Transistores: principales tipo de capsula

To-3
En Electrnica, TO-3 es la designacin de un tipo de encapsulado metlico utilizado en la fabricacin de transistores y algunos otros circuitos integrados. El nombre proviene del JEDEC, de su nombre en ingls Transistor Outline Package, Case Style 3.

Un transistor con encapsulado TO-3 (visto a la derecha) junto a otros encapsulados.

Aplicaciones tpicas
El TO-3 se usa principalmente en aplicaciones de alta potencia donde se precisa de una buena disipacin de calor como puede ser; amplificadores de audio profesional, instrumentos de medida electrnica, aplicaciones militares y en satlites.

Tenga en cuenta la ubicacin de los terminales a los agujeros de montaje en el grfico anterior, algunos dispositivos pueden tener un pasador fijado al cuerpo de metal del paquete A-3. Este es un dispositivo de orificio pasante, similar en tamao a un paquete de To-23. A-3 paquetes con 8 terminales se utilizan para amplificadores operacionales, mltiples transistores o FET y otros semiconductores que requieren ms de tres clavijas.

Disipadores trmicos
Introduccin.- Las potencias manejadas por los dispositivos semiconductores, transistores, TRIAC, MOSFET, Reguladores de tensin, etc., es en muchos casos de una magnitud considerable. Adems, el problema se agrava teniendo en cuenta que el tamao de tales dispositivos es muy pequeo, lo que dificulta la evacuacin del calor producido. Un cuerpo que conduce una corriente elctrica pierde parte de energa en forma de calor por efecto Joule. En el caso de los semiconductores, se manifiesta principalmente en la unin PN, y si la temperatura aumenta lo suficiente, se produce la fusin trmica de la unin, inutilizando el dispositivo. Los dispositivos de potencia reducida, disipan el calor a travs de su encapsulado hacia el ambiente, manteniendo un flujo trmico suficiente para evacuar todo el calor y evitar su destruccin. En los dispositivos de ms potencia, la superficie del encapsulado no es suficiente para poder evacuar adecuadamente el calor disipado. Se recurre para ello a los radiadores (heatsinks), que proporcionan una superficie adicional para el flujo trmico. Propagacin del calor.- El calor se transmite mediante tres formas conocidas: radiacin, conveccin y conduccin. Por radiacin recibimos los rayos del Sol. La radiacin no necesita un medio material para propagarse, puede hacerlo a travs del vaco. Todo cuerpo con una temperatura superior a los cero grados absolutos (kelvin) produce una emisin trmica por radiacin, pero en el caso que nos ocupa es de una magnitud despreciable, y por tanto no se tiene en cuenta la emisin por radiacin. La conveccin es un fenmeno que atae a fluidos, tales como el aire o el agua. Favorece la propagacin del calor en estos cuerpos, que son de por s muy buenos aislantes trmicos. Un cuerpo caliente sumergido en aire, hace que las capas prximas al mismo se calienten, lo que a su vez ocasiona una disminucin de su densidad, y por esto se desplazar esta masa de aire caliente hacia estratos ms elevados dentro del recinto. Inmediatamente, el "hueco" que ha dejado este aire es ocupado por aire ms fro, y as se repite el ciclo, generando corrientes conectivas que facilitan el flujo trmico. Este mismo fenmeno se da en el agua, o cualquier lquido o gas. La transmisin por conduccin se manifiesta ms obviamente en cuerpos slidos. Curiosamente los cuerpos que son buenos conductores elctricos, tambin lo son trmicos, y se explica a nivel subatmico. El cobre, la plata, nquel, aluminio, oro, etc., son excelentes conductores. Si aplicamos una llama a una barra de cobre, enseguida notaremos el calor por el extremo que lo agarramos. Este calor se ha propagado por conduccin.

En la disipacin de calor de los semiconductores, solamente consideramos los dos ltimos tipos de propagacin: conveccin y conduccin.

