INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA

MEDICIONES

PROFESOR: Delgado Fernndez Agustn

PRACTICA 4: TRANSISTOR BIPOLAR

Acua Barrera Jos David. Cruz Santiago Erika. Garca Godnez Eduardo. Ortiz Snchez Luis Alberto.

GRUPO: 4CM11

FECHA DE ENTREGA: 21/MAYO/2012

TRANSISTOR BIPOLAR
OBJETIVOS. 1. 2. 3. 4. Identificar las terminales del transistor bipolar Comprobar el efecto transistor Medir la corriente de fuga y su variacin con la temperatura Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unin base-emisor y de la unin colector-base de un transistor bipolar de silicio de tecnologa plana 5. Obtener las curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar en configuracin de emisor comn. Observar y reportar su variacin con la temperatura. Identificar las regiones de operacin corte, saturacin activa y directa. 6. Contestar y entregar cuestionario, hacer conclusiones y reportar los datos, graficas y mediciones llevadas a cabo durante la realizacin de esta prctica. MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO Osciloscopio de doble trazo y puntas de prueba Generador de seales Multimetro analgico o digital Resistencias: Cuatro de 1k y una de 100k Cuatro transistores de silicio NPN BC547 Un transistor de germanio NPN AC127 Pinza de punta, de corte y desarmador Cables: 6 caimn-caimn, 6 caimn-banana, 6 banana-banana Protoboard 4 puntas de prueba de osciloscopio DESARROLLO EXPERIMENTAL 1. Identificar las terminales del transistor bipolar. Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor bipolar y si este es NPN o PNP, sin embargo, se recomienda que siempre se consulten las hojas de especificaciones que proporciona el fabricante y que nos indican cmo est ubicada las terminales de emisor, colector y base. En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicacin es correcta y que el dispositivo est en buen estado. 2. Usar el multmetro en su funcin hmetro y aplicar la prueba conocida como prueba del amplificador e identificar las terminales del transistor. a) Use un multmetro analgico en su funcin de hmetro. Mida el efecto rectificante entre las uniones emisor-base y colector-base (para el caso de un transistor NPN, cuando se coloca el positivo de la fuente interna del hmetro en la base (P) y el negativo en cualquiera de otras dos terminales deber medirse baja resistencia, al invertir esta polaridad, la resistencia medida deber ser alta (use la misma escala del multmetro

para la realizacin de estas pruebas). Entre las terminales de colector-emisor se observar alta resistencia sin importar como se coloque la polaridad en las terminales del hmetro. Con estas mediciones se comprueba la existencia de las uniones rectificantes del transistor bipolar y el tipo de transistor NPN o PNP. Para distinguir la terminal de colector de la de emisor, ser necesario aplicar la prueba del amplificador o alguna otra que se proponga. 3. Otra forma que permite identificar las terminales de este dispositivo, es mediante el uso de un multmetro digital que nos permita medir la beta del transistor. Esto es; elegimos en el multmetro digital la funcin de medicin de la beta, colocamos las terminales del transistor como creamos que estn correctas y midamos las betas, cuando el dispositivo est correctamente colocado, la beta medida generalmente es grande (en la mayora de estos casos mayor a 50), cuando no est bien colocado la beta que se mide es pequea (en la mayora de estos menos a 20 y en algunos multmetros en esta situacin marca circuito abierto).

Comprobar el efecto transistor.

Se arm el circuito de la figura y se comprob el efecto transistor, en el cual se hace evidente la inyeccin de portadores de la regin de emisor hasta la regin de colector, debiendo estar la unin emisor-base polarizada directa, independientemente de la polarizacin que se presente en la unin colector-base. Se comprob que el valor de la corriente medida en el colector, prcticamente es igual a la que se tiene en el emisor. IC= 0.9 A

Medir la corriente de fuga ICBO y su variacin con la temperatura.

