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Introduccin.

En la electricidad automotriz son muchos y muy variados los componentes que se utilizan tal es el caso de los siguientes que se mencionan en este resumen. Todos y cada uno de los elementos que tiene el automvil son indispensables algunos mas que otros pero todos son de gran importancia tal es el caso del transistor, los diodos, los amplificadores operacionales, etc. que aunque son muy pequeos tienen un gran aporte a los circuitos mas pequeos en el automvil.

Objetivo
El alumno deber comprender el funcionamiento de cada uno de los elementos que se mencionan a continuacin as como sus aplicaciones, material del que estn hechos, y la importancia que tienen en un circuito electrnico.

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Diodo
Diodo Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (IV) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De Forest. Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas termoinicas constituidos por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El invento fue desarrollado en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basndose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.

Diodo en primer plano. Ntese la forma cuadrada del cristal semiconductor (objeto negro de la izquierda). Tipo Semico nductor Efecto Edison John Ambros e Fleming (1904)

Principio de funcionamiento Fecha de invencin

Smbolo electrnico

Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un filamento (el ctodo) a travs del cual circula la corriente, calentndolo por efecto Joule. El filamento est tratado con xido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al circundante los cuales son Configuracin nodo y vaco conducidos electrostticamente hacia una placa, curvada por un Ctodo muelle doble, cargada positivamente (el nodo), producindose as la conduccin. Evidentemente, si el ctodo no se calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn, los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha facilidad.

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Historia
En 1873 Frederick Guhtrie descubri el principio de operacin de los diodos trmicos. Guhtrie descubri que un electroscopio cargado positivamente podra descargarse al acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de que ste lo tocara. No suceda lo mismo con un electroscopio cargado negativamente, reflejando esto que el flujo de corriente era posible solamente en una direccin. Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison re-descubre el principio. Diodo semiconductor

Formacin de la regin de agotamiento, en la grfica z.c.e. Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en l para crear una regin que contiene portadores de carga negativos (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una regin en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al flujo de los electrones).

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Curva caracterstica del diodo

Curva caracterstica del diodo. Tensin umbral, de codo o de partida (V ). La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. Corriente mxima (Imax ). Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo. Corriente inversa de saturacin (Is ). Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura. Corriente superficial de fugas. Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas. Tensin de ruptura (Vr ). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.

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Tipos de diodo semiconductor

Varios diodos semiconductores. Abajo: Un puente rectificador. En la mayora de los diodos, el terminal ctodo se indica pintando una franja blanca o negra. Existen varios tipos de diodos, que pueden diferir en su aspecto fsico, impurezas, uso de electrodos, que tienen caractersticas elctricas particulares usados para una aplicacin especial en un circuito. El funcionamiento de estos diodos es fundamentado por principios de la mecnica cuntica y teora de bandas. Los diodos normales, los cuales operan como se describa ms arriba, se hacen generalmente de silicio dopado o germanio. Antes del desarrollo de estos diodos rectificadores de silicio, se usaba el xido cuproso y el selenio: su baja eficiencia le dio una cada de tensin muy alta (desde 1,4 a 1,7V) y requeran de una gran disipacin de calor mucho ms grande que un diodo de silicio. La gran mayora de los diodos pn se encuentran en circuitos integrados CMOS, que incluyen dos diodos por pin y muchos otros diodos internos. -Diodo avalancha: Diodos que conducen en direccin contraria cuando el voltaje en inverso supera el voltaje de ruptura. Elctricamente son similares a los diodos Zener, pero funciona bajo otro fenmeno, el efecto avalancha. Esto sucede cuando el campo elctrico inverso que atraviesa la unin p-n produce una onda de ionizacin, similar a una avalancha, produciendo una corriente. Los diodos avalancha estn diseados para operar en un voltaje inverso definido sin que se destruya. La diferencia entre el diodo avalancha (el cual tiene un voltaje de reversa de aproximadamente 6.2V) y el diodo zener es que el ancho del canal del primero excede la "libre asociacin" de los electrones, por lo que se producen colisiones entre ellos en el camino. La nica diferencia prctica es que los dos tienen coeficientes de temperatura de polaridades opuestas. - Diodo de Silicio: Suelen tener un tamao milimtrico y, alineados, constituyen detectores multicanal que permiten obtener espectros en milisegundos. Son menos sensibles que los fotomultiplicadores. Es un semiconductor de tipo p (con huecos) en contacto con un semiconductor de tipo n (electrones). La radiacin comunica la energa para liberar los electrones que se desplazan hacia los huecos, estableciendo una corriente elctrica proporcional a la potencia radiante.

