurado para un valor mximo de la corriente de nodo. Este valor mximo se encuentra en la hoja de datos del dispositivo. Proteccin contra sobre corrientes Dada la limitacin expuesta en el punto anterior, la proteccin contra sobre corrientes inicia por operar al GTO con un factor de seguridad con respecto a la corriente mxima permitida. Si el sensato de corriente es menor que la corriente mxima, entonces se podr apagar por medio de

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un pulso de corriente negativa en la compuerta. Si se sobrepasa el valor mximo, entonces otras tcnicas debern de ser empleadas. LA fig. GTO 6 muestra dos tcnicas de proteccin.

Fig. GTO 6. Mtodos de proteccin contra sobre corrientes de un GTO. En el primer caso, se logra la destruccin del fusible disparando el SCR auxiliar. En el caso trifsico, esto se logra disparando todos los GTO al mismo tiempo para compartir la corriente y lograr la destruccin del fusible. 2.3.5 Especificaciones de la hoja de datos (Hoja de datos ) 2.4 Transistor de Potencia de Unin Bipolar (BJT) 2.4.1 Introduccin Un transistor de potencia de unin bipolar es capaz de boquear voltajes elevados en su estado de apagado y de conducir as mismo corrientes elevadas en estado de conduccin, lo cual lo hace diferente de su contraparte de baja seal. Esto hace que tenga caractersticas especiales, tanto de I-V como de conmutacin. A continuacin estudiaremos estas caractersticas. 2.4.2 Principio de funcionamiento y caractersticas I-V Un transistor de potencia esta formado por 4 capas semiconductoras de tipo p y n dispuestas de manera alternada. Este tiene 3 terminales conocidas como base, colector y emisor. En general en las aplicaciones de potencia, la base es la terminal de entrada, el colector la de salida y el emisor es la terminal comn (a esta configuracin se le conoce como emisor comn). Existen dos tipos de transistores, pnp y npn, segn la disposicin de las capas semiconductoras. Para las aplicaciones de potencia el transistor de tipo npn es el ms utilizado. En la fig. 2.bjt1 se muestra un corte vertical de un transistor de tipo npn, as como sus smbolo.

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Fig. BJT1.

Corte vertical de un Transistor BJT de tipo npn

Para minimizar la resistencia del estado de encendido y por tanto reducir la potencia disipada, los diseadores prefieren la estructura vertical ya que esta maximiza la seccin transversal por la cual fluye la corriente, reduciendo con ello la resistencia. Esto tambin minimiza la resistencia trmica del transistor, reduciendo as los problemas de disipacin de potencia. Los niveles de dopaje y grueso de las capas determinan las caractersticas de los dispositivos. El grueso de la regin de drift determina los voltajes de ruptura del transistor. El grueso de la base se hace lo mas delgado posible para tener buenas capacidad de amplificacin. Sin embargo una base demasiado delgada tendr efectos sobre el voltaje de ruptura. As, el grosor relativo de la base en los transistores de potencia causa que la ganancia de corriente, =IC/IB, sea relativamente pequea, con valores de 5 a 10. Para algunas aplicaciones esta ganancia es demasiado baja. Para remediar esto, se han propuesto configuraciones Darlington como la mostrada en la fig. BJT2.

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Fig. BJT2. Configuracin Darlington de transistores de potencia. La ganancia de corriente de la configuracin Darlington es dada por: = M D + M + D Por lo tanto aunque las ganancias individuales sean pequeas, la ganancia total ser grande. El diodo D1 ayuda a reducir el tiempo de apagado del transistor principal, M. A su vez el diodo D2 es agregado para aplicaciones en configuraciones de medio y puente completo. Las caractersticas de salida, ic vs v ce, tpicas de un transistor npn se muestran en la fig. BJT3.

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Fig. BJT3 . Caractersticas I-V de un transistor BJT de potencia de tipo npn.

