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LABORATORIO 1: USOS Y CUIDADOS EN LOS MANEJOS DE LOS EQUIPOS DE LABORATORIO

INTRODUCCION:
Aunque el diodo semiconductor de estado slido se populariz antes del diodo termoinico, ambos se desarrollaron al mismo tiempo. En 1873 Frederick Guthrie descubri el principio de operacin de los diodos trmicos. Guhtrie descubri que un electroscopio cargado positivamente podra descargarse al acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de que ste lo tocara. No suceda lo mismo con un electroscopio cargado negativamente, reflejando esto que el flujo de corriente era posible solamente en una direccin. Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison re-descubre el principio. A su vez, Edison investigaba por qu los filamentos de carbn de las bombillas se quemaban al final del terminal positivo. l haba construido una bombilla con un filamento adicional y una con una lmina metlica dentro de la lmpara, elctricamente aislada del filamento. Cuando us este dispositivo, l confirm que una corriente flua del filamento incandescente a travs del vaci a la lmina metlica, pero esto slo suceda cuando la lmina estaba conectada positivamente. Edison dise un circuito que remplaza la bombilla por un resistor con un voltmetro de DC. Edison obtuvo una patente para este invento en 1884. Aparentemente no tena uso prctico para esa poca. Por lo cual, la patente era probablemente para precaucin, en caso de que alguien encontrara un uso al llamado Efecto Edison. Aproximadamente 20 aos despus, John Ambrose Fleming (cientfico asesor de Marconi Company y antiguo empleado de Edison) se dio cuenta que el efecto Edison podra usarse como un radio detector de precisin. Fleming patent el primer diodo termoinico en Gran Bretaa el 16 de noviembre de 1904. En 1874 el cientfico alemn Karl Ferdinand Braun descubri la naturaleza de conducir por una sola direccin de los cristales semiconductores. Braun patent el rectificador de cristal en 1899. Los rectificadores de xido de cobre y selenio fueron desarrollados para aplicaciones de alta potencia en la dcada de los 1930. El cientfico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal semiconductor para detectar ondas de radio en 1894. El detector de cristal semiconductor fue desarrollado en un dispositivo prctico para la recepcin de seales inalmbricas por Greenleaf Whittier Pickard, quin invent un detector de cristal de silicio en 1903 y recibi una patente de ello el 20 de noviembre de 1906. Otros experimentos probaron con gran variedad de sustancias, de las cuales se us ampliamente el mineral galena. Otras sustancias ofrecieron un rendimiento ligeramente mayor, pero el galena fue el que ms se us porque tena la ventaja de ser barato y fcil de obtener. Al principio de la era del radio, el detector de cristal semiconductor consista de un cable ajustable (el muy nombrado bigote de gato) el cual se poda mover manualmente a travs del cristal para as obtener una seal ptima. Este dispositivo problemtico fue rpidamente superado por los diodos termoinicos, aunque el detector de cristal semiconductor volvi a usarse frecuentemente con la llegada de los econmicos diodos de germanio en la dcada de 1950.

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OBJETIVO
Adiestrar al alumno en el manejo de los diferentes instrumentos de laboratorio. Indicar al estudiante los cuidados que debe tener en cuenta cuando utiliza los diversos instrumentos de laboratorio.

FUNDAMENTO TEORICO
DIODO DE USO COMUN El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si. En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos que estn en, o cerca de, la regin de "unin", se combinan y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de Agotamiento por la ausencia de portadores.

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo: No hay polarizacin (Vd = 0 V). Polarizacin directa (Vd > 0 V). Polarizacin inversa (Vd < 0 V). Vd = 0 V. En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier direccin es cero para un diodo semiconductor.

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La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los electrones en el material tipo N y a los huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y reducir la anchura de la regin de agotamiento hasta desaparecerla cuando VD 0.7 V para diodos de Silicio. Id = I mayoritarios - Is Condicin de Polarizacin Inversa (Vd < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N aumentar debido al mayor nmero de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de iones negativos descubiertos en el material tipo P tambin aumentar debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos. El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocar que la regin de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores mayoritarios no podrn superar, esto significa que la corriente Id del diodo ser cero. Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de agotamiento no cambiar, creando por lo tanto la corrienteIs. La corriente que existe bajo condiciones de polarizacin inversa se denomina corriente de saturacin inversa, Is. El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza su mximo nivel (se satura) en forma rpida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarizacin inversa, hasta que al valor Vz o VPI, voltaje pico inverso.

