Transistores Bipolares (ii prte)

Curvas de colector

Un transistor tiene cuatro regiones de operacin distintas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados: activa, corte, saturacin y disrupcin. Cuando se emplean transistores para amplificar seales dbiles, estos trabajan en la regin activa. Algunas veces, la regin activa se denomina regin lineal, porque las variaciones en la seal de entrada producen variaciones proporcionales en la seal de salida.

Regin activa: En esta regin de funcionamiento normal del transistor, cuando ste no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal. En esta regin, el diodo de emisor est polarizado en directa y el diodo de colector est polarizado en inversa. Adems, el colector captura casi todos los electrones que el emisor ha inyectado en la base. Por esta razn, los cambios en la tensin del colector no tienen efecto en la corriente de colector. Grficamente, la regin activa es la parte horizontal de la curva. En otras palabras, la corriente del colector es constante en esta regin.

Regin de disrupcin o regin inversa: Otra regin de operacin es la regin de disrupcin. El transistor nunca debera funcionar en esta regin porque se destruira. A diferencia del diodo zener, que est optimizado para trabajar en la zona de disrupcin el transistor no est preparado para operar en esta regin. Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso.

Regin de corte:
Observe que cuando la corriente de base es cero, existe una pequea corriente de colector. Esta curva de la parte inferior es la regin de corte del transistor y la pequea corriente de colector se denomina corriente de corte de colector. Por qu existe esta corriente de corte de colector? Porque el diodo de colector presenta una corriente inversa de portadores minoritarios y una corriente de fugas superficial. En un circuito bien diseado la corriente de corte de colector es lo suficientemente pequea como para poder ignorarla. Por ejemplo, un 2N3904 presenta una I de corte de colector de 50 nA. Si la corriente de colector real es 1 mA, se podria ignorar.

Regin de saturacin
Cuando VCE toma valores entre 0 V y unas dcimas de voltio, esta parte de la curva define la regin de saturacin. En esta regin, el diodo de colector no tiene la suficiente tensin positiva como para capturar todos los electrones libres inyectados en la base. En esta regin, la corriente de base IB mayor que la normal y la ganancia de corriente dc es menor quela normal. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib)

Potencia del transistor

Aplicando LVK al circuito de colector de la Figura a:

El transistor tiene una disipacin de potencia de aproximadamente: Lo que significa que la potencia del transistor es igual a la tensin colector-emisor por la corriente de colector. Esta disipacin de potencia hace que la temperatura de la unin del diodo de colector aumente. Cuanto mayor es la potencia, ms alta es la temperatura de la unin. Los transistores se quemarn cuando la temperatura de la unin se encuentre entre 150 y 200C. Uno de los parametros ms importantes especificados en una hoja de caractersticas es la potencia mxima PD(mx) La disipacin de potencia dada por la Ecuacin anterior tiene que ser menor que PD(mx) En caso contrario, el transistor se destruir.

Ejemplo

EI transistor de la siguiente Figura tiene dc = 300. Calcular lB, le,Vce y Pd-

En la figura c se muestra la aproximacin ideal de un transistor. Podemos ver el diodo de emisor como un diodo ideal. En este caso, VBE = 0. El lado del colector del transistor se comporta como una fuente de corriente que bombea una corriente de colector de valor dclB a travs de la resistencia de colector.

Aproximacin ideal del transistor

La segunda aproximacin
La Figura c muestra la segunda aproximacin de un transistor. Esta aproximacin es la que se usa ms frecuentemente porque puede mejorar significativamente el anlisis cuando la tensin de alimentacin de la base es pequea. En los transistores de silicio, esto significa que VBE = 0,7 V (para transistores de germanio, VBE = 0,3 V). Con la segunda aproximacin, las corrientes de base y de colector sern ligeramente menores que sus valores ideales.

Aproximaciones de orden superior

La resistencia interna del diodo de emisor comienza a ser importante slo en las aplicaciones de alta potencia en las que las corrientes son grandes. El efecto de la resistencia interna en el diodo de emisor es incrementar el valor de VBE por encima de 0,7 V. Por ejemplo, en algunos circuitos de alta potencia, la tensin VBE que cae en el diodo Base-emisor puede ser mayor de 1 V.

Ejemplo

Cul es la tensin colector-emisor en la siguiente Figura? Utilice el transistor ideal

Ejemplo

Cul es la tensin colector-emisor en el circuito de la Figura anterior si se aplica la segunda aproximacin?

Resumen

El punto de operacin

Todo circuito de transistores tiene una recta de carga. Dado cualquier circuito es posible conocer su corriente de saturacin y su tensin de corte.