Analoga elctrica.- Se puede establecer una correspondencia entre la Ley de Ohm y la propagacin trmica mediante la siguiente tabla de equivalencias:
analoga trmica - Ley de Ohm intensidad ( I ) tensin ( V ) resistencia ( R ) V = IR calor ( W ) temperatura ( T ) Resist. trmica ( R ) T = WR

Las unidades son W (watios), T (C, grados centgrados) y R (C/W)

T = Tj-Ta = W (Rjc + Rcd + Rda) Tj = temp. De la unin Ta = temp. Ambiente Rjc = resist. Trmica unin-cpsula Rcd = resist. Trmica cpsula-disipador Rda = resist. trmica disipador-ambiente La asociacin de resistencias trmicas es igual que la asociacin de resistencias. En serie, sumamos los valores de cada R, de manera que la resistencia trmica equivalente es mayor que cada una de las resistencias por separado. Lgicamente, cuanto mayor es la resistencia trmica, mayor dificultad para el flujo de calor. Clculo del disipador.- La mayora de fabricantes de semiconductores proporcionan los datos suficientes para poder calcular el disipador que necesitamos. Necesitamos como punto de partida, la temperatura mxima que puede alcanzar la unin del transistor. Esta temperatura no se deber alcanzar en ningn caso, para no destruir el componente. Normalmente el fabricante proporciona el "operating temperature range" por ejemplo, -65 to 200 C indica que la temperatura mxima es de 200C. Nosotros podemos tomar unos coeficientes de seguridad k como sigue: k = 0.5 para un diseo normal con temperatura moderada. k = 0.6 para economizar en tamao de disipador. k = 0.7 cuando el disipador permanezca en posicin vertical y en el exterior (mejora de conveccin).

Con el coeficiente k, y tomando la temperatura mxima de funcionamiento como Tj, tenemos la expresin:

T = k Tj - Ta = w (Rjc + Rcd + Rda)

Donde w representa la potencia en watios (calor) que disipar el componente.

Si no disponemos de estos datos, podemos tomar como Tj = 135 C para transistores de silicio, y Tj = 90C para transistores de germanio.

El flujo de calor, desde la unin PN hasta el ambiente tiene que atravesar varios medios, cada uno con diferente resistencia trmica.

Resistencia unin-cpsula (Rjc). Viene dado en manuales y tablas, y depende de la construccin de la cpsula. El tipo TO-3 disipa gran cantidad de calor. Resistencia cpsula-disipador (Rcd). Depende del encapsulado y del aislamiento, si lo hay, entre el componente y el disipador. El aislante puede ser mica, pasta de silicona y otros medios. Cada uno presenta diferente resistencia trmica. Resistencia disipador-ambiente (Rda). Este es el que tratamos de calcular.

Radiador para TO-220

radiador para TO-3

Ejemplo.- Vamos a utilizar un regulador de tensin LM317T con encapsulado TO-220 y cuyos datos son los siguientes: De la datasheet sacamos estos datos: Tj = 125 C Rjc = 5 C/w De nuestro montaje y las tablas, deducimos:

Rcd = 1.4 C/w (separador de mica) Ta = 25 C (tomamos este valor)

Clculo de la potencia que disipa el LM317. La potencia que disipa el regulador es el producto de la V que existe entre la patilla de entrada y salida y la corriente que entrega el regulador. Por mediciones obtenemos: Vin = 12 voltios Vout = 6.3 voltios V = Vin-Vout = 5.7 voltios I = 0.9A es la corriente que entrega el regulador. Pot = 5.7 x 0.9 = 5.13 watios partimos de la expresin: T = Tj - Ta = w (Rjc + Rcd + Rda) Tenemos que calcular el valor de disipador que necesitamos, Rda. Despejamos y ponemos un k = 0.7 porque vamos a poner el disipador en el exterior y vertical. Rda = [(k Tj - Ta) / w] - Rjc - Rcd = [(0.7125 - 25)/5.13] - 5 - 1.4 = 5.78 C/w

