FSICA ELECTRNICA UNIDAD 2: UNION P-N

UNION P-N

Ingresa a la siguiente pgina web y explora los applets mostrados, luego redacta en un documento en MS Word explicando lo que muestra cada applet, dos pginas por cada uno. Utiliza imgenes en tu explicacin. http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_PN_en_eq uilibrio_y_polarizada/Applet3.html http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley_de_Shockl ey/Applet4.html http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet3/DiodoCon mutaApplet.html

Diodo de unin PN polarizado Podemos ver La unin p-n que est polarizada directamente en la regin pese le aplica un potencial mayor que a la regin n. Para ello, tal y como podemos ver en la figura.

Alumno: Martin Gonzales Salazar

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Utilizando el control de voltaje permitir los huecos de la regin P y loselectrones de la regin N son empujados hacia la unin por el campoelctrico a que da lugar la polarizacin. Por lo tanto, se reduce laanchura de la zona de transicin.Los portadores mayoritarios (huecos de la zona p y electrones de la zona n ) de ambas regiones tienden a separase de la unin, empujados por el campo elctrico a que da lugar la polarizacin, aumentando la anchurade la zona de transicin.

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Aunque la unin abrupta no es una estructura tpica de los dispositivos modernos, s es, en cambio, una buena aproximacin de la unin p-n, que pone de manifiesto suscaractersticas de funcionamiento y de tensin-corriente. Otro argumento a favor deutilizar dicha aproximacin es que el comportamiento fsico interno y las propiedadeselctricas de la unin varan muy poco con el mtodo que se emplee en su obtencin.El hecho de unir ambos tipos de material provoca un elevado gradiente deconcentracin de portadores en las proximidades de la unin. De hecho, lo que seobserva es por un lado, una corriente de difusin de huecos de la regin P hacia laregin N y por otro, una corriente de difusin de electrones de la regin N hacia la P.Pero adems, la marcha o difusin de estos portadores de su regin inicial a la otradeja al descubierto algunos iones fijos en la red cristalina, iones aceptores negativos NA en la regin P e iones dadores positivos en la Regin N, +ND . Dicha zona es llamada zona de agotamiento o regin espacial de cargay es una regin en que no existen ni electrones ni huecos pero contiene tomosdadores ionizados positivamente a un lado y tomos aceptores ionizadosnegativamente al otro lado. En consecuencia, se forma una zona de con cargasnegativas fijas en la cara P de la unin y una zona con cargas positivas fijas en la cara N.La presencia de estas cargas fijas da lugar a la aparicin de un fuerte campo elctricocuyas lneas de campo se dirigen desde la zona N hacia la zona P, es decir, desde lazona de carga positiva a la zona de carga negativa. La orientacin, por tanto, de estecampo elctrico es siempre en contra de la corriente de difusin del portador de cargaconsiderado.

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La ley de Shockley Permite mostrar la polarizacin lineal de la concentracin de electronesminoritarios tipo P y la concentracin de electrones tipo N.Utilizando los botones para y pausa podemos visualizar lo que sucedendicha polarizacin.

Mientras que las relaciones no lineales dan como resultado curvas entrela concentracin de huecos y la concentracin de huecos minoritarios.

De esto podemos mostrar la unidad de corriente A:

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Descripcin cualitativa del flujo de corriente en una unin:

Podemos ver en la imagen una descripcin de un flujo de corriente de tipoP(concentracin de electrones minoritarios) y N (concentracin de electrones).Para el transistor de efecto de campo la relacin entre las cantidades de entrada y desalida es no lineal, debido al trmino cuadrtico en la ecuacin de Shockley. Lasrelaciones lineales resultan en lneas rectas cuando se dibujan en una grafica de unavariable en funcin de la otra, mientras que las relaciones no lineales dan comoresultado curvas como las que se obtuvieron para las caractersticas de transferenciade un JFET. La relacin no lineal entre ID y VGS puede complicar el mtodomatemtico del anlisis de DC de las configuraciones a FET. Una solucin grafica limitalas soluciones a una precisin de dcimas, pero resulta un mtodo mas rpido para lamayora de los amplificadores.La ecuacin de Shockley se aplica con objeto de relacionar las cantidades de entrada yde salida para los JFET y los MOSFET de tipo decremental:

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CONMUTACIN DEL DIODO Se puede realizar la conmutacin de un diodo cambiando la tensin aplicada en sus bornes de positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de unin. Este esquema se sitan la parte superior derecha del applet y se puede conmutar entretenciones haciendo clic con el ratn en la zona entre las dos fuentes detencin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y una flecha que seala la mencionada zona sensible.

Se puede modificar todos los parmetros del circuito presionando el botn del panel superior con el texto Parmetros circuito". Al presionarlo aparecer una ventana con tres campos editables donde se pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF), la tensin inversa (VR) y la resistencia de polarizacin (R). Tras introducirlos nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios. Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que varan en el tiempo y donde se representan los parmetros ms importantes que controlan el comportamiento del diodo. La primera grfica representa la tensin seleccionada en el circuito; la segunda la corriente que circula por el diodo; la tercera la carga acumulada en las

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zonas neutras del diodo (aplicando la aproximacin de diodo asimtrico) y la ltima grfica es la tensin que cae en bornes del diodo. Estas cuatro grficas se van actualizando en el tiempo y se irn desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo. En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que rigen el comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran las ecuaciones literales para la carga del diodo, la tensin en bornes del diodo y para los perfiles de los minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo debajo de cada una de estas ecuaciones se muestran las mismas pero sustituyendo cada variable por al valor actual que tiene en la simulacin. Algunos de los parmetros son constantes en el tiempo, pero otros se modifican instantneamente conforme evoluciona el tiempo. Tambin, a la derecha de las grficas, se muestran los valores instantneos para estas funciones temporales.

En el panel inferior aparecen ocho botones que permiten configurar la apariencia de la zona de las funciones temporales y la simulacin temporal del applet. Los cuatro botones de la izquierda permiten ocultar o mostrar cada una de las grficas delas funciones. As se podr ocultar alguna de ellas si no se est interesado en ella en algn momento para centrarse en la evolucin y caractersticas de otras. Los cuatro botones de la derecha permiten variar la velocidad de simulacin. Con dos de ellos se puede acelerar o frenar la simulacin y con los otros dos.

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Se puede ver la carga capacitiva que se va cargando a travs de un transistor de laserie. Las corrientes de carga mximas para la carga se dibujan de una fuentecapacitiva que carga se mantenga constantemente. La descarga rpida de la cargacapacitiva est a travs de un diodo del semiconductor y de una cascada de lostransistores que actan como elementos de la conmutacin. Los diodos a travs de laensambladura del emisor de base de estos diodos de la conmutacin proporcionan laproteccin contra dao transitorio as como la reduccin del tiempo requerido a laconduccin del atajo de los transistores. Una impulsin simple del transistor TTL (+5v)funciona el interruptor.

Ms que de velocidad se suele hablar de tiempos de conmutacin.Si se le aplica a un diodo un cambio de polaridad de la tensin, supuesto instantneo,el diodo tarda un tiempo en Alumno: Martin Gonzales Salazar Ingeniera de Sistemas

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reaccionar y pasar de no conducir a conducir, o al revs segn la polaridad del cambio. Es diferente si el paso es de no conduccin a conduccin o al revs. En el primer caso se le llama tiempo de retraso y en el segundo de recuperacin y es un poco ms largo que el primero.

La resistencia dinmica de un diodo es la resistencia equivalente en conduccin. El diodo en sentido directo tiene una curva de respuesta Tensin-Corriente que no es una recta (como tienen las resistencias) pues no empiezan a conducir hasta que la tensin supera los 0,6 - 0,7 Voltios y luego sube rpidamente segn una curva exponencial. Para simplificar las cosas se supone que se comporta como una resistencia (una recta) tangente a dicha curva.

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