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CENTRO FEDERAL DE EDUCAO TECNOLGICA DE MINAS GERAIS Engenharia de Materiais

Efeito Compton e Efeito Fotoeltrico


Definio e aplicaes na Engenharia de Materiais

Mayra Vieira Gomes

Belo Horizonte 2013

INTRODUO

Em 1863, James Clark Maxwell (1831-1879) desenvolveu, em equaes que levam o seu nome, as relaes entre os campos eltrico e magntico. Dessas relaes Maxwell pode demonstrar que os campos eltrico e magntico se propagavam velocidade da luz, estabelecendo formalmente o conceito de ondas eletromagnticas. Oito anos depois da morte de Maxwell, em 1887, Heinrich Rudolf Hertz (18571894), ao gerar e detectar em laboratrio, em uma srie de experimentos, permitiu o nascimento de uma nova era tecnolgica: a da transmisso de informao atravs de ondas eletromagnticas. A produo e a deteco de ondas hertzianas significou, poca, a comprovao experimental dos trabalhos tericos de Maxwell. O efeito da luz ultravioleta na descarga eltrica era algo novo para o qual no havia explicao. Em 1889, Wilhelm Hallwachs mostrou que partculas de carga negativa eram ejetadas da superfcie de metais como o zinco, sdio e potssio quando as superfcie eram iluminadas com radiao ultravioleta. Em 1902, Philipp Eduard Anton von Lenard (1862-1947), que era um colega de Hertz, mediu a relao carga/massa dessas partculas e pde confirmar que o aumento de centelhamento observado por Hertz era o resultado da emisso de eltrons, que ele, Lenard, chamou de foto-eltrons. Muitos pesquisadores trabalharam no estudo do efeito foto-eltrico (como ficou conhecido o fato de luz incidente retirar eltrons de uma superfcie metlica). O acmulo de dados experimentais indicava que o efeito no podia ser descrito consistentemente dentro do escopo do eletromagnetismo clssico de Maxwell. modelo ondulatrio de Maxwell no funcionou para a interao da radiao com a matria como, por exemplo, no efeito fotoeltrico. A soluo para o problema foi apresentada por Albert Einstein (1879-1955) em 1905. Einstein considerou que era necessrio granular (quantizar) tambm a radiao. Em 1921, Einstein recebeu o prmio Nobel de Fsica pelas suas contribuies Fsica Terica, em particular por seu trabalho sobre o efeito fotoeltrico. Assim, o trabalho de Hertz, que veio a confirmar o modelo terico de Maxwell, ao mesmo tempo apresentava questes que viriam a mostrar as limitaes

desse modelo. A dualidade onda-partcula da luz estava presente no trabalho de Hertz. A questo da dualidade onda-partcula s veio a ser satisfatoriamente descrita com o surgimento da Mecnica Quntica a partir de 1925. A mesma teoria de Einstein sobre o efeito fotoeltrico serviu posteriormente para confirmar os estudos de Arthur Holly Compton, um fsico americano. O mesmo recebeu em 1927 o prmio Nobel de Fsica pela descoberta do Efeito Compton, realizada em 1923. O fenmeno analisa a diminuio de energia de um fton quando esse colide com matria. A diminuio de energia ocorre com a mudana no comprimento de onda (aumenta). Compton concluiu que era possvel interpretar o espalhamento da radiao eletromagntica como resultado da interao de um nico fton com um nico eltron livre (ou com energia de ligao desprezvel). Para chegar a esta concluso, Compton sups a conservao de momento linear e energia relativstica do sistema fton+eltron e obteve uma relao entre os comprimentos de onda do fton incidente e do fton espalhado em funo do ngulo de espalhamento, verificada com boa preciso pelos dados experimentais.

1. EFEITO FOTOELTRICO

1.1 O experimento

O arranjo experimental que mostrado na figura 1, composto basicamente de um invlucro de vidro no qual se faz vcuo, luz monocromtica que incide sobre uma placa de metal A, ocorrendo a liberao de eltrons chamados fotoeltrons. Os eltrons podem ser detectados sob a forma de uma corrente se forem atrados para o coletor metlico C atravs de uma diferena de potencial V estabelecida entre A e C. Ao variar a tenso na fonte possvel medir a tenso fotoeltrica resultante para encontrar a tenso de corte, ou seja, a tenso na fonte onde no ocorre o efeito fotoeltrico.