Las caractersticas a retener son: BVSUS - Voltaje mximo entre colector y emisor que puede ser sostenido cuando circula por el colector una corriente importante. BVCEO Voltaje mximo entre colector y emisor con una corriente de base nula. Circuito de base abierto. Es una medida de la capacidad del transistor a soportar voltajes entre colector y emisor, y esto sucede cuando la corriente de base es nula y se encuentra en la regin llamada de corte. BVCBO Es el voltaje de ruptura entre el colector y la base, cuando el emisor esta abierto. Regin de primer rompimiento Rompimiento en avalancha de la unin C-B. Esta regin deber ser evitada debido a la gran disipacin de potencia que presenta. Destruccin o falla del dispositivo. Regin de segundo rompimiento Caracterizada por una gran disipacin de potencia. Evitar esta regin. Su aparicin es debida a fenmenos diferentes al de conduccin por avalancha, y las fallas de los transistores de potencia generalmente estn asociados a este fenmeno. Regin de casi-saturacin Fenmeno observado en los BJTs de potencia debido a su estructura.

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2.4.3 Caractersticas de conmutacin (Apagado / Encendido) Para encender un transistor es necesario polarizar directamente la unin base-emisor. Las caractersticas del transistor, as como su circuito externo determinan las caractersticas de conmutacin del dispositivo. Supongamos que el transistor se encuentra en un circuito como el mostrado en la fig. BJT sw.

Fig. BJT-sw. Circuito para estudio de caractersticas de conmutacin El circuito externo determina la corriente de colector que podr circular en estado de encendido. A su vez esta corriente determina la corriente mnima de base que deber circular para asegurar la saturacin del dispositivo. Esto depender a su vez de la ganancia, , del transistor. Valores mayores de la corriente de base harn un encendido mas rpido, pero a su vez retardaran el apagado. Las formas de onda caractersticas del encendido de un BJT se muestran en la fig. BJTen.

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Fig. BJTen.

Formas de onda de voltaje y corriente del encendido de un BJT.

El tiempo de retardo t d(on), dura hasta que la unin B-E es polarizada directamente (descarga capacitancia B-E). Inmediatamente despus la corriente de colector comienza a incrementarse rpidamente, alcanzando su valor final en un tiempo t ri, el tiempo de subida de la corriente. En este momento el voltaje C -E disminuye rpidamente dado que el diodo ya deja de conducir. Despus de un corto intervalo de tiempo, tfv1, se alcanza la casi saturacin. La velocidad de cambio del voltaje C-E disminuye dada la reduccin de ganancia que caracteriza a esta regin. Despus de un intervalo tvf2 la saturacin completa es lograda. El apagado del transistor consiste en remover las cargas almacenadas. Esto podra lograrse reduciendo a cero la corriente de base. Pero esto hara muy lento el proceso de apagado. Para acelerar el apagado se inyecta una corriente de base negativa. Las formas d e onda de este proceso se muestran en la fig. BJTapa.

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Fig. BJTapa. Formas de onda de corriente y voltaje del apagado de un BJT.

2.4.4

Consideraciones de operacin (Voltaje de ruptura, segunda ruptura, prdidas por conduccin y rea segura de operacin) Voltajes de ruptura Voltajes mximos a los que se puede hacer funcionar al dispositivo. Siempre hay que respetarlos y de ser posible trabajar con un margen de seguridad. Segunda ruptura Es un fenmeno que causa fallas en los BJTs. Aparece como una cada abrupta del voltaje colector-emisor para altas corrientes de colector. Dado que el voltaje de colector baja hay un aumento considerable de la corriente y por tanto una gran disipacin de potencia en puntos concentrados que puede ser destructiva para el semiconductor. Perdidas por conduccin La mayora de las perdidas en un BJT se presentan cuando este esta en conduccin (excepto para muy altas frecuencias de conmutacin). Ignorando las disipacin de potencia de la base, las perdidas estn dadas por:

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Pon = I C VCE ( sat ) rea segura de operacin, SOA Es un mtodo compacto y conveniente para resumir los valores mximos de corriente y voltaje a los cuales un BJT puede estar sometido. Dos SOAs son usadas con los BJT y por lo general son dadas en las hojas de especificaciones. La primera es la SOA de polarizacin directa o FBSOA, la cual se refiere a una corriente de base positiva. La segunda se denomina de polarizacin inversa, RBSOA, y se refiere a una corriente de base inversa. Especificaciones de la hoja de datos Hoja de datos 2.5 MOSFET de potencia 2.5.1 Introduccin Los transistores de metal-oxido de efecto de campo (MOSFETs) para aplicaciones de potencia estn disponibles desde principios de 1980. Han reemplazado a los BJTs en muchas aplicaciones, especialmente en aquellas donde las altas frecuencia de conmutacin son importantes. El mecanismo de operacin es diferente al de los BJTs, lo cual los hace tener tiempos de conmutacin mas pequeos. 2.5.2 Estructura bsica y caractersticas I-V Estn constituidos de una estructura de 4 capas de material semiconductor tipo p y n dispuestos de manera alterna. Constan de 3 terminales, compuerta (gate), drenado (drain) y fuente (source). La aplicacin de un voltaje positivo entre compuerta (G) y la fuente (S) permite la circulacin de corriente entre el drenado (D) y la fuente (S). El smbolo de un MOSFET se muestra en la fig. MOS1.

2.4.5

Fig. MOS1. Smbolo de un MOSFET canal n , (b) caractersticas i-v u (c) caractersticas ideales El MOSFET es un dispositivo controlado por voltaje, como se ilustra en la fig. MOS1. El dispositivo esta completamente encendido y se aproxima a un interruptor cerrado cuando el voltaje G-S esta por encima del voltaje de umbral VGS(th) . Para mantenerse encendidos 26

requieren de la aplicacin continua de un voltaje entre G y S, habiendo un flujo de corriente de compuerta solo en los momentos de conmutacin del dispositivo, la cual sirve para cargar y descargar la capacitancia de la compuerta. Los tiempos de conmutacin son muy cortos, teniendo valores de dcimas a centsimas de ns, dependiendo del tipo de dispositivo. En estado de conduccin presentan una resistencia, rD(on), la cual se incrementa con la capacidad de bloqueo de tensin del dispositivo. Esta resistencia tiene un coeficiente de temperatura positiva, lo cual facilita la operacin en paralelo de los MOSFETs (regula la reparticin equilibrada de la corriente)

2.5.3 Caractersticas de conmutacin Las formas de onda de corriente y voltaje del encendido de un MOSFET se muestran el la fig. MOS2.

Fig. MOS2. Formas de onda de corriente y voltaje durante el encendido de un MOSFET En la fig. MOS3 se muestran los diferentes circuitos equivalentes considerados durante el transitorio de encendido.

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Fig. MOS3. Circuitos equivalentes durante el transitorio de encendido de un MOSFET. El apagado del MOSFET consiste de la secuencia inversa de eventos considerados en el encendido. Las formas de onda son mostradas en la fig. MOS4. (Insertar fig. 22-14)

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Fig. MOS4. Formas de onda durante el transitorio de apagado de un MOSFET. 2.5.4 Consideraciones de operacin (Voltaje de ruptura, Perdidas por conduccin, rea segura de operacin) Voltajes de ruptura El MOSFET tiene 2 voltajes que no debern nunca excederse. EL voltaje mximo de compuerta VGS(max) y el voltaje mximo D-S. Perdidas por conduccin La perdidas instantneas cuando el dispositivo esta en conduccin estn determinadas por : 2 p on = I o rDS ( on ) rea segura de operacin La SOA de un MOSFET se muestra en la fig. MOS5. Hay tres factores importantes, la mxima corriente de drenado I DM; la temperatura interna de la unin Tj la cual es gobernada por la disipacin de potencia del dispositivo; y el voltaje de rompimiento BVDSS.

