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Cincias de Materiais Prof.

Severino Neto

AULA IV IMPERFEIES EM ARRANJOS J ATMICOS

Defeitos cristalinos

So irregularidades na rede cristalina com dimenses da ordem do dimetro atmico.

Defeitos cristalinos

Lacunas ou Vacncias tomos t I Intersticiais t ti i i tomos Substitucionais Deslocamentos Contornos de Gros

D f it Pontuais Defeitos P t i Defeitos Lineares Defeitos Interfaciais

Defeitos Pontuais Lacuna (ou vacncia) = ausncia de um tomo ou on em uma posio cristalogrfica g

Distoro de planos

Defeitos Pontuais Nmero de Lacunas (Nv)


Q/kT Nv = Ne-Q/kT
N = n posies atmicas na estrutura cristalina Q = energia para formao de uma lacuna T = temperatura absoluta (K) k = 1,38x10-23J/tomo-K = 8,62x10-5 eV/tomo-K = 1,987 cal/mol-K (constante de Boltzmann)

Exemplo

Nmero de Lacunas

Calcule a concentrao de vacncias no cobre a 25oC. A que temperatura ser necessrio aquecer este metal para que a concentrao de vacncias produzidas seja 1000 vezes maior que a quantidade existente a 25oC? Assuma que a energia para a formao de lacunas seja 20000 cal/mol e o parmetro de rede para o cobre CFC 0,36151 nm.

S l Soluo O nmero de tomos ou posies na rede cristalina, por unidade de volume, do cobre 4 tomos/clula Nv = = 8,47x1022 tomos Cu/cm3 -8 3 (3,6151x10 cm) a 25 C (T=298K): Nv = 8,47x1022 e-20000/(1,987 x 298) = 1,81x108 lacunas / cm3 para que Nv seja 1000 vezes maior, 1,81x1011 = 8,47x1022e-20000/(1,987 T) T = 102 C

Defeitos Pontuais Defeitos intersticiais = presena de um tomo ou on em uma posio no pertencente estrutura cristalina.

Distoro de planos

Defeitos Pontuais Defeitos substitucionais = quando um tomo da rede cristalina substitudo por outro de tamanho diferente.

Defeitos Pontuais

Defeito Frenkel

Defeito Schottky

Defeitos Pontuais Solues Slidas

Substitucionais Ex. Cu em Ni

Intersticiais Ex. C em Fe

Solues slidas com altas concentraes do soluto

Segunda fase Diferente composio Diferente estrutura

Nmero de Lacunas Exemplo


No ferro com estrutura CFC, tomos de carbono podem ocupar o centro de cada aresta (posio 1/2, 0, 0) e o centro da clula unitria (1/2, 1/2, 1/2). No ferro CCC, os tomos de carbono podem se localizar em posies como a 1/4, 1/2, 0. O parmetro de rede do Fe 0,3571 nm para a estrutura CFC e 0,2866 nm para o ferro CCC. Assuma que os tomos de carbono tenham raios de 0,071 nm. 1) Em qual dessas situaes ocorrer a maior distoro do cristal pela presena de tomos intersticiais de carbono? 2) Qual seria a porcentagem de tomos de carbono em cada tipo de ferro se todos os stios intersticiais fossem ocupados?

,, ,0,0 ,,0 ,0,0

CFC

CCC

Exemplo

Nmero de Lacunas

a) O raio dos tomos de Fe CCC R = N3 a0/4 = 0,1241 nm. O tamanho da posio intersticial em ,,0 para esta estrutura pode ser determinada a partir da figura abaixo.

,,0

Assim,

Desta forma,

(R+r)2 = ( a0)2 +( a0)2

r = 0,0361 nm

Para a estrutura CFC, R = N2 a0 / 4 = 0,1263 nm. Alm disso, segundo a figura abaixo,

2r + 2R = a0
ento,

r R

r = 0,0522 nm
Desta forma, como o espao intersticial menor no ferro CCC, os tomos de carbono distorcero mais este tipo de estrutura.

b) A estrutura CCC possui dois tomos de ferro em cada clula unitria. Alm disso, existem 24 posies intersticiais do tipo ,,0. Entretanto, como cada posio est localizada na face da clula, apenas metade de cada stio pertence exclusivamente a uma clula. Assim, existem de fato 12 posies intersticiais para cada clula unitria. Se todas estas posies estiverem ocupadas, a porcentagem atmica de carbono contida no ferro ser

%at C=

12 tomos de carbono 12 tomos de carbono + 2 tomos de ferro

X100 = 86%

Na estrutura CFC, existem 4 tomos de ferro e 4 posies intersticiais em cada clula. Assim,

