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LED*
Diodo lser
Diodo tnel
Diodo magntico
Diodo Schottky
Fotodiodo comn
Fotodiodo PNP
Fotodiodo NPN
DIODOS ZENER
DIODOS VARICAP
TIPOS DE DIODOS Diodo Zener: Al diodo Zener, tambin llamado diodo regulador de tensin,
podemos definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene la caracterstica de un diodo normal cuando trabaja en sentido directo, en sentido de paso; pero en sentido inverso, y para una corriente inversa superior a un determinado valor, presenta una tensin de valor constante. Este fenmeno de tensin constante en el sentido inverso convierte a los diodos de Zener en dispositivos excepcionalmente tiles para obtener una tensin relativamente invisible a las variaciones de la tensin de alimentacin, es decir, como dispositivos reguladores de tensin. Si polarizamos inversamente un diodo estndar y aumentamos la tensin llega un momento en que se origina un fuerte paso de corriente que lleva al diodo a su destruccin. Este punto se da por la tensin de ruptura del diodo. El diodo zener es capaz de trabajar en la regin en la que se da el efecto del mismo nombre cuando las condiciones de polarizacin as lo determinen y volver a comportarse como un diodo estndar toda vez que la polarizacin retorne a su zona de trabajo normal. Este efecto se produce en todo tipo de circuitos reguladores, limitadores y recortadores
la
tensin
que
los
polariza
de
forma
inversa.
Diodo Tnel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de
manifiesto rpidamente al observar su curva caracterstica, la cual se ve en el grfico. En lo que respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero en el sentido de paso ofrece unas variantes segn la tensin que se le somete. La intensidad de la corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensin hasta llegar a la cresta (C) desde donde, al recibir mayor tensin, se produce una prdida de intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuando se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensin.
diodo denominado Schottky. Este diodo fue desarrollado a principio de los sesenta por la firma Hewletty, deriva de los diodos de punta de contacto y de los de unin PN de los que han heredado el procedimiento de fabricacin.
R S T U X Y Z
Dispositivo de conmutacin o de control, gobernado elctricamente y teniendo un efecto de ruptura (tiristor). Transistor de aplicacin en conmutacin. Dispositivo de potencia para conmutacin o control, gobernado elctricamente y teniendo un efecto de ruptura (tiristor). Transistor de potencia para aplicacin en conmutacin Diodo multiplicador (varactor). Diodo de potencia (rectificador, recuperador). Diodo Zener o de regulacin de tensin. La serie numrica consta:
a) De tres cifras (entre 100 a 999) para dispositivos proyectados principalmente en aparatos de aplicacin domstica (radio, TV, registradores, amplificadores). b) Una letra (X,Y,Z), seguida de dos cifras (de 10 a 99) para los dispositivos proyectados para usos principales en aplicaciones industriales y profesionales. Ejemplos: BC107 Transistor de silicio de baja frecuencia, adaptado principalmente para usos generales. BSX 51 Transistor de silicio de conmutacin, adaptado principalmente para aparatos industriales. En algunos casos, para indicar variaciones de un tipo ya existente, la serie numrica puede ir seguida de una letra: BSX51A alta. Transistor similar al BSX51, pero especificado para una tensin ms
En Estados Unidos se utiliza la nomenclatura de la JEDEC ( Joint Electronic Devices Engineering Council) regulado por la EIA (Electronic Industries Association), que consta de un nmero, una letra y un nmero de serie (este ltimo sin significado tcnico). El significado de los nmeros y letras es el siguiente: 1N Diodo o rectificador 2N Transistor o tiristor 3N Transistor de Efecto de Campo FET o MOSFET
Los fabricantes japoneses utilizan el cdigo regulado por la JIS (Japanese Industrial Standards), que consta de un nmero, dos letras y nmero de serie (este ltimo sin ningn significado tcnico). El nmero y letras tienen el siguiente significado
: Nmero 0 1 2 3 Foto transistor Diodo, rectificador o varicap Transistor, tiristor Semiconductor con dos puertas S Primera letra Semiconductor A B C D F G J K Ejemplo.- 2SG150: Tiristor de puerta N PUENTES RECTIFICADORES Existen varios cdigos para indicar las caractersticas de este tipo de dispositivo, la ms utilizada es la siguiente: Empieza por la letra B seguida de un nmero, que indica el valor eficaz mximo de tensin inversa que soporta, a continuacin, y seguida de la letra C, muestra la intensidad mxima en miliamperios que soporta en dos situaciones el componente: cuando est montado sobre chasis o radiador y cuando est sobre circuito impreso. Ejemplo: B 380 C 2000/1500 B380.- Tensin inversa mxima que soporta de 380v. C 2000/1500.- Intensidad mxima en mA sobre chasis o radiador de 2000mA (2A) y 1500mA (1,5A) sobre circuito impreso Segunda letra Transistor PNP de A.F. Transistor PNP de B.F. Transistor NPN de A.F. Transistor NPN de B.F. Tiristor de puerta P Tiristor de puerta N FET de canal P FET de canal N
DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCION.- la frecuencia a la que puede ser activado el rel es ms baja DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCION DE UN DIODO LED EN ALTERNA.- la tensin cae sobre la resistencia limitadora DIODOS ZENER.- Se producen desde 3,3v y con una potencia mnima de 250mW. DIODOS LED.- encuentra entre 1,3 y 4v dependiendo del color del diodo. emita luz visible es de 4mA y, por precaucin como mximo debe aplicarse 50mA Infrarrojo Rojo Naranja Amarillo Verde Azul 1,3v 1,7v 2,0v 2,5v 2,5v 4,0v
DIODO DE CAPACIDAD VARIABLE (VARICAP).- Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500pF.