Buscamos en catlogo y encontramos el radiador siguiente:

Tiene una R = 5 C/w, es suficiente, mxime teniendo en cuenta que ya hemos tomado un coeficiente k de seguridad igual a 0.7 y nos aseguramos de sobra. Con este radiador, podemos calcular la temperatura que alcanzar el mismo cuando el LM317 disipa 5.13 w de una forma muy sencilla:

Td - Ta = Rda w ---> Td = Rda w + Ta = 5 5.13 + 25 = 50.65 C

La eleccin del coeficiente k es arbitraria por nuestra parte. Podemos perfectamente elegir k=1 pero nos arriesgamos mucho. Es preferible en este caso subir la temperatura ambiente de diseo a 30 35 grados, o incluso ms para evitar que se destruya. Tener en cuenta que si el dispositivo est en una caja, la temperatura fcilmente sube a 40 grados y ms. Obsrvese cmo influye en el regulador de tensin la diferencia de tensin en entrada y salida para la disipacin de potencia. Este mismo radiador lo estoy utilizando con este regulador, que alimenta los filamentos de 3 vlvulas tipos ECC82 y ECC83. El radiador est en el exterior y entrega 0.9A perfectamente, sin que hasta ahora haya tenido problemas. Clculo de grandes radiadores.- Cuando tengamos que disipar potencias de ms de 50 vatios, las dimensiones del radiador se disparan (y las pesetas tambin :). Es habitual en transistores de salida, sobre todo en amplificadores de clase A. A veces, es incluso difcil evaluar cual ser la potencia que tenemos que disipar. Si por ejemplo, se trata de un amplificador clase A, la cosa es fcil, pues sabemos que la mxima potencia se disipa en el reposo y conociendo la corriente y la tensin a la que est sometido el transistor podemos inmediatamente saber la potencia. Pero en el caso de clase B o clase AB la cosa no es tan sencilla y tendremos que recurrir a predicciones ms o menos acertadas, teniendo siempre presente que ms vale tirar por lo alto para evitar fallos. La lgica nos dice que si tenemos un radiador con una resistencia trmica R y lo dividimos en dos partes iguales, entonces obtenemos dos radiadores cuya R es justo el doble. No es cierto. Depender de la geometra y caractersticas propias del fabricante. No hay ms remedio que consultar datasheets, que para grandes radiadores de extrusin incluyen grficas de R y longitud. Normalmente, en el caso anterior la R obtenida en cada una de las mitades es menor que el doble. El grfico adjunto corresponde a un radiador de la casa Semikron (modedo P39):

Observamos el grfico y vemos que el rendimiento disminuye con la longitud del radiador Por ejemplo, para 200 watios de disipacin trmica, la R oscila entre 0.29 C/w (200mm) y 0.38 C/w (100mm) y no como era de esperar (0.58 C/w para 100mm). Al revs, el rendimiento aumenta segn la potencia que disipe. Por ejemplo, para una L=100mm la R vara desde 0.5 (75w) hasta 0.38 C/w (200w). Si por ejemplo, necesitamos 0.4 C/w para 200w vale con un radiador de 90mm, pero si slo disipamos 75w de calor, entonces vamos a necesitar una longitud de 160 mm. (Porque la R se hace mayor) Tener en cuenta que la anchura (w) es constante y vale 300mm.