%at C=
CCC: 1,0% CFC: 8,9%

4 tomos de carbono 4 tomos de carbono + 4 tomos de ferro

X100 = 50%

Solues slidas
Regras de Solubilidade para solues substitucionais (Hume Rothery) 1) Diferena Dife ena entre ent e raios aios atmicos <15% 2) Mesma estrutura cristalina para os metais 3) Eletronegatividades semelhantes 4) Valncia maior = maior solubilidade

Solues slidas
Elemento Raio atmico (nm) Estrutura Eletro negatividade Valncia

Cu Ag Al Co Cr Fe Ni Pd Zn

0,1278 0,1445 0,1431 0,1253 0,1249 0,1241 0,1246 0,1376 0,1332

CFC CFC CFC HEX CCC CCC CFC CFC HEX

1,9 1,9 1,5 1,8 1,6 1,8 1,8 2,2 1,6

+2 +1 +3 +2 +3 +2 +2 +2 +2

1) Mais Al ou Ag em Zn? 2) Mais Zn ou Al em Cu?

Solubilidades desprezveis, estruturas diferentes. Al maior valncia, mais solvel. Al (CFC), Zn (Hex). Al mais solvel.

Solues slidas: Especificao da Composio

Porcentagem em peso (%p)

mi = massa do componente i

m1 %p = x 100 m1 + m2

Porcentagem atmica (%at)

nm1 %at = x 100 nm1 + nm 2


nmi = nmero de moles do componente i

Defeitos Lineares
Discordncia de Aresta um defeito provocado pela adio de um semiplano extra de tomos.
Semiplano adicional Compresso Discordncia de aresta Expanso

Defeitos Lineares

Vetor de Burgers b indica a magnitude e a direo da distoro da rede cristalina

Deslocamento de aresta

Defeitos Lineares

Discordncia Espiral ocorre quando uma regio do cristal deslocada de uma posio atmica.

Linha de Discordncia

Vetor de Burgers

Discordncia Espiral: Vetor de Burgers

Vetor de Burgers

Defeitos Lineares
Discordncia Mista o tipo mais provvel de discordncia e corresponde mistura de discordncias de aresta e espiral.

Defeitos Lineares
Deslizamento o processo que ocorre quando uma fora causa o deslocamento de uma discordncia.
Tenso

Defeitos Lineares
Deslizamento ocorre mais facilmente em planos e em direes com altos fatores de empacotamento.

Deslizamento ocorre mais facilmente em planos e em direes com altos fatores de empacotamento: Diferentes estruturas cristalinas

Diferentes propriedades mecnicas

Deslizamento e lei de Schmid

Direo Di de d deslizamento

Discordncia

A=A0/cos

F = r A

Plano de deslizamento

cos cos

Deslizamento e tenso de Peierls-Nabarro


Durante um deslizamento, uma discordncia se move de um conjunto de tomos vizinhos para outro conjunto idntico. A tenso necessria para o deslocamento entre duas posies de equilbrio :

= ce-(kd/b)

(tenso de Peierls-Nabarro)
d = distncia interplanar b = vetor de Burgers k, c constantes

Deslizamento e tenso de Peierls-Nabarro

= ce-(kd/b)
1) ) 2)

b d

(> densidade linear, > deslizamento) (> espaamento planar, > deslizamento)

3) Ligaes covalentes e inicas

pouco deslizamento

Defeitos Lineares

Defeitos Interfaciais
So contornos que separam regies dos materiais com diferentes estruturas cristalinas ou orientaes cristalogrficas.

Superfcie externa: final da estrutura cristalina, tomos com


maiores energias

Contornos de Gros: fronteira entre cristais com diferentes


orientaes.

Contorno de gros

Regies entre cristais Transio entre diferentes estruturas cristalinas Li i Ligeiramente d desordenados d d Baixa densidade de contorno de gros: G Alta mobilidade G Alta difusividade G Alta reatividade qumica

Contorno de gros
Ligaes mais irregulares maior energia superficial maior reatividade qumica

2n

gros por pol2 - 1

y= 0+Kd

(Hall-Petch)

Tenso limite para deformao plstica

Contorno de Macla
So contornos de gro com simetria especular da rede cristalina.

Plano da Macla

Contorno de Macla

Defeitos e Resistncia Mecnica


Separao Contorno de gro

Defeito pontual

Compresso

Observao dos Defeitos


Microscopia ptica

Microscpio

Superfcie polida e atacada quimicamente

Observao dos Defeitos


Microscopia ptica (contorno de gros)

Microscopia ptica
Resoluo ~10-7 m = 0.1 m = 100 nm Para maior resoluo menor comprimento de onda Raios X? Difcil de focalizar! Eltrons Comprimentos de onda ~ 0.003 nm (Aumento 1.000.000X) Possibilita resoluo atmica Eltrons focalizados com lentes magnticas

Microscopia Eletrnica de Varredura

Microscopia Eletrnica de Transmisso

Microscopia de Fora Atmica (AFM)