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de entrar en la regin Zener se denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal. Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente ms alto e intervalos de temperatura ms amplios que los diodos de germanio. El general, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: En la zona directa se puede considerar como un generador de tensin continua, tensin de codo (0.5-0.7 V para el silicio y 0.2-0.4 V para el germanio). Cuando se polariza en inversa se puede considerar como un circuito abierto. Cuando se alcanza la tensin inversa de disyuncin (zona Inversa) se produce un aumento drstico de la corriente que puede llegar a destruir al dispositivo. Este diodo tiene un amplio margen de aplicaciones: circuitos rectificadores, limitadores, fijadores de nivel, proteccin contra cortocircuitos, demoduladores, mezcladores, osciladores, bloqueo y bypass en instalaciones fotovoltaicas, etc. Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante): La tensin inversa mxima aplicable al componente, repetitiva o no (VRRR mx. o VR mx., respectivamente) ha de ser mayor (del orden de tres veces) que la mxima que este va a soportar.

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La corriente mxima en sentido directo que puede atravesar al componente, repetitiva o no (IFRM mx. e IF mx. respectivamente), he de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar. La potencia mxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar.

En la figura N01, podemos observar la representacin grfica o smbolo para este tipo de diodo.

Figura N01

Curva Diodo Real Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o regin de operacin. Si consideramos la regin definida por la direccin de Id y la polaridad de Vd, encontraremos que el valor de la resistencia directa RF, de acuerdo a como se define con la ley de Ohm es:

Donde VF es el voltaje de polarizacin directo a travs del diodo e IF es la corriente en sentido directo a travs del diodo. El diodo, por consiguiente, es un corto circuito para la regin de conduccin. Si consideramos la regin del potencial aplicado negativamente,

Donde VR es el voltaje de polarizacin inverso a travs del diodo e IR es la corriente inversa en el diodo. El diodo, en consecuencia, es un circuito abierto en la regin en la que no hay conduccin.

DIODO ZENER La corriente en la regin Zener tiene una direccin opuesta a la de un diodo polarizado directamente. El diodo Zener es un diodo que ha sido diseado para trabajar en la regin Zener.

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Figura N02 De acuerdo con la definicin, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseado para trabajar con voltajes negativos (con respecto a l mismo). Es importante mencionar que la regin Zener (en un diodo Zener) se controla o se manipula variando los niveles de dopado. Un incremento en el nmero de impurezas agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de Zener VZ. As, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a -200 V y potencias de 1/4 a 50 W. El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha alcanzado su potencial VZ se comporta como un corto. Es un "switch" o interruptor que se activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje o en fuentes.

Figura N03 En el circuito que se muestra en la figura N03, se desea proteger la carga contra sobre voltajes, el mximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se elige un diodo Zener cuyo VZ sea 4.8 volts, entonces este se activar cuando el voltaje en la carga sea 4.8 volts, protegindola de esta manera. De acuerdo a otras consideraciones, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: En la zona directa lo podemos considerar como un generador de tensin continua (tensin de codo). En la zona de disrupcin, entre la tensin de codo y la tensin zener (Vz nom) lo podemos considerar un circuito abierto. Cuando trabaja en la zona de disrupcin se puede considerar como un generador de tensin de valor Vf= -Vz. El zener se usa principalmente en la estabilidad de tensin trabajando en la zona de disrupcin. Podemos distinguir: Vz nom,Vz: Tensin nominal del zener (tensin en cuyo entorno trabaja adecuadamente el zener). Iz min: Mnima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a partir de la cual se garantiza el adecuado funcionamiento en la zona de disrupcin (Vz min). Iz max: Mxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir de la cual el dispositivo se destruye (Vz max). Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente. Aproximadamente se corresponde con el producto de Vz nom y Iz max.

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En la grfica N01, se puede observar la curva caracterstica de este tipo de diodo.

Grfica N01 Cuando usamos un diodo zener en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante): Para un correcto funcionamiento, por el zener debe circular una corriente inversa mayor o igual a Iz min. La corriente mxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que Iz max. La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar en el circuito.

EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED) El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se encuentra polarizado. El voltaje de polarizacin de un LED vara desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la corriente necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA. Principio de Funcionamiento: En cualquier unin P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y principalmente cerca de la unin, ocurre una recombinacin de huecos y electrones (al paso de la corriente). Esta recombinacin requiere que la energa que posee un electrn libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las uniones P-N una parte de esta energa se convierte en calor y otro tanto en fotones. En el Si y el Ge el mayor porcentaje se transforma en calor y la luz emitida es insignificante. Por esta razn se utiliza otro tipo de materiales para fabricar los LED's, como Fosfuro Arseniuro de Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP).