Figura 1 Experimento Efeito Fotoeltrico

Einstein se utilizou da experincia de Hertz para contradizer trs aspectos da teoria eletromagntica clssica, que dizia que: A energia cintica dos fotoeltrons deveria crescer ao se aumentar a intensidade do feixe luminoso. O efeito fotoeltrico deveria ocorrer para qualquer frequncia da luz, desde que esta fosse intensa o bastante para dar a energia necessria ejeo dos eltrons. Deveria haver um intervalo de tempo mensurvel entre o instante em que a luz comea a incidir sobre a superfcie e o instante de ejeo do fotoeltron. Durante esse intervalo, o eltron deveria estar absorvendo energia do feixe, at que tivesse acumulado o bastante para escapar.

Atravs das observaes experimentais, Einstein props algumas hipteses para explicar o efeito fotoeltrico, ele no concentrou sua ateno na forma ondulatria familiar com que a luz se propaga, mas sim na maneira corpuscular com que ela emitida ou absorvida. As trs objees levantadas contra a interpretao ondulatria do efeito fotoeltrico foram: A energia do fton est relacionada com sua frequncia pela e quao E = h. Dobrar a intensidade da luz meramente dobra o nmero de ftons e, portanto duplica a corrente fotoeltrica, isto no muda a energia de cada fton. Alguns eltrons esto mais fortemente ligados do que outros; alguns perdem energia por colises em sua trajetria. No caso da ligao mais fraca e nenhuma perda interna, o fotoeltron vai emergir com energia cintica mxima Kmax. Portanto Kmax h w0 = , onde w0 a energia mnima necessria para um eltron atravessar a superfcie do metal. Se Kmax igual a zero, temos h 0 w0 = , que siginifica que um fton de frequncia 0 tem exatamente a energia necessria para ejetar os fotoeltrons, e nenhum excesso que possa aparecer como energia cintica. Se a frequncia for menor que 0 , os ftons, no importando quantos eles sejam, no tero individualmente a energia necessria para ejetar fotoeltrons. A ausncia de retardamento eliminada pela hiptese do fton, pois a energia necessria fornecida em pacotes concentrados. Se houver luz incidindo sobre o catodo, haver pelo menos um fton que o atinge; este fton ser imediatamente absorvido por algum tomo, causando a imediata emisso de um fotoeltron.

1.2 Equaes

O mecanismo bsico ilustrado pela equao: + ligado = livre

Onde representa o fton incidente. Um aumento na intensidade ir aumentar o nmero de ftons que atinge o metal e com isso, o nmero de eltrons ejetados. Haver uma corrente fotoeltrica mais intensa, mas a energia individual de cada eltron ser a mesma. Para que mais energia seja transferida a eles por cada fton preciso que os ftons tenham uma maior frequncia, por conta da relao dada por E=h. Se a energia do fton for maior que a que prende o eltron ao metal, ento o eltron liberado e o excesso de energia liberada como a energia cintica do eltron livre. A conservao da energia nos garante que:

hv = W0 + K mx Onde Wo a energia que prende o eltron placa de metal. Digamos que para uma dada diferena de potencial entre as placas, uma certa intensidade e frequncia da luz incidente temos uma corrente fotoeltrica. Se diminuirmos a tenso V entre as placas at o valor Vo em que a corrente fotoeltrica se anula, teremos uma medida direta da energia cintica mxima de um eltron ejetado: K Max = V0 Vo chamado Potencial de Corte pois a ddp capaz de fazer voltar placa incidente o fotoeltron mais veloz e no depende da frequncia ou da intensidade da luz incidente. Ento substituindo o valor da energia cintica mxima na relao entre a energia do fton e a transferida para o eltron, temos uma previso para o valor de Vo: V0 = V