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- Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de contacto. El diodo cristal consiste de un cable de metal afilado presionado contra un cristal semiconductor, generalmente galena o de una parte de carbn. El cable forma el nodo y el cristal forma el ctodo. Los diodos de cristal tienen una gran aplicacin en los radio a galena. Los diodos de cristal estn obsoletos, pero puede conseguirse todava de algunos fabricantes. - Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con su compuerta conectada a la fuente, y funciona como un limitador de corriente de dos terminales anlogo al diodo Zener, el cual limita el voltaje. Permiten una corriente a travs de ellos para alcanzar un valor adecuado y as estabilizarse en un valor especfico. Tambin suele llamarse CLDs (por sus siglas en ingls) o diodo regulador de corriente. - Diodo tnel o Esaki: Tienen una regin de operacin que produce una resistencia negativa debido al efecto tnel, permitiendo amplificar seales y circuitos muy simples que poseen dos estados. Debido a la alta concentracin de carga, los diodos tnel son muy rpidos, pueden usarse en temperaturas muy bajas, campos magnticos de gran magnitud y en entornos con radiacin alta. Por estas propiedades, suelen usarse en viajes espaciales. - Diodo Gunn: Similar al diodo tnel son construidos de materiales como GaAs o InP que produce una resistencia negativa. Bajo condiciones apropiadas, las formas de dominio del dipolo y propagacin a travs del diodo, permitiendo osciladores de ondas microondas de alta frecuencia. - Diodo emisor de luz: En un diodo formado de un semiconductor con huecos en su banda de energa, tal como arseniuro de galio, los portadores de carga que cruzan la unin emiten fotones cuando se recombinan con los portadores mayoritarios en el otro lado. Dependiendo del material, la longitud de onda que se pueden producir vara desde el infrarrojo hasta longitudes de onda cercanas al ultravioleta. El potencial que admiten estos diodos dependen de la longitud de onda que ellos emiten: 2.1V corresponde al rojo, 4.0V al violeta. Los primeros ledes fueron rojos y amarillos. Los ledes blancos son en realidad combinaciones de tres ledes de diferente color o un led azul revestido con un centelleador amarillo. Los ledes tambin pueden usarse como fotodiodos de baja eficiencia en aplicaciones de seales. Un led puede usarse con un fotodiodo o fototransistor para formar un optoacoplador. - Diodo lser: Cuando la estructura de un led se introduce en una cavidad resonante formada al pulir las caras de los extremos, se puede formar un lser. Los diodos lser se usan frecuentemente en dispositivos de almacenamiento pticos y para la comunicacin ptica de alta velocidad. - Diodo trmico: Este trmino tambin se usa para los diodos convencionales usados para monitorear la temperatura a la variacin de voltaje con la temperatura, y para refrigeradores termoelctricos para la refrigeracin termoelctrica. Los refrigeradores termoelctricos se hacen de semiconductores, aunque ellos no tienen ninguna unin de rectificacin, aprovechan el comportamiento distinto de portadores de carga de los semiconductores tipo P y N para transportar el calor.

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- Fotodiodos: Todos los semiconductores estn sujetos a portadores de carga pticos.


Generalmente es un efecto no deseado, por lo que muchos de los semiconductores estn empacados en materiales que bloquean el paso de la luz. Los fotodiodos tienen la funcin de ser sensibles a la luz (fotocelda), por lo que estn empacados en materiales que permiten el paso de la luz y son por lo general PIN (tipo de diodo ms sensible a la luz). Un fotodiodo puede usarse en celdas solares, en fotometra o en comunicacin ptica. Varios fotodiodos pueden empacarse en un dispositivo como un arreglo lineal o como un arreglo de dos dimensiones. Estos arreglos no deben confundirse con los dispositivos de carga acoplada. - Diodo con puntas de contacto: Funcionan igual que los diodos semiconductores de unin mencionados anteriormente aunque su construccin es ms simple. Se fabrica una seccin de semiconductor tipo n, y se hace un conductor de punta aguda con un metal del grupo 3 de manera que haga contacto con el semiconductor. Algo del metal migra hacia el semiconductor para hacer una pequea regin de tipo p cerca del contacto. El muy usado 1N34 (de fabricacin alemana) an se usa en receptores de radio como un detector y ocasionalmente en dispositivos analgicos especializados.

- Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una seccin central sin doparse o en otras palabras una capa
intrnseca formando una estructura p-intrinseca-n. Son usados como interruptores de alta frecuencia y atenuadores. Tambin son usados como detectores de radiacin ionizante de gran volumen y como foto detectores. Los diodos PIN tambin se usan en la electrnica de potencia y su capa central puede soportar altos voltajes. Adems, la estructura del PIN puede encontrarse en dispositivos semiconductores de potencia, tales como IGBTs, MOSFETs de potencia y tiristores.

- Stabistor: El stabistor (tambin llamado Diodo de Referencia en Directa) es un tipo especial de


diodo de silicio cuyas caractersticas de tensin en directa son extremadamente estables. Estos dispositivos estn diseados especialmente para aplicaciones de estabilizacin en bajas tensiones donde se requiera mantener la tensin muy estable dentro de un amplio rango de corriente y temperatura.

Aplicaciones del diodo


Rectificador de media onda Rectificador de onda completa Rectificador en paralelo Doblador de tensin Estabilizador Zener Led Limitador Circuito fijador Multiplicador de tensin Divisor de tensin

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Transistor
Transistor
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. funciones El

trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de encuentran transferencia). en Actualmente se

prcticamente

todos

los aparatos

electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, etc.
El tamao de un transistor guarda relacin con la potencia que es capaz de manejar.

Historia
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o triodo. El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero no se encontr una aplicacin til ni se dispona de la tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente.

Tipo

Semiconductor

Fecha de invencin

John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley (1947)

Smbolo electrnico

Configuracin

Emisor, base y colector

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Tipos de transistor

Transistor de contacto puntual


Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unin bipolar


El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un mono cristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio(In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P). La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector). El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.

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Transistor de efecto de campo


El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.

Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn); Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).

El transistor bipolar frente a la vlvula termoinica


Antes de la aparicin del transistor los ingenieros utilizaban elementos activos llamados vlvulas termoinicas. Las vlvulas tienen caractersticas elctricas similares a la de los transistores de efecto campo (FET): la corriente que los atraviesa depende de la tensin en el borne de comando, llamado rejilla. Las razones por las que el transistor reemplaz a la vlvula termoinica son varias: Las vlvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios, que son peligrosas para el ser humano. Las vlvulas consumen mucha energa, lo que las vuelve particularmente poco tiles para el uso con bateras. Probablemente, uno de los problemas ms importantes haya sido el peso. El chasis necesario para alojar las vlvulas y los transformadores requeridos para su funcionamiento sumaban un peso importante, que iba desde algunos kilos a decenas de kilos. El tiempo medio entre fallas de las vlvulas termoinicas es muy corto comparado con el de los transistores, sobre todo a causa del calor generado. Las vlvulas presentan una cierta demora en comenzar a funcionar, ya que necesitan estar calientes para establecer la conduccin. El transistor es intrnsecamente insensible al efecto microfnico, muy frecuente en las vlvulas.

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Amplificador operacional

741 con encapsulado metlico TO-5.

Un amplificador operacional (comnmente abreviado A.O., op-amp u OPAM), es un circuito electrnico (normalmente se presenta como circuito integrado) que tiene dos entradas y una salida. La salida es la diferencia de las dos entradas multiplicada por un factor (G) (ganancia):

Vout = G(V+ V)el ms conocido y comnmente aplicado es el UA741 o LM741. El primer amplificador operacional monoltico, que data de los aos 1960, fue el Fairchild A702 (1964), diseado por Bob Widlar. Le sigui el Fairchild A709 (1965), tambin de Widlar, y que constituy un gran xito comercial. Ms tarde sera sustituido por el popular Fairchild A741 (1968), de David Fullagar, y fabricado por numerosas empresas, basado en tecnologa bipolar. Originalmente los A.O. se empleaban etc.) para operaciones en calculadoras

matemticas (suma, resta, multiplicacin, divisin, integracin, derivacin, analgicas. De ah su nombre.

El A.O. ideal tiene una ganancia infinita, una impedancia de entrada infinita, un ancho de banda tambin infinito, una impedancia de salida nula, un tiempo de respuesta nulo y ningn ruido. Como la impedancia de entrada es infinita tambin se dice que las corrientes de entrada son cero.