Varios transistores en un radiador.- Ya vimos como el sentido comn nos jug una mala pasada en nuestro clculo de la longitud del radiador. Examinemos otro proceso mental muy habitual en estas lides. Nos encontramos ante dos transistores que disipan cada uno 30 watios y decidimos poner ambos en el mismo radiador. Por tanto, debemos disipar un total de 60 watios, y con los datos del fabricante, sabemos que: Tj = 200 C Rjc = 1.5 C/w Rcd = 0.8 C/w (separador de mica y cpsula TO-3) Cogemos una Temperatura ambiente de 30 grados (el radiador est al aire libre) Hacemos nuestros clculos mecnicamente, y en seguida hacemos cuentas de la resistencia de radiador que necesitaremos:

Otra vez nos hemos equivocado!! Examinemos detenidamente la situacin, dibujando un diagrama de analoga elctrica:

La asociacin de resistencias trmicas se tratan igual que las elctricas, asociando series y paralelos llegamos al resultado de la Fig.3. La resistencia trmica total de los transistores (Rjd) es de 1.15C/w en lugar de los 2.3C/w que alegremente supusimos. O sea, hemos reducido a la mitad la Rjd por el mero hecho de utilizar dos transistores. Tiene sentido, porque proporcionamos dos caminos al flujo de calor. Calculemos de nuevo nuestro radiador:

La diferencia entre un radiador de 0.53C/w y otro de 1.68C/w es notable. Si en lugar de dos transistores, pusiramos cuatro, la nueva Rjd valdra 0.575C/w y el nuevo radiador que necesitaramos tendra una R de 2.26C/w. En resumen, podemos ahorrar en radiador si distribuimos el flujo de calor entre ms transistores. Estos sencillos clculos nos han mostrado que no siempre las cosas son como parecen. Si bien un primer vistazo nos condujo por el camino equivocado, un anlisis con mayor detenimiento nos ense una realidad bien diferente.

Para saber ms sobre clculo de radiadores.- No es fcil conseguir informacin sobre este campo, la info est dispersa y es incompleta. La mayor parte de lo que expongo lo he sacado de fabricantes, datasheets y algn libro de electrnica. La mayora de la gente se desorienta bastante con unidades del tipo "C/w" que le suenan poco menos que a chino. Desgraciadamente, esto es extensible a profesionales del ramo; lo habitual es que si pides un radiador por su resistencia trmica en C/w en una tienda, el dependiente te mire con cara atnita. Y yo me pregunto cmo narices elige la gente un radiador. Basndose en qu?.

TABLAS DE RESISTENCIAS TERMICAS DE AISLADORES

Aisladores para TO-220 y TO-3

TABLAS DE RESISTENCIAS TERMICAS DE ENCAPSULADOS

TO-218

TO-220

TO-247

TO-5

TO-92

TO-220
El TO-220 es un tipo de encapsulado de dispositivos electrnicos, comnmente usado en transistores, reguladores de tensin y diversos circuitos integrados. El encapsulado TO-220 trae usualmente tres patas, aunque existen tambin de dos, cuatro, cinco e, incluso, siete patas. Una caracterstica notable de este tipo de encapsulado es el reverso metlico, que posee un agujero utilizado para montar el dispositivo sobre un disipador. Los componentes que poseen un encapsulado TO-220 pueden manejar mayores potencias que aquellos que son construidos sobre encapsulados TO-92.

Componentes ms conocidos que usan este encapsulado

7805, regulador de tensin de +5V 7812, regulador de tensin de +12V LM317, regulador de tensin LM340, regulador de tensin

Vista frontal del encapsulado TO-220.

Vista trasera del encapsulado TO-220.

TO-218
El A-218 es un tipo de plstico moldeado por paquete "transistor-esquema" que cuenta con una lengeta metlica plana en su parte posterior (ver Figura 1) para permitir que se disipe relativamente grandes cantidades de calor. El A-218 es de uso general para los transistores de energa de la vivienda, tiristores y circuitos integrados con recuentos bajos de plomo. La lengeta de metal en la parte posterior de la A-218 sirve como un disipador de calor en s, pero tiene un agujero para que pueda ser atornillado sobre un disipador de calor ms grande si se requiere capacidad de manejo de potencia ms alta. Un tpico paquete de TO-218 tiene 2 a 5 conductores. El paso de plomo (distancia entre los conductores) de un paquete A-218 vara, dependiendo del nmero de clientes potenciales. Por ejemplo, el 5-lead paquete TO-218 en la figura 1 tiene un paso principal de 2,54 mm, pero un 3-conducir TO-218 paquete equivalente puede tener un tono de plomo de 5,1 mm.

