Universidade Federal da Bahia - DEE Princpios de Eletrnica - ENG 344 Lista de Exerccios no.

5 Amplificadores a Transistor 1) Projete um amplificador na configurao Emissor Comum com RE de modo que: o ganho de tenso AV seja em mdulo maior que 5, a tenso fornecida pelo circuito de excitao AC, cuja resistncia de sada 2 K, no caia abaixo de 80 % quando ele for ligado entrada do amplificador, S(IC0) < 20 e VCC = 15 V. Parmetros do TBJ disponvel, para IC = 2 mA e VCE = 5V: hFE = = 200, VBE = 0,7 V (na regio ativa), hfe = 250, hie = 2,5 K, hoe = 15 A/V, hre = 3x10-4. Admita vlido o modelo de parmetros he simplificado. 2) Utilizando o modelo de parmetros he simplificado deduza a expresso do ganho AV de tenso de um amplificador a TBJ na configurao Coletor Comum. Repita para o modelo de parmetros -hbridos. 3) Dimensione as resistncias RB1 e RB2 de um amplificador a TBJ na configurao Emissor Comum, com polarizao automtica no ponto (5 mA, 6 V), sabendo que RE e RC j foram dimensionados de tal maneira que a reta de carga esttica tenha inclinao 1,25 vezes menor em mdulo que a dinmica. O fator de estabilidade em relao a IC0 deve ser menor ou igual a 8. O sinal entrada do amplificador no deve ser menor que metade daquele que a rede de excitao AC fornece em circuito aberto. A fonte de sinal apresenta uma resistncia de 1 K, VCC = 15 V e os parmetros do transistor so: hFE = 100, VBE = 0,65 V (regio ativa), hfe = 150, hie = 1800 , hre = 10-4, hoe = 10 A/V. Admita vlido o modelo simplificado e assuma que RC o resistor de carga. 4) Projete um amplificador a TBJ na configurao Coletor Comum, de tal modo que a resistncia de entrada Ri'= vi/is seja maior que 5 K e o coeficiente de estabilidade da polarizao em relao a IC0 seja menor que 10. Utilize uma fonte de 20 V e polarize em IC = 5 mA e VCE = 7 V. O transistor apresenta como parmetros: = 100, VBE = 0,65 (na regio ativa) e inclinao das caractersticas de sada na configurao Emissor comum de aproximadamente 10-5 A/V na regio ativa. Adote o modelo de parmetros -hbridos. 5) Observe o amplificador da Fig.5 que foi implementado com o mesmo TBJ da questo anterior: a) Identifique a configurao do amplificador. b) Atravs da anlise da rede, deduza a expresso da resistncia de entrada Ri'= vi/is na operao com pequenos sinais segundo os modelos de parmetros he e -hbridos. c) Sabendo que medidas precisas indicaram um ganho AVS = vo/vs de apenas 5 % do ganho AV = vo/vi, estime o valor de RS. d) A freqncia mnima de operao 500 Hz. Dimensione CB.

10 K

1800

IC =5 m A CS RS
+ +

3167 CB

+ vi -

20 V

800

vS

Fig.5 6) Projete um amplificador a TBJ na configurao emissor comum tal que: o mdulo do ganho de tenso seja maior que 100, S(IC0) < 10, Ri' > ou = 2 K e a excurso mxima do sinal na sada seja de pelo menos 8 V pico-a-pico. A freqncia mnima presente no sinal de entrada seja de 300 Hz, a tenso DC da fonte de alimentao de 15 V e as caractersticas do TBJ NPN a ser utilizado para IC = 1,5 mA e VCE = 5 V so: hFE = 100, VBE = 0,6 V (regio ativa), hie = 2,5 K, hfe = 200, hre = 10-4 e hoe = 10 A/V. 7) Deduza a expresso e determine o valor numrico da resistncia de entrada Ri = vi/is do amplificador a TBJ na configurao base comum da Fig.7. Assuma que no ponto de polarizao obtido atravs deste circuito, os valores tpicos de parmetros he para operao com pequenos sinais em baixas freqncias so: hie = 16 K, hfe = 399, hre e hoe muito pequenos. Sabe-se que RC = 2,2 K, RL = 1,5 K, RE = 246 , RB1 = 45 K, RB2 = 5 K e RS = 50 .