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Fig. MOS5. SOA de un MOSFET de potencia. Para aplicaciones de conmutaron la SOA del MOSFET es cuadrada tal como se indica en la fig. MOS5. En la mayora de las situaciones no se requiere de circuitos de ayuda a la conmutacin. 2.5.5 Especificaciones de la hoja de datos ( hoja de datos de un MOSFET)

2.6

Transistor bipolar con compuerta aislada (IGBT)

2.5.1 Introduccin Los MOSFETs y los BJTs tienen caractersticas que se complementa. Rapidez en el MOSFET y bajas perdidas por conduccin en el BJT. La bsqueda de un dispositivo con ambas capacidades llevo al desarrollo de los IGBT. Actualmente estn siendo utilizados en muchas aplicaciones.

2.5.2 Estructura bsica y caractersticas I-V La estructura es muy similar a la de un MOSFET, excepto en algunas regiones que se modificaron para lograr las caractersticas deseadas. A notar que la estructura tiene un tiristor parsito que se evitara activar. Para ellos se deben respetar las especificaciones del dispositivo. Las caractersticas i-v se muestran el la fig. IGBT1.

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Fig. IGBT1 . (a) Caractersticas i-v de un IGBT. (b) caractersticas de transferencia , (c) y (d) smbolos 2.5.3 Caractersticas de conmutacin (Proceso de encendido y apagado) Las caractersticas de conmutacin son muy similares a las de un MOSFET, las formas de onda se muestran en la fig. IGBT2.

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Fig. IGBT2. Formas de onda de corriente y voltaje durante el encendido de un IGBT.

2.5.4 Consideraciones de operacin (Lmites y rea segura de operacin) Al igual que en cualquier dispositivo, las especificaciones mximas debern siempre ser respetadas. Estas incluyen corrientes, voltajes y temperaturas. El rea segura de operacin para aplicaciones de conmutacin es muy similar a la del MOSFET y por tanto tiene mnima necesidad de circuitos de ayuda a la conmutacin. 2.5.5 Especificaciones de la hoja de datos (hoja de datos de un IGBT)

2.7 Otros dispositivos Existen otros dispositivos de potencia adems de los mencionados anteriormente: 2.7.1 Tiristor con compuerta MOS (MCT - MOS controlled thyristor) Es bsicamente un tiristor controlado por voltaje. Combinan las bajas perdidas y la alta capacidad de conduccin de corriente de un tiristor y las ventajas de un dispositivo MOSFET en cuanto a velocidades de conmutacin relativamente altas. 2.7.2 Estructura bsica y principio de funcionamiento Su estructura es bsicamente la de un tiristor, con dos MOSFETS en la estructura de la compuerta. Uno es responsable del encendido y el otro del apagado del dispositivo. Se

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tienen as bajas perdidas en estado de conduccin, gran capacidad para el manejo de corriente y una velocidad de conmutacin relativamente alta. Las caractersticas i-v son similares a las de un GTO. 2.7.3 Caractersticas de conmutacin Los tiempos de conmutacin estn en el orden de l us. Las formas de onda de conmutacin caractersticas se muestran en la fig. MCT1:

Fig. MCT1. Formas de onda de corriente y voltaje durante la conmutacin de un MCT.

2.7.4 Consideraciones de operacin (Lmites y rea segura de operacin) Adems de las limitaciones de corrientes y voltajes mximos, se tienen limitaciones en cuanto a las derivadas de estos parmetros. El SOA es proporcionado en la hoja del fabricante y sus lmites debern de ser respetados.