Figura 2 Grfico Potencial x Frequencia

O grfico 1 representa a relao entre Vo e . Veja que esta relao linear e que a inclinao da reta h/e, o que nos d uma medida da constante de planck, tendo o valor da carga do eltron. Note que a figura indica que h uma frequncia mnima da luz para que o efeito fotoeltrico possa ocorrer. Este valor da frequncia pode ser obtido fazendo-se Vo=0, o que nos fornece:

hV0 = W0 2. O EFEITO COMPTON

2.1 O experimento

Compton fez raios x incidirem sobe um alvo de grafite. O comprimento de onda incidente (raios x) foi medido inicialmente e era nico. Aps a coliso entre raios x e o alvo, verificou-se o espalhamento dos raios x.

Os raios espalhados foram analisados e Compton notou a presena de raios x com o mesmo comprimento de onda do que fizera incidir no alvo, e tambm raios x com menor comprimento de onda.

Os raios emergentes que possuem o mesmo comprimento de onda do incidente so provenientes da interao entre raios x e eltron do alvo de grafite, no qual o eltron absorve toda a energia transportada pelos raios x e recua de orbital (estado estacionrio da funo de onda de um eltron). Aps um intervalo de tempo, o eltron retorna ao orbital em que estava emitindo toda a energia que fora absorvida.

Os raios emergentes possuem menor comprimento de onda que o incidente em razo da interao entre raios x e eltron do alvo de grafite, no qual o eltron absorve parcialmente a energia* transportada pelos raios x e a energia restante estar associada aos raios emergentes, que possuiro menor comprimento de onda que os incidentes. Esse efeito ocorre em virtude da natureza dual da luz, que neste fenmeno comporta-se como partcula no qual os raios x recebem a denominao de ftons.

O efeito importante porque ele demonstra que a luz no pode ser explicada meramente como um fenmeno ondulatrio. O espalhamento de Thomson, a clssica teoria de partculas carregadas espalhadas por uma onda eletromagntica, no pode explicar alguma variao no comprimento de onda. A luz deve agir como se ela consistisse de partculas como condio para explicar o espalhamento de Compton. O experimento de Compton convenceu os fsicos de que a luz pode agir como uma corrente de partculas cuja energia proporcional frequncia.

2.2 Equaes

As caractersticas do efeito Compton podem ser explicadas considerando-se a radiao eletromagntica como um conjunto de partculas (os ftons), cada qual com uma energia E = h.f, onde f a frequncia da radiao eletromagntica e h a constante de Planck. Assim, no Efeito Compton, a interao da radiao eletromagntica com cada eltron livre da amostra se d atravs de um processo elementar de coliso entre um fton e um desses eltrons. Na coliso, o eltron absorve parte da energia do fton e este, por conseguinte, passa a ter uma frequncia menor e, portanto, um comprimento de onda maior. Pela teoria da relatividade especial de Einstein, a energia E, o mdulo da quantidade de movimento p e a massa de repouso m de uma partcula, isto , a massa da partcula medida no referencial onde ela est em repouso, esto relacionadas pela expresso:

E2 = p2c2 + m2c4

Para um fton, tomado como uma partcula com massa de repouso nula, temos:

E = p.c

Observe-se, de passagem, que esta expresso idntica quela prevista pela teoria eletromagntica clssica de Maxwell para uma onda eletromagntica onde E e p representam, respectivamente, a energia e o mdulo da quantidade de movimento associadas onda em questo. Aqui, c representa o mdulo da velocidade de propagao da radiao eletromagntica no vcuo.

