UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DE PANAM

Facultad de ingeniera mecnica Ingeniera mecnica

Proyecto final Desarrollo de clulas sper eficientes con nuevos semiconductores

Elaborado por: Camarena, Jacob 4-763-155 Montes, Valentn 2-729-668 Rodrguez, Hector 6-712-983

Profesor: Jovanny Daz

Ciencias de los materiales I

1IM-131

12-07-2013

RESUMEN En la actualidad el problema de la contaminacin nos afecta a todos los habitantes del planeta tierra. Cada vez nuestro mundo se contamina ms y ms debido a las necesidades que nos implica la vida. Debido a esto el hombre ha buscado recurso para adquirir energa limpia sin contaminar el ambiente. El Sol puede satisfacer todas nuestras necesidades, si aprendemos cmo aprovechar de forma racional la luz que continuamente derrama sobre el planeta, es una fuente de vida. Es una de las llamadas energas renovables, particularmente del grupo no contaminante, conocido como energa limpia o energa verde. La energa solar es la energa obtenida mediante la captacin de la luz y el calor emitidos por el Sol y cada ao la radiacin solar aporta a la Tierra la energa equivalente a varios miles de veces la cantidad de energa que consume la humanidad. Recogiendo de forma adecuada la radiacin solar, esta puede transformarse en otras formas de energa como la energa elctrica. La recoleccin de energa por paneles fotovoltaicos se da gracias a las clulas fotoelctricas que son dispositivo electrnico que permite transformar la energa luminosa en energa elctrica mediante el efecto fotoelctrico, generando energa solar fotovoltaica. En cuanto a la eficiencia de conversin media obtenida por las clulas disponibles comercialmente est alrededor del 14%, pero segn la tecnologa utilizada vara desde el 6% hasta el 14-22%. Tambin existen Las clulas multiunin, normalmente de arseniuro de galio, que alcanzan eficiencias del 30%, pero debido al avance tecnolgico, se ha desarrollado una nueva generacin de clulas solares con una eficiencia del 43 por ciento en estas clulas. Las clulas multiunin son un tipo especial de clulas solares que contiene varias capas de materiales semiconductores capaces de convertir los fotones en energa elctrica a distintas longitudes de onda. Este nuevo prototipo consta de cuatro capas en lugar de tres, y permitir nuevas combinaciones de materiales semiconductores muy eficientes. INTRODUCCION Las clulas multiunin clulas tienen una alta eficiencia y han sido desarrolladas para aplicaciones espaciales y estn compuestas de varias capas delgadas usando la epitaxia por haz molecular. Una clula de triple unin, por ejemplo, se compone de semiconductores GaAs, Ge y GaInP2. Cada tipo de semiconductores se caracteriza por un mximo de longitud de onda ms all del cual no es capaz de convertir los fotones en energa elctrica (ver banda prohibida). Por otro lado, por debajo de esta longitud de onda, el exceso de energa transportada por el fotn se pierde. De ah el valor de la seleccin de materiales con longitudes de onda tan cerca el uno al otro como sea posible, de forma que absorban la mayora del espectro solar, generando un mximo de electricidad a partir del flujo solar. El

uso de materiales compuestos de cajas cunticas permitir llegar al 65% en el futuro (con un mximo terico de 87%). Los dispositivos de clulas de uniones mltiples GaAs son ms eficaces. Spectrolab ha logrado el 40,7% de eficiencia (diciembre de 2006) y un consorcio (liderado por investigadores de la Universidad de Delaware) ha obtenido un rendimiento de 42,8% (septiembre de 2007). El coste de estas clulas es de aproximadamente USD 40 $/cm. Objetivos: Mejorar la eficiencia de las clulas solares multiunin Adaptar nuevos semiconductores ms baratos a estas clulas solares.

Concepto bsico

Con la tradicional clula solar de una sola capa, mucha energa de la luz incidente no se convierte en electricidad. Si un fotn incidente tiene menos energa que el hueco de banda de los materiales semiconductores, los fotones no pueden ser absorbidos, ya que no hay suficiente energa para excitar un electrn de la banda de conduccin a la banda de valencia. Por lo tanto, ninguna luz con menos energa que el hueco de banda se aprovecha en la clula solar. Si un fotn incidente tiene ms energa que el hueco de banda, el exceso de energa se convertir en calor ya que el electrn slo puede absorber la cantidad exacta de energa necesaria para desplazarse a la banda de valencia. Las clulas solares multiunin pueden hacer un mejor uso del espectro solar por tener mltiples capas de semiconductores con diferente hueco de bandas. Cada capa est hecha de un material diferente, que por lo general es un semiconductor III-V, y absorbe una porcin diferente del espectro. La capa superior tiene el mayor hueco de banda de modo que slo los fotones ms energticos son absorbidos en esta capa. Los fotones menos energticos deben pasar por la capa superior, ya que no son lo suficientemente energticos para generar EHP (pares electrn-hueco) en el material. Cada capa, yendo desde la cima hasta el fondo, tiene un hueco de banda menor que la anterior. Por lo tanto, cada capa absorbe los fotones que tienen energas superiores a los huecos de banda de esa capa y nada del hueco de banda de la capa superior. La forma

ms comn de la clula solar multiunin se compone de tres capas, lo que se llama una clula solar triple-unin. I. CLULAS MULTI-UNIN

La produccin de esta clula no es una tarea fcil, debido en gran parte a la delgadez de los materiales y de las dificultades extraccin de la corriente entre las capas. La solucin ms sencilla es utilizar dos clulas solares de pelcula delgada mecnicamente separado y luego unirlos por separado fuera de la clula. Esta tcnica es ampliamente utilizado por las clulas solares de silicio amorfo, de productos Uni-solares utilizan tres de tales capas para alcanzar eficiencias de alrededor de 9%. Ejemplos de laboratorio con materiales de pelcula delgada ms exticas han demostrado eficacia superior al 30%. La solucin ms difcil es la clula "monolticamente integrado", donde la clula se compone de un nmero de capas que estn conectados mecnica y elctricamente. Estas clulas son mucho ms difciles de producir debido a las caractersticas elctricas de cada capa tiene que ser emparejado cuidadosamente. En particular, la fotocorriente generada en cada capa se debe conciliar, de lo contrario electrones sern absorbidos entre las capas. Esto limita su construccin a ciertos materiales, mejor conocido por los semiconductores III-V.

LOS ELEMENTOS ESTRUCTURALES Contactos metlicos

Los contactos metlicos de aluminio son de baja resistividad electrodos que hacen contacto con la capa semiconductora en GaAs. Se colocan en los dos lados de la estructura, pero principalmente en la cara hacia atrs para que el remedo en la superficie de un rayo se reduzca. Tratamiento anti-reflejo

Tratamiento anti-reflejo se compone generalmente de varias capas en el caso de las clulas solares de MJ. La capa superior AR tiene por lo general una superficie de texturizacin de NaOH con varias pirmides con el fin de aumentar el coeficiente de transmisin T, la captura de la luz en el material y por lo tanto, la longitud de la trayectoria

de los fotones en el material. Por un lado, el espesor de cada capa de AR se elige para conseguir interferencias destructivas. Por lo tanto, el coeficiente de reflexin R disminuye a 1%. En particular, un recubrimiento AR es muy importante en longitudes de onda bajas, ya que, sin ella, T se ver reducido a 70%. Uniones tnel

El objetivo principal de uniones tnel es proporcionar una baja resistencia elctrica y pticamente conexin de baja prdida entre dos subceldas. Sin ella, la regin p-dopado de la celda superior se conecta directamente con la regin dopada tipo n de la celda del medio. Por lo tanto, una unin pn con la direccin opuesta a los otros aparecera entre la celda superior y la celda del medio. En consecuencia, el fotovoltaje sera menor que si no habra diodo parsito. A fin de disminuir este efecto, se utiliza una unin tnel. Se trata simplemente de una amplia banda prohibida, diodos muy dopados. El alto dopaje reduce la longitud de la regin de agotamiento porque Capa de ventana y el campo detrs-superficie

Una capa de ventana se utiliza con el fin de reducir la velocidad de recombinacin superficial S. Del mismo modo, una capa de campo de superficie trasera reduce la dispersin de los portadores hacia la unin tnel. La estructura de estas dos capas es el mismo: es una heterounin que atrapa electrones. En efecto, a pesar de que el campo elctrico Ed, estos pueden no saltar por encima de la barrera formada por la heterounin porque no tienen suficiente energa, como se ilustra en la figura E. Por lo tanto, los electrones no pueden recombinarse con agujeros y no se pueden difundir a travs de la barrera. Por cierto, las capas BSF ventana y deben ser transparentes a longitudes de onda absorbidas por la siguiente unin pn es decir EgWindow> EgEmitter y EgBSF> EgEmitter. Adems, la constante de red debe estar cerca de la una de InGaP y la capa debe ser altamente dopado.

Materiales La mayora de las clulas multiunin que se han producido hasta la fecha utilizan tres capas. Estas clulas requieren el uso de semiconductores que pueden ajustarse a las frecuencias especficas, lo que ha llevado a la mayora de ellos estn hechos de compuestos de arseniuro de galio, germanio a menudo para los de abajo, GaAs para la mediana y GaInP2 de la parte superior de las clulas.

Sustrato de arseniuro de galio

Clulas de doble unin se pueden hacer en las obleas de arseniuro de galio. Las aleaciones de fosfuro de indio galio en el In.5Ga.5P filtrado desde In.53Ga.47P sirven de alta aleacin de banda prohibida. Este intervalo de aleacin prev la posibilidad de tener separaciones de banda en el rango de 1.92eV a 1.87eV. Cuanta menor unin GaAs tiene una banda prohibida de 1.42eV. Sustrato de germanio

Clulas de triple unin que consta de fosfuro de indio galio, arseniuro de galio y arseniuro de indio galio y germanio pueden ser fabricados en obleas de germanio. Clulas tempranas utilizaron arseniuro de galio directamente en la unin del medio. Ms tarde, las clulas han utilizado In0.015Ga0.985As, debido al mejor partido de celosa a Ge, lo que resulta en una densidad de defectos baja. Debido a la gran diferencia brecha de banda entre GaAs y Ge, la coincidencia actual es muy pobre, con la unin GE operado significativamente corriente limitada.

Rendimientos de corriente para las clulas inGAP/GaAs/Ge comerciales se acercan a 40% bajo luz solar concentrada,. Clulas de laboratorio han demostrado la eficiencia por encima del 40%. Sustrato de fosfuro de indio

Fosfuro de indio puede ser utilizado como un sustrato para la fabricacin de clulas con separaciones de banda entre 1.35eV y 0.74eV. Fosfuro de indio tiene una banda prohibida de 1.35eV. Arseniuro de indio galio es celosa coincidir con fosfuro de indio, con una banda prohibida de 0.74eV. Una aleacin cuaternaria de fosfuro de arseniuro de indio galio puede ser emparejado celosa para cualquier brecha de banda entre los dos. Las clulas basadas en fosfuro de indio tienen el potencial de trabajar en conjunto con las clulas de arseniuro de galio. Las dos celdas se pueden conectar pticamente en serie, o en paralelo a travs del uso de dividir espectros utilizando un filtro dicroico. VARIACIONES ESPECTRALES Espectro solar en la superficie de la Tierra cambia constantemente en funcin del clima y la posicin solar. Esto resulta en la variacin de f, QE, y por lo tanto un corto-circuito de corrientes JSCI. Como resultado, la corriente Ji densidades no se corresponde necesariamente y la corriente total se hace ms baja. Estas variaciones se pueden cuantificar utilizando la energa del fotn media que es la relacin entre la irradiancia espectral G y el total de densidad de flujo de fotones. Se puede demostrar que un valor alto para APE significa condiciones bajo las longitudes de onda espectrales y eficiencias ms altas. As APE es un buen indicador para la cuantificacin de los efectos de las variaciones del espectro solar en actuaciones y tiene la ventaja aadida de ser independiente de la estructura del dispositivo y el perfil de absorcin del dispositivo

Fabricacin Clulas multi-unin son caras de producir, usando tcnicas similares a la fabricacin de dispositivos semiconductores, por lo general metalorgnico epitaxia en fase de vapor, pero en tamaos de "chip" en el orden de centmetros. En los casos en que el rendimiento total es la nica consideracin, estas clulas se han vuelto comunes, que son ampliamente utilizados en aplicaciones de los satlites, por ejemplo, donde la relacin de potencia a peso abruma prcticamente cualquier otro coste. Eleccin de material La eleccin de los materiales para cada sub-celda est determinada por los requisitos de celosa coincidentes, corriente de coincidencia y de alta propiedades optoelectrnicas de rendimiento. Para el crecimiento ptimo y la calidad resultante de cristal, la constante de estructura cristalina de una de cada material debe ser muy igualado, lo que resulta en los dispositivos de celosa de concordancia. Esta limitacin se ha relajado un poco en las clulas solares metamrficas recientemente desarrollados que contienen un pequeo grado de desajuste reticular. Sin embargo, un mayor grado de desajuste u otras imperfecciones de crecimiento puede conducir a defectos en los cristales que causan una degradacin en las propiedades electrnicas. Dado que cada sub-celular est conectado elctricamente en serie, los mismos flujos de corriente a travs de cada unin. Los materiales se ordenan con bandgaps disminuyendo, por ejemplo, permitiendo que la luz sub-banda prohibida transmitir a los menores subclulas. Por lo tanto, bandas prohibidas adecuados deben elegirse de tal manera que el espectro de diseo va a equilibrar la generacin de corriente en cada uno de los subclulas, el logro de coincidencia actual. C parcelas Figura irradiancia espectral E, que es la densidad de potencia a una fuente de longitud de onda dada?. Se traz junto con la eficiencia de conversin mxima para cada unin como una funcin de la longitud de onda, que est directamente relacionada con el nmero de fotones disponibles para la conversin en fotocorriente. Por ltimo, las capas deben ser elctricamente ptima para un alto rendimiento. Esto requiere el uso de materiales con fuertes coeficientes de absorcin de una gran minora portadora vidas tminority y altas movilidades. Los valores favorables en la tabla de abajo justifican la eleccin de los materiales utilizados habitualmente para las clulas solares multi-unin: InGaP para la sub-celda superior, InGaAs para la sub-celda del medio, y el germanio para la sub-celda inferior. El uso de Ge se debe principalmente a la constante de red, robustez, bajo costo, abundancia y facilidad de produccin. Debido a que las diferentes capas estn estrechamente celosa-emparejados, la fabricacin del dispositivo emplea tpicamente deposicin qumica de vapor de metal-

orgnicos. Esta tcnica es preferible a la epitaxia de haces moleculares, ya que asegura una alta calidad de los cristales y la produccin a gran escala. CLULAS SOLARES MULTIUNIN, PANELES FOTOVOLTAICA DE CONCENTRACIN Una tecnologa potente y a la vez prctica Amonix ha sido una de las primeras organizaciones en utilizar la tecnologa espacial de las clulas multiunin III-V en aplicaciones terrestres. Originalmente desarrolladas para aplicaciones espaciales, las clulas multiunin III-V representan una mejora notable en rendimiento y fiabilidad, en comparacin con sus equivalentes de silicio. Gracias al uso de tres materiales fotovoltaicos diferentes en una nica clula, estos sistemas son capaces de capturar ms energa del rango de la longitud de onda de la luz solar. Esto les permite lograr un aumento significativo del voltaje a la vez que reducir la prdida de energa en forma de calor. Como resultado, proporcionan la ms alta eficiencia dentro del sector de la tecnologa solar. Bajo concentracin, la eficiencia puede superar un 39% en produccin de volumen (ms de un 41% en demostraciones rcord mundiales). Con la sustitucin de las clulas solares de silicio por estas clulas multiunin y la instalacin de los mdulos en sistemas de seguimiento de doble eje. LUGARES EN DNDE AMONIX OPERA LAS CLULAS SOLARES MULTIUNIN Y LA TECNOLOGA SOLAR CPV Los sistemas CPV de Amonix producen una mayor cantidad de energa en climas soleados y secos. Tcnicamente, esto significa en regiones en las que la radiacin solar alcanza una media de 6 kilovatios/hora por metro cuadrado por da (6kWh/m2/da) o superior. Estos son los lugares en los que operamos. Para los promotores, ste es un sitio ideal para los proyectos en asociacin con Amonix. Todo el proceso de desarrollo del producto Amonix, a travs de las siete generaciones de tecnologa, se ha enfocado en la optimizacin de los sistemas para recursos solares en lugares soleados y secos. Por esta razn, Amonix ha incorporado clulas multiunin de alto rendimiento e instalado lentes pticas concentradoras, las cuales han sido el mpetu detrs del desarrollo del diseo del MegaModule y del sistema 7700. Es tambin la razn por la que Amonix ha incorporado una estructura de doble eje para seguir la trayectoria del sol en su movimiento por el cielo. El resultado es un sistema que no necesita nivelacin o preparacin especial del terreno y que se puede instalar en terreno industrial o agrcola e incluso en lugares inclinados o irregulares. Tambin permite mltiples usos del mismo terreno. No utiliza agua en la produccin de energa. Lo que simplifica el proceso de emplazamiento y de obtencin de permisos. SOLARES DE TECNOLOGA