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2.8 Circuitos de proteccin Cuando los lmites especificados de un semiconductor pueden ser excedidos en una aplicacin dada, existen dos soluciones para remediar este problema. La primera consiste en usar un dispositivo con especificaciones mayores (sobredimensionar) y la segunda solucin es la utilizacin de circuitos de ayuda a la conmutacin, para mantener los parmetros dentro de los lmites especificados. La eleccin ser un compromiso de costos, disponibilidad y complejidad agregada por los circuitos auxiliares. 2.8.1 Funcin y tipos de circuitos de proteccin La funcin de un circuito de ayuda a la conmutacin (snubber) es la reduccin del estrs elctrico aplicado a un dispositivo, para mantenerlo dentro de los lmites especificados del dispositivo. Hay las siguientes maneras de proteger un dispositivo: Limitando el voltaje aplicado al dispositivo durante el transitorio de apagado Limitando la corriente durante el transitorio de encendido Limitando la derivada de la corriente al encender el dispositivo Limitando la derivada del voltaje durante el apagado del dispositivo o la reaplicacin de voltajes directos. Forzar una cierta trayectoria de conmutacin (apagado o encendido) 2.8.2 Proteccin para diodos Los diodos necesitan proteccin contra sobre voltajes al momento que dejan de conducir al cerrarse otro interruptor. Los sobrevoltajes son causados por las inductancias que estn en serie con el diodo.

2.8.2.1 Proteccin capacitiva Considerando el circuito mostrado en la fig. 2.20 se puede analizar la evolucin del voltaje en el diodo al momento del apagado.
Lf Rs D Cs

Vd

Fig. 2.20.

Circuito equivalente del instante en que el diodo se apaga.

El circuito de proteccin esta formado por Rs y Cs. Si se considera Rs=0 se tendr que el voltaje mximo en el capacitor esta dado por: VCs , MAX C = Vd 1 + 1 + base Cs Cbase I = L f rr Vd
2

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El voltaje en el diodo es el mismo que el de Cs. Para valores pequeos de Cs el voltaje ser demasiado grande.

2.8.2.2 Efecto de una proteccin resistiva La proteccin capacitiva pura se usa raramente. La resistencia Rs se agrega al circuito de ayuda a la conmutacin. Definiendo: V Rbase = d Irr tenemos en la fig. 2.21 el efecto de agregar Rs, para un valor de Cs=Cbase.

Fig. 2.21. Sobrevoltaje mximo a travs del diodo como una funcin de Rs y un valor fijo de la capacitancia. El valor optimo de Rs=1.3 Rbase, para minimizar el voltaje mximo. 2.8.2.3 Ejemplos

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Fig. 2.22. Ejemplos de circuitos de ayuda a la conmutacin en diodos. 2.8.3 Circuitos de proteccin para tiristores Las corrientes inversas de recuperacin de los tiristores pueden provocar voltajes excesivos si se tienen inductancias en serie. Por lo tanto es necesario utilizar circuitos de ayuda a la conmutacin. En el caso de un puente con tiristores, la proteccin se basa en los siguientes valores,

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Cs =

0.6I d VLL

Rs , opt = 20

VLL Id

Los valores anteriores estn basados en una impedancia de lnea del 5% y un tiempo de recuperacin inversa de 10 us. Un anlisis completo es tedioso y complejo. 2.8.4 Proteccin de BJTs 2.8.4.1 Proteccin de apagado Proporciona un voltaje nulo mientras la corriente conmuta a cero. En la fig. 2.23 se muestra una red RCD de ayuda a la conmutacin del BJT.

Fig. 2.23. Red de ayuda a la conmutacin del BJT. Antes del apagado la corriente del transistor es Io y el voltaje es prcticamente cero. Al momento del apagado la corriente la corriente decrece con un valor constante de di/dt e (Io-

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Ic) fluye dentro del capacitor a travs del diodo Ds. Para un tiempo de bajada de la corriente de t fi la corriente del capacitor es: i = I 0 t / t fi 0 < t < t fi ; ics =0 para t=0

El voltaje del capacitor, el cual es el mismo en el transistor cuando Ds esta conduciendo es: I 0t 2 1 t vCs = vCE = i dt = Cs 0 Cs 2C S t fi Considerando un valor de capacitancia, tiempo tfi, tenmos: Cs 1 = I 0 t fi 2Vd Cs1 , que permita alcanzar el voltaje Vd en el

La fig. 20.24 muestra la trayectoria de conmutacin para varios valores de Cs.