Figura 3 Coliso fotn-eltron

Seja, ento, o processo elementar de coliso de um fton com um eltron, processo este observado no referencial em que o eltron est inicialmente em repouso. Nesse referencial, seja p1 a quantidade de movimento do fton (incidente) antes da coliso, p2, a quantidade de movimento do fton (espalhado) depois da coliso pe, a quantidade de movimento do eltron depois da coliso (Figura 3). Pelo princpio de conservao da quantidade de movimento:

p2 + pe = p1

Passando o termo p2 para o lado direito da igualdade e tomando o quadrado do resultado vem: pe 2= p1 2 + p1 2 - 2p1 p2 cos

Pelo princpio de conservao da energia:

p1c + mc2 = p2c + [ pe2c2 + m2c4 ]1/2

Passando o termo p2c para o lado esquerdo da igualdade e tomando o quadrado do resultado, vem:

p12 + p22 + 2p1mc - 2p1p2 - 2mp2c = pe2

Agora, substituindo o termo pe2 que aparece nesta ltima expresso pelo seu valor dado na expresso da conservao da quantidade de movimento, vem:

p1mc - p1p2 - mp2c = - p1p2 cos

Passando o termo -p1p2 para o lado direito da igualdade e dividindo o resultado por mcp1p2, tem-se: 1 / p2 - 1 / p1 = (1 / mc) [ 1 - cos ]

Finalmente, levando em conta que, para o fton, E = pc, E = h.f e I.f=c, temos: l2 - l1 = ( h / mc ) [ 1 - cos ]

Esta expresso d a diferena entre os comprimentos de onda dos ftons incidentes e espalhados ou a diferena entre os comprimentos de onda das radiaes eletromagnticas incidentes e espalhadas, em funo do ngulo de espalhamento. Observe-se que a diferena entre os comprimentos de onda no depende do comprimento de onda da radiao incidente. A grandeza h / mc chamada comprimento de onda Compton do eltron. Com os valores h = 6,63 x 10-34 Js, m = 9,11 x 10-31 kg e c = 3,00 x 108 m/s, tem-se: C = h / mc = 2,43 x 10-12 m

Com os valores das constantes fsicas dadas acima e levando em conta que: 1 J = 6,24 x 1018 eV

Pode-se calcular a energia de um fton com um comprimento de onda ~ 10-10 m, resultando: E = hn = hc / l = 1,24 x 104 eV

Esta energia muito maior do que a energia de ligao dos eltrons de valncia nos tomos que constituem a amostra dispersora, que de alguns eltrons-volt. Portanto, pode-se afirmar que, nas condies do experimento com raios x, o efeito Compton a variao do comprimento de onda da radiao eletromagntica dispersada por eltrons livres. por isso, tambm, que a diferena 2 - 1 no depende de nenhuma caracterstica da substncia que compe a amostra dispersora.

3. APLICAES NA ENGENHARIA DE MATERIAIS

3.1 Espectroscopia Vibracional de Absoro no Infravermelho (IR) A Espectroscopia o estudo da interao da radiao eletromagntica com a matria, que interage atravs de absoro, emisso e espalhamento de radiao. A Espectroscopia Vibracional estuda a transio dos movimentos vibracionais definidos das molculas, e engloba as tcnicas de Absoro no Infravermelho (IR) e de Espalhamento Raman, que identificam e determinam grupos funcionais e so muito teis no estudo da conformao e estrutura das macromolculas. Os tomos das macromolculas polimricas formam uma estrutura

tridimensional com distncias e ngulos de ligaes qumicas bem definidos. Essas ligaes apresentam vibraes especficas correspondentes aos nveis de energia da molcula, vibraes estas que podem ser do tipo estiramento de ligao, deformao angular e toro. A radiao infravermelha (IV) no tem energia suficiente para excitar os eltrons e provocar transies eletrnicas, mas faz com que os tomos ou grupos de tomos vibrem com maior rapidez e com maior amplitude em torno das ligaes covalentes que os unem. Estas vibraes so quantizadas e, quando ocorrem, os compostos absorvem energia IV em certas regies do espectro. Para se fazer medidas em uma amostra, um raio monocromtico infravermelho passado atravs daquela e a quantidade de energia absorvida ento registrada. No caso de polmeros, a interpretao do espectro emprica, comparando-se as freqncias vibracionais observadas com as freqncias fundamentais dos grupos funcionais caractersticos. Assim, a comparao com espectros j conhecidos pode levar identificao da amostra. A tcnica de espectroscopia de absoro no infravermelho pode ser utilizada para amostras slidas, lquidas, gasosas e polmeros, alm de apresentar a vantagem de ter um espectro com alta razo sinal/rudo. O espectrmetro por transformada de Fourier (FTIR), o mais utilizado para realizao desse tipo de anlise, por ser mais rpido, preciso, reprodutvel e acessvel. O mtodo para se realizar uma anlise nesse equipamento consiste em se dividir um feixe de luz infravermelha, passando um deles pela amostra e o outro