Figura N03

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Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo, amarillo, mbar, azul y algunos otros. Hay que tener en cuenta que las caractersticas obtenidas de las hojas de especificaciones pueden ser distintas para los diodos (p. e. 1N4001) aunque ambos hayan sido producidos en el mismo lote. Tambin hay que tener en cuenta otro tipo de tolerancias como los resistores, uno marcado de 100W puede ser realmente de 98W o de 102W o tal vez si ser exacto, y una fuente "ajustada" a 10V puede estar ajustada realmente a 9.9V o a 10.1V o tal vez a 10V. De acuerdo a otras consideraciones, El diodo LED presenta un comportamiento anlogo al diodo rectificador (diodo semiconductor p-n), sin embargo, su tensin de codo tiene un valor mayor, normalmente entre 1.2-1.5 V. Segn el material y la tecnologa de fabricacin estos diodos pueden emitir en el infrarrojo (diodos IRED), rojo, azul, amarillo y verde, dependiendo de cual sea la longitud de onda en torno a la cual emita el LED. Entre sus aplicaciones podemos destacar: pilotos de sealizacin, instrumentacin, optoaclopadores, etc. Resulta difcil distinguir, por pura inspeccin visual, el modelo del LED as como el fabricante: los valores mximos de tensin y corriente que puede soportar y que suministra el fabricante sern por lo general desconocidos. Por esto, cuando se utilice un diodo LED en un circuito, se recomienda que la intensidad que lo atraviese no supere los 20 mA, precaucin de carcter general que resulta muy vlida. En la figura N04, se muestra el smbolo electrnico de este tipo de diodo.

Figura N04 El diodo LED puede ser tratado de manera anloga a un diodo normal. Sin embargo conviene tener en cuenta que los diodos LED no estn fabricados de silicio monocristalino, ya que el silicio monocristalino es incapaz de emitir fotones. Debido a ello, la tensin de polarizacin directa Vd depende del material con el que est fabricado el diodo. El material que compone el diodo LED, es importante ya que el color de la luz emitida por el LED depende nicamente del material y del proceso de fabricacin principalmente de los dopados. En la tabla adjunta aparecen algunos ejemplos de materiales utilizados junto con los colores conseguidos:

FOTODIODOS Los fotodiodos. Son diodos sensibles a la luz. Generan un voltaje de corriente continua proporcional a la cantidad de luz que incide sobre su superficie, es decir, son diodos de unin PN cuyas caractersticas elctricas dependen de la cantidad de luz que incide sobre la unin. Se utilizan como medidores y sensores de luz y en receptores pticos de comunicaciones.

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Representacin grfica de un Fotodiodo y sus correspondientes curvas caractersticas El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generacin de pares electrn - hueco debido a la energa luminosa. Este hecho es lo que le diferencia del diodo rectificador de silicio en el que, solamente existe generacin trmica de portadores de carga. La generacin luminosa, tiene una mayor incidencia en los portadores minoritarios, que son los responsables de que el diodo conduzca ligeramente en inversa. El comportamiento del fotodiodo en inversa se ve claramente influenciado por la incidencia de luz. Conviene recordar que el diodo real presenta unas pequeas corrientes de fugas de valor IS. Las corrientes de fugas son debidas a los portadores minoritarios, electrones en la zona P y huecos en la zona N. La generacin de portadores debido a la luz provoca un aumento sustancial de portadores minoritarios, lo que se traduce en un aumento de la corriente de fuga en inversa tal y como se ve en la figura anterior. El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la generacin luminosa de portadores. Esto es debido a que los portadores provenientes del dopado (portadores mayoritarios) son mucho ms numerosos que los portadores de generacin luminosa.

Corte transversal de un fotodiodo comercial

EQUIPOS Y MATERIALES
1 Osciloscopio digital. 1 Multmetro Digital. 1 Protoboard. 1 Transformador de 220V/24V (1A) con toma central. 3 resistencia (330K, 680k, 1k a 1/2W) 4 diodos 1N4004 o su equivalente. 1 Puente de diodos.

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EXPERIENCIAS DE LABORATORIO
1) Usando el cdigo de colores indicar los valores, tolerancia y potencia de las resistencias.

Elemento R1 R2 R3

Valor terico 330K 680K 1K

2) Utilizando el multmetro obtener el valor real de las resistencias. Elemento R1 R2 R3 Valor medido 327K 692K 985

3) Medir la resistencia de las bobinas del transformador (Primario y Secundario) observando las diferencias que existe entre ellas. Elemento Res. Primario Res. Secundario Valor medido 96 3.3

4) Conectar el transformador a la red de 220V y mida las tensiones entre los terminales del secundario, anotando sus mediciones.

Elemento Volt. Primario Volt. Secundario

Valor real

Valor medido 220 v 219 v 24 v 24.28 v

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5) Armar el circuito que se muestra en la figura.

330K + 12V 680K V

6) Medir el valor de V con el voltmetro. 7) Colocar el multmetro en la escala de amperios y medir la corriente que circula por el circuito. 8) Armar el circuito de la figura adjunta.
1 TX1 +

+ V1 1K V 2

220V -

9) Medir los valores de V1 en AC y V2 en DC. Usando el osciloscopio observar la forma de onda en secundario del transformador y en la carga. 10) Armar el circuito de la figura adjunta y repetir el paso 9. RESULTADOS 1. Comparacin entre valore tericos y experimentales obtenidos en los pasos 1 y 2.