Fig. 20.4. Trayectoria de conmutacin durante el apagado considerando varios valores de Cs. Rs ayuda a disipar la energa almacenada en el condensador, una buena aproximacin para calcularla es: Vd = 0.2 I 0 Rs Hay que tomar en cuenta que la descarga del capacitor requiere un cierto tiempo de acuerdo a la constante de tiempo (RsCs) y por lo tanto deber haber un tiempo mnimo de encendido del transistor para que el circuito funcione.

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t on > 2.3Rs Cs para alcanzar un valor aproximado de 0.1 Vd. 2.8.4.2 Proteccin contra sobrevoltaje Considerando inductancias de fuga habr tambin sobrevoltaje al momento del apagado. Minimizando estas inductancias se reduce el sobrevoltaje, pero en ocasiones ser necesario agregar una proteccin contra estos. 2.8.4.3 Proteccin al encendido Los circuitos de ayuda al encendido son usados para reducir las perdidas por conmutacin a altas frecuencias y para limitar la corriente inversa de recuperacin de los diodos. Estos circuitos reducen el voltaje a travs del interruptor mientras la corriente monta. Esta red de ayuda generalmente esta en serie con el transistor o en serie con el diodo de rodada libre, como se muestra en la fig. 20.5.

Fig. 20.5.

Circuito de ayuda al encendido.

La reduccin del voltaje en el transistor se debe a la cada de voltaje en la inductancia Ls. Esta reduccin es:

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VCE =

LS I 0 t ri

Hay que considerar que durante el apagado del interruptor, la corriente del inductor debe caer a un valor bajo, por ejemplo 0.1Io, de manera que el circuito este listo para en ciclo siguiente. El mnimo tiempo de apagado del interruptor ser: t off > 2.3 Ls RLS

2.8.5 Consideraciones de proteccin de GTOs Los circuitos de ayuda a la conmutacin son bsicamente los mismos que para cualquier interruptor controlado. Sin embargo los altos voltajes y corrientes propios de los GTO imponen ciertas consideraciones adicionales. La mxima capacidad de corriente se logra con un Cs grande, pero esto incrementara las perdidas por conmutacin y aumentara la corriente al momento de encendido. Cs debe ser suficiente para poder manejar la corriente mxima especificada en el apagado. Deber tener una baja inductancia interna y una gran capacidad de corriente pico. Esto requerir a veces de poner en paralelo varios condensadores. El diodo para ayuda al apagado deber conducir toda la corriente de carga por un corto lapso de tiempo. Aunque su corriente promedio es baja, se prefiere un diodo de mayor capacidad para lograr un voltaje directo bajo durante el encendido. Debido a que Rs disipara bastante energa, puede necesitar de un disipador o usar un circuito no disipativo. Adems se debe cuidar las inductancias parsitas en el circuito de ayuda a la conmutacin. 2.9 Circuitos de manejo de Base y Compuerta (Drive circuits) 2.9.1 Necesidad y funcin, algunas consideraciones preliminares Los circuitos de manejo de base y compuerta tienen como funcin provocar la conmutacin del dispositivo semiconductor. Los circuitos de procesamiento y control que generan seales lgicas no son considerados parte del circuito de manejo. El circuito de manejo es la interfaz entre el control y los dispositivos semiconductores de potencia. Sus funciones son de amplificar las seales de control y proporcionar aislamiento cuando sea necesario. Hay 3 caractersticas funcionales de un circuito de manejo de dispositivos semiconductores: Unipolar o bipolar Los circuitos unipolares sondas simples, pero a veces es necesario seales bipolares para acelerar el proceso de apagado del dispositivo. Acoplamiento directo o con aislamiento A veces es necesario aislar el circuito de control de la parte de potencia. Cuando se requiere aislamiento, se necesitan fuentes de alimentacin aisladas. Modo de conexin, serie o paralelo. En ocasiones tambin se podrn incluir funciones de proteccin contra sobre corrientes.