Al igual que en los diodos (uniones rectificantes) se tuvo la presencia de corriente de fuga (generadas por los portadores minoritarios), en los transistores bipolares tambin se presentan, de tal forma que si polarizamos inversamente en cualquier par de terminales del transistor, se podrn medir estas corrientes. Segn el par de terminales que se elija, la corriente tendr valores diferentes aunque del mismo orden de magnitud, es importante recordar que estas corrientes son muy pequeas comparadas con las corrientes de operacin del dispositivo y que adems para el caso de silicio son mucho menores que para el germanio. En la expresin matemtica que se una para la corriente de colector del transistor bipolar, se presenta el trmino ICBO=ICO, conocido como corriente de saturacin inversa colector-base con el emisor abierto.

En la figura se propone un circuito para medir esta corriente y observar como vara con la temperatura. Para esta medicin se us el transistor de germanio AC127. ICBO=ICO= 0.001 A a temperatura ambiente ICBIO=ICOI= 0.003 A a temperatura mayor que la ambiente Para lograr que la temperatura fuera mayor a la del ambiente, se acerc un encendedor al transistor bipolar por cinco segundos.

Observar y medir el voltaje de ruptura en la unin base-emisor y de la unin colector-base de un transistor bipolar de tecnologa plana

Se arm el circuito de la figura y se obtuvo la curva del diodo emisor-base, posteriormente se desconect el emisor, se conect el colector y se obtuvo la curva del diodo colector-base. Se us seal senoidal con voltaje pico entre 10 y 12 V y frecuencia entre 60 y 1KHz.

VEB= 3.86 V VCB= 3.67 V VEC (conectado en emisor)= 0.47 V VEC (conectado en colector)= 3.3 V

Obtener las curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar en configuracin de emisor comn. Observar la variacin con el voltaje colector-emisor.

Se arm el circuito propuesto en la figura, el cual permite obtener el comportamiento de la unin emisor-base del transistor bipolar y se observ su variacin con el voltaje de colector-emisor.

Valores medidos de corriente en la base para los diferentes voltajes de base-emisor Vbe(V) medido sobre la curva del diodo emisorbase cuando Vce=0V 3.578 V Vbc(V) medido sobre la curva del diodo emisorbase cuando Vce=1.2V 4.056 V Vbe(V) medido sobre la curva del diodo emisorbase cuando Vce=5V 0.364 V

6.6.1.-Armar el circuito de la figura 6.7 y obtener una a una las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar en emisor-comn, para diferentes corrientes en la base.

Figura 6.7.-

a) Circuito propuesto para obtener las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar. b) Ejemplo de las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar ubicando las regiones de corte, saturacin y activa directa.

Reporte los valores medidos de corriente de colector para los valores de voltaje colector-emisor solicitados en la tabla 6.2, elija los valores adecuados para la corriente de base, tal que la IB1 haga que el transistor bipolar trabaje en la regin de corte, los valores de IB2 y IB3 lo hagan trabajar en la regin activa directa (de amplificacin) y la corriente IB4 lo lleve a la regin de saturacin.

Tabla 6.2 Medir los valores de corriente de colector Ic (mA), para cada uno de los valores de voltaje colector-emisor abajo indicados (use la curva Corriente que se obtiene en el osciloscopio para cada uno de los diferentes en la base valores de la corriente de base). ( A ) Vce = 0 IB = 0 mA Vce = 2V 315mA Vce = 4V 785mA Vce = 6V 870mA Vce=8V Vce=10V Vce=12V 880mA 880mA 880mA

Figura 6.8.-

Curva caracterstica de salida en configuracin de emisor-comn para el transistor bipolar a dos diferentes temperaturas y considerando la corriente en la base constante.

6.6.3.- Usando el accesorio trazador de curvas para osciloscopio, tal como se indica en la figura 6.9, obtenga la familia de curvas caractersticas de salida del transistor bipolar, dibjelas en la figura 6.10.

Al ubicar el punto de referencia para nuestras curvas (0, 0), la primera curva corresponder a la corriente de base cero, por lo que si elegimos incrementos de corriente de base de 10 A, entonces la segunda curva que se observara corresponder a una corriente de base de 10 A, la tercera a una corriente de base de 20 A, la cuarta a una corriente de base 30 A y as sucesivamente. Usted puede elegir la corriente de base que sea adecuada a su dispositivo y que le permita observar las seis graficas que s pueden tener con el trazador de curvas.