Elemento R1 R2 R3

Valor Valor terico medido 330K 327K 680K 692K 1K 985

2. Explicar el efecto de carga del multmetro cuando se realizan las mediciones y tambin su sensibilidad. Efecto de Carga Se produce por efecto de la resistencia interna del instrumento de medicin de corriente continua. Tambin conocido como regulacin, es la prdida de voltaje a medida que disminuye la carga; este efecto viene dado por la relacin:

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Donde : Voutput: Tensin o voltaje de salida de la fuente. VLoad: Tensin o voltaje en la carga. Routput: Resistencia interna de la fuente. RLoad: Resistencia de carga.

Sensibilidad La Sensibilidad (S), es el reciproco de la corriente de deflexin en plena escala del movimiento de la bobina mvil de un instrumento de medicin de corriente continua, dada en Ohmios por Voltios (/V).

Donde:

: corriente de deflexin a plena escala.

Cuanto mas pequea sea la corriente de deflexin de plena escala ser mayor la sensibilidad de instrumentos y de mejor calidad. 3. Qu otros parmetros afectan las mediciones de la tensin y la corriente? Aunque es imposible conocer todas las causas del error es conveniente conocer todas las causas importantes y tener una idea que permita evaluar los errores ms frecuentes. Las principales causas que producen errores se pueden clasificar en: Errores debidos al instrumento de medida Cualquiera que sea la precisin del diseo y fabricacin de un instrumento presentan siempre imperfecciones. A estas, con el paso del tiempo, les tenemos que sumar las imperfecciones por desgaste.

Error de alineacin. Error de diseo y fabricacin. Error por desgaste del instrumento. Debido a este tipo de errores se tienen que realizar verificaciones peridicas para comprobar si se mantiene dentro de unas especificaciones. Error por precisin y forma de los contactos.

Errores debidos al operador El operador influye en los resultados de una medicin por la imperfeccin de sus sentidos as como por la habilidad que posee para efectuar las medidas. Las tendencias existentes para evitar estas causas de errores son la utilizacin de instrumentos de medida en los que elimina al mximo la intervencin del operador. Error de mal posicionamiento. Ocurre cuando no se coloca la pieza adecuadamente alineada con el instrumento de medida o cuando con pequeos instrumentos manuales se

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miden piezas grandes en relacin de tamao. Otro ejemplo es cuando se coloca el aparato de medida con un cierto ngulo respecto a la dimensin real que se desea medir. Error de lectura y paralaje. Cuando los instrumentos de medida no tienen lectura digital se obtiene la medida mediante la comparacin de escalas a diferentes planos. Este hecho puede inducir a lecturas con errores de apreciacin, interpolacin, coincidencia, etc. Por otra parte si la mirada del operador no est situada totalmente perpendicular al plano de escala aparecen errores de paralaje.

4. Graficar la forma de onda de la tensin obtenida con el osciloscopio, indicando el valor medio y valor eficaz, comparando con los valores obtenidos con el voltmetro, para el circuito del paso 9.

Elemento V p-p (V) V rms (V) f (Hz)

Valor terico 50 24 60

Valor medido 68 25 60.46

5. Repetir la pregunta 4 para la figura del paso 10.

Elemento V p-p (V) V rms (V) f (Hz)

Valor terico

Valor medido 50 32.4 24 23.6 60 60.46

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OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES
Como vemos, los datos obtenidos por los instrumentos de medicin, son diferentes a los datos tericos o reales debido a las perdidas que sufren por disipacin de calor o perdidas por energa, por ende en el caso de las resistencias, si tenemos una banda de % de error que nos indica el rango de valores que podemos tener en una resistencia. En nuestro primer circuito formado con 1 diodo, podemos observar en el osciloscopio la rectificacin ocurrida debido al cambio de polarizacin del diodo en cada semiperiodo, en el circuito vemos que cuando la polarizacin es directa, la pulsacin en sentido positivo de la onda, se mantiene en la rectificacin, mientras cuando la polarizacin es inversa, la pulsacin es en sentido negativo, en la rectificacin obtenemos una seal de 0. En nuestro segundo circuito formado por puente diodo, observamos en el osciloscopio que la rectificacin es de onda completa, dado que en cada oscilacin de la onda, dos diodos se polarizan directamente y los otros dos inversamente, y viceversa.

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BIBLIOGRAFA. http://es.wikipedia.org https://www.circuitlab.com Manual de Laboratorio de Circuitos Electrnicos. http://200.69.103.48/comunidad/profesores/jruiz/jairocd/texto/manejo/md.pdf

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