Descripcin Cambie electrnico de Corriente directa til prrafo Interrumpir y / o Continuar La Corriente de Alimentacin de la ONU Dispositivo. Su versatilidad lo HACE IDEAL PARA el Control de Corrientes Alternas, ua de Ellas es do utilizacin COMO INTERRUPTOR Esttico ofreciendo Muchas Ventajas Sobre los Interruptores Mecnicos convencionales y los RELS. Funciona Como Interruptor electrnico y alzo una pila. ESPECIFICACIONES SCR Pico repetitivo de estado de tensin, Vdrm: 400 V Corriente de Disparo de puerta de Max, Igt: 50 mA Corriente IT promedio de corriente: 41 A El Estado actual de TI RMS (RMS): 65 A Sobrecorriente Mxima Representante actual no Itsm 50 Hz: 800 A

Corriente de retencin Ih Max: 80 mA Encapsulado TO-218

TO-247
Cartera MOSFET de ST ofrece una amplia gama de voltajes de ruptura de -500 V a 1500 V, con puerta de carga baja y baja resistencia, combinado con-de-el estado envasado de la tcnica. Tecnologa de proceso de ST para los MOSFETs de alta tensin y baja tensin ha aumentado la capacidad de manejo de energa, lo que resulta en soluciones de alta eficiencia. Las principales caractersticas de nuestra amplia cartera incluyen: -500 V a 1.500 V Rango de tensin de ruptura Ms de 30 opciones de paquetes, incluyendo el nuevo 4-lead TO247-4 con un pin de control dedicado para aumentar la eficiencia de conmutacin y el de 1 mm de altura de montaje superficial PowerFLAT 8x8 HV Mejora de la puerta de carga y menor disipacin de energa para satisfacer los requisitos de rendimiento exigentes de hoy en da Opcin diodo cuerpo rpido intrnseca para las lneas de productos seleccionados En cada voltaje aplicaciones compatibles alcance como punto de carga, telecomunicaciones convertidores DC-DC, PFC, fuentes de alimentacin conmutadas y equipos de automocin, ST tiene el MOSFET adecuado para su diseo. Resistencia de alta potencia no inductiva. Trmicamente mejorado estndar A-247 paquete de Industria. Resistencia trmica extremadamente baja, 0,9 C / W Resistencia punto caliente de lengeta metlica. Diseo completo de flujo trmico disponible para una fcil implementacin. Paquete delgado pequeo para instalacin de PCB de alta densidad. Compatible con RoHS.

Aplicaciones Circuitos de alta frecuencia y los amplificadores de potencia de RF. UPS y circuitos de alimentacin Control de Motor y amplificadores de potencia / RF. Equipo de alimentacin Industrial. Controladores PLC. Proteccin de Corriente de arranque A-247 es una familia paquete agujero a travs de multitud de ventajas. La configuracin del paquete se muestra en Figura 1. El paquete tiene las siguientes ventajas: 1. Proporciona ventaja espacial sobre los paquetes de energa convencionales, con un cuerpo moldeado delgado y ms pequeo Esquema de paquete. 2. Disipa el calor directamente a un disipador de calor externo a travs de un chip expuesto adjuntar almohadilla en la parte de atrs de el paquete. 3. Reduce al mnimo el esfuerzo mecnico sobre la matriz durante el montaje del paquete moldeado por tornillos en lugar que a travs de la soldadura de la matriz adjunta pad. 4. Buena solidez de plomo (15 milsimas de pulgada de espesor). El estndar a travs de la huella hoyo y junta tamaos de agujero seguir a los de la actual familia A-220 paquete. El paquete A-247 no se recomienda para montaje en superficie. 5. Epoxi de alta conduccin trmica se utiliza para unir el dispositivo a la matriz adjuntar almohadilla. El promedio JC medido es 2,96 C / W.