Figura 6.9.-

Forma en que se debe usar el accesorio trazador de curvas para el osciloscopio, para obtener la curva caracterstica de salida del transistor bipolar.

Figura 6.10.- a) Ejemplo de una familia de curvas caractersticas de salida (VI) del transistor bipolar. b) Familia de curvas caractersticas del transistor bipolar que se obtiene usando el trazador de curvas. CUESTIONARIO: 6.7.1.-Dibuje el diagrama de bandas de un transistor bipolar en el cual la unin emisor base este polarizada directamente y la unin colector base presente polarizacin cero.

6.7.2.- Determine el valor de para las lecturas que se realizaron en el circuito de la figura 6.2. Indica la relacin entre las corrientes de colector y emisor, su valor es algo inferior a la unidad

6.7.3.- Escriba la expresin matemtica que se usa para determinar el aumento de la corriente de fuga en una unin rectificante cuando aumenta la temperatura, hgalo tanto para el caso del silicio como para el germanio. R=Los transistores presentan ciertas corrientes de fuga, debidas al efecto de los portadores minoritarios. Una de las corrientes de fuga se designa (La letra significa intensidad de corriente, representa la unin colector-base, y indica que el emisor est abierto.) Esta corriente es la que atraviesa la unin colector-base en condiciones de polaridad inversa y con el terminal del emisor abierto. Otra corriente de fuga es ( significa intensidad de corriente, representa la unin colector-emisor, y indica que el emisor est abierto.) Esta corriente de fuga es la ms intensa; es una forma amplificada de

Con el terminal de base abierto, toda corriente que se infiltre a travs de la unin colector-base polarizada inversamente producir sobre la unin base-emisor el mismo efecto que una corriente base aplicada externamente. Con el terminal de base abierto, la corriente de fuga no puede seguir otro camino. Esta fuga la amplifica el transistor como cualquier corriente de base:

En los transistores de silicio, las corrientes de fuga son muy dbiles. Los transistores de germanio tienen unas corrientes de fuga mucho ms intensas, lo que posiblemente se manifieste en una resistencia inversa elevada, pero no infinita.

6.7.4.-Defina que otras corrientes de fuga pueden obtenerse entre las terminales de un transistor bipolar e indique con que literales se conocen. R= 1) La tensin inversa colector-base con el emisor abierto (UCBO). Suele ser elevada (de 20 a 300 voltios) y provoca una pequea corriente de fugas (ICBO).

2) La tensin inversa colector-emisor con la base abierta (VCEO). Tambin provoca una corriente de fugas (ICEO). 6.7.5.-Proponga un circuito que permita obtener la corriente de fuga en la unin emisor base con el colector en corto circuito. 6.7.6.- De qu orden es el voltaje de ruptura de voltaje colector en el transistor de silicio BC547? R=La VCES define la tensin mxima del colector, estando la base en cortocircuitada al emisor, antes de que la anchura de la regin de transicin alcance el emisor perforando la regin de base.

Grficamente, en la figura 1.7 se muestra la definicin de ambas tensiones. El transistor BC547 tiene VCES=50 V, y es una de las tensiones mximas de alimentacin.

6.7.7.-A partir de la tabla 6.2 obtenga las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar en emisor comn.

6.7.8.-Proponga el circuito equivalente de parmetros h para el transistor bipolar en emisor comn y defina cada uno de los parmetros. R= El modelo hbrido o equivalente hbrido del transistor es un modelo circuital que combina impedancias y admitancias para describir al dispositivo, de all el nombre de hbrido.

