Primero Ingeniera Electrnica

Diseo de Circuitos y Sistemas Electrnicos

Tema

EL PAR DIFERENCIAL
1. El par diferencial MOS en gran seal 2. Anlisis de pequea seal 3. Desapareamientos 4. Cargas Activas 5. Anlisis en frecuencia 6. El par diferencial Bipolar
DICIEMBRE 1998
Antonio Jess Torralba Silgado 1 of 26

1. EL PAR DIFERENCIAL MOS EN GRAN SEAL

V DD

RL i1

vO1
vI1

M1 M 2 S IB

RL i2 vO 2

M1 y M2 idnticos Si v I 1 = v I 2 entonces
i1 = i2 =

IB

vI 2

Si v I 1 > v I 2 i1 > i 2 , por tanto, la seal se procesa en modo diferencial

Antonio Jess Torralba Silgado

2 of 26

Anlisis de gran seal

Definimos: v ID = v I 1 v I 2 ; v ICM = entonces

v I 1 = v ICM + v ID ; vI2 2

vI1 + vI 2 2 v = v ICM ID 2

En la salida v O D = v O 1 v O 2 = (i 2 i1 ) R L = i O D R L Tenemos que plantear las ecuaciones del circuito para obtener i O D = i1 i 2 en funcin de v ID = v I 1 v I 2
Antonio Jess Torralba Silgado 3 of 26

Ecuaciones del circuito

Supuestos M1 y M2 en saturacin:
1
' n C ox W 2 L I + iO D i1 = B 2 I iO D i2 = B 2

v ID = v I 1 v I 2 = v GS 1 v GS 2 =

i1

i2

Adems
i O D = i1 i 2 I B = i1 + i 2

Sustituyendo,

' n C ox W v = I B L ID
Antonio Jess Torralba Silgado

1+

iO D i 1 OD IB IB
4 of 26

Resolviendo las ecuaciones

Elevando dos veces al cuadrado y despejando:

i1 , 2 I = B 2
' n C ox v W I B ID 2 IB L

v 2 1 ID V E FF
i2 0

Si v ID =

2 V E F F entonces i1 I B

Si v ID < < 2 V E F F entonces

i1 , 2 I B 2
' n C ox v W I B ID 2 IB L
5 of 26

Antonio Jess Torralba Silgado

Funcin de transferencia

Antonio Jess Torralba Silgado

6 of 26

Tensiones mnimas funcionamiento

V DD

vO1
M1 M 2

vO 2
vI 2
M3

En el caso ms favorable (la fuente de polarizacin I B es un espejo simple): Entrada v IC M | M IN V S S

M 1, M 2 3 = V OM + VGS |M V IN 0 .1 5 + 1 = 1.1 5 V

vI1

Salida

v O C M | M IN V S S = 2 V O V 0 .3 V
7 of 26

Antonio Jess Torralba Silgado

2. ANLISIS PEQUEA SEAL

Entrada
En

Diferencial.

este caso, i1 = i 2 por lo que la tensin en el nodo S, fuente de M1 y M2, permanece constante ( v S = 0 ) , independ. de la ro u t de I B v od 2 g m v id 2
+

v id 2

Add =

rd s
Circuito mitad equivalente para seal diferencial

RL

= g m (rd s || R L ) gm RL
8 of 26

v od v id

Antonio Jess Torralba Silgado

Entrada no diferencial
RL
v o1 v o 2

RL
+

v i1

vi2

vs
g m (v i 1 v s )

rb

g m (v i 2 v s )

g m (v i 1 v s ) + g m (v i 2 v s ) = v s g b gm v + v i 2 v ic m vs = 2 g m + g b i1

Sustrato a fuente y R L < < rd s

Antonio Jess Torralba Silgado

9 of 26

Entrada en modo comn

RL
v ocm
Sustrato a fuente y R L < < rd s

v ic m

g m (v ic m v s )

vs
Circuito mitad equivalente para seal modo comn

v o c m = g m (v ic m v s )R L v s = g m (v ic m v s ) 2 rb

rb

Acc =

v ocm gm RL R = L 1 + 2 g m rb 2 rb v ic m

Importancia de rb elevada
Antonio Jess Torralba Silgado 10 of 26

3. DESAPAREAMIENTOS

Causas: tolerancias de fabricacin. Para un nmero elevado de muestras puede ser considerado aleatorio.
R L 1, 2 = R L RL 2 ; VT ; K ' W K n C ox L

Ante desapareamiento, v O D ( v I 1 = v I 2 ) 0. Se define tensin de offset a la entrada:

V O FF = vOD (v I 1 = v I 2 ) Add
11 of 26

Antonio Jess Torralba Silgado

Tolerancias

IB I 2 RL R L V O FF = B 2 gm RL I I 2 K K K : i1 , 2 = B 1 V O FF = B 2 gm K K VT V T : V T 1, 2 = V T V O FF = V T 2 I B 2 RL K sumando V V = + + O FF T gm RL K RL V K = VT + E FF + 2 RL K R L : vOD (v I 1 = v I 2 ) =
Antonio Jess Torralba Silgado 12 of 26

Influencia : R L

VT

Rechazo al modo comn: CMRR

v id

v icm

Un efecto muy negativo del desapareamiento son las ganancias cruzadas, especialmente v A cd = od v icm Se define Add v od A cd A C M R R = dd A cd A cd v ocm De la definicin de V O F F y A cc C M R R se deduce que son inversamente proporcionales
Antonio Jess Torralba Silgado 13 of 26

Ejemplo con R L
RL v o1 gm = RL + 1 + 2 g m rb 2 v icm RL vo2 gm = RL 1 + 2 g m rb 2 v icm

A cd

RL 2 rb

RL Como A d d = g m R L entonces, C M R R = 2 g m rb RL adems, I 2 RL C M R R V O F F = I B rb V O FF = B gm RL

Antonio Jess Torralba Silgado 14 of 26

4. CON CARGAS ACTIVAS

Para aumentar la ganancia, cargas activas. El circuito a) requiere una realimentacin de modo comn. El circuito b) no, pero su salida es no diferencial.

