CAPITULO

Diodos
El diodo es un dispositivo electrnico en el cual la corriente fluye fcilmente en una direccin pero no hay un flujo de corriente apreciable en direccin contraria. Se forma un diodo cuando se unen una pieza de semiconductor tipo n y una pieza de semiconductor tipo p. En los procesos de fabricacin se forma un cristal semiconductor con la mitad de dicho cristal, contaminada con impurezas aceptoras y la otra mitad contaminada con impurezas donadoras. Tambin se construyen otros tipos de diodos, que consisten en un emisor de electrones (ctodo) y un colector (nodo), ya sea al vaco o en una atmsfera gaseosa controlada. Los diodos se usan en un gran nmero de aplicaciones electrnicas tales como convertir ca en cd, detectar seales de radio, usar la lgica de una computadora y otras funciones tiles. En este capitulo se estudian las caractersticas bsicas de los diodos as como algunas de sus aplicaciones. LA UNION p-n La figura 3.1 ilustra el mecanismo bsico de la unin p-n. Considere dos piezas semiconductoras (una de material tipo n y la otra de material tipo p) como se muestra en la figura 3.la. 3.1

Figura 3.1a Representacin de un material tipo p y uno tipo n El material tipo p tiene cierta densidad (Na) de tomos aceptores (de valencia +3). Dichos tomos se representan en el diagrama por medio de signos negativos encerrados en un crculo. Adems, esos tomos estn fijos en una posicin determinada en la estructura cristalina. Por cada tomo aceptor existe un hueco libre que se representa en el diagrama con un signo positivo. Naturalmente, varios de estos tomos intrnsecos han perdido electrones debido a la agitacin trmica. Estos electrones trmicos y los huecos que producen, estn representados dentro del cuadrado, por el signo negativo y por el signo positivo, respectivamente. Por supuesto, los portadores generados trmicamente, son indistinguibles de los portadores producidos por contaminacin. Por lo tanto, la densidad total de portadores mayoritarios (Pp) es igual a la densidad de tomos aceptores (Na) ms la densidad de los huecos producidos trmicamente (Pi). Por lo ya expuesto, se establece Na >> P, Pp Na. La densidad de portadores minoritarios (np) se debe a los electrones generados trmicamente y, como se indic en la ecuacin 2.21, np << ni. Ing. Juan Gilberto Mateos Surez

El material tipo n (figura. 3.la) tiene una densidad (Nd) de tomos donadores (de valencia + 5). Estos tomos donadores (fijos en la red cristalina) los cuales se muestran en el diagrama por medio de signos positivos encerrados en un crculo. Los electrones libres correspondientes se representan por medio de signos negativos. Una vez ms los electrones y huecos generados trmicamente, se muestran por medio de los signos negativo y positivo que se encuentran en el cuadrado. En el material tipo n la densidad de portadores mayoritarios (nn) es igual a (Nd + ni). Sin embargo, ya que Nd>> ni, nnNd. Todos los portadores tipo p (o minoritarios) son portadores generados trmicamente. De la ecuacin 2.19 se advierte que pn<<pi si Nd >> Pi. Por supuesto, las dos piezas del cristal son elctricamente neutras. Cuando se unen los cristales tipo n con los tipo p y, considerando que su estructura cristalina es continua, ocurre una redistribucin de cargas corno se muestra en la fig. 3.lb.

Figura 3.1b Representacin de la unin pn Algunos de los electrones libres del material tipo n cruzan la unin y se combinan con los huecos libres del material tipo p. De manera semejante, los huecos libres del material tipo p cruzan la unin y se combinan con los electrones libres del material tipo n. Por lo tanto y como resultado de esta redistribucin, el material tipo p adquiere una carga negativa neta y el material tipo n adquiere una carga positiva neta, tal como se muestra en la fig. 3.lc.

Figura 3.1c Distribucin de carga de la unin p-n Esta carga elctrica produce un campo elctrico y una diferencia de potencial entre los dos tipos de material, como se aprecia en la figura. 3.ld.

