El GaAs pertenece al tipo de slidos III-V ya que combina a un elemento del grupo III A(Ga) y uno del V A( As).

El tipo de enlace que forman Ga y As se pude describir como una mezcla de tipo ionica y covalente. La configuracin atmica del Galio es:

Y la del As es:

Al formar el enlace el As que posee dos electrones mas que el Ga cede uno de sus electrones hacia este ultimo. De tal manera que se tiene dos iones de cargas opuestas Ga- y As+ los cuales se atraen elctricamente( enlace ionico), adems las configuraciones electrnicas de estos iones son como las de los elementos del grupo IV(C,Si,..) Ga-: As+: Como se sabe los elementos del grupo IV forman solidos con estructura cristalina de tipo diamante gracias a la hibridizacion sp3 que sufren los orbitales s y p de la banda de valencia. Debido a la nueva forma de la configuracin electrnica de Ga- y As+ tambin se produce enlace covalente entre estos y gracias a la hibridizacion sp3 de los orbitales el Ga se enlaza con 4 atomos de As , de la misma forma cada As lo hace con 4 atomos de Ga que se ubican en los vrtices de un tetraedro. Como el solido posee dos atomos distintos( Ga y As) , la estructura cristalina correspondiente es la del ZnS(estructura Zinc-Blend) y no la del diamante(C,Si,Ge,) que es para cuando los atomos son del mismo tipo. Nota: los solidos de tipo III V son muy utilizados en la creacin de heterojunturas. Estructura cristalina del GaAs y celda unitaria : La estructura de Zinc Blende consiste de 2 estructuras cubicas de cara centradas desplazadas una respecto de la otra por un cuarto de la diagonal del cubo. En la estructura del GaAs se tiene a los atomos de Ga ubicados en una de las fcc(cara centrada) y el As en la otra. En la celda unitaria convencional las coordenadas de los atomos de Galio en el cubo se pueden elegir como 000; y las coordenadas de los atomos de As son 0. Es decir Por cada celda unitaria hay 4 moleculas de GaAs. La estructura se puede ver como de tipo fcc donde la base viene constituida por dos atomos (Ga y As). En la figura () se puede apreciar la estructura de Zinc Blende donde se observa que cada atomo de Ga esta rodeado de otros 4 atomos de As que se ubican en los vrtices de un tetraedro regular. La separacin entre atomos para el GaAs es a=5.65 A .

El cubo presentado en esta figura corresponde al volumen de 4 celdas unitarias.

Una particularidad de este tipo de estructura cristalina es que no posee los centros de simetra de inversin que la estructura del diamante si posee, esto debido a que posee dos componentes distintas.

Estructura electrnica de bandas del GaAs A diferencia de los cristales de elementos puros como Si y Ge, el GaAs es un material de gap directo es decir el minimo en energa del banda de conduccin y el mximo de la banda de valencia corresponden al mismo momentum(el centro de la primera zona de Broullin). Como se muestra e las figuras que representan a E vs. K , la estructura de bandas del GaAs presenta curvas que en algunos casos son angostas y en otras anchas. Esta caracterstica se puede entender mediante el modelo de la masa efectiva. Este modelo permite entender la movilidad de los electrones en la banda, la masa efectiva guarda relacin con la curvatura de las bandas y adems corresponde a la masa que aparece en la segunda ley de Newton( aproximacin semiclasica):

Como se aprecia en las ecuaciones . La masa efectiva depende del momentum que el electron posee en la banda y adems viene dada por la inversa de la curvatura de la banda en el punto(k,E(k)) correspondiente. Teniendo en cuenta que la masa representa una resistencia al movimiento, es decir mientras mayor masa menor movilidad del electron(o hueco), entonces se puede decir que mientras mayor sea la curvatura (mas angosta) la movilidad ser mayor y en el caso de menor curvatura(curva ancha casi plana) se tiene baja movilidad de los electrones. La correspondiente masa efectiva para los electrones en el centro de la zona de broullin(gamma) en el minimo de la banda de conduccin es M*e=0.067me, donde me es masa del electron libre; lo que indica que para el GaAs se tiene una alta movilidad de los electrones, mayor que el Si(aunque en otras partes de la banda la movilidad es similar). Ademas el hecho de que el gap del GaAs sea directo indica que hay mayor facilidad para la transicin de electrones de valencia hacia la banda de conduccin ya que no ser necesario un cambio en momentum(choques). Modelo de Tight Binding para el calculo de las bandas de GaAs: En este caso el modelo de enlaces fuertes(Tight Binding) es utilizado teniendo en cuenta que los electrones de valencia en los atomos de Ga y As se encuentra relativamente localizados, es decir fuertemente ligados, asi que no se pueden considerar como electrones casi libres. En este modelo se asume que la comparticin de electrones se da entre vecinos prximos por lo

cual la funcin de onda se espresa como una combinacin lineal de los orbitales atomicos de los diferentes vecinos. El calculo de las bandas mediante este modelo da como resultado lo presentado en la figura .. que representa E vs. K , donde K va a lo largo de los puntos especiales() de la primera zona de Broullin.

Lo particular de la figura. . Es que especialmente en el centro de la primera zona de Broullin ,gamma(k=0), presenta degeneracin. En este punto 2 curvas coinciden una angosta(huecos ligeros ) y la otra mas ancha(huecos pesados). Sin embargo la estructura de bandas real(figura ) es ligeramente diferente a la presentada por la figura . Se puede apreciar que en la estructura real existe una ruptura parcial de la degeneracin en gamma ya que ahora se tiene una banda desplazada hacia abajo(en energa) conocida como split off band y en la parte superior de la banda de valencia se mantiene la degeneracin entre la banda de huecos pesados( menore curvatura) y la banda de huecos ligeros(mayor curvatura). Para poder explicar esta ruptura de degeneracin es necesario tener en cuenta el acople spin- orbita. Calculo de la estructura de bandas incluyendo el acople spin orbita: El acople spin orbita tiene origen relativista. En el caso atomico se puede entender en forma sencilla ubicndose en el sistema centro de masa del electron como se muestra en la figura. En este sistema de referencia el electron siente la presencia de un campo magnetico generado por la la carga del nucleo que se mueve alrededor de l(campo generado por la corriente en una espira). El electron posee un momento magnetico asociado a su spin, por lo tanto el hamiltoniano de interaccion asociado viene dada por: Hso=-u.B El campo magnetico se encuentra formalmente usando las ecuaciones relativistas de cambio de sistema de referencia. Luego se encuentra que el acople SO se puede representar como: Hso= Donde V es el potencial (energia) asociado a la atraccion elctrica entre el nucleo y el electron.

En un solido la atraccin elctrica entre nucleo y electron es menor que en un atomo. Pero en algunos solidos debido a efectos internos o externos(campo aplicado) los electrones sienten la presencia de un gradiente de potencial lo que es suficiente como para producir el acople spinorbita. Para incluir el acople spin orbita en el calculode la estructura de bandas es necesario incluirlo explcitamente en el hamiltoniano: H=Ho+Hso Hso=..

Ahora V viene a ser el potencial cristalino. Un mtodo para encontrar las bandas tratando al acople SO como perturbacin es la aproximacion K.p. En este mtodo se trata a las funciones de onda como funciones de Bloch, haciendo uso del hamiltoniano se calcula el nivel de energa correspondiente para el momentum k de la primera zona de broullin. Luego, se calcula el nivel de energa mediante teora de pertubaciones para el estado con momentum k+K , donde K se considera como un ligero cambio en k y por la tanto el cambio en el hamiltoniano hk=Hk+K-Hk se trata como una perturbacin. En el apndice se utiliza este mtodo para determinar la relacin entre la masa efectiva y los niveles de energa, especficamente el gap. Un poco del mtodo K.p para el acople SO:

Para el caso del GaAs este acople SO divide al estado 6 veces degenerado correspondiente a k=0(gamam) en 2 dos estados, uno 4 veces degenerado (banda de huecos pesados y ligeros) y el otro 2 veces degenerado que corresponde ahora al mximo de una nueva banda la banda Split-off. Este rompimiento de degeneracin se puede visualizar como el generado por el acople l=1 con el spin s=1/2. La suma de momentos angulares nos dice que el momento angular total J solo puede tomar los valores: J=3/2,1/2 Como se sabe estos nuevos estados con j=3/2 y j=1/2 son 4 veces y 2 veces degenerados respectivamente. FIGURA . Ademas es notable que las distribuciones de carga (figura .) de los huecos pesados y huecos ligeros se corresponden con las distribuciones encontradas a partir de las funciones de onda con mj=+-3/2 y mj=+-1/2 respectivamente como muestra la figura .