Fabricao de nanoestruturas

Parte II



Prof. Dr. Antonio Carlos Seabra
Dep. Eng. de Sistemas Eletrnicos
Escola Politcnica da USP
acseabra@lsi.usp.br


Prof. A.C. Seabra VI Escola do CBPF: Nanofabricao 17 a 21/07/04 2
Litografia Top-Down
Litografia na Indstria de CIs
Litografia ptica
Litografia por Raios-X
Apresentaes em ftp://ftp.cat.cbpf.br/publico/sampaio/

Litografia Top-Down para Nanotecnologia
Aplicaes

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Hoje
CAD
Mscara(s)
Litografia
ptica
Litografia
por Raios-X
Escrita Direta Nanocarimbos
Nanotecnologia

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Onde se situa a Nanotecnologia?
Nanoescala

10
5
10
4
10
3
100

10

1

0,1

Nanmetros

0,1 mm

Dimetro do
Cabelo Humano
Bactrias
Vrus
Microchips
Molculas
Orgnicas
Dimetro de um
Nanotubo de Carbono
Dimetro
Atmico
Glbulo
Vermelho
MEMS Luz Visvel Mecnica Quntica

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Litografia Top-Down para Nanotecnologia
No precisa de 35 nveis
No precisa ter a mesma produtividade
Precisa ter resoluo na faixa 10-100nm
Precisa ter capacidade de alinhamento para apenas 2-
3 nveis

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Litografia Top-Down para Nanotecnologia
Em qu ela pode contribuir com estruturas auto-
formadas (bottom-up)?
Posicionamento em locais pr-definidos
Fabricao de estruturas com qualquer geometria (2D-3D)
Fabricao de estruturas em qualquer material
Possibilita o acesso ao mundo exterior (realizando conexes e
nanoconexes)
Combinada com estruturas auto-formadas cria um
enorme potencial inovativo em pesquisa e novos
produtos



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Nanoconexes
Estruturas proticas (Microtbulos)
conectadas por nanofios.
10


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Litografia Top-Down para Nanotecnologia

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Litografia Top-Down para Nanotecnologia
Principais tcnicas litogrficas (top-down) para
aplicao em nanotecnologia
Feixe de eltrons
Raios-X (EUV)
Feixe de ons
Holografia
Nanoimpresso
Varredura de Sonda (SPL ou PPL)
Litografia ptica!


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Litografia Top-Down para Nanotecnologia
Litografia por Feixe de Eltrons

Abertura
com geometria
Pr-formatada
Fonte

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Litografia por feixe de eltrons
Afinal, um microscpio eletrnico de varredura?
16bits
0,1nm capacidade
de endereamento
Eletrostticas
(10-100ns)
4,6,8
2nm~0,5nm capacidade
de posicionamento

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Litografia por Feixe de Eltrons
Difrao no limita a resoluo
Resoluo depende basicamente do dimetro do feixe,
~5nm
Aplicaes
Escrita direta (inclusive para fabricao de mscaras)
Pesquisa
Prototipagem
Projeo (stepper)
Limitaes
Serial, produtividade adequada para pequenas sries e pesquisa
Efeito de proximidade
Opera em alto vcuo (10
-6
~10
-10
torr)

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Limitao da Resoluo
M
d
irtual fonte d
v
g
= ) (
2
v (d
v
= tamanho da fonte, M = desmagnificao)
(C
s
= aber. esfrica, o = ngulo de conv.)
(C
s
o distncia focal
(C
c
= aber. cromtica, AE = esp. de
Energia do feixe, V
b
= tenso de acel.)
V
b
= 30kV,
= 0,08nm
Para aumentar a resoluo:

|M ,| V
b
,+ AE , +f .e . o?
2 2 2 2
d c s g
d d d d d + + + =
) (
2 , 1
6 , 0 ) (
2
nm
V
onde difrao de limite d
b
d
= =
o

3 2
2
1
) ( o
s s
C esfrica aberrao d =
b
c c
V
E
C cromtica aberrao d
A
= o ) (
2
distncia de trabalho)

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Fonte de Eltrons

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Efeito de Proximidade
Espalhamento de Eltrons no Resiste e no Substrato
o
|

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Efeito de Proximidade
Pode ser modelado por uma dupla gaussiana:
|
|
.
|

\
|
+
+
=

2
2
2
2
2 2
1
) 1 (
1
) (
|
o
t|
q
to q
r
r
e e r I
Em geral uma
matriz de 50.000
x 50.000 pontos

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Efeito de Proximidade
Substrato de Silcio e resiste PMMA de 0,5 m de espessura

q = 0.75 (independente da energia do feixe)

keV = 11 / 15 / 20 / 25 / 30 / 35
|= 0.9 / 1.4 / 2.2 / 2.8 / 4.0 / 5.8


Substrato de GaAs e resiste PMMA de 0,5 m de espessura

q = 1.4 (independente da energia do feixe)

keV = 15 / 20 / 25 / 30 / 35 / 39
|= 0.7 / 1.0 / 1.3 / 1.8 / 2.2 / 2.6


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Distribuio de Energia
Considerando o Efeito de Proximidade
PMMA = 400nm
Si = 40m

PMMA = 400nm
Nb = 20nm
Si = 40m

Funo delta de Dirac
Convoluo com feixe gaussiano de 50nm
Superfcie
Interface

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Efeito de Proximidade
Parmetros de Efeito de Proximidade:
o, |, q

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* Trabalho conjunto IFUSP-
EPUSP-CBPF
Linhas de 50nm x 10um
Microsquids em Filmes
Magnticos

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Estratgias para minimizar o efeito de
proximidade
Utilize resistes finos
Utilize substratos finos
Ajuste a tenso de acelerao
Divida a geometria em sub-estruturas com doses diferentes

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Litografia por Feixe de Ions
Como LFE, LFI pode ser utilizada para escrita direta

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Litografia por Feixe de Ions
Caractersticas principais
Menos sujeita retroespalhamento (massas maiores)
Resistes para LFI so mais sensveis
Maiores energias que LFE
Melhor resoluo e produtividade
Dificuldades
Fontes de ons menos confiveis
Mais difcil de focalizar
Menor profundidade de penetrao (30nm ~ 500nm)
Implantador Inico de baixa energia!

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Litografia por Holografia
Aplicao imediata em
cristais fotnicos
(Scheneider, 2004)

Redes fabricadas em filmes de Al
Posio relativa das trs redes para
gerar o padro de interferncia
Exposio laser Nd:YAG (355nm)

Estruturas (410
8
) resultantes no
resiste sobre a superfcie
(LFE = 2510
8
)
Excelente resoluo e
profundidade de foco

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Litografia por Holografia
Combinao com litografia por feixe de eltrons

Adicionar estruturas com
geometrias especficas

Guias de Onda
Ressonadores


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Lift-off
Processo Tradicional
resiste
metal
substrato
Deposies de
metal e resiste
resiste
metal
substrato
Exposio do
resiste
metal
substrato
Revelao do
resiste
Corroso
substrato
metal
mida Seca
Lift-off
resiste 2
resiste 1
substrato
Deposies
resiste 2
resiste 1
substrato
Escrita Direta
resiste 1
substrato
resiste 2
Revelao 1
resiste 1
substrato
resiste 2
Revelao 2
metal
Deposio
metal
Lift-off
10nm!

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Vista de Topo:
Resiste
Lift-off e evaporao inclinada
(com sombras)
+AlO
x
Evaporao:
1.Nb 1.
3.Nb
3.
2.Al
2.
SET Nb/AlO
x
/Nb