Tanto si los proyectos se construyen para fines de un contrato de venta de energa o para obtener una rentabilidad inmediata de la inversin, cuanto ms rpido sea el proceso de emplazamiento ms rentable ser el proyecto.

II.

MEJORAS

Clulas fotovoltaicas las celdas fotovoltaicas basan su funcionamiento en el efecto fotovoltaico y en la propiedad que tienen algunos materiales, los semiconductores. Estos materiales se caracterizan porque la anchura entre la banda de valencia y la de conduccin, denominada banda prohibida, es normalmente inferior a 3 eV (Tabla 1), mientras que en el caso de los materiales aislantes es del orden de unos 7 eV.
Tabla 1: Saltos energticos de diferentes semiconductores. Semiconductor Te Ge CuInSe2 Si Cristalino Cu2S InP GaAs CdTe CdSe Si amorfo Cu2O GaP CdS TiO2 Eg (eV) 0,33 0,67 1,05 1,12 1,20 1,34 1,42 1,45 1,72 1,75 2,10 2,25 2,42 3,00

Mejoras en el rendimiento El uso actual de GaInP (Fosforuro de Galio e Indio), GaAs (Arseniuro de Galio), y Ge (Germanio) para las capas de una clula solar multiunin se puede mejorar. La capa de Ge absorbe gran parte del espectro, ya que la diferencia entre el hueco de banda de las dos primeras capas es de 0,4 eV, mientras que la diferencia entre las dos capas del fondo es del 0,7 eV. Usando una nueva capa de semiconductor que tenga un hueco de banda de 1,25 eV, har que la clula ms eficiente desde los huecos de banda diferir en una constante 0,55 eV. Otra posible mejora de diseo mantiene las tres capas GaInP, GaAs, y Ge, pero aade otra capa de un material con un hueco de banda de 1,0 eV. Esta nueva clula solar cuatriunin tendr una diferencia de 0,3 o 0,4 eV entre cada capa adyacente. La distribucin del espectro dentro de la capa que absorbe cada longitud de onda en esta propuesta de diseo de clulas solares. Las eficiencias terica y prctica de estas nuevas tecnologas en condiciones normales de iluminacin terrestre se muestran cmo superan el 40% y 32%, respectivamente, con una mayor eficiencia posible si aumentar la iluminacin. Adems, los requisitos para el hueco de banda de un nuevo material

semiconductor, tambin debe coincidir con el entramado constante del Ge con el fin de ser viable

Tenemos componentes qumicos que pueden ser aadidos a algunas capas. Adicin de un uno por ciento de indio en cada capa coincide mejor constante de red de las diferentes capas. Sin ella, no se trata de un 0,08 por ciento de desajuste entre las capas, lo que inhibe el rendimiento. Adicin de aluminio para la celda superior aumenta su banda prohibida de 1.96 eV, que cubre una mayor parte del espectro solar y obtener una mayor tensin en circuito abierto VOC. Unos nuevos materiales mejoran las clulas fotovoltaicas Actualmente, los sistemas de concentracin fotovoltaica representan una pequea fraccin del total de la energa solar con slo unos pocos megavatios de capacidad de produccin instalados, en comparacin con los muchos gigavatios de capacidad de los paneles solares convencionales. Este tipo de sistemas estn limitados a zonas muy soleadas, donde compiten con la energa solar trmica, la forma de energa solar ms barata en este momento, que utiliza los espejos para concentrar la luz solar con el fin de generar vapor para mover unas turbinas de vapor. Slo recientemente, los avances en la eficiencia de las clulas solares han permitido que los sistemas de concentracin fotovoltaica tuvieran sentido econmico en algunas zonas. Las clulas solares de conexin estn diseadas para sistemas fotovoltaicos que utilizan espejos o lentes para concentrar la luz solar un millar de veces. La concentracin de la luz del sol mejora la eficiencia de la mayora de las clulas solares, pero las clulas solares diseadas para su uso en concentraciones tan altas llamadas clulas solares multiunin lo hacen especialmente bien, puesto que incorporan dos o tres capas de semiconductores para la absorcin de los diferentes colores de la luz solar, en lugar de la nica capa de semiconductor utilizada en los paneles solares convencionales.

La energa solar concentrada se ha visto retrasada por la dificultad de encontrar semiconductores que dividan el espectro en la forma ptima y que tambin tengan unas estructuras cristalinas compatibles, algo necesario para que las clulas sean fciles de fabricar. La tecnologa de Solar Junction aborda el problema para el extremo infrarrojo del espectro, la parte que ha demostrado ser el mayor reto para los desarrolladores de clulas multiunin. En las clulas multiunin convecionales, los materiales semiconductores diseados para esta parte del espectro o bien absorben una luz muy adentrada ya en el infrarrojo o no son compatibles con los otros semiconductores de la clula, as que exigen el uso de unas costosas capas de amortiguacin. No se ha revelado ningn detalle sobre la composicin de sus materiales, pero se afirma que su estructura cristalina es compatible con otros materiales semiconductores utilizados en clulas multiunin, y que pueden ser modificados para absorber diferentes longitudes de onda para optimizar su eficiencia. (La empresa los materiales de matriz compatible de espectro ajustable). Las nuevas clulas, que utilizan uno de los nuevos materiales, convierten el 41 por ciento de la energa de la luz solar en electricidad, comparado con entre el 38 y 39 por ciento de las otras clulas multiunin en el mercado. (La eficacia rcord mundial es mayor que esto, pero los investigadores alcanzaron tales niveles con clulas individuales en experimentos realizados en un laboratorio, no en una lnea de produccin.) Un salto de dos puntos porcentuales puede representar una gran diferencia en el precio de los sistemas solares, especialmente con la energa fotovoltaica concentrada, donde las clulas slo suponen aproximadamente un 20 por ciento del coste. El aumento de la produccin de energa de las clulas reduce el nmero de lentes, marcos metlicos, sistemas de seguimiento, y otros componentes que representan el 80 por ciento de los costes. CONCLUSIONES El sol es uno de los recursos energticos ms limpios y peor aprovechados actualmente. La energa solar puede ser utilizada de una manera muy fcil, pero costosa, para la generacin de energa elctrica. Saber utilizar esta energa elctrica es importante para el desarrollo sustentable de nuestro pas ya que es una de las formas de generacin de energa ms limpias que existen. Pero el desarrollo de la eficiencia de paneles solares todava no ha alcanzado an la madurez y estn siendo exploradas muchas vas de investigacin llevando estos avances a un par de dcadas a las actuales, todava falta muchas vas alternas y muchos materiales por analizar para el desarrollo y la mxima explotacin de esta fuente de energa. REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS http://centrodeartigos.com/articulos-informativos/article_64872.html http://www.technologyreview.es/read_article.aspx?id=36905 https://es.wikipedia.org/wiki/C%C3%A9lula_fotoel%C3%A9ctrica#Principio_de_funcionam iento