Comportamiento en corriente continua (DC)


Lazo abierto
Si no existe realimentacin la salida del A. O. ser la resta de sus dos entradas multiplicada por un factor. Este factor suele ser del orden de 100.000(que se considerar infinito en clculos con el componente ideal). Por lo tanto si la diferencia entre las dos tensiones es de 1V la salida debera ser 100.000 V. Debido a la limitacin que supone no poder entregar ms tensin de la que hay en la alimentacin, el A. O. estar saturado si se da este caso. Esto ser aprovechado para su uso en comparadores, como se ver ms adelante. Si la tensin ms alta es la aplicada a la patilla + la salida ser VS+, mientras que si la tensin ms alta es la del pin - la salida ser la alimentacin VS-.

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Lazo cerrado o realimentado


Se conoce como lazo cerrado a la realimentacin en un circuito. Aqu aparece una realimentacin negativa. Para conocer el funcionamiento de esta configuracin se parte de las tensiones en las dos entradas exactamente iguales, se supone que la tensin en la pata + sube y, por tanto, la tensin en la salida tambin se eleva. Como existe la realimentacin entre la salida y la pata -, la tensin en esta pata tambin se eleva, por tanto la diferencia entre las dos entradas se reduce, disminuyndose tambin la salida. Este proceso pronto se estabiliza, y se tiene que la salida es la necesaria para mantener las dos entradas, idealmente, con el mismo valor. Siempre que hay realimentacin negativa se aplican estas dos aproximaciones para analizar el circuito: V+ = V- (lo que se conoce como principio del cortocircuito virtual). I+ = I- = 0

Comportamiento en corriente alterna (AC)


En principio la ganancia calculada para continua puede ser aplicada para alterna, pero a partir de ciertas frecuencias aparecen limitaciones. (Ver seccin de limitaciones).

Aplicaciones
Calculadoras analgicas Filtros Preamplificadores y buffers de audio y video Reguladores Conversores Evitar el efecto de carga Adaptadores de niveles (por ejemplo CMOS y TTL)}

Parmetros
Ganancia en lazo abierto. Indica la ganancia de tensin en ausencia de realimentacin. Se puede expresar en unidades naturales (V/V, V/mV) o logartmicas (dB). Son valores habituales 100.000 a 1.000.000 V/V. Tensin en modo comn. Es el valor medio de tensin aplicado a ambas entradas del operacional. Tensin de Offset. Es la diferencia de tensin, aplicada a travs de resistencias iguales, entre las entradas de un operacional que hace que su salida tome el valor cero. Corriente de Offset. Es la diferencia de corriente entre las dos entradas del operacional que hace que su salida tome el valor cero. Margen de entrada diferencial. Es la mayor diferencia de tensin entre las entradas del operacional que mantienen el dispositivo dentro de las especificaciones.

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Corrientes de polarizacin ( Bias) de entrada. Corriente media que circula por las entradas del operacional en ausencia de seal Slew rate. Es la relacin entre la variacin de la tensin de salida mxima respecto de la variacin del tiempo. El amplificador ser mejor cuanto mayor sea el Slew Rate. Se mide en V/s, kV/s o similares. El slew rate est limitado por la compensacin en frecuenc ia de la mayora de los amplificadores operacionales. Existen amplificadores no compensados (con mayor slew rate) usados principalmente en comparadores, y en circuitos osciladores, debido de hecho a su alto riesgo de oscilacin. Relacin de Rechazo en Modo Comn (RRMC, o CMRR en sus siglas en ingls). Relacin entre la ganancia en modo diferencial y la ganancia en modo comn.

Capacidades
El A.O. presenta capacidades (capacitancias) parsitas, las cuales producen una disminucin de la ganancia conforme se aumenta la frecuencia.

Bibliografa
Introduccin a los A.O. en castellano El Amplificador operacional: Fundamentos y aplicaciones bsicas4 Configuraciones Configuraciones II Configuraciones III (PDF) Hojas de datos del 741 de National Semiconductor (PDF) Estudio en laboratorio del Amplificador Operacional

http://es.wikipedia.org/wiki/Amplificador_operacional#Tabla_de_Caracter.C3.ADsticas_Id eales_y_Reales http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo

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Conclusin
Podemos agregar que estos componentes son muy necesarios en los circuitos electrnicos as como podemos decir que, gracias al avance de la tecnologa estos componentes cada vez son mas pequeos y por lo tanto cada vez se fabrican aparatos de menor tamao y mejor calidad. En la actualidad cualquier aparato que observamos a nuestro alrededor tiene uno o mas componentes de los que mencionamos en este texto.

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