RC RB1

RS RB2 + vI -

RL

RE

iS vs

Fig.7

8) No amplificador a TBJ na configurao coletor comum (seguidor de emissor) da Fig.8, o ponto de polarizao tal que os parmetros hbridos he, que modelam a operao do dispositivo com pequenos sinais em baixas freqncias, apresentam os seguintes valores: hie = 1500 , hfe = 250, hre e hoe muito pequenos. Sabe-se que RC = 2,2 K, RE = 2,7 K, RB = 10 K e RS = 1 K. a) Deduza a expresso da resistncia de sada Ro = vo/(-io)| vs = 0 e calcule seu valor numrico. b) Determine o mnimo valor de RL para que o ganho de tenso AVS = vo/vs seja igual ou superior a 90 % do observado em circuito aberto (RL )

RB RS

RC

vS RE

+ vO -

RL

Fig.8 9) No amplificador da Fig.9.(a), a queda de tenso sobre o resistor de emissor RE igual a 1 V. O TBJ NPN apresenta as caractersticas de sada na configurao emissor comum ilustradas na Fig.9.(b). VCC = 5 V, RC = 500 , VBE = 0,6 V na regio ativa. a) Determine o ponto de polarizao: IC, IB e VCE de modo que a inclinao da reta de carga esttica resulte 0,64 vezes a inclinao da reta de carga dinmica b) Dimensione RB1 e RB2 para obter S(IC0) < 20 (suponha IC0 desprezvel). c) Estime o valor do parmetro hoe no ponto de polarizao calculado. Explique o procedimento.

RB1 RS

RC

RB2

RE

(a)

IC (mA)

IB =45 A

38 A

30 A 24 A 18 A 12 A 7 A 2 A

0,5 V 1 mA

VCE (V) (b) Fig.9

10) Projete um amplificador a JFET na configurao FONTE COMUM, tal que a impedncia de entrada seja maior que 500 M, o ganho de tenso em relao ao sinal aplicado a porta seja superior a 15 e a excurso mxima na sada seja de pelo menos 10 V pico-apico. A fonte DC disponvel de 20 V, a resistncia de carga de 2 K e a freqncia de operao mnima de 200 Hz. Utilize o dispositivo da questo no 4, desprezando a CLM. 11) Sabendo que os MOSFETs canal N e P da Fig.11 so geometricamente idnticos, e que para ambos estimam-se os seguintes valores de parmetros: = 0,01 V-1 (para os comprimentos de canal atribudos), Cox = 300 A/V2, |VT0| = 1,25 V, n = 4/3. Determine a mxima excurso simtrica pico-a-pico que pode ter o sinal de sada, sabendo que o sinal de entrada varia entre 1.5 e 1.5 V. Determine o ganho de tenso vout/vin (pequenos sinais) do amplificador inversor push-pull, em circuito aberto, em torno da origem (vIN = 0). Considere todos os MOSFETs em inverso forte.
VDD = 5 V VDD = 2,5 V MB vOUT vIN MA VGGA VSS = -2,5 V vIN M1 MC vOUT

Fig.11

Fig.12

12) Determine o ganho de tenso vout/vin em circuito aberto do amplificador da Fig.12, sabendo que MA, MB e MC so muito longos, VGGA = 2 V, (W/L)A = 10, (W/L)C = 3(W/L)B, (W/L)1 = 50. Assuma que Cox = 200 A/V2, |VT0| = 1,0 V e n = 1, para os MOSFETs canal N ou P, indistintamente, e que 1 = 0,05 V-1. Considere todos os MOSFETs em inverso forte. Respostas: 1) 3) 4) 5) 6) 7) RC + 1,005.RE = 5000 , 250.RC + 1255.RE > 12500 , RB//(2500 + 251.RE) > 8 K, RB/RE < 21,099. Ex: RC = 3,9 K, RE = 1,0945 K, RB1 = 50 K, RB2 = 12,5 K. RC = 1,44 K, RE = 356,4 , 2,250 K < RB < 2,708 K. Ex: para RC = 1500 , ento RE = 1,089 K e 5,240 K < RB < 10,879 K. c) RS = 95,136 , d) CB >> 132,34 nF. RC > 2,667 K. Ex: para RC = 2,7 , ento RE = 3,927 K e 10 K < RB < 39,23 K, CE >> 135,08 nF, CS >> 233,43 nF. Ri = 34,406 .

8) 9)

a) Ro = 9,564 , b) RLmin = 86,076 . a) IB = 12 mA, VCE = 2,2 V, IC = 3,6 mA, b) RB < 5,635 K, c) hoe 11,11 K.

ATENO: Em todas as questes sobre amplificadores em que no for mencionado o resistor de carga, assuma que o prprio resistor de polarizao na sada do amplificador que funciona como carga. Nas questes em que se deve adotar o modelo -hbrido, assuma = 1 e VT = 25 mV. As questes de projeto admitem infinitas solues. Nas respostas pode aparecer uma sugesto.