La obtencin de los parmetros hbridos involucrados dentro del modelo se hace en base a la teora de cuadripolos o redes de dos puertos. La sustitucin del smbolo BJT por su modelo hbrido durante el anlisis en c.a. permite la obtencin de ciertos valores de inters como son: La ganancia de voltaje, ganancia de corriente, impedancia de entrada y la impedancia de salida. Estos valores dependen de la frecuencia y el smbolo circuital por s solo no considera este aspecto, de all la utilidad del modelo hbrido quien si lo considera NOTA: Los parmetros h, se denominan parmetros hbridos y son componentes de un circuito equivalente de un circuito equivalente de pequea seal que se describir en breve. Los parmetros que relacionan las cuatro variables de denominan parmetros h debido a la palabra hbrido. El parmetro hbrido se seleccion debido a la mezcla de variables V e I en cada ecuacin, ocasiona un conjunto hbrido de unidades de medicin para los parmetros h Una red de dos puertos en general, se describe por el siguiente juego de ecuaciones: La variables involucradas dentro de la red son vi, ii, v0 e i0 y los parmetros que relacionan estas variables son los parmetros hbridos, h. 6.7.9.-A partir de las curvas caractersticas que se obtienen en el punto 6.7.7 obtenga los parmetros hoe, hfe para la grfica que obtuvo con la corriente de Ib3 y un Vce=4V.

R=

6.7.10.-Para la familia de curvas que obtuvo con el trazador de curvas determine el valor de la hfe en los puntos en que Vce=4v y Vce=6v.

6.7.11.- Cuando la corriente en la base es cero, cunto debe valer la corriente de colector? R= Cero, debido a que la corriente de colector es proporcional a la corriente de base. 6.7.12.- Usando los datos de la tabla 6.1, obtenga las curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar en emisor comn.

6.7.13.- Determine los parmetros hbridos hie y hre usando las grficas del punto 6.7.12, para una corriente de base de 40A. R=

POLARIZACION, REGIONES DE OPERACIN Y CIRCUITOS REGULADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES

INTRODUCCION TEORICA TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR El transistor de union bipolar esta formado por 3 capas de silicio (o de germanio) de gran pureza, a las cuales se han aadido pequeas cantidades de boro (tipo p) o de fosforo (tipo n). El limire entre cada capa forma una union, que solo permite el flujo de corriente desde p hacia n. Las conexiones a cada capa se efectuan evaporando aluminio sobre la superficie. El revestimiento de dioxido de silicio protege las superficies no metalicas. Una pequea corriente que pasa a traves de la union base-emisor genera una corriente entre 10 y 1000 veces supeior entre el conductor y el emisor. (Las flechas muestran una corriente positiva. No deben tomarse literalmente los nombres de las capas). El transistor de union tiene numerosas aplicaciones, que van desde los detectores electronicos sensibles hasta los amplificadores de alta fidelidad de gran potencia. Todos ellos dependen de esta amplificacion de corriente.

EQUIPO PROPORCIONADO POR EL LABORATORIO Multimetro digital. Fuente de voltaje c.d. (variable). Material: o 2 diodos transistores de silicio npn BC547. o 2 resistencias de 2.2 K, 2 de 1 K, 100 K, 4.7 K, 330, 220, 100, 820 K, 880 . 1 Transistor TIP 41. 1 diodo zener. Desarrollo de la prctica Para el buen desarrollo experimental de esta prctica y la obtencin de los objetivos de la misma, ser requisito indispensable que el alumno presente por escrito, en forma concisa y breve: el anlisis, funcionamiento, operacin y comportamiento matemtico de cada uno de los circuitos propuestos. El profesor deber revisar que el alumno cumpla con la tarea previa marcada en el punto anterior, as como se indica en el desarrollo de esta prctica, de no satisfacer estas indicaciones el alumno

no tendr derecho a quedarse en el rea de laboratorio y se le considera como falta de asistencia al mismo. 1.- Medir los voltajes y corrientes (punto de operacin) del circuito de polarizacin con divisor de voltaje independiente de beta para el transistor y comparar estos valores con los calculados tericamente. Observar, medir y reportar como se modifica el punto de operacin cuando se usan transistores de diferente beta. Armar el circuito de polarizacin independiente de la beta, el cual se muestra en la figura 7.1, medir los valores de voltaje y corriente que se solicitan en la tabla 7.1 y compararlos con los valores calculados tericamente (el alumno antes de realizar esta prctica deber haber calculado los valores de voltaje y los resultados debern anotarse en la columna correspondiente a la tabla 7.1). Estas mediciones se realizaran con dos transistores BC547 con el fin de comparar el punto de operacin en cada caso y comprobar si efectivamente este circuito depende o no del valor de la beta que tenga el transistor (en los transistores bipolares aun teniendo el mismo nmero de fabricacin, el valor de la beta no siempre estn independientes de la beta de polarizacin que sean independientes de la beta de polarizacin que sean independientes de la beta me polarizacin que sean independientes de la beta, como es el caso que nos atae). 1.1.-Colocar el transistor 1 (con beta 1) y realizar las mediciones indicadas, luego quitar este y colocar el transistor 2 (con beta 2) y repetir las mediciones, llenar la tabla con estos valores. Figura 7.1 circuito con divisor de voltaje independiente de beta.