En primer lugar, imaginemos un cortocircuito entre los terminales de colector y de emisor, con lo que toda la tensin de alimentacin del colector aparece en la resistencia de colector, lo que significa que la corriente de saturacin es igual a 5 mA. Segundo, imaginamos en circuito abierto los terminales de colector-emisor. En este caso, no hay corriente y toda la tensin de alimentacin aparece en los terminales de colectoremisor, lo que significa que la tensin de corte es 15 V

Vamos a suponer que tenemos un transistor ideal. Por tanto, toda la tensin de alimentacin de la base aparecer en la resistencia de base, con lo que la corriente de base es:
Si la ganancia de corriente del transistor es 100. Luego la corriente de colector es:

Por qu vara el punto Q? Qu ocurre si la ganancia de corriente es igual a 50? Y si es igual a 150? Para empezar, la corriente de base permanece constante, ya que la ganancia de corriente no tiene ningn efecto sobre la corriente de base. Idealmente, la corriente de base es constante e igual a 30 u.A. En el caso de que la ganancia de corriente sea igual a 50:

Si dibujamos estos valores en la grfica obtenemos el punto inferior QL. .

Si la ganancia de corriente es de 150, tenemos:

Llevando estos valores sobre la grfica obtenemos el punto superior QH mostrado en la Figura

Los tres puntos Q de la Figura ilustran la sensibilidad del punto de trabajo de un transistor con polarizacin de base respecto de las variaciones de dc . Cuando la ganancia de corriente vara de 50 a 150, la corriente de colector vara desde 1,5 a 4,5 mA. Si las variaciones de la ganancia de corriente fueran mucho mayores, el punto de trabajo podra fcilmente llegar a la saturacin o a la regin de corte. En este caso, un circuito amplificador dejara de ser til, ya que dejara de funcionar en la regin activa.

Polarizacin de emisor
Cuando se entra en el mundo de amplificadores lo que se necesita son circuitos cuyos puntos Q sean inmunes a las variaciones de la ganancia de corriente. En la siguiente figura se muestra un circuito de polarizacin de emisor. En este la resistencia se ha pasado del circuito de base al circuito del emisor. Este nico cambio provoca una enorme diferencia. El punto Q de este nuevo circuito es extremadamente estable. Cuando la ganancia de corriente varia entre 50 y 150, el punto Q no muestra prcticamente ningun movimiento a lo largo de la lnea de carga.

La tensin de alimentacin de la base ahora se aplica directamente a la base. Por tanto, un tcnico de reparaciones obtendr una tensin VBB entre la base y tierra. El emisor ya no est conectado a tierra, ahora est por encima de tierra y tiene una tensin que viene dada por:

Si VBB es 20 veces mayor que VBE, la aproximacin ideal dar resultados precisos. Si VBB es 20 veces menor que VBE , es posible que se deba utilizar la segunda aproximacin, ya que, de lo contrario, el error ser mayor del 5 por ciento.

Cmo hallar el punto Q

Analicemos el circuito con polarizacin de emisor. La tensin de alimentacin de la base es slo de 5 V, por lo que utilizamos la segunda aproximacin. La tensin entre la base y tierra es 5 V. A partir de ahora, nos referiremos a esta tensin de base respecto de tierra como la tensin de base, o VB. La tensin que cae entre los terminales de base y emisor es 0,7 V. Del mismo modo, a esta tensin la denominaremos tensin base-emisor.

La tensin entre el emisor y tierra se denomina tensin de emisor y es igual a: Esta tensin cae en la resistencia de emisor, por lo que podemos emplear la ley de Ohm para calcular la corriente de emisor:

Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente igual a 1,95 mA. Cuando esta corriente de colector fluye a travs de la resistencia de colector, produce una cada de tensin de 1,95 V. Restando este valor de la tensin de alimentacin del colector obtenemos la tensin entre el colector y tierra:

A partir de ahora, denominaremos tensin de colector a esta tensin entre colector y tierra. Si desea conocer la tensin colector-emisor, tendr que restar la tensin de emisor de la tensin de colector de la siguiente manera:

Por tanto, el circuito con polarizacin de emisor de la Figura tiene un punto Q con las coordenadas siguientes: lc = 1,95 mA y VCE = 8,8 V. La tensin colector-emisor es la tensin utilizada para dibujar las rectas de carga y para leer las hojas de caractersticas. Como frmula:

El circuito es inmune a las variaciones de la ganancia de corriente

He aqu por qu la polarizacin de emisor es tan sobresaliente: el punto Q de un circuito con polarizacin de emisor es inmune a las variaciones de la ganancia de corriente. La demostracin se basa en el proceso utilizado para analizar el circuito. Los pasos que hemos usados anteriormente son: 1. Obtener la tensin de emisor. 2. Calcular la corriente de emisor.

3. Hallar la tensin de colector. 4. Restar la tensin de emisor de la tensin de colector para obtener VCE.

En el proceso anterior no necesitamos en ningn momento utilizar la ganancia de corriente. Dado que no la necesitamos para hallar la corriente de emisor, ni la corriente de colector, etc., el valor exacto de la ganancia de corriente ya no resulta importante. Este tipo de circuito se dice que es independiente de beta.

Ejemplo

Cul es la tensin entre el colector y tierra en el siguiente circuito? Y entre el colector y el emisor?