por uma referncia (normalmente a substncia na qual a amostra est dissolvida ou misturada). Os raios chegam ento a um detector e so comparados e os dados coletados. A utilizao da referncia importante por permitir que os efeitos do solvente e do ambiente (como presena de CO2) sejam cancelados, alm de prevenir que flutuaes de energia eltrica afetem os resultados. Uma desvantagem da espectroscopia de absoro no infravermelho a necessidade da utilizao de uma espessura apropriada para a amostra, de modo a evitar o surgimento de bandas de intensidade muito fraca. Normalmente, a espessura deve estar compreendida entre 1 e 20 m. . Para a preparao de amostras polimricas, pode-se produzir um filme por evaporao de solvente. Nesse caso, deve-se escolher um solvente de menor ponto de ebulio para facilitar a evaporao rpida sem aquecimento. O filme polimrico pode ser preparado diretamente sobre uma superfcie de vidro, por exemplo, sendo destacado aps a secagem. importante considerar a variao da cristalinidade e da morfologia do polmero ao dissolv-lo e solidific-lo novamente.

3.2 Difrao de Raios-X

A tcnica de difrao e electroscopia de raios X trata-se do uso de ondas


16 23

eletromagnticas com freqncias entre 3x10


-6

Hz e 3x10

Hz( comprimentos de

onda entre 10 nm e 10 nm) para caracterizar fases, no caso da difrao, ou fazer anlise qumica elementar, no caso da espectroscopia. Essa tcnica consiste em incidir sobre uma amostra conhecida, com parmetros estruturais j determinados, um feixe de raios X desconhecido. Desse modo, atravs dos ngulos de difrao pode-se determinar o comprimento de onda do feixe incidente sobre o cristal analisador. Esse feixe de raios X proveniente do bombardeamento de uma amostra desconhecida com feixes de raios X primrios, que absorve os ftons e emite espectros de raios X referentes aos elementos qumicos presentes na amostra. O espectrmetro usa o feixe de raios X fluorescentes da amostra. Sua estrutura praticamente igual ao difratmetro, mas agora a amostra fica fora do crculo do gonimetro e que bombardeada com um feixe de raios X e no meio do gonimetro est presente o cristal analisador.

Grande diferena entre um difratograma e um espectrograma que no primeiro os picos so relativos aos planos de difrao das fases do material enquanto no segundo os picos so provenientes da emisso de onda pela amostra. importante ter em mente que essas anlises so QUALITATIVAS, apresentando resultados que identificam a fase ou elementos presentes na amostra, mas no os quantificam!! A anlise quantitativa por raios X pode ser feita atravs da tcnica de Rietveld em que diversos parmetros dos picos de difrao e do rudo de difrao so equacionados e normalizados. Essa tcnica muito trabalhosa, e, portanto no muito usada, ao menos que outras opes de anlise quantitativa no apresentem bons resultados.

3.2 Microscopia Eletrnica de Varredura

O Microscpio Eletrnico de Varredura geralmente utilizado para observaes de amostras espessas, ou seja, basicamente no transparentes a eltrons. A razo principal de sua utilizao est associada alta resoluo que pode ser atingida, tipicamente da ordem de 3 nm, e a grande profundidade de foco, da ordem de 300 vezes melhor que a do microscpio tico, resultando em imagens com aparncia tridimensional. Informaes topolgicas so obtidas utilizando-se eltrons de baixa energia da ordem de 50 ev e informaes sobre nmero atmico ou orientao so obtidas utilizando-se eltrons de alta energia. Pode-se ainda obter informaes sobre domnios em amostras magnticas ou utilizar sinais devido a condutividade induzida pelo feixe de eltrons e luz catodoluminescente, para a caracterizao e anlise de falhas de dispositivos semi-condutores. Alm disto, o MEV possibilita a obteno de informaes qumicas em reas da ordem de mcrons.

