6.6.1.- Armar el circuito de la figura 6.

7 y obtener una a una las curvas caractersticas de salida del transitor bipolar en emisor-comun, para diferentes corrientes en la base.

Figura 6.7.-

a) Circuito propuesto para obtener las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar. b)Ejemplo de las curvas carcteristicas de slida del transistor bipolar ubicando las regiones de corte, saturacin y activa directa.

Reporte los valores medidos de corriente de colector para los valores de voltaje colector-emisor solicitados en la tabla 6.2, elija los valores adecuados para la corriente de base, tal que la IB1 haga que el transistor bipolar trabaje en la region de corte, los valores de IB2 y IB3 lo hagan trabajar en la region activa directa (de amplificacin) y la corriente IB4 lo lleve a la region de saturacin. Tabla 6.2 Corriente en Medir los valores de corriente de colector Ic(mA), para cada uno de los valores de la base voltaje colector-emisor abajo indicados (use la curva que se obtiene en el osciloscopio para cada uno de los diferentes valores de la corriente de base). ( A ) Vce = 0 Vce = 2V Vce = 4V Vce = 6V Vce=8V Vce=10V Vce=12V IB = 0 mA 315mA 785mA 870mA 880mA 880mA 880mA

Figura 6.8.-

Curva caracterstica de salida en configuracin de emisor-comun para el transistor bipolar a dos diferentes temperaturas y considerando la corriente en la base constante.

6.6.3.- Usando el accesorio trazador de curvas para osciloscopio, tal como se indida en la figura 6.9, obtenga la familia de curvas caractersticas de salida del transistor bipolar, dibjelas en la figura 6.10. Al ubicar el punto de referencia para nuestras curvas ( 0 , 0 ), la primera curva correspondera a la corriente de base cero, por lo que si elegimos incrementos de corriente de base de 10 A, entonces la segunda curva que se observara correspondera a una corriente de base de 10 A, la tercera a una corriente de base de 20 A, la cuarta a una corriente de base 30 A y asi sucesivamente. Usted puede elegir la corriente de base que sea adecuada a su dispositivo y que le permita observar las seis graficas que s pueden tener con el trazador de curvas.

Figura 6.9.-

Forma en que se debe usar el accesorio trazador de curvas para el osciloscopio, para obtener la curca carateristica de salida del transistor bipolar.

Figura 6.10.- a)Ejemplo de una familia de curvas caractersticas de salida ( V I ) del transistor bipolar, b)Familia de curvas caractersticas del transistor bipolar que se obtiene usando el trazador de curvas. Nota la grafica b ) esta en la siguiente hoja

CUESTIONARIO: 6.7.1 diduje el diagrama de bandas de un transistor bipolar en el cual la unin emisor base este polarizada directamente y la unin colector base presente polarizacin cero.

6.7.2 determine el valor de para las lecturas que se realizaron en el circuito de la figura 6.2. Indica la relacin entre las corrientes de colector y emisos, su valor es algo inferior a la unidad

6.7.3 escriba la expresin matemtica que se usa para determinar el aumento de la corriente de fuga en una unin rectificante cuando aumenta la temperatura, hgalo tanto para el caso del silicio como para el germanio. R=Los transistores presentan ciertas corrientes de fuga, debidas al efecto de los portadores minoritarios. Una de las

corrientes de fuga se designa (La letra significa intensidad de corriente, representa la unin colector-base, y indica que el emisor est abierto.) Esta corriente es la que atraviesa la unin colector-base en condiciones de polaridad inversa y con el terminal del emisor abierto. Otra corriente de fuga es ( significa intensidad de corriente, representa la unin colector-emisor, y indica que el emisor est abierto.) Esta corriente de fuga es la ms intensa; es una forma amplificada de

Con el terminal de base abierto, toda corriente que se infiltre a travs de la unin colector-base polarizada inversamente producir sobre la unin base-emisor el mismo efecto que una corriente base aplicada externamente. Con el terminal de base abierto, la corriente de fuga no puede seguir otro camino. Esta fuga la amplifica el transistor como cualquier corriente de base:

En los transistores de silicio, las corrientes de fuga son muy dbiles. Los transistores de germanio tienen unas corrientes de fuga mucho mas intensas, lo que posiblemente se manifieste en una resistencia inversa elevada, pero no infinita.

6.7.4 defina que otras corrientes de fuga pueden obtenerse entre las terminales de un transistor bipolar e indique con que literales se conocen. R=
1) La tensin inversa colector-base con el emisor abierto (UCBO). Suele ser elevada (de 20 a 300 voltios) y provoca una pequea corriente de fugas (I CBO). 2) La tensin inversa colector-emisor con la base abierta (VCEO). Tambin provoca una corriente de fugas (ICEO).

6.7.5 proponga un circuito que permita obtener la corriente de fuga en la unin emisor base con el colector en corto circuito.

6.7.6 de que orden es el voltaje de ruptura de voltaje colector en el transistor de silicio BC547? R=La VCES define la tensin mxima del colector, estando la base en cortocircuitada al emisor, antes de que la anchura de
la regin de transicin alcance el emisor perforando la regin de base. Grficamente, en la figura 1.7 se muestra la definicin de ambas tensiones. El transistor BC547 tiene VCES=50 V, y es una de las tensiones mximas de alimentacin.

6.7.7 A partir de la tabla 6.2 obtenga las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar en emisor comn.

6.7.8 proponga el circuito equivalente de parmetros h para el transistor bipolar en emisor comn y defina cada uno de los parmetros. R= El modelo hbrido o equivalente hbrido del transistor es un modelo circuital que combina impedancias y
admitancas para describir al dispostivo, de all el nombre de hbrido.

La obtencin de los parmetros hbridos involuacrados dentro del modelo se hace en base a la teora de cuadripolos o redes de dos puertos. La sustitucin del smbolo BJT por su modelo hbrido durante el anlisis en c.a. permite la obtencin de ciertos valores de inters como son: La ganancia de voltaje, ganancia de corriente, impedancia de entrada y la impedancia de salida. Estos valores dependen de la frecuencia y el smbolo circuital por si solo no considera este aspecto, de all la

utilidad del modelo hbrido quien si lo considera NOTA: Los parmetros h, se denominan parmetros hbridos y son componentes de un circuito equivalente de un circuito equivalente de pequea seal que se describir en breve. Los parmetros que relacionan las cuatro variables de denominan parmetros h debido a la palabra hbrido. El parmetro hbrido se seleccion debido a la mezcla de variables V e I en cada ecuacin, ocasiona un conjunto hbrido de unidades de medicin para los parmetros h Una red de dos puertos en general, se describe por el siguiente juego de ecuaciones: La variables involuacradas dentro de la red son vi, ii, v0 e i0 y los parmetros que relacionan estas variables son los parmetros hbridos, h.

6.7.9 A partir de las curvas caractersticas que se obtienen en el punto 6.7.7 obtenga los parametros hoe, hfe para la grfica que obtuvo con la corriente de Ib3 y un Vce=4V. R=

6.7.10 para la familia de curvas que obtuvo con el trazador de curvas determine el valor de la hfe en los puntos en que Vce=4v y Vce=6v.

6.7.11 cuando la corriente en la base es cero, cunto debe valer la corriente de colector?. R= Cero, debido a que la corriente de colector es proporcional a la corriente de base 6.7.12 Usando los datos de la tabla 6.1, obtenga las curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar en emisor comn.

6.7.13 determine los parmetros hbridos hie y hre usando las grficas del punto 6.7.12, para una corriente de base de 40A. R=