Fsica de semiconductores UNIDAD I. INTRODUCCIN 1.1. Evolucin Histrica de la Electrnica. 1839 Becquerel descubre el efecto fotovoltaico.

1873 Smith observa que la conductividad del selenio se modificaba con la iluminacin. 1883 Faraday descubre que la conductividad del sulfato de plata (Ag2SO4) aumenta en funcin de la temperatura. 1900 Max Plank declara que la luz se transmite en paquetes llamados cuantos. 1939 Se descubren los materiales semiconductores tipo N y tipo P. 1954 Texas Instrument anuncia el primer transistor de silicio comercial. 1958 Se desarrolla el primer JFET y el primer circuito integrado. 1960 Surgen los diodos emisores de luz (LED). 1966 Se inicia la comercializacin del diodo LASER. 1967 Se da a conocer la primera memoria ROM de 64 bits. 70s Surge la lgica TTL, los Microprocesadores, las memorias EPROM, dispositivos CMOS, NMOS y PMOS.

80s Se incrementa el desarrollo de satlites, computadoras, microcomputadoras. 90s Miniaturizacin, aumento en la velocidad de respuesta de los dispositivos electrnicos, disminuye el consumo de potencia, reduccin en los costos de fabricacin.

Fsica de semiconductores 1.2. Partculas cargadas. Los griegos observaron que cuando el ambar (resina petrificada) se frotaba con una tela, atraa pedacitos de material como hojas secas. Los cientficos comprobaron lo mismo con materiales como el vidrio y el plstico. A los materiales que tenan esta propiedad se deca que estaban cargados con una fuerza elctrica. Tambin se observ que algunos materiales se atraan y otros se repelan entre s. Benjamn Franklin llam a estas dos clases de carga positiva y negativa. Ahora sabemos que un cuerpo cargado negativamente tiene un exceso de electrones y otro cargado positivamente posee una deficiencia de electrones. La carga es la cantidad de energa elctrica que un cuerpo contiene. La unidad de carga es el Coulomb (C) y esta dada por: q = 1.6 x 1019 C. Para tener una idea del nmero de electrones que fluyen en una corriente puede mencionarse que una corriente de 1 pA ( 1 x 10-12 A), la cual es casi imperceptible para los ampermetros comunes, equivale aproximadamente a 6,000,000 de electrones circulando por segundo.

1.3. Intensidad de campo, potencial y energa. Intensidad de campo elctrico Es la fuerza por unidad de carga positiva en un campo elctrico.

Figura 1.1 Campo elctrico

Fsica de semiconductores De acuerdo a la figura 1.1, Q2 sufre una fuerza que se dirige radialmente hacia afuera a partir de de Q1, la cual se incrementa conforme Q2 se acerca a Q1. Un campo elctrico es una regin donde actan fuerzas: Intensidad de campo elctrico () = q , y de acuerdo a la segunda ley de Newton: F= q= m
dV dt
F

donde: F = fuerza (N) q = carga (C) = Intensidad de campo elctrico (V.m) m = masa (Kg) V = velocidad (m/s) Potencial. El potencial en un punto B respecto a un punto A, es el trabajo realizado en contra del campo para llevar una unidad de carga positiva del punto A al punto B.

V=

dx
x 0

donde : V = potencial elctrico (volts) = Intensidad de campo elctrico (V.m) x = distancia del punto B (m) x0 = distancia del punto A (m)

Energa. La energa es igual al potencial multiplicado por la carga: U=qV

Fsica de semiconductores donde: U = energa potencial (Joules) q = carga (C) V = potencial elctrico (volts)

Energa es la capacidad para realizar un trabajo. En el sistema MKS la unidad de la energa es el Joule (J), pero en semiconductores se utiliza el electrnvolt (eV). 1 eV = 1.6 x 10-19 J

1.4. Estructura Atmica. Naturaleza En 1911, Rutherford descubri que el tomo est formado por un ncleo de carga positiva muy cercano a la masa del tomo. Rodeando a este centro positivo se encuentran los electrones cargados negativamente. El tomo de Hidrgeno (H) consiste de un ncleo positivo (un protn) y un solo electrn. La carga del protn es positiva y de igual magnitud que la del electrn. Por lo tanto el tomo en general es elctricamente neutro. Debido a que el protn lleva prcticamente toda la masa del tomo, ste permanecer inmvil mientras el electrn se mueve en una rbita cerrada alrededor de l. La fuerza de atraccin entre el electrn y el protn da origen a la ley de Coulomb. El resultado de la ruta cerrada puede ser un crculo o una elipse bajo la accin de una fuerza. Este movimiento es exactamente anlogo al de los planetas alrededor del sol, debido a que en ambos casos la fuerza vara inversamente al cuadrado de la distancia entre las partculas. Asumiendo que la rbita del electrn en este modelo planetario del tomo es un crculo, el ncleo se supone fijo en el espacio.

Niveles energticos. Los niveles energticos son los espacios que pueden ser ocupados por los electrones alrededor del ncleo. En el diagrama de energa que se presenta en la figura 1.2, para cada valor de n corresponde una lnea recta con cierto valor de energa.