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2.9.2 Circuitos de control directamente acoplados Es cuando el circuito de manejo es conectado directamente al semiconductor de potencia. 2.9.3 Circuitos de manejo aislados elctricamente Separan la parte de control y la parte de potencia para evitar daos de la parte de control debido a los altos voltajes y altas corrientes de la parte de potencia. 2.9.3.1 Necesidad y tipos de aislamiento Bsicamente se hace con el propsito de proteger la parte de control. La maneras bsicas de proporcionar aislamiento elctrico es por medio de opto acopladores, fibras pticas o transformadores.

2.9.3.2

Circuitos de aislamiento con dispositivos pticos (opto-acopladores)

Fig. AISO. Circuito con aislamiento ptico. 41

2.9.3.3

Circuitos de aislamiento con transformadores

Fig. AIST. Circuito con aislamiento por transformador 2.9.4 Circuitos de manejo de tiristores 2.9.4.1 Requerimientos de corriente de la compuerta Un pulso de corriente es necesario para encender un tiristor. La amplitud y duracin d e los pulsos deber basarse en las especificaciones de la hoja de datos del dispositivo. A veces, para permitir un tolerar un alto di/dt durante el encendido, se inyecta un pulso de corriente de valor elevado durante la fase inicial de encendido, reducindose despus a un valor menor para garantizar el encendido seguro del dispositivo. Al usar los tiristores en circuitos de rectificacin controlada, a la frecuencia de la red elctrica, los pulsos de control deben ser sincronizados con el cruce por cero del voltaje para poder as retardar el disparo con respecto al voltaje de la red y obtener un control sobre el voltaje rectificado de salida. Ver fig. presentada a continuacin.

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Fig. TIR . Sincronizacin de los pulsos de compuerta

2.9.4.2 Amplificacin de los pulsos de corriente Cuando se usan titistores de alta potencia es necesario aplicar pulso de corriente de valores relativamente altos. Esto implica circuitos de amplificacin para logra los niveles deseados. Un circuito de este tipo se muestra en la fig. AMP1

Fig, AMP1.

Amplificador de pulsos para el disparo de un tiristor.

En general los requerimientos de corriente de disparo de los tiristores de alta potencia es elevada. Esto se hace intencionalmente para prevenir inmunidad al ruido.

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2.9.4.3 Circuitos de conmutacin forzada En aplicaciones donde no existe la conmutacin natural, es necesario utilizar circuitos auxiliares de conmutacin. En general es el voltaje de un capacitor que polariza inversamente al tiristor o reduciendo su corriente total a cero y por lo tanto obligndolo a conmutar al estado de apagado. La fig. FOR1 muestra el principio bsico de esta tcnica.

Fig. FOR1. Principio bsico de la conmutacin forzada

2.9.4.4 Proteccin de los dispositivos de potencia desde el circuito de manejo. Los dispositivos de potencia no pueden protegerse por medio de fusibles contra sobre corrientes. La razn es la lentitud relativa de los fusibles. Una manera de protegerlos es monitoreando la corriente y comparndola continuamente con el limite seguro. Si se encuentra un estado de sobre corriente, entonces el dispositivo ser apagado, dando la orden desde el circuito de manejo. Esto puede ser muy rpido y proteger al dispositivo semiconductor. El monitoreo de la corriente puede hacerse directa o indirectamente. El modo directo es midindola con un sensor de corriente. El indirecto consiste en monitorear el voltaje instantneo del dispositivo en estado de conduccin. 2.9.4.5 Introduccin de tiempos muertos en los circuitos de tipo puente En circuitos donde dos semiconductores de potencia se conectan en serie, es necesario retardar el encendido de uno de los dispositivos cuando el otro acaba de apagarse. Esto evitara cortos circuitos a travs de los semiconductores.

