Troisime anne CSA CSA 5 C COSP

LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP MOS

Jol REDOUTEY

TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP MOS

Bien que le principe des transistors effet de champ soit connu depuis les annes 1930, ce n'est que depuis les annes 1960 que leur ralisation a t rendue possible grce aux progrs de la technologie. Le Transistor Effet de Champ (TEC) ou Field Effect Transistor (FET) tire son nom de son principe de fonctionnement selon lequel l'intensit du courant traversant le dispositif est contrle par le champ lectrique cr par la tension applique l'lectrode de commande. Les premiers transistors effet de champ taient de type jonction ou JFET, mais au milieu des annes 70 un nouveau type apparut : le MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor) qui connut un trs important dveloppement, notamment dans les circuits intgrs numriques. En 1977, fut introduit le premier transistor MOSFET de puissance. 1 STRUCTURE DU MOSFET La figure 1 montre la structure physique d'un transistor MOS de type canal N. Sur un substrat en silicium de type P, on a diffus deux zones de type N fortement dopes, appeles SOURCE et DRAIN. Une trs fine couche (0,1m) d'oxyde Si02, qui est un excellent isolant lectrique, est cre la surface du substrat de manire recouvrir la zone qui s'tend entre le Drain et la Source. Sur cette couche isolante, on dpose une couche d'aluminium pour former l'lectrode de grille (GATE). Des contacts mtalliques sont galement prvus au niveau de la Source, du Drain et du substrat (BODY). On obtient donc un dispositif 4 lectrodes : Source, Drain, Gate, Body. On remarque que le substrat de type P forme avec le Drain et la Source des jonctions PN qui seront maintenues polarises en inverse durant le fonctionnement normal. Pour ce faire, on relie gnralement la Source au Substrat, le Drain tant toujours soumis une tension positive par rapport la Source. Lorsqu'une tension positive par rapport la Source est applique la GATE, un courant circule latralement du DRAIN vers la SOURCE, travers une rgion appele CANAL de longueur L (de 0,5 10 m ) et de largeur W (1 500 m ).

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2 PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT Lorsque aucune tension VGS n'est applique entre Gate et Source, alors qu'une tension VDS positive est prsente entre Drain et Source, la diode Substrat (reli la Source) - Drain est polarise en inverse et aucun courant ne circule dans le circuit Drain-Source. Appliquons une tension VGS positive entre Gate et Source (fig.2). Le champ lectrique cr par la tension VGS repousse les porteurs majoritaires prsents dans le substrat. Ce dernier tant le type P, les porteurs majoritaires sont des trous. Il se forme alors sous la Gate une zone de dpletion, vide de porteurs libres (trous) mais peuple d'atomes ioniss ngativement.

Figure 1 - Structure physique d'un transistor MOS canal N : (a) vue en perspective; (b) coupe

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Paralllement, la tension positive de Gate attire dans le canal des lectrons provenant de la Source et du Drain (o ils sont majoritaires). Lorsqu'un nombre suffisant d'lectrons s'est accumul la surface du canal, sous la grille, une zone de type N s'est effectivement cre. Un courant lectrique s'tablit alors travers cette zone N induite, du Drain vers la Source. La zone N induite forme un CANAL-N qui donne son nom ce type de MOSFET (on notera qu'un MOSFET canal N est ralis sur un substrat P. Inversement on peut raliser des MOSFETS canal P partir d'un substrat N).

Figure 2 - Principe de fonctionnement du MOSFET enrichissement canal N La valeur de la tension grille-source VGS correspondant une accumulation suffisante d'lectrons pour crer un canal conducteur est appele tension de seuil Vth. (Threshold voltage). Cette valeur dpend de la technologie mais s'tend en gnral entre 1 et 3V. La grille (GATE) et le substrat (reli la source) forment un condensateur dont le dilectrique est la couche d'oxyde. La tension VGS applique provoque la charge de ce condensateur avec accumulation de charges positives sur la grille et de charges opposes dans la zone d'inversion qui forme le canal. C'est donc l'amplitude de cette tension VGS qui contrle la conductivit du canal et donc le courant qui y circule lorsqu'une tension positive est applique entre Drain et Source. 2.1 FONCTIONNEMENT A FAIBLE TENSION DRAIN-SOURCE. Considrons le schma de la figure 4 dans lequel une faible tension Drain-Source (VDS<1V) est applique. Un courant ID s'tablit travers le canal N induit. On notera qu'il s'agit d'un courant d'lectrons libres circulant de la Source vers le Drain (d'o le nom de ces lectrodes). L'intensit du courant ID dpend de la densit d'lectrons dans le canal, qui dpend elle-mme de l'amplitude de la tension VGS.

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Pour des tensions VGS infrieures ou gales la tension de seuil Vth, , le courant Drain ID est nul ou ngligeable. Lorsque la tension VGS dpasse la tension de seuil Vth, une plus grande quantit d'lectrons est attire dans le canal. On peut se reprsenter l'influence de la tension VGS (au-dessus de Vth) comme une augmentation de la profondeur du canal. Il en rsulte une augmentation de la conductance du canal c'est dire une rduction de sa rsistance.

Figure 3 - Caractristiques ID - VDS d'un MOSFET pour de faibles tensions Drain-Source Le courant ID circulant dans le canal est donc proportionnel (VGS-Vth) et la tension Drain-Source applique (fig.3). On notera que le courant Drain est gal au courant Source puisque le courant de Grille est nul. 2.2 FONCTIONNEMENT A TENSION DRAIN-SOURCE NOMINALE. Augmentons maintenant la tension Drain-Source, la tension grille-source tant maintenue constante une valeur suprieure la tension de seuil. On remarquera que la tension Drain-Source VDS apparat en fait comme une chute de tension tout au long du canal. Il en rsulte que la tension entre la grille et les diffrents points le long du canal est variable, de VGS ct Source VGS - VDS ct Drain. Comme la profondeur du canal dpend de cette tension, il est clair que la profondeur du canal n'est pas uniforme comme l'indique la figure 4. A mesure que la tension Drain-Source VDS augmente, le canal prend une pente de plus en plus leve et sa rsistance augmente.

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Lorsque la tension drain-source VDS atteint une valeur telle que la tension grille-canal ct Drain atteint la tension de seuil, c'est--dire : VGS-VDS = Vth do VDS = VGS - Vth la profondeur du canal l'extrmit Drain devient voisine de 0 ; on dit qu'il y a pincement (pinch off). Toute augmentation de VDS au del de cette valeur sera sans effet sur l'intensit du courant Drain ID.

Figure 4 - Fonctionnement du MOSFET tension Drain-Source nominale. On remarque l'allure penche du canal et le phnomne de pincement. 2.3 MOSFET A CANAL P. Un MOSFET canal P est ralis partir d'un substrat N dans lequel des zones P+ fortement dopes ont t diffuses pour raliser le Drain et la Source. Le fonctionnement est identique celui du canal N, les tensions VGS et VDS sont simplement ngatives et le courant circule de la Source vers le Drain. Le canal P est form par accumulation de trous. Les MOSFETS canal P sont moins utiliss que ceux canal N car, performances gales, ils rclament plus de surface de silicium et sont plus lents. Par contre, ils sont trs utiliss "en tandem" avec des MOS canal N dans les circuits intgrs de technologie MOS complmentaire (CMOS ). 3 CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DU TRANSISTOR MOS A CANAL N. Ces caractristiques encore appeles caractristiques statiques sont celles que l'on peut relever en courant continu ou basse frquence. Les caractristiques dynamiques, tant en amplification qu'en commutation seront tudies plus loin.

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La figure 5 montre la reprsentation symbolique du transistor MOS utilise dans les schmas lectroniques.
Id D Id D

G S

G S Canal P

Canal N

Figure 5 - Reprsentation symbolique du MOSFET Comme pour les transistors bipolaires, on trace un rseau de courbes ID = f (VDS) paramtres en VGS (pour les transistors bipolaires on trace Ic = f (VCE) paramtr en IB). La figure 6 montre l'allure d'un tel rseau de caractristiques. On remarque que ce rseau de caractristiques comporte trois rgions : La rgion de blocage (cut off) pour VGS < Vth La rgion de fonctionnement en triode (appele ainsi par similitude avec les caractristiques d'un tube triode) correspondant un fonctionnement du canal avant pincement. La rgion dite de saturation du courant drain correspondant un fonctionnement "pinc".

Figure 6 - Caractristiques ID - VDS d'un MOSFET canal N. Dans cet exemple Vth = 2V et K= 0,25 mA/V2

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Le fonctionnement dans la zone de saturation correspond au fonctionnement en amplification. Pour un fonctionnement en commutation, le MOS sera soit bloqu (interrupteur ouvert) soit utilis dans la zone triode o il se comporte comme une rsistance (interrupteur ferm). 3.1 ZONE DE FONCTIONNEMENT RESISTIF : La caractristique ID - VDS peut tre approxime par la relation

ID = K (2(VGS V th )V DS V DS )
2

(1)

o K est un paramtre dpendant de la gomtrie et de la technologie utilises

K= avec 1 W e Cox 2 L

e : mobilit de l'lectron. Cox : capacit grille-substrat par unit de surface L : Longueur du canal W : Largeur du canal.

Si la tension drain-source est suffisamment faible, ce qui est le cas du fonctionnement avant 2 pincement, on peut ngliger le terme V DS . On obtient alors: ID = 2K (VGS - Vth) VDS Cette relation linaire entre ID et VDS montre que le MOS se comporte comme une rsistance dont la valeur peut tre contrle par VGS.
RDS = [2 K(V GS V th )]
1

3.2 FONCTIONNEMENT EN AMPLIFICATEUR

La zone de fonctionnement courant Drain satur correspond au pincement du canal qui se produit pour VDS = VGS - Vth. En remplaant VDS par cette valeur dans l'expression (1) on obtient :

ID = K 2(V GS V th )(V GS V th ) (VGS Vth ) ID = K (V GS V th )

2

(2)

Dans cette zone de fonctionnement, le courant drain est indpendant de la tension drain-source VDS et suit la tension grille-source VGS selon une loi quadratique.

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Le MOSFET se comporte comme une source de courant idale dont la valeur est contrle par la tension grille-source VGS.
On en dduit un premier modle du MOSFET fonctionnant en amplification (fig.7).
Gat e 2 Vds Dr ai n

K( Vgs- Vt h) Vgs

Sour ce

Sour ce

Figure 7 - Schma quivalent grands signaux d'un MOSFET On notera que la ligne de partage entre la zone triode et la zone de fonctionnement satur (ou zone d'amplification) correspond au pincement du canal qui se produit pour VDS = VGS - Vth En reportant dans la relation (2) on obtient l'quation de cette ligne :

ID = K (V DS ) (3)
2

3.3 RESISTANCE DE SORTIE EN ZONE DE SATURATION.

Nous avons suppos que toute augmentation de VDS au-del de la valeur pour laquelle se produit le pincement tait sans effet sur le courant Drain. En ralit, mesure que la tension VDS augmente, le point o se produit le pincement se dplace lgrement en direction de la source. La longueur effective du canal se trouve rduite. Ce phnomne est connu sous le nom de modulation de la longueur du canal. Le paramtre K tant inversement proportionnel la longueur du canal, augmente avec VDS. Pour tenir compte du phnomne de modulation de la longueur du canal, on introduit un terme 1+VDS dans la relation (2) o est une constante dpendant du MOSFET utilis :

ID = K (V GS V th ) (1 + V DS ) (4) La figure 8 montre un rseau de caractristiques de MOSFET tenant compte de cet effet.
2

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Figure 8 - Rsistance de sortie du MOSFET On remarque que tous les segments de droite de la caractristique ID - VDS se coupent sur l'axe des VDS en un point dabscisse VDS = - 1/ = - VA. VA est un paramtre valant typiquement 200 300V. Il en rsulte que la rsistance de sortie du MOSFET fonctionnant dans la zone de saturation est finie et peut s'exprimer : 1 ID pour VGS constant R0 = V DS soit d'aprs (4) : Ro = [K (VGS - Vth)2]-1 que l'on peut approximer en ngligeant le terme VDS dans (4) Ro = (ID)-1 o ID est le courant correspondant la valeur particulire de VGS pour laquelle Ro est value. Cette relation peut aussi s'crire : V Ro A ID On remarque que la rsistance de sortie Ro est inversement proportionnelle au courant drain de polarisation ID. On en dduit le schma quivalent grand-signaux du MOSFET (fig.9).

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Ig=0 Gat e

ID Dr ai n

Vgs

K( Vgs- Vt h)

Ro V

Vds

Sour ce

Sour ce

Figure 9 - Schma quivalent grands signaux du MOSFET

3.4 INFLUENCE DE LA TEMPERATURE.

Les paramtres K et Vth sont dpendants de la temprature : La tension de seuil Vth dcroit d'environ 2mV par degr d'lvation de temprature. Le paramtre K dcroit avec la temprature et son effet est prdominant. Il en rsulte que le courant Drain ID dcrot lorsque la temprature s'lve. Ce rsultat est particulirement important pour les MOSFET de puissance.

3.5 TENSIONS MAXIMALES ADMISSIBLES.

Lorsqu'on augmente la tension Drain-Source VDS, le champ lectrique la jonction PN DrainSubstrat (qui est reli la source) s'lve, et on atteint la tension d'avalanche. Pour viter d'atteindre ce phnomne dangereux pour le composant, le constructeur spcifie la tension Drain-Source maximale ne pas dpasser. Afin d'viter l'accumulation de charges statiques dans le condensateur grille-substrat qui pourraient provoquer un perage de l'oxyde extrmement fin servant de dilectrique, des diodes de protection intgres limitent la tension grille-source. La tension maximale grille-source VGSmax est spcifie par le constructeur.

4 AMPLIFICATEUR A MOSFET
Considrons le schma de la figure 10 a. La source du MOSFET est relie la masse et une rsistance RD relie le drain la borne positive dune source de tension VDD de 20V (la borne ngative est relie la masse). Le point de repos ID est fix l'aide d'une source de polarisation VGS = 5V. Un signal (triangulaire dans l'exemple) de 1V crte crte est appliqu la grille par l'intermdiaire d'un gnrateur de tension Vgs. La figure 10 b, montre la construction graphique permettant d'obtenir la forme du signal de sortie partir du rseau de caractristiques du MOSFET.

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La tension instantane applique entre grille et source est : VGS(t) = VGS + vgs(t)

point de repos statique

signal

A chaque instant le point de fonctionnement du MOSFET se situe sur la courbe caractristique ID - VDS qui correspond la valeur de VGS(t) cet instant. Le point de fonctionnement sur la caractristique est dtermin par les valeurs de la tension d'alimentation VDD et de la rsistance de Drain RD. VDS = VDD - RD ID ou

ID =

VDD 1 VDS RD RD 1 RD

Cette quation linaire peut-tre reprsente dans le plan ID - VDS par une droite de pente appele droite de charge.

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Figure 10 - Analyse graphique de l'amplificateur MOSFET

Le point de fonctionnement instantan du MOSFET se situe toujours l'intersection de la droite de charge et de la courbe caractristique ID - VDS correspondant la valeur instantane de VGS.
En l'absence de signal d'entre (Vgs = o), le point de fonctionnement du MOSFET est un point fixe appel point de repos ou point de polarisation ou point de fonctionnement statique.

4.1 TRANSCONDUCTANCE.
En ngligeant l'effet de modulation de longueur du canal, nous avons les quations : ID = K (VGS - Vth)2 VDS = VDD - RD ID

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En prsence d'un signal d'entre, nous avons : VGS(t) = VGS + Vgs(t). Le courant drain instantan s'crit donc : ID(t) = K (VGS + Vgs(t) - Vth)2 ID(t) = K (VGS - Vth)2 + 2K (VGS - Vth) Vgs(t) + KVgs2(t)

Le premier terme est le courant de repos ID. Le second terme est proportionnel au signal d'entre Vgs(t). Le dernier terme est une composante quadratique indsirable, cause de distorsion. Il est donc important de le maintenir le plus faible possible. Ce qui peut-tre obtenu en gardant Vgs(t) << 2(VGS - Vth). Dans ces conditions, que l'on nomme fonctionnement petits signaux, on peut ngliger le terme quadratique : ID(t) ID + 2K (VGS - Vth) Vgs(t) ID(t) ID + id(t) o id(t) = 2K (VGS - Vth) Vgs(t) reprsente la variation du courant drain en fonction du signal d'entre. La quantit

gm =

id (t ) = 2 K (V GS V th ) Vgs(t )

est appele transconductance.

On remarquera que gm est la pente de la courbe caractristique ID = f(VGS) au point de repos :

gm =

iD vGS

vGS = VGS

4.2 TRANSCONDUCTANCE ET PARAMETRES PHYSIQUES DU MOSFET.

En remplaant K par son expression en fonction des paramtres physiques du MOSFET:

K=
dans l'expression de la transconductance:

1 W e Cox 2 L

gm = 2K (VGS - Vth)

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il vient :

W gm = ( eCox ) (Vgs V th ) L
L'quation du courant Drain s'crivant ID = K (VGS - Vth)2 ou encore on peut crire :

(VGS V th ) =

ID K

gm = eCox

W ID . L K

en remplaant nouveau K par son expression, on trouve :

gm = eCox

Id W . W L 1 eCox 2 L

gm = 2 e Cox
Cette expression montre que : pour un MOSFET donn :

W . Id L

gm est proportionnel la racine carre du courant drain de polarisation. pour un courant de polarisation donn : la transconductance gm est proportionnelle

W L

4.3 GAIN EN TENSION.

La tension Drain-Source VDS instantane s'crit : VDS(t) = VDD - RD ID(t) VDS(t) = VDD - RD (ID + iD(t)) VDS(t) = VDD - RD ID - RD iD(t)

polarisation statique

composante dynamique

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VDS(t) = VDD - RD ID - RD gm vgs(t) Le gain en tension du circuit s'crit donc :

Vds ( t ) = gm RD Vgs ( t )

On notera la prsence du signe - qui indique que le signal de sortie est en opposition de phase avec le signal d'entre.

4.4 SCHEMA EQUIVALENT PETITS SIGNAUX.

L'analyse prcdente fait apparatre des valeurs statiques qui correspondent au point de polarisation du MOSFET et des valeurs dynamiques qui correspondent au signal utile. Ces deux types de valeurs sont superposes et il convient de bien les sparer. Une fois que le point de fonctionnement statique a t tabli de manire stable, on ne s'intresse qu' la partie signal. De ce point de vue, le MOSFET se comporte comme une source de courant commande en tension :

une tension Vgs applique entre grille et source provoque un courant drain id = gm Vgs.
La rsistance d'entre est trs grande (ig = O) et la rsistance de sortie est galement grande ( si l'on nglige l'effet de modulation du canal). On en dduit donc le schma quivalent (fig. 11) que l'on utilisera pour l'analyse du circuit amplificateur MOSFET.
Gat e Dr ai n

Vgs

g m Vgs

Vds r o =Va/ Id

Sour ce

Figure 11 - Schma quivalent petits signaux du MOSFET. Le schma quivalent petits signaux de l'amplificateur de la figure 10a s'obtient en remplaant le MOSFET par son schma quivalent et en court-circuitant les sources de tension continue (polarisation).

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Gat e

Dr ai n

g m Vgs Vgs

Ro RD Sour ce Vds

Figure 12 - Schma quivalent petits signaux de l'amplificateur MOSFET On voit que le gain en tension de l'tage amplificateur est :

V V

ds gs

= gm( RD / / Ro )

On note que la prsence de Ro rduit le gain en tension de l'tage.

4.5 DETERMINATION DU POINT DE REPOS ET CALCUL DU CIRCUIT DE POLARISATION

La premire tape dans la conception d'un tage amplificateur MOSFET est de choisir le point de fonctionnement statique l'aide des caractristiques fournies par le constructeur. Le point de repos tant dtermin, il faut calculer un circuit capable de fixer ce point et d'assurer qu'il reste aussi stable que possible face aux variations des conditions de fonctionnement (temprature par exemple). Afin d'viter des distorsions du signal, le point de repos doit tre fix vers le milieu de la zone de saturation (fonctionnement linaire) de manire ce qu'il n'entre jamais dans la zone triode ou dans la zone de blocage.

Polarisation par rsistance de source (fig.13)

C'est le circuit le plus communment utilis lorsque l'amplificateur est aliment par une source de tension unique.

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+VDD

R2

RD D G S

R1

RS

Figure 13 - Circuit de polarisation par rsistance de source.

La tension statique grille-masse est fixe par le pont diviseur R1 - R2

GG

= V DD

R1 R1 + R2

Lexpression du courant drain scrit alors :

V R

GS S

V R

GG S

ce qui est lquation dune droite dans le plan VGS - ID

En l'absence de la rsistance Rs, cette tension serait directement applique entre grille et source et le courant drain en dpendrait directement ainsi que des paramtres physiques du MOSFET: K et Vth. La dispersion de ces paramtres pour un mme type conduirait une forte disparit des points de repos (fig 14).

Id Id1

MOSFET 1

MOSFET 2

Id

MOSFET 1

MOSFET 2

Id2 VGG

Id1 Id2

pente -1/Rs Vgs

Vgs

VGG

Figure 14 - Stabilisation du point de repos par rsistance de source.

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5 REPONSE A HAUTE FREQUENCE D'UN AMPLIFICATEUR A MOSFET

Les modles du MOSFET utiliss pour l'tude de l'amplificateur en basse frquence ne tiennent pas compte des divers effets capacitifs. Aux frquences leves ces effets ne sont plus ngligeables et il faut modifier le schma quivalent en consquence. La principale capacit du MOSFET est la capacit grille-canal. Lorsque le MOSFET est utilis dans sa zone de fonctionnement rsistif (zone triode) c'est--dire tension Drain-Source trs faible, le canal est uniforme et la capacit grille-canal s'crit : Cg canal = W L Cox On modlise gnralement cette capacit par deux capacits gales connectes entre grille et source et entre grille et drain.

gs

= C gd =

1 WLC ox 2

Lorsque le MOSFET fonctionne dans sa zone linaire, le canal n'est plus uniforme et prend une allure penche avec pincement ct drain. On dmontre alors que la capacit grille-canal devient gale : 2 WLCox 3 et on la modlise par une seule capacit entre grille et source. Cg canal = En ralit, la capacit grille-source est un peu plus leve car la mtallisation de grille recouvre lgrement la source (voir fig.1). De la mme manire, il existe une capacit grille-drain due ce recouvrement. La capacit drain-substrat (capacit d'une jonction bloque) peut en gnral tre nglige en premire approximation. Il en rsulte le schma quivalent reprsent fig 15.
Gat e Cgd g m Vgs Cgs Ro Vds Dr ai n

Vgs

Sour ce

Figure 15 - Schma quivalent du MOSFET haute frquence

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5.1 FREQUENCE DE TRANSITION

Pour caractriser le fonctionnement haute frquence d'un transistor on utilise souvent la frquence de transition fT qui est dfinie comme la frquence laquelle l'amplitude du gain en courant, sortie en court-circuit, devient gale 1. En utilisant le modle haute frquence on obtient le schma suivant:
Ii Gat e Cgd Vgs g m Vgs Cgs Ro Dr ai n Io

Sour ce

Figure 16 - Schma utilis pour dterminer la frquence de transition du MOSFET. Io = gmVgs Vgs = Ii / j (Cgs + Cgd) Io / Ii = gm / j(Ggs + Cgd) pour = T = 2fT on a Io / Ii =1 fT = gm / 2 (Ggs + Cgd) On note que la frquence de transition est proportionnelle la transconductance et inversement proportionnelle aux capacits internes du MOSFET. fT varie selon la technologie de quelques centaines de MHz quelques GHz.

5.2 THEOREME DE MILLER

Considrons le quadriple de la fig. 17 a
I1 I2 I1 I2

Y V1 V2 V1 Y1 Y2 V2

(a)

(b) Figure 17 - Transformation de MILLER

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Une admittance Y est connecte entre les noeuds d'entre et de sortie. Ce quadriple est quivalent celui de la fig. 17 b dans lequel l'admittance Y a t remplace par deux admittances Y1 et Y2 relies au point commun. soit K = V2/V1 le gain en tension de ce quadriple. Le courant I1 entrant par le noeud 1 s'crit

= Y (V1 V2 ) = YV1 (1

V2 ) = YV1(1 K ) V1

dans le quadriple quivalent nous avons I1 = Y1 V1 , en identifiant il vient : Y1 = Y (1 - K) En oprant de la mme manire pour le noeud de sortie, on a : I2 = Y (V2 V1 ) = YV 2 (1 V1 1 ) = YV2 (1 ) V2 K

en identifiant avec I2 = Y2 V2, il vient :

Y2 = Y (1

1 ) K

Le thorme de Miller permet de transformer une admittance connecte entre deux points d'un circuit en deux admittances connectes en drivation entre ces points et la masse. 5.3 EFFET MILLER
Lorsqu'un MOSFET est connect en source-commune, sa capacit grille-drain Cgd se trouve connecte entre l'entre et la sortie de l'tage. Par application du thorme de MILLER, cette capacit peut-tre transforme en deux capacits connectes en parallle avec l'entre et la sortie. Considrons par exemple un tage amplificateur de gain -100 ralis avec un MOSFET dont la capacit grille-drain est de 1pF. Le thorme de Miller permet de remplacer cette capacit par une capacit C1 connecte entre grille et source: C1 = Cgd (1 - K) = 1 (1-(-100)) = 101 pF et une capacit C2 connecte entre drain et source:

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C2 = Cgd (1 1/ K ) = 1(1 C2 = 1,01 pF

1 )) 100

qui peut-tre nglige dans la plupart des cas.

Cet exemple montre l'influence extrme de la capacit "entre-sortie". Cet effet de multiplication de la capacit entre-sortie porte le nom d'effet Miller.

5.4 REPONSE EN FREQUENCE D'UN AMPLIFICATEUR A MOSFET

Considrons l'amplificateur dont le schma est donn fig.18
+VDD

R2

RD

D Rg C1 G S Ve R1 RS C2 C3 RL Vs

Figure 18 - Schma d'un tage amplificateur MOSFET On considre que la capacit des condensateurs C1, C2 et C3 est trs grande de manire ce que l'on puisse ngliger leur impdance aux frquences considres. Le schma quivalent du circuit est donn fig. 19 a.
Gat e Rg R1 Ve R2 Cgs Cgd g m Vgs Ro RD RL Vs Dr ai n

Sour ce

Figure 19 a - Schma quivalent du circuit amplificateur En combinant les rsistances en parallle : Rin = R1//R2

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R'L = Ro//RD//RL on peut simplifier le schma quivalent (fig.19 b)

Gat e Rg Ri n Ve Cgs Cgd g m Vgs R' L Vs Dr ai n

Sour ce

Figure 19 b - Schma quivalent simplifi du circuit amplificateur Par application du thorme de Thvenin l'entre et du thorme de Miller la capacit Cgd on peut encore simplifier le schma quivalent (fig. 19 c). Si la capacit Cgd est faible, le courant qui la traverse est trs faible devant la source de courant contrle gm Vgs et on peut le ngliger. La tension de sortie Vs peut alors s'crire Vs - gm Vgs R'L En appliquant le thorme de Miller, on peut remplacer la capacit Cgd par une capacit quivalente Ceq connecte entre grille et source : Ceq = Cgd (1 + gm R'L) Le schma quivalent devient alors celui de la fig. 19 c.
Ri n/ / Rg Ve.Ri n / ( Ri n+Rg) g m Vgs Cgs Ceq R' L Vs Gat e Dr ai n

Sour ce

Figure 19 c - Schma quivalent rduit de l'tage amplificateur On voit que le circuit d'entre constitue un filtre passe-bas du 1er ordre qui dtermine la rponse haute frquence de l'tage. Soit CT = Ceq + Cgs

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CT = Cgd(1+gm R'L) + Cgs. Nous avons R' = Rg//Rin. La frquence de coupure haute - 3dB est alors :
fH = 1 2CT R'

Si H = s'crira :

1 est la pulsation de coupure haute, l'expression du gain haute frquence de l'tage CT R'

A( j ) = Ao

1 1+ j

On notera le rle trs important jou par la capacit grille-drain dans la rponse haute frquence de l'tage amplificateur, cause de l'effet Miller. Pour des fonctionnements trs haute frquence, on utilisera des configurations spciales qui minimisent l'effet Miller, telles que les montages en grille commune ou les montages cascode (MOSFET double gate).

6 INTERRUPTEUR A MOSFET
Les transistors MOS sont utiliss comme interrupteurs, tant en analogique qu'en logique et en Puissance. Considrons le schma suivant (figure 20).
+VDD +VDD

RD

RD X

X Rds

Figure 20 - Schma d'un MOSFET utilis en commutation

Le transistor MOS est utilis comme interrupteur entre le point X et la masse. Cet interrupteur est contrl par la tension Vgs :

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Si Vgs < Vth le MOS est bloqu et l'interrupteur est ouvert. Si Vgs > Vth le MOS est conducteur. On fixe son point de fonctionnement dans la zone "triode", l'interrupteur est ferm et il se comporte comme une rsistance RDS on.

ID

VGS

VDS

VON

VDD

Figure 21 - Point de fonctionnement d'un MOSFET en commutation (charge rsistive). Le point de fonctionnement ne peut occuper que deux positions sur la droite de charge : le point A correspondant VDS = VDD lorsqu'il est bloqu (interrupteur ouvert). le point B correspondant VDS = VON lorsqu'il est conducteur (interrupteur ferm). Dans ce dernier cas, le MOS est quivalent une rsistance RDSon, on a donc un diviseur potentiomtrique RD - RDSon. La tension VON s'crit donc :

VDS = VON = VDD

RDSon RD + RDSon

Durant les commutations, le point de fonctionnement se dplace rapidement sur la droite de charge de A vers B la fermeture (turn on) et de B vers A l'ouverture (turn off). On pourra distinguer trois types d'interrupteurs MOSFET : l'interrupteur logique dont la fonction logique est l'inverseur :

DS

=V

GS

l'interrupteur analogique qui permet de commuter un signal analogique l'interrupteur de puissance qui fait l'objet d'un chapitre spar.

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7 MOSFET DE PUISSANCE
Introduit la fin des annes 70, le MOSFET de puissance doit son dveloppement aux progrs technologiques accomplis dans le domaine de la microlectronique. Depuis cette date, le MOSFET de puissance n'a cess de progresser donnant mme naissance de nouveaux composants comme l'IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) et le MCT (MOS Controlled Thyristor).

7.1 STRUCTURE DU MOSFET DE PUISSANCE.

Le MOSFET, tel que nous l'avons prsent dans les pages prcdentes, n'est pas utilisable pour des applications de puissance. En effet, nous avons montr que pour un MOSFET fonctionnant dans sa zone linaire, le courant Drain est donn par la relation : ID = eCox(VGS-Vth)2 W / 2L Cette expression montre que pour augmenter le calibre en courant d'un MOSFET, il faut augmenter sa largeur W et diminuer la longueur L du canal. Cependant, toute rduction de la longueur du canal s'accompagne d'une trs forte rduction de la tenue en tension. Il a donc fallu trouver d'autres structures permettant d'obtenir une faible longueur de canal (1 2 m) tout en conservant une tenue en tension compatible avec les exigences des circuits de puissance. Aprs diverses tentatives, c'est la technologie DMOS qui s'est impose (fig 22).

Fig.22 : Structure d'un DMOS de puissance canal N.

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La ralisation d'un DMOS canal N s'effectue partir d'un substrat N par deux diffusions successives. La surface est ensuite oxyde de manire constituer une mince couche d'oxyde (SiO2 est un isolant). La grille est constitue par un dpt de silicium polycristallin. Une seconde couche d'oxyde permet d'isoler compltement la grille. Toutes les zones N+ sont ensuite relies par une mtallisation d'aluminium pour constituer la source. Les diffusions N+ de source sont disposes selon un motif carr ou hexagonal, constituant ainsi une multitude de cellules lmentaires toutes connectes en parallle (fig.23.). On atteint actuellement des densits cellulaires suprieures 10 000 /mm2

Figure 23 - Structure cellulaire d'un DMOS de puissance.

7.2 PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT DES MOSFET'S DE PUISSANCE

Le principe de fonctionnement d'un DMOS de puissance est identique celui d'un MOSFET enrichissement (cf chapitres prcdents). Lorsque la tension de commande VGS est nulle, le DMOS est bloqu (interrupteur ouvert). En effet, comme le montre la figure 24, en l'absence de tension de commande, le MOS se comporte comme un transistor bipolaire NPN dont la base est relie l'metteur par une rsistance. Il ne laisse donc passer qu'un trs faible courant de fuite IDSS.

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Ce transistor parasite est neutralis par construction de manire ne pas perturber le fonctionnement. Lorsqu'on applique une tension positive entre grille et source, il s'tablit un champ lectrique l'intrieur du MOS. Dans la partie de la zone P situe sous la grille (fig.24), ce champ lectrique repousse les trous (qui sont majoritaires) et attire les lectrons. Il s'tablit donc la surface une zone plus forte concentration d'lectrons dite zone d'inversion. En effet, lorsque sous l'action du champ lectrique la concentration en lectrons crot, cette partie de la zone P tend s'inverser pour devenir N. Il y a alors continuit de type entre le drain et la source par l'intermdiaire de la zone d'inversion que l'on appelle canal et un courant s'tablit. Source SiO2
Aluminium

N+ P

Grille Canal

N Drain
Figure 24 - Transistor bipolaire parasite du DMOS de puissance

La figure 25 reprsente le mode de commande d'un MOSFET de puissance canal N compar celui d'un transistor bipolaire de puissance NPN.
+Vcc R Ic R Id +Vdd

Ib Vgs

Tr ansi st or Bi pol ai r e NPN

MOSFET canal N

Figure 25. Comparaison du mode de commande d'un transistor bipolaire et d'un transistor MOS

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7.3 CARACTERISTIQUES STATIQUES DES MOSFET'S DE PUISSANCE 7.3.1 Caractristiques de grille.

Comme nous l'avons vu prcdemment, la grille est une lectrode totalement isole du reste du composant. Sa rsistance d'entre est donc trs grande (de l'ordre de 109 ). Par contre elle prsente une capacit non ngligeable (CISS de l'ordre de 500 4000 pF selon le calibre du MOS). La capacit d'entre CISS est l'lment prdominant pour la dtermination du circuit d'attaque du MOS : Plus le gnrateur de commande aura une faible impdance, plus le MOS commutera vite.

Figure 26 : Caractristique de transfert d'un MOSFET de puissance canal N. La commande d'un MOS canal N s'effectue en appliquant une tension positive entre Grille et Source. Comme dans un MOSFET de signal, on constate qu'il faut appliquer une certaine tension VGS(th) pour obtenir un courant drain significatif (fig.26). Tant que la tension de commande n'atteint pas cette valeur de seuil, le courant drain reste quasiment nul. Au del de la tension de seuil, le courant drain suit approximativement de manire linaire la tension grille-source. Le rapport courant drain ID sur tension de commande VGS est appel transconductance directe gfs et s'exprime en Siemens, en Mho (inverse de ohm) ou en A/V.

7.3.2 Caractristiques de drain

La figure 27 reprsente la caractristique courant drain ID en fonction de la tension Drain-Source, paramtre en tension grille-source VGS. Ce rseau est analogue au rseau Ic=f(VCE) paramtr en IB pour un transistor bipolaire.

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Figure 27 : Caractristiques ID = f (VDS) d'un transistor MOS. On remarque deux zones sur ce rseau : une zone faible tension VDS et fort courant ID dans laquelle le MOS se comporte comme une rsistance RDS on. une zone tension VDS plus leve dans laquelle le courant drain ID est quasiment indpendant de la tension VDS. Cette zone est la zone de fonctionnement en amplification (fonctionnement linaire). Le paramtre RDS on est extrmement important pour les applications de commutation de puissance puisqu'il dtermine les pertes l'tat passant. Son coefficient de temprature est positif, il faudra en tenir compte lors des calculs de pertes. PC = RDS ON x ID2(RMS)

Fig. 28 : Evolution de RDS(ON) avec la temprature.

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7.4 CARACTERISTIQUES DE COMMUTATION.

Les transistors effet de champ (FET) tant des dispositifs porteurs majoritaires, ils ne connaissent pas les phnomnes de stockage de charges que l'on rencontre dans les dispositifs bipolaires. En pratique, la rapidit des MOSFET n'est limite que par ses capacits parasites et en particulier la capacit d'entre . La figure 29 reprsente les diverses capacits d'un MOSFET et leur volution avec la tension DrainSource applique (Ces capacits varient peu avec la temprature). Classiquement dans la thorie des quadriples, on dfinit trois capacits: Ciss = Cgd + Cgs (capacit dentre en source commune, sortie en court-circuit) Crss = Cgd (capacit entre-sortie) Coss = Cgd + Cds (capacit de sortie en source commune, entre en court-circuit) La correspondance avec les capacits physiques est immdiate: Cgs = Ciss - Crss Cgd = Crss Cds = Coss-Crss Cgs est la capacit grille-source qui se dcompose en une capacit structurelle entre la grille et la mtallisation de source et une capacit grille-canal qui varie sensiblement avec les conditions de fonctionnement. La capacit grille-drain (Crss) varie normment avec les conditions de fonctionnement.

Figure 29 - Capacits d'un MOSFET de puissance.

La capacit d'entre et l'impdance du circuit driver conditionnent la rapidit de commutation du MOS de puissance (figure 30). La charge (ou la dcharge) de cette capacit s'effectue par le circuit de commande de grille. Selon le courant que ce dernier pourra fournir (ou absorber), les temps de commutation seront plus ou moins longs.

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D R S C ent r e

Figure 30 - La vitesse de commutation est dtermine par la capacit d'entre du MOSFET et la rsistance d'attaque. Cependant, selon la zone de fonctionnement la capacit d'entre, que l'on peut dfinir comme le rapport entre la variation de charge fournie par le circuit de commande Q et la variation VGS de la tension grille-source, varie dans de trs larges proportions. C entre = Q / VGS Lorsque le DMOS est conducteur, sa tension drain-sourceVDS est trs faible alors que sa tension grillesource se situe entre +10 et +15 Volts. La capacit grille-drain se trouve charge une tension lgrement ngative: VDG(on) = VDS(on) - VGS(on) VDG(on) -VGS(on) Lorsque le DMOS est bloqu, sa tension drain-sourceVDS est relativement leve (souvent proche de la tension d'alimentation du circuit de puissance) alors que sa tension grille-source est voisine de zro: VDG(off) VDS(off) On constate que la tension drain-grille varie trs largement et donc la capacit grille-drain Cgd aussi. Il apparat donc ncessaire de complter les courbes de la figure 29 de manire pouvoir valuer la valeur de la capacit grille-drain dans tous les modes de fonctionnement. La figure 31donne l'volution des capacits du DMOS en fonction des variations de VDS et VGS . La partie gauche (VDS=0) correspond au DMOS conducteur, la partie droite (VGS=0) au DMOS bloqu. On constate que la capacit grille-drain Cgd = Crss varie considrablement, passant d'une valeur faible (50pF) lorsque le DMOS est bloqu une valeur forte (3300pF) lorsque le DMOS est conducteur. Il en rsulte des variations trs importantes de la capacit d'entre du DMOS au cours du cycle de commutation.

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Figure 31 - Evolution des capacits internes du DMOS en fonction de la tension drain-gate.

Commutation la fermeture (turn on)

Supposons que le DMOS soit command par un gnrateur de courant constant Ig. En observant les formes d'ondes de Vgs, Id et Vds durant la commutation, on constate qu'elle peut se dcomposer en trois phases (fig.32)

Figure 32 - Oscillogramme de VGS, VDS et ID la commutation la fermeture.

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Phase 1 : Retard la fermeture. Au dbut de la commutation, la tension drain-source est leve et la capacit Crss est faible devant Ciss. La capacit d'entre est quivalente la capacit Ciss et forme avec la rsistance interne du circuit de commande (driver) un circuit RC. La charge fournie par le circuit de commande durant cette phase de dure td(on) est : Q1 = Ig td(on). Phase 2 : Phase de plateau Lorsque la tension grille source dpasse la tension de seuil VGS(th), le DMOS devient conducteur et la capacit grille-drain (Cgd=Crss) augmente trs vite. Par effet Miller, cette capacit se trouve ramene en parallle avec la capacit grille-source et la capacit d'entre augmente considrablement. C entre = Q / VGS le courant de grille tant constant, on peut crire: Q = Ig t si C entre infini VGS / t d'o : VGS / t = Ig / C entre 0

Pendant cette phase de dure tr (rise time), on constate que la tension grille-source reste constante un niveau appel tension de plateau VGSP. A la fin de cette phase, la tension drain-source est tombe la valeur VDS(on) et la commutation est termine. Phase 3 : Excs de charge de la capacit d'entre La capacit d'entre continue se charger jusqu' la tension maximale dlivre par le circuit driver. On notera que cet excs de charge ne sert qu' rduire lgrement la valeur de RDS(on). Par contre, il faudra l'enlever la commutation l'ouverture ce qui risque de l'allonger. On n'aura donc pas intrt utiliser une tension grille source maximale inutilement leve.

Commutation l'ouverture (turn off)

Le mcanisme de commutation l'ouverture est identique celui de la fermeture mais en sens inverse. Phase 1 : Retard l'ouverture Cette phase correspond la suppression de l'excs de charge de la capacit d'entre, c'est dire la phase 3 de la commutation la fermeture. Cette phase dure un temps td(off). On notera que ce temps n'est pas gal au temps de retard la fermeture td(on).

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Phase 2 : phase de plateau. Cette phase correspond la dcharge de la capacit grille drain. La tension grille-source reste constante durant cette phase. Si le circuit de commande absorbe un courant de dcharge gal au courant de charge, la dure de cette phase est identique celle de la fermeture et tf=tr. Phase 3: Dcharge de la capacit d'entre. A la fin de la phase de plateau, la commutation est termine. La capacit d'entre (principalement compose de la capacit grille source) termine sa dcharge.

On notera que la tension grille source de plateau VGSP augmente avec le courant drain commut et que la dure de cette phase augmente avec la tension drain-source.

Dfinition des temps de commutation (charge rsistive)

Les temps de commutation des MOSFET sont dfinis de manire analogue aux transistors bipolaires, partir de la tension grille-source et du courant drain sur charge rsistive.

VGS
10%

90%

90%

ID VDS td

90%

10%

10%

td

tr

tf

Figure 33 : Dfinition des temps de commutation. On dfinit : la fermeture (ou turn on) : td(on) : t on = td(on) + tr.

temps de retard la fermeture. S'il est nanmoins bien infrieur celui des bipolaires, sa valeur n'est pas ngligeable. Il est mesur entre les 10% de la tension VGS et les 90% de VDS. temps de croissance du courant ID (ou de descente de la tension drain-source sur charge rsistive). Il est mesur entre les 90% et les 10% de la tension VDS

tr

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 l'ouverture ( ou turn off) : td(off) :

t off = td(off) + tf

temps de retard l'ouverture. Il est mesur entre les 90% de la tension VGS et les 10% de la tension VDS temps de descente du courant drain ID. Il est mesur entre les 10% et les 90% de la tension VDS (sur charge rsistive).

tf :

7.5 DIODE INTEGREE SOURCE-DRAIN

En se reportant aux figures 22 et 25, on constate qu'il existe par construction une diode entre source et drain. Cette diode est "connecte lectriquement" en antiparallle avec le MOS FET comme le montre la figure 34.
Dr ai n

Gat e

Sour ce

Figure 34 : Schma quivalent d'un MOSFET de puissance avec sa diode Source-Drain. Cette diode peut-tre utilise comme diode de roue libre dans les circuits de puissance, mais sa rapidit est souvent insuffisante pour les applications frquence moyenne ou leve. Certains constructeurs proposent des MOSFET diode intgre rapide utilisables par exemple dans les ponts en H pour commande de moteur. (figure 35).

Figure 35 - Pont en H pour commande de moteur.

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7.6 AIRE DE SECURITE DES MOSFETS DE PUISSANCE.

On dfinit pour les MOSFETs une aire de scurit de la mme manire que pour les transistors bipolaires (figure 36). On remarque qu'il n'y a pas de limitation due au second claquage dans l'aire de scurit des MOS. Ceci est d au coefficient de temprature positif du paramtre RDS(ON) qui empche la formation de points chauds. On notera galement que la tension d'avalanche drain-source est indpendante de l'tat du circuit grillesource (contrairement aux transistors bipolaires).

Figure 36 : Aire de scurit d'un transistor MOS de puissance.

Les calculs de refroidisseurs et de temprature de jonction se conduisent exactement de la mme manire que pour les transistors bipolaires ou les autres semi-conducteurs de puissance.

7.7 EXEMPLES DE CIRCUITS DE COMMANDE DE MOSFET.

Un des principaux avantages des MOS de puissance est leur facilit de commande comparativement aux transistors bipolaires performances gales. On trouvera ci aprs quelques exemples de circuits permettant d'interfacer un DMOS des circuits lectroniques classiques. La plupart des MOSFET de puissance se commandent avec une tension grille-source comprise entre 10 et 15V. Les MOSFET de puissance peuvent tre directement commands par des portes CMOS (figure 37).

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Il est cependant recommand de connecter plusieurs portes en parallle pour augmenter les courants d'attaque de la grille. De bons rsultats sont obtenus en connectant les six inverseurs d'un 4049 en parallle. Il existe par ailleurs de nombreux circuits intgrs "drivers de MOS" capables de gnrer une commande trs faible impdance.
1/ 2 4049 +1 2 V

Por t e col l ect eur ouv er t 1 k 1 k

Figure 37. Interfaage partir de circuits logiques CMOS

Figure 38 - Commande par circuit intgr collecteur ouvert (TTL par exemple)

L'interfaage direct avec les circuits logiques de la famille TTL n'est pas possible du fait des tensions d'alimentations incompatibles et du faible courant dlivr l'tat haut. On passera par l'intermdiaire d'une porte collecteur ouvert (figure 38). (Il existe des MOSFET de puissance faible tension de seuil pouvant tre commands avec une tension VGS de 5V, mais leur utilisation reste trs limite).
+1 2 V PWM IC PWM IC 2 N2 2 2 2 1 N4 1 5 0 22 220 220 2 N2 9 0 7 2 N2 9 0 7 100 1 k 5 0 nF

(a)

(b)

Figure 39 - Commande partir d'un circuit intgr spcialis (TL494 par exemple).

La figure 39 reprsente deux variantes possibles de circuit de commande partir d'un circuit intgr PWM tel que le TL 494.

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Dans le circuit 39b on utilise une paire complmentaire NPN/PNP en metteurs suiveurs, associe un circuit RC d'acclration (speed up). Lorsque l'isolement galvanique doit tre respect on peut utiliser les circuits de la figure 40. La diode zener en parallle sur le primaire assure une dmagntisation rapide du transformateur tout en limitant la surtension vue par le transistor de commande. Le rapport cyclique est forcment limit.

1 N4 1 5 0 * * 22 1 k * * 1 k

2 N2 9 0 7

Figure 40. Commande par transformateur d'impulsion. Lorsqu'on utilise un circuit de commande aliment par une tension nettement suprieure la tension VGS nominale (10V dans la majorit des cas) on utilisera un circuit de protection de la grille tel que celui de la figure 41.

12V

1 k

Figure 41. Protection de la grille par diode zener.

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