Fsica de semiconductores

E (eV) 0 -0.56 -0.87 - 1.53 - 3.41

n 5 4 3 2

- 13.6 Estado Normal

Figura 1.2 Diagrama de niveles de energa.

1.5. Materiales aislantes, semiconductores y conductores. Dentro de la tabla peridica existen elementos que de acuerdo a sus caractersticas elctricas pueden clasificarse como: aislantes, semiconductores o conductores. Para identificar mejor estas caractersticas es necesario basarse en la estructura atmica. Si se analiza la estructura atmica, al ltimo nivel de energa que se encuentra ocupado por uno o ms electrones se le conoce como rbita de valencia. El nmero de electrones que se encuentran en dicha rbita es lo que permite la clasificacin de los elementos de la tabla peridica. Aislantes o Dielctricos. Son elementos que cuentan con una rbita de valencia completa, es decir, tienen 8 electrones de valencia en su ltimo nivel de energa, de esta manera no permiten el flujo o movimiento de electrones a travs de ellos.

Fsica de semiconductores Conductores. Este tipo de elementos permiten fcilmente el flujo de energa a travs de ellos, ya que contienen un solo electrn de valencia en su ltima rbita. Semiconductores. Estos elementos tienen 4 electrones en su nivel de valencia y su conductividad elctrica se encuentra intermedia entre los metales y los aislantes.

1.6 Redes cristalinas Existen distintos tipos de materiales slidos que pueden clasificarse de acuerdo a su estructura: cristalinos, amorfos y policristalinos. Los materiales cristalinos tienen sus tomos en un arreglo uniforme y peridico. En un material amorfo la estructura no tiene un orden determinado (no es peridica). Un material policristalino posee regiones cristalinas pero con distintas orientaciones (figura 1.3).

Figura 1.3 Slido cristalino, amorfo y policristalino. El arreglo peridico de tomos en un cristal es llamado red cristalina. Esta red cristalina se forma por estructuras bsicas que al reproducirse en todas direcciones y sentidos forman la red o estructura completa (similar a como un grupo de cubos pequeos ordenados pueden formar un cubo mayor). A estas estructuras se les llama celda unitaria. A la celda unitaria ms pequea que posee todas las propiedades del material se le llama celda primitiva. Una celda unitaria puede estar formada por una o ms celdas primitivas. La estructura bsica en la red de muchos semiconductores importantes es la red diamante (formada por tomos de un solo elemento), la cual es caracterstica del silicio y germanio. En la mayora de las estructuras de semiconductores compuestos es la red blenda de Zinc (formada por ms de un elemento). 6

Fsica de semiconductores

(a)

(b)

Figura 1.4. (a) Red diamante, (b) estructura cristalina

1.7 Conceptos bsicos de mecnica cuntica Efecto Fotoelctrico Planck observ que una muestra calentada emite radiacin en unidades discretas de energa llamadas cuantos. cuanto de energa = hv donde h Constante de Planck (h = 6.63 x 10-34 J-s) v frecuencia de la radiacin (Hz)

Planck desarroll esta hiptesis y Einstein realiz un experimento con el cual demostr la naturaleza discreta de la luz, en el cual al iluminar ciertos materiales (como el cesio) se percat que ste emite electrones.

Fsica de semiconductores Figura 1.5 Efecto fotoelctrico Los electrones reciben una energa hv de la luz y pierden una cantidad de energa q (funcin de trabajo) escapando de la superficie del material. Estos experimentos confirmaron la teora de Planck de que la luz est contenida en cantidades discretas (fotones).

Principio de incertidumbre de Heisenberg Es imposible describir con precisin eventos de partculas de escala subatmica que relacionen momento, posicin y energa, por lo que se utilizan valores promedio. Las cantidades como el momento y la posicin de un electrn no existen sin una particular incertidumbre. La magnitud de esa incertidumbre inherente es descrita por el principio de incertidumbre de Heisenberg. En cualquier medicin de la posicin y momento de una partcula, la incertidumbre en las dos cantidades medidas sern relacionadas por:

( x ).( p ) h

x es la incertidumbre en la posicin donde: P es la incertidumbre en el momento

as tambin, se relaciona la incertidumbre en la energa de una partcula y el tiempo en el cual es medida:

( t ).( E ) h

donde: E es la incertidumbre en la energa t es la incertidumbre en el tiempo de medicin

Ecuacin de onda de Schrdinger Schrdinger ampli las ideas de Bohr y de De Broglie con la teora de la naturaleza ondulatoria de la materia. Desarroll una ecuacin de onda para describir al electrn bajo un potencial de campo U(x, y, z). La solucin a esta ecuacin se le denomina funcin de onda y determina la densidad de probabilidad de que en cada punto del espacio se encuentre el electrn con un total de energa E. Esta solucin se extiende a cualquier elemento y requiere de 4 nmeros cunticos (n, l, m, s).

Fsica de semiconductores