3.3 Microscpio Eletrnico De Transmisso

Um microscpio eletrnico de transmisso consiste de um feixe de eltrons e um conjunto de lentes eletromagnticas, que controlam o feixe, encerrados em uma coluna evacuada com uma presso cerca de 10-5 mm Hg. Um microscpio moderno de transmisso possui cinco ou seis lentes magnticas, alm de vrias bobinas eletromagnticas de deflexo e aberturas localizadas ao longo do caminho do feixe

eletrnico. Entre estes componentes, destacam-se os trs seguintes pela sua importncia com respeito aos fenmenos de difrao eletrnica: lente objetiva, abertura objetiva e abertura seletiva de difrao. A funo das lentes projetoras apenas a produo de um feixe paralelo e de suficiente intensidade incidente na superfcie da amostra. Os eltrons saem da amostra pela superfcie inferior com uma distribuio de intensidade e direo controladas principalmente pelas leis de difrao impostas pelo arranjo cristalino dos tomos na amostra. Em seguida, a lente objetiva entra em ao, formando a primeira imagem desta distribuio angular dos feixes eletrnicos difratados. Aps este processo importantssimo da lente objetiva, as lentes restantes servem apenas para aumentar a imagem ou diagrama de difrao para futura observao na tela ou na chapa fotogrfica. Deve-se finalmente destacar que embora existam em operao alguns aparelhos cuja tenso de acelerao de 1000 kV, a maioria dos equipamentos utilizados no estudo de materiais (metlicos, cermicos e polimricos) dispe de tenso de acelerao de at 200 kV. Os MET utilizados em biologia (materiais orgnicos naturais) em Em microscopia eletrnica de transmisso a imagem observada a projeo de uma determinada espessura do material, havendo uma diferena com relao ao observado numa superfcie. Como pode observado, ocorre uma projeo das linhas, reas e volumes de interesse, podendo ocorrer superposio. O contraste nas imagens formadas em MET tem diversas origens, tais como diferena de espessura, diferena de densidade ou de coeficiente de absoro de eltrons (contraste de massa), difrao e campos elsticos de tenso. H dois casos: slidos amorfos (contraste de massa) e slidos cristalinos (difrao).

CONCLUSO

possvel ver os avanos que ambos os assuntos trouxerem para a cincia e tecnologia. Os Premio Nobel recebidos pelos idealizadores do Efeito Compton e do Efeito Fotoeltrico ilustram a importncia de tais descobertas Alm das aplicaes na rea de Engenharia de Materiais, no dia-a-dia podemos observar os efeitos estudados. Por exemplo, o efeito fotoeltrico considerado como o principio de aparelhos importantes no nosso cotidiano, como elevadores, maquinas, clulas fotoeltricas e satlites. Enquanto que o Efeito Compton est presente principalmente nos diagnsticos por imagem feitos na rea de sade. E isso vem, mais uma vez, nos lembrar da importncia entre a interao entre sade e engenharias.

REFERNCIAS

Efeito Compton. Disponvel em:<http://web.if.usp.br/ifusp/files/compton.pdf> Acesso em: 30/08/2013

Efeito Fotoeltrico. Disponvel em: http://www.fis.ufba.br/~edmar/fis101/ roteiros/Fotoeletrico.pdf > Acesso em: 31/08/2013

Efeito Compton e Fotoeltrico. Disponvel em < http://efeitofotoeletrico ecompton.webnode.com.br> Acesso em: 30/08/2013

Efeito Fotoeltrico. Disponvel em < http://www.fisica.com.br/images/Docs/ EstrutMateriaA/EfeitoFotoeletrico.pdf> Acesso em 01/09/2013

Efeito Compton e Fotoeltrico. Disponvel em < http://www.dfte.ufrn.br/ caio/teoria.html Acesso em: 30/08/2013 Mecnica Quntica Apostila Engenharia de Materiais. Disponvel em: <http://br.docsity.com/documents/download/?id=342722> Acesso em: 30/08/2013