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Fig. DLY. Principio de la introduccin de tiempos muertos

2.10 Algunas consideraciones de diseo En la fabricacin y diseo de los circuitos de manejo de dispositivos y circuitos de potencia hay ciertas consideraciones practicas que deben tenerse presente para lograr un buen funcionamiento del circuito.

2.10.1 Minimizacin de inductancias (En circuitos de manejo de compuerta y de potencia) Las inductancias provocan sobre tensiones en el apagado de los dispositivos (circuito de potencia) o hacen lenta la evolucin de las seales de control (circuito de manejo). Tambin pueden provocar oscilaciones indeseadas. El largo de los alambres de conexin deber ser lo mas corto posible. 45

Los fabricantes de mdulos de potencia proporcionan terminales separadas para el control y la potencia En el circuito de potencia, barras especiales de cobre pueden ser utilizadas para interconectar los elementos de potencia.

2.10.2 Blindaje de los circuitos de control de compuerta Tener en cuenta que un cm de cable sin blindaje representa 5nH de inductancia en serie. El tamao de los cables sin blindaje deber minimizarse. Cuando el circuito de control se encuentra lejos de la parte de potencia, el par de cables utilizado deber retorcerse (trenzarse) o si esta blindado, el blindaje deber conectarse al emisor. Un c apacitor y una resistencia pueden conectarse entre las terminales de base y emisor para prevenir oscilaciones y prevenir encendidos falsos durante el apagado del transistor.

Fig. CON. Algunas precauciones a tomar en cuenta. 2.10.3 Mediciones de corriente En aplicaciones donde no es necesario un aislamiento, una resistencia de muy bajo valor y alta precisin puede ser usada como sensor de corriente (shunt ). La cada de voltaje, en rangos de 50 a 500 mv es despus amplificada por un op-amp.

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Fig. SHT. Principio de medicin de corriente con SHUNT A menudo es necesario el aislamiento entre la parte de control y la corriente a ser medida. Si se trata de corrientes ca, se pueden emplear transformadores de corriente. En caso de ser corrientes dc o con una componente de dc, entonces un sensor de efecto may puede ser utilizado.

2.10.4 Seleccin de condensadores (Electrolticos, polipropileno y cermicos) Los condensadores deben seleccionarse en base a: Capacitancia requerida Voltaje de operacin Corriente rms Frecuencia de operacin Para aplicaciones de electrnica de potencia hay bsicamente 3 tipos de condensadores: electrolticos, polipropileno metalizado y cermicos. Condensadores electrolticos de aluminio Ofrecen grandes capacitancias por unidad de volumen y son polarizados. Tienen una resistencia serie apreciable (ESR). No debern ser usados a temperaturas por debajo de la especificada ya que esto incrementara su resistencia. La vida del condensador disminuye a altas temperaturas debido a la evaporacin del electrolito. Estos elementos tienen los tiempos de vida ms cortos entre todos los elementos de un circuito de electrnica de potencia. Condensadores de polipropileno Recomendados en circuitos de ayuda a la conmutacin y en circuitos de conmutacin de tiristores. Esto debido a que pueden manejar altas corrientes y los valores de capacitancia requeridos son bajos. Adems tienen un bajo coeficiente de prdidas dielctricas. Condensadores de cermica Son usados como filtros. Tienen una muy baja resistencia serie.

2.10.5 Consideraciones trmicas Una consideracin importante en la electrnica de potencia es el aspecto trmico. Las capacidades de los semiconductores de potencia esta estrechamente relacionada con la temperatura de sus uniones. Por lo tanto se debe poner especial atencin en ese aspecto.

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Se debe considerar: Condiciones ambiente de trabajo Tamao y tipo de enfriamiento del disipador (natural, abanico, liquido) .

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