Figura 3.1d Distribucin del potencial de la unin p-n Ing. Juan Gilberto Mateos Surez

Se mencion previamente que en el proceso de fabricacin de los diodos no se utiliza la tcnica de unin, sino que generalmente se emplea la tcnica de contaminacin selectiva en un cristal continuo. El proceso por medio del cual las cargas cruzan la unin, se conoce como propagacin. Este proceso se representa mejor si nicamente se toman en cuenta los electrones del material tipo n. Cuando se unen los dos pedazos de material, existe una concentracin de electrones libres en el material tipo n, pero no en el material tipo p. El movimiento aleatorio de los electrones permitir que algunos de ellos pasen de la regin n a la regin p. Debido a que hay menos electrones en la regin p que en la regin n, pocos de ellos tendern a pasar de la regin p a la regin n. Si no existen otras fuerzas, el proceso de propagacin continuar hasta que la concentracin de electrones sea uniforme a lo largo de todo el material. Este proceso es igual al que ocurre cuando se unen dos recipientes que contienen gases diferentes. Finalmente, los dos recipientes contendrn una mezcla uniforme de ambos gases. Sin embargo, debido a la carga de los electrones, estos son atrados hacia la regin n cargada positivamente. En forma similar, los huecos son atrados hacia la regin p cargada negativamente. Por lo tanto se establece un campo elctrico (gracias al proceso de propagacin) el cual impide que contine dicho proceso. Ya que la propagacin es un proceso usual, se han establecido las relaciones matemticas que lo rigen. En trminos sencillos, la relacin en la cual los electrones (de un tomo de un gas, etc.) cruzarn un plano de referencia dado por unidad de rea de la seccin transversal, es proporcional al gradiente (relacin de cambio de la densidad de los electrones con respecto a la distancia) de distribucin de los electrones. Dicha relacin expresada en forma matemtica es: dn dn = Dn (3.1) dt dx donde dn/dt es la relacin de acuerdo con la cual los electrones cruzarn una unidad de rea dada, Dn es la constante de proporcionalidad conocida como constante de difusin y dn/dx es el gradiente de distribucin. Ya que la corriente elctrica es la relacin de acuerdo con la cual la carga atraviesa una referencia dada, se puede usar la ecuacin 3.1 para encontrar la densidad de corriente de propagacin. As que, Jn = q dn dn = qDn dt dx (3.2)

donde Jn = densidad de corriente debida a los electrones en A/m2 , q = la carga de un electrn en Coulumbs Dn = la constante de propagacin para los electrones en m2/seg. En la tabla 3.1 se encuentran las constantes de propagacin para los electrones del silicio, germanio y arseniuro de galio. Tabla 3.1 Constantes de difusin en m/seg a 3000K. Ge 98.8 x 10-4 46.8 x 10-4 Si 33.8 x 10-4 13.0 x 10-4 GaAs 174 x 10-4 17.4 x 10-4

Dn Dy

Ing. Juan Gilberto Mateos Surez

Debido a que los huecos tambin se propagan en un semiconductor, es posible establecer una ecuacin similar a la ecuacin 3.2 para el flujo de corriente debida a la propagacin de los huecos. dp J p = qD p (3.3) dx donde Jp = densidad de corriente debida a los huecos en A/m2 Dp = la constante de propagacin para los huecos en m2/seg dp/dx = gradiente de distribucin de los huecos. Las constantes de propagacin para los huecos del silicio, germanio y arseniuro de galio tambin se indican en la tabla 3.1. Por supuesto la constante de propagacin est en funcin del material y de la temperatura as corno del tipo de portador. En una verdadera unin n-p, los dos tipos de material semiconductor son neutros antes de que se efecte la unin. Despus de haberse efectuado sta, el material tipo n, pierde electrones a causa de la propagacin y gana huecos. Sin embargo, mientras los electrones entran a la regin p ocurren recombinaciones con la gran cantidad de huecos. De hecho, se dice que se ha vaciado la totalidad de los huecos que se encuentran junto a la unin, ya que prcticamente todos los huecos son ocupados por los electrones. La naturaleza original, elctricamente neutra de esta regin, se reemplaza con iones negativos donde quiera que existan tomos con valencia +3. De manera anloga, cualquier hueco que viaje (o sea inyectado) hacia el material tipo n se elimina al recombinarse con un electrn libre cercano a la unin. En el material tipo n los electrones han sido vaciados y existirn iones positivos, dondequiera que haya tomos con valencia +5. Corno resultado de esta accin, (el material tipo p se vuelve negativo y el material tipo n se vuelve positivo) se establece un campo elctrico o una barrera de potencial en la unin. En condiciones estacionarias, este campo es lo suficientemente fuerte para impedir la propagacin de electrones del material tipo n y de los huecos del material tipo p. La propagacin de los portadores mayoritarios produce una barrera de potencial en la unin mientras que los portadores minoritarios los cuales son arrastrados al otro lado de la unin, tienden a reducir la altura de la barrera. Corno resultado, se obtiene una condicin de equilibrio, en la cual el flujo de portadores minoritarios es igual al flujo de portadores mayoritarios. A la corriente que resulta de la propagacin de los portadores mayoritarios se le conoce como corriente de inyeccin o corriente mayoritaria y a la corriente que resulta de los portadores minoritarios se le conoce como corriente de saturacin o corriente minoritaria. Como se dijo anteriormente, la distribucin de carga de la figura 3.lc ocasiona una diferencia de potencial a travs de la unin p-n (figura 3.ld). A temperatura ambiente esta diferencia de potencial es de unos dcimos de volt. Parece posible que si se conecta un conductor a los extremos libres de la combinacin p-n puede producirse un flujo de corriente por el circuito externo ya que ambos extremos estn a diferentes potenciales.