Paquete Gua de montaje

Es importante que los paquetes estn montados correctamente si la funcionalidad completa se ha de lograr. Montaje del paquete a un disipador de calor debe hacerse de tal manera que hay suficiente presin de los tornillos de montaje para asegurar un buen contacto con el disipador de calor para el flujo de calor eficiente. Montaje incorrecto puede conducir a la vez problemas trmicos y mecnicos. Si se aprieta demasiado los tornillos de montaje har que el paquete se deforme reducir el rea de contacto con el disipador de calor y el aumento de la resistencia trmica de la caja de paquete para el disipador de calor, resultando en temperaturas ms altas de troquel de funcionamiento. Extreme durante el apriete del montaje tornillos ms all de la fuerza de torsin recomendada causarn estrs fsico grave con resultado de die agrietada y el fracaso IC catastrfica. Aunque la fiabilidad del paquete es excelente, el uso inapropiado de los tcnicas o herramientas inadecuadas durante el proceso de montaje pueden afectar a la fiabilidad a largo plazo del dispositivo e incluso daarla.

Disipador de calor externa y PCB Conductores Directrices de alineacin

Para PCB agujeros diseos para adaptarse a los conductores del paquete, se recomienda agujero alineacin correcta PCB para garantizar que la almohadilla expuestos a-247 se puede montar en el mismo plano de asiento del disipador de calor externa como la de otros paquetes de potencia similares de diferente grosor y el tamao (por ejemplo, A-220), como se muestra en la Figura 6. Soldadura de A-247 lleva a la PCB se debe hacer antes de disipador de apriete del tornillo final.

Paquete curva Lead

Proceso de plegado A-247 cable de Nacional Semiconductor requiere un conjunto preciso y herramientas apretadas controles. Curvas adicionales de plomo no se recomiendan ni garantizadas, como un conjunto correctos hasta puede potencialmente daar el dispositivo y hacer que el dispositivo no funcional

TO-5
En electrnica, A-5 es una designacin para un paquete de semiconductores de metal estandarizado utilizado para algunos transistores y circuitos integrados. El elemento que significa "esquema transistor" y se refiere a una serie de dibujos tcnicos producidos por JEDEC.

Construccin
Que tpico paquete A-5 tiene un dimetro de base de 8,9 mm, un dimetro de la tapa de 8,1 mm, y una altura de 6,3 mm tapa. Diferentes fabricantes tienen diferentes tolerancias, y el factor de forma real puede variar ligeramente, dependiendo de la funcin.

La ficha del metal por lo general se celebra el ltimo pin-nmero, por ejemplo 8 en un amplificador operacional tpica y el nmero de pines hacia arriba en sentido antihorario.

La A-5 es un tipo de "poder del metal" paquete (tambin conocido como paquete de 'cabecera de metal') para dispositivos semiconductores. Se sella hermticamente para proteger el dispositivo de los factores ambientales tales como los contaminantes y la humedad. La A-5 se utiliza comnmente en los transistores y circuitos integrados de vivienda con recuentos bajos de plomo, tales como amplificadores operacionales. La A-5 est hecho principalmente de metal, con el microchip montado en la plataforma de troquel de la cabecera de metal y luego sellados con una tapa de metal mediante soldadura de alta corriente. La A-5 se parece a un A-52, pero es ms grande que el segundo. La mayora de los A-5 paquetes vienen con tres terminales, ya que la A-5 se utiliza comnmente en dispositivos de tres terminales tales como transistores. Sin embargo, TO5 paquetes con ms conexiones tambin son bastante comunes.

TO-92
El TO-92 es el encapsulado ms utilizado en la construccin de transistores. El encapsulado est usualmente hecho de epoxy o plstico, y presenta un tamao bien reducido y bajo costo.

Historia y origen
Las siglas del encapsulado derivan de su nombre original en ingls: Transistor Outline Package, Case Style 92.

Transