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Carrera

Tecnologa de la Produccin

Curso

Electrnica Industrial.

Experiencia de laboratorio

Tiristores.

Fecha de realizacin de laboratorio

Jueves 15 de agosto del 2013

Fecha de entrega del informe

Jueves 29 de agosto del 2013

Integrante

Robinson Max, Corcuera Arangur

Profesor

Luis, Zevallos

"TIRISTORES"
I. OBJETIVOS: 1. Obtener destreza en el reconocimiento y prueba de semiconductores de potencia. 2. Probar su funcionamiento y establecer diferencia de comportamiento.

II.

FUNDAMENTO TEORICO: El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrnico de los interruptores mecnicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque no son capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio bsico puede observarse tambin en el diodo Shockley. El diseo del tiristor permite que ste pase rpidamente a encendido al recibir un pulso momentneo de corriente en su terminal de control, denominada puerta (o en ingls, GATE) cuando hay una tensin positiva entre nodo y ctodo, es decir la tensin en el nodo es mayor que en el ctodo. Solo puede ser apagado con la interrupcin de la fuente de voltaje, abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en sentido inverso por el dispositivo. Si se polariza inversamente en el tiristor existir una dbil corriente inversa de fugas hasta que se alcance el punto de tensin inversa mxima, provocndose la destruccin del elemento (por avalancha en la unin). Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe generarse una corriente de enganche positiva en el nodo, y adems debe haber una pequea corriente en la compuerta capaz de provocar una ruptura por avalancha en la unin J2 para hacer que el dispositivo conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado activo se debe inducir desde el nodo una corriente de sostenimiento, mucho menor que la de enganche, sin la cual el dispositivo dejara de conducir. A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de disparo. Se puede controlar as la tensin necesaria entre nodo y ctodo para la transicin OFF -> ON, usando la corriente de puerta adecuada (la tensin entre nodo y ctodo dependen directamente de la tensin de puerta pero solamente para OFF -> ON). Cuanto mayor sea la corriente suministrada al circuito de puerta IG (intensidad de puerta), tanto menor ser la tensin nodo-ctodo necesaria para que el tiristor conduzca. Tambin se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe intensidad de puerta y la tensin nodo-ctodo es mayor que la tensin de bloqueo.

III.

EQUIPOS Y MATERIALES:

Cantidad 1 1 1 1

Descripcin G4PSH71KD SKT 4008D SKN 26/08 Protoboart

Marca

Modelo

Observacin

Semicrom

IV.

Procedimiento A. RECONOCIMIENTO Y PRUEBA DEL DIODO 1. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos: Cdigo Elctrico de identificacin: Smbolo: SKM 26

2. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin (Use el manual ECG de datos dada por el profesor): Fabricante:

Parmetro Voltaje Pico inverso repetitivo Voltaje Pico inverso no repetitivo Corriente Directa Media Corriente Directa Eficaz Corriente Instantnea no Repetitiva

Abreviacin VRRM VRSM IFAV IFRMS IFSM

Valor 80 V

25 A 40 A 375 A

3. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la diagramacin del la forma fsica del dispositivo e identifique sus terminales.

4. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multmetro Digital.

Marque el estado del dispositivo: Operativo: Inoperativo: Conclusiones y Observaciones: Los equipos se encuentran en buen estado listos para el uso

B. RECONOCIMIENTO Y PRUEBA DEL SCR 5. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:

Cdigo Elctrico de identificacin: Smbolo:

SKT 40

6. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin (Use el manual ECG de datos dada por el profesor): Fabricante:

Parmetro Voltaje Pico inverso repetitivo Voltaje Pico inverso no repetitivo Corriente Directa Media Corriente Directa Eficaz Corriente Instantnea no Repetitiva

Abreviacin VDRM VRDM ITAV ITRMS ITSM

Valor 80 V 900 V 28 A 63 A 700 A

7. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la diagramacin del la forma fsica del dispositivo e identifique sus terminales.

8. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el multmetro Digital.

Marque el estado del dispositivo: Operativo: Inoperativo: Conclusiones y Observaciones: Los equipos se encuentran en buen estado listos para el uso C. RECONOCIMIENTO DE TRANSITORES TRANSITOR N 1 9. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos: Tipo de transistor: Cdigo Elctrico de identificacin: Smbolo: BJT 2N3055

10. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin (Use el manual ECG de datos dada por el profesor): Fabricante:

Parmetro Voltaje Mximo C-E Voltaje Mximo C-B Ic Mximo Potencia de Disipacin Beta o hfe Frecuencia de Operacin

Abreviacin

Valor

VCEB IC PTOT

60 V 15 A 115 W

11. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la diagramacin de la forma fsica del dispositivo e identifique sus terminales.

12. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el multmetro Digital.

Marque el estado del dispositivo: Operativo: Inoperativo: Conclusiones y Observaciones: Los equipos se encuentran en buen estado listos para el uso TRANSITOR N 2 13. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos: Tipo de transistor: Cdigo Elctrico de identificacin: Smbolo: MOSFET IRF 3205

14. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin (Use el manual ECG de datos dada por el profesor): Fabricante:

Parmetro Voltaje Mximo D-S Voltaje G-S Ic Mximo ID Mximo a 25C Potencia de Disparo Resistencia D-S (ON)

Abreviacin

Valor

15. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la diagramacin de la forma fsica del dispositivo e identifique sus terminales.

16. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el multmetro Digital.

Marque el estado del dispositivo: Operativo: Inoperativo: Conclusiones y Observaciones: Los equipos se encuentran en buen estado listos para el uso TRANSITOR N 3 17. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos: Tipo de transistor: Cdigo Elctrico de identificacin: Smbolo: IGBT IRG4PSC71U

18. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin (Use el manual ECG de datos dada por el profesor): Fabricante:

Parmetro Voltaje Mximo C-E Voltaje G-E Ic Mximo Potencia de Disparo Resistencia C-E (ON)

Abreviacin VCES VGE IFM ICE VCE

Valor 600 V +- 20 V 350 A 350 V 1.67 V

19. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la diagramacin de la forma fsica del dispositivo e identifique sus terminales.

20. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el multmetro Digital.

Marque el estado del dispositivo: Operativo: Inoperativo: Conclusiones y Observaciones: Los equipos se encuentran en buen estado listos para el uso

D. PRUEBA DE TRANSISTORES 21. Implemente el siguiente circuito usando para ello: Una fuente de voltaje continuo Una tarjeta de proyectos Potencimetro de 10 KOhms Resistencia de 15 Ohms / 20 W 100 Ohms Multmetro digital Cable

TRASSISTOR BIPOLAR

22. Ubicar el transistor en el circuito con sus terminales de la siguiente manera: TI Colector T2 Base T3 Emisor 23. Usando el terminal rojo del multmetro, ubicarlo en el punto B del circuito y regular el potencimetro a los valores mostrados en el cuadro siguiente, y para cada uno de ellos con el mismo terminal rojo del multmetro colquelo en el punto A y mida la lectura del voltaje y anote lo en el cuadro.

Voltaje en B 15 v 12 V 10 V 8V 6V 4V 2V 1V 0.5 V 0V

Voltaje en A 0.22 V 0.25 V 0.28 V 0.32 V 0.510 V 4.19 V 7.9 V 8.7 V 9.4 V 14.95 V

24. En el cuadro anterior encierre en un cuadro las mediciones que muestran los siguientes estados: Corte, Amplificacin y Saturacin Conclusiones y Observaciones: Se aprecia que entre los 6 y 4 voltios el voltaje en A hace un corte obteniendo como resultado un voltaje equivalente a 0.

TRASSISTOR MOSFET

1. Ubicar el transistor en el circuito con sus terminales de la siguiente manera: TI Colector T2 Base T3 Emisor 2. Usando el terminal rojo del multmetro, ubicarlo en el punto B del circuito y regular el potencimetro a los valores mostrados en el cuadro siguiente, y para cada uno de ellos con el mismo terminal rojo del multmetro colquelo en el punto A y mida la lectura del voltaje y anote lo en el cuadro.

Voltaje en B 15 v 12 V 10 V 8V 6V 4V 2V 1V 0.5 V 0V

Voltaje en A 0.21 V 0.27 V 0.36 V 0.42 V 0.49 V 0.58 V 0.65 V 11.10V 12.5 V 14.95 V

3. En el cuadro anterior encierre en un cuadro las mediciones que muestran los siguientes estados: Corte, Amplificacin y Saturacin Conclusiones y Observaciones: Se aprecia que entre los 4 y 2 voltios el voltaje en A hace un corte obteniendo como resultado un voltaje equivalente a 0, en el MOSFET se satura mucho antes que el transistor bipolar.