V DD

vB

V DD M3 M4

vO1
vI1
a)

M3 M4

vO 2
vI 2
M1 M 2

v OUT
vI1
b) M3
15 of 26

M1 M 2
M3

vI 2

Antonio Jess Torralba Silgado

Anlisis del circuito b)

v id 2

Asumimos fuentes de M1 y M2 a sustrato, que la entrada es diferencial, M1=M2 y M3=M4, y una carga R L v v v g m 1 id v g s 4 g m 4 v g s 4 g m 2 id id 2 2 2
+

rA

rB

r A = rd s 1 || rd s 3 ||

1 gm3

= rd s 2 || rd s 4 ||

1 gm4

r B = rd s 4 || R L || rd s 2
16 of 26

Antonio Jess Torralba Silgado

Ganancia de tensin y rout

v gs4 = g m 2 rA vd 2
v v v o u t = g m 2 d + g m 4 g m 2 r A d rB 2 2
Add = 1 g m 2 (1 + g m 4 r A ) v out gm2 = 2 1 rB vd g ds4 + g ds2 + G L ro u t = rd s 2 || rd s 4 = 1 + g ds4
17 of 26

g ds 2

Antonio Jess Torralba Silgado

5. ANALISIS EN FRECUENCIA

g m1

Suponemos ahora que la carga es capacitiva C L v v id v gs 4 g m 4 v gs4 g m 2 id 2 2

rA
r A = rd s 1 || rd s 3 ||
C A = C gd 1

CA
= rd s 2 || rd s 4 || 1

rB

CB

r B = rd s 4 || rd s 2 gm3 gm4 + C gs3 + C gs4 + C db1 + C db 3 + C gd 4 Adg 4

C B = C gd 2 + C gd 4 + C db 2 + C db 4 + C L
Antonio Jess Torralba Silgado 18 of 26

Polos y Ceros

La funcin de transferencia tiene dos polos y un cero

1 rA C

p1 =

p2 =
A

1 rB C

z1 =
B

(1 +

g m 4rA

)p

En la prctica r B > > r A , pero dado el valor de C L , p 2 es el polo dominante. Como r A 1 g m 3 , z 1 2 p 2 , lo que se denomina un doblete

Antonio Jess Torralba Silgado 19 of 26

6. EL PAR DIFERENCIAL BIPOLAR

V DD

RL i1

vO1
vI1

Q1 Q2 E I EE

RL i2 vO 2

vI 2

Anlisis dc Procediendo como el MOS i v ID = v BE 1 = V T ln C 1 IS i V T ln C 1 iC 2 iC 2 v B E 2 = V T ln IS Como i C 1 + i C 2 = I E E

I EE 1 + e v ID V T
iC 2 =

iC 1 =

I EE 1 + e + v ID V T
20 of 26

Antonio Jess Torralba Silgado

10

Tensiones mnimas funcionamiento

Si Si

v ID = 4 V T
v ID < < 2 V T

entonces i1 I E E entonces i1 , 2

i2 0

I E E I E E v ID 2 2V T 2

Tensiones mnimas de funcionamiento:

Entrada:
1,Q 2 v IC M | M IN V E E = V OQV3 + V B E |Q M IN 0 .2 + 0 .8 = 1.0 V

Salida:

v O C M | M I N V E E = 2 V O V 0 .4 V
Antonio Jess Torralba Silgado 21 of 26

Caracterstica de Transferencia

Antonio Jess Torralba Silgado

22 of 26

11

Anlisis de pequea seal

Diferencias con MOS: rin finita y g m elevada Entrada diferencial

Add = v od = g m (ro || R L ) g m R L v id

rin d = 2 r
+ v i 2 ) v ic m

Entrada

no diferencial

ve =
Entrada

2 ( g m + 1 r ) + g e e

g m + 1 r

(v

i1

en modo comn

A cc =

v ocm gm RL = v ic m 1 + 2 ( g m + 1 r
Antonio Jess Torralba Silgado

)r

ee

RL 2 re e
23 of 26

Desapareamientos

; AE I S Causas: R L 1 , 2 = R L 2 Influencia I I EE 2 R L R L :v OD ( v I 1 = v I 2 ) = EE R L V OFF =

RL

gm

RL

I S : iC 1,2 =
Sumando

IS I EE I EE 2 I S 1 V O FF = 2 2IS gm IS

V O FF =

RL I EE 2 R L IS IS = VT + + gm IS IS RL RL
Antonio Jess Torralba Silgado 24 of 26

12

Desapareamientos

Las variaciones dan lugar a un offset de corrientes

: i B 1,2 1 I EE 1 2 +1 2 1 I I O FF = I B 1 I B 2 E E = IB 2 + 1 2

Al igual que en el MOS se producen ganancias cruzadas. Para el caso de R L se tienen las mismas expresiones: RL C M R R V O F F = I E E re e C M R R = 2 g m ree RL
Antonio Jess Torralba Silgado 25 of 26

Cargas Activas y anlisis frecuencia

V DD
Q3 Q4

Las mismas expresiones que el MOS para la ganancia diferencial y la resistencia de salida

v OUT
vI1
Q1 Q2 E I EE

Add

g ds4

gm2 + g ds2 + G L 1 + go4

vI 2

ro u t =

go2

Tambin para polos y ceros

26 of 26

Antonio Jess Torralba Silgado

13