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Pero esta suposicin es incorrecta, ya que la diferencia de potencial por contacto, tanto en las uniones del cristal como en el conductor externo, hace que la fem total a lo largo de todo el circuito sea igual a cero y, por lo tanto, no haya circulacin de corriente. Por ejemplo, si conectamos un conductor a un cristal tipo n, la propagacin neta de electrones ser del cristal hacia el conductor hasta que el cristal se vuelva positivo con respecto al conductor y se logre el equilibrio. Naturalmente, acontece lo contrario si el conductor se conecta a un cristal tipo p.

Figura 3.2b Distribucin del potencial sin batera externa. La figura 3.2b muestra la direccin de las corrientes de inyeccin I1 y de saturacin Is. Adems, el tamao de las flechas indica la magnitud relativa de dichas corrientes. En este caso el flujo neto de corriente es igual a cero I1=Is. Los portadores mayoritarios necesitan suficiente energa cintica para saltar la barrera de potencial; por el contrario, los portadores minoritarios slo se resbalan en la barrera sin necesidad de ninguna energa cintica. En realidad, los portadores minoritarios ganan energa cintica al atravesar la unin. Si se conecta el material tipo n al borne positivo de una batera externa, y el material tipo p al borne negativo de la misma, se aumenta la diferencia de potencial a travs de la unin como se muestra en la figura 3.2c.

Figura 3.2 c Distribucin del potencial con batera externa polarizada inversamente Ing. Juan Gilberto Mateos Surez

La altura de la barrera de potencial aumenta en una cantidad igual al voltaje de la batera. Entonces nicamente aquellos portadores mayoritarios que tengan suficiente energa cintica podrn saltar la barrera de potencial. En consecuencia, se elimina la corriente de inyeccin I1 como se ve en la figura 3.2c. La corriente Is permanece igual ya que los portadores minoritarios an no necesitan energa (figura 3.2b). Por lo tanto, la circulacin externa de corriente se debe principalmente a los portadores minoritarios del semiconductor, generados trmicamente. Esta corriente Is se Conoce como corriente inversa del diodo.

Figura 3.2 c Distribucin del potencial con batera externa polarizada directamente Como se ilustra en la figura 3.2d, la diferencia de potencial que hay en la junta, disminuye si se conectan el material tipo n con el borne negativo de una batera y el material tipo p con el borne positivo de la misma. La barrera disminuye en una magnitud igual al voltaje de la batera, ignorando la cada IR en los cristales. Debido a esto, un gran nmero de portadores mayoritarios pueden cruzar la unin. Por lo tanto, la corriente de inyeccin I1 aumenta en forma considerable, como se muestra en la figura 3.2d. Los portadores minoritarios siguen cruzando la unin sin prdidas de energa (todava ganan energa cintica, pero no tanta como la que obtienen en las figuras 3.2b y 3.2c y la corriente Is no vara. Por consiguiente, la corriente directa del diodo es bastante grande. De hecho, ya que el nmero de portadores mayoritarios es mayor en comparacin con el nmero de los portadores minoritarios, la corriente directa es cientos de veces ms grande que la corriente inversa.

Figura 3.3 Smbolo del diodo La figura 3.3 muestra el smbolo del diodo. La flecha apunta en la direccin del flujo positivo de corriente cuando se le aplica al diodo una polarizacin directa. Ing. Juan Gilberto Mateos Surez