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FET
2
Construo
Transistor de efeito de campo (FET)
Melhor estabilidade em relao ao BJT Pior sensibilidade ao sinal de entrada em relao ao BJT
Trade-off de engenheiro!
FET
3 4
FET
Construo (JFET canal n)
Dreno
Tipos
JFET
Transistor de juno (J)
Fonte (Source)
FET
5 6
FET
Construo
Regio de depleo
Formada pela juno dos materiais p e n Fenmeno idntico ao dos diodos
Dreno
DDPs importantes:
Porta (Gain) n p n
vDS
Tenso entre dreno e fonte
vGS
Tenso aplicada nas portas e fonte Atente para conexo entre ambas as portas
Fonte (Source)
19/05/2013
FET
7 8
FET
vGS = 0, vDS > 0
Fluxo de eltrons induzidos por vDS
sentido real da corrente
p n p
FET
9 10
FET
iD
iS
FET
11 12
FET
vGS = 0, vDS > 0
Aumento de vDS induz uma resistncia no JFET iD = iS
JFET no altera densidade de fluxo de corrente (vG=0) iD = vDS / R
19/05/2013
FET
13 14
FET
vGS < 0, vDS > 0 (JFET canal n)
vDS aumenta regio de depleo
vGS = zero
Curva iD vDS
iD
iDSS
vP
vDS
FET
15 16
FET
vGS < 0, vDS > 0 (JFET canal n)
Aumentando vDS, aumenta-se a zona de depleo
FET
17 18
FET
Curva iD vDS (JFET canal n)
19/05/2013
FET
19 20
FET
vGS < 0, vDS > 0 (JFET canal n)
Lugar geomtrico de vP
FET
21 22
FET
iD
n iG=zero
iS
FET
23 24
FET
Comportamentos do JFET
vGG = zero
iD = iDSS se vDD > |vP|
D G BF245C S G J174 S D
iD
|vGG| |vP|
iD = zero
Independente de vDD Situao de corte na sada
v GG
BF245C
v DD
Material N
Material P
19/05/2013
FET
25 26
FET
Comportamento do JFET
Para obter iD x vGS a partir de iD x vDS
Comportamento do JFET
iD = iDSS [ 1 (vGS/vP) ]2 vGS = vP [ 1 (iD/iDSS)1/2 ]
iDSS e vP dados do fabricante Equaes so as mesmas
Uso dependente da necessidade
FET
27 28
FET
Construo (MOSFET depleo do tipo n)
Comportamento do JFET
Para obter iD x vGS a partir de iD x vDS
Dreno
n Substrato (SSubstract)
Porta (Gain)
Fonte (Source)
Isolante (SiO2)
FET
29 30
FET
Construo (MOSFET depleo do tipo n)
vDS > 0, vGS = 0
19/05/2013
FET
31 32
FET
Construo (MOSFET depleo do tipo n)
vDS > 0, vGS < 0
Reduo da corrente no canal.
p iD iD
n iS
n iS
FET
33 34
FET
Construo (MOSFET depleo do tipo n)
vDS > 0, vGS > 0
Aumento da corrente no canal.
iD
n iS
FET
35 36
FET
Construo (MOSFET depleo do tipo p)
Comportamento anlogo ao MOSFET por depleo do tipo p
iD
p iS
19/05/2013
FET
37 38
FET
Comportamento (MOSFET depleo tipo p)
FET
39 40
FET
Smbolos para MOSFET por depleo
D 1
D G SS
D 1
G
2 3 S
2
SS
Material N
Material P
FET
41 42
FET
Construo (MOSFET por intensificao n)
Regio isolante (SiO2)
Dreno n Substrato (SSubstract)
Porta (Gain)
Fonte (Source)
Isolante (SiO2)
19/05/2013
FET
43 44
FET
Construo (MOSFET por intensificao n)
vDS > 0, vGS > 0
Induo de caminho de eltrons na regio da porta
p iD
n iS
FET
45 46
FET
Construo (MOSFET por intensificao n)
vDS > 0, vGS > 0
Aumento de vDS reduz corrente no canal virtual
iD
Agora h um condutor para circulao de corrente vGS controla vazo do canal induzido
vGS > vT (tenso de limiar) para haver corrente
n iS
FET
47 48
FET
Comportamento (MOSFET intensificao n)
19/05/2013
FET
49 50
FET
Construo (MOSFET intensificao p)
Comportamento anlogo ao MOSFET por intensificao do tipo p
iD
vDS-sat = vGS vT
vT fornecido pelo fabricante
iD = k (vDS-sat)2
iD = k (vGS vT)2 Para vGS > vT
k depende da construo:
k = iD-on / (vGS-on vT)2
p iS
FET
51 52
FET
Smbolos para MOSFET por intensificao
D G
G
D G SS
D G
SS S S
Material N
Material P