Parmetro a medir

Valor tericamente calculado 11.7 v .592 v 11.17 v 5.85uV 1.106.mA 1.11mA 189

Valor medido en el laboratorio para transistor 1 10.24 v 0.583v 9.67 v 6uV 1.12mA 1.106mA 186

Valor medido en el laboratorio para transistor 2 8.95 v 81mv 8.15 v 1Ma 3mA 2mA 178

V CE (V) V BE (V) V CB (V) I B (uA) I C (mA) IE (ma) BETA

2.0.- Observar y distinguir el comportamiento del transistor bipolar en sus tres regiones de operacin, corte, activa directa y saturacin. Medir los voltajes y corrientes (punto de operacin) en cada una de estas regiones. 2.1.- Armar el circuito de la figura 7.2 y variar el voltaje de la fuente VBB, para llevar el transistor a las diferentes regiones de operacin ((Corte, activa directa y saturacin), medir los valores de voltajes y corrientes (punto de operacin) para las tres regiones de trabajo, llenar la tabla 7.2 en la que se ha indicado los valores aproximados de las corrientes del colector que se debe tener en la regin de corte y voltaje de colector emisor para las regiones de saturacin y activa directa.

Figura 7.2 Circuito propuesto para llevar transistor bipolar a trabajar en sus diferentes regiones de operacin. El diodo LED se usa para observar visualmente estas regiones (el LED estar apagado cuando el transistor este en la regin de corte, el LED presentara poca intensidad luminosa en la regin activa directa y mayor intensidad luminosa cuando se encuentre en la regin de saturacin. REGION DE OPERACIN REGION DE CORTE REGION ACTIVA DIRECTA REGION DE SATURACION V CE (V) V BE (V) V CB (V) IB (uA) IC (mA)

15

1.74

1.25

14.9

6.73

6.25

1.766

1.77

14.8

11.12

10.61

1.50

1.65

3.1.-Armar el circuito regulador de corriente con transistor bipolar que se muestra en la figura 7.3, realizar las mediciones de voltaje y corriente a la salida necesarios para llenar la tabla 7.3, ajustar el potencimetro de 10 k, de tal manera que cuando la carga est en corto circuito la corriente que se lea sea de 30 mA, la variacin de la resistencia del potencimetro entre cero y 10 k, permite que la corriente en el emisor del transistor (corriente regulada y por consecuencia en la carga RL, vare entre 50 mA y 0.5 mA aproximadamente. Habiendo ajustado el potencimetro de 10 k al valor necesario para que la corriente y voltaje para las diferentes resistencias de carga y observar para que valores de la RL se mantiene la regulacin.

Figura 7.3 Circuito regulador de corriente con transistor bipolar. Valores de corriente y voltaje en la salida del regulador, medidos para diferentes valores de R L a una corriente regulada de 30 mA Valor de resistencia la carga voltaje(V) corriente (mA) la de 1000 12.19 12.2

560 11.07 20.4

220 6.94 32

150 4.783 31.9

100 3.184 31.9

56 1.764 31.8

10 0.315 31.6

0 0.002 31.5

3.2.-Armar el circuito regulador de voltaje con transistores bipolares que se muestra en la figura 7.4, realizar las mediciones de voltaje y corriente, necesarias para llenar la tabla 7.4 ajustar el valor del potencimetro 10 K para que el voltaje sea de 10 V, cuando la carga est en circuito abierto (R L= infinito). La variacin de la resistencia del potencimetro entre cero y 10 K, permite que el voltaje de salida o voltaje regulado (en RL), vare entre 6.7 y 13.72 V aproximadamente, habiendo ajustado el valor de la resistencia del potencimetro de 10 K para que el voltaje regulado sea de 10 V, realizar los cambios de resistencia de carga y observar para que los valores de la R L se mantiene la regulacin

DESARROLLO
Se armo el siguiente circuito:

SIMULACION Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 100K.

Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 1K.

Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 4.7K.

Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 880.

Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 330.

Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 220.

Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 100.

Para infinito.

MEDICIONES DE LA SIMULACION
Valor de la resistencia de carga. Vs(V) I s(A) 9.88V 0 9.88 98.83 9.88 .0021 9.87 .009 9.87 .0112 9.86 .023 9.86 .044 9.83 .098 Infinito. 100 K 4.7 K 1K 880 330 220 100

Para el reglador de voltaje de la figura 7.4, medimos los valores de resistencia de carga mnima y mxima se mantiene el voltaje a la salida prcticamente sin variar. Valores de corriente y voltaje en la salida prcticamente sin variar. Estos son los valores de corriente y voltaje en la salida del regulador de voltaje, medidos para distintas resistencias de carga en un voltaje de salida regulado de 10 V. Valor de la resistencia de carga. Vs(V) I s(mA) 9.98 0 9.98 0 9.98 0 9.96 0.1 9.93 0.2 9.9 0.3 9.85 0.4 9.63 1 Infinito. 100 K 4.7 K 1K 880 330 220 100

4.0.- Reportamos los datos mediante estas graficas, y las mediciones se reportan en la tabla anterior.
12 10 8 6 4 2 0 infinito 10 k 4.7k 1k 560 330 220 100 Vs(v) Is(mA)

CIRCUITO ARMADO

Variacin de la resistencia del potencimetro de entre 0 y 10 k, permite que el voltaje en la salida o voltaje regulado (en RL), vari entre 6.7 y 13.72 V, aproximadamente.

Voltaje y corriente cuando el valor en la resistencia es de 10K.

Voltaje y corriente cuando el valor en la resistencia es de 100 .

CONCLUSIONES
Para el desarrollo de esta prctica en primer lugar fue necesario que revisramos el valor de la de la beta de los transistores de prueba por lo que nos percatamos de que nuestros transistores equivalentes no eran npn, sino pnp por lo que el anlisis como se indica en la introduccin terica lo hicimos conectando inversamente las fuentes con respecto a los circuitos de la practica (diseados para npn). Habiendo visto lo anterior procedimos a iniciar el armado del primer circuito, el cual tena la finalidad de mostrarnos que para esa configuracin, las betas de los transistores son independientes. Al comparar las mediciones de la tabla 7.1 vemos que los valores tienen variaciones importantes y considerables, estos tericamente deberan ser despreciables, sin embargo en la prctica suceden por diversos factores como el medio, la temperatura aunada a los posibles errores de paralaje humanos en las mediciones. A continuacin hicimos el anlisis para el segundo circuito propuesto cuyo propsito era el llevar el transistor a sus diferentes regiones (corte, saturacin y activa directa) para poder as medir el punto de operacin voltaje y corriente). Y pudimos observar que para las 3 regiones la corriente de colector era superior a la corriente de base excepto para la regin de saturacin que el efecto era inverso. Tambin observamos que para los tres casos el voltaje registrado entre el colector y la base era mayor al registrado entre el emisor y el colector y muy superior en los casos de la regin activa directa y de saturacin. Para el tercer circuito que se trataba de un regulador de corriente y al hacer variar la resistencia de carga pudimos ver que la regulacin se mantena o por lo menos tenia variaciones muy pequeas para los valores de 100, 5, y 10 ohm, es decir a medida de que las variaciones entre resistir y resistor se hacan ms pequeas la regulacin se estandarizaba. Por ltimo armamos el circuito regulador de voltaje, el cual pudimos observar que no era tan sensible como el regulador de corriente puesto que aunque las variaciones hmicas de un resistor a otro fueran considerables la regulacin se mantena con un error del +-3% As que en esta prctica pudimos comprender la manera de llevar un transistor a sus diferentes tipos de regiones, y observar su efectividad como regulador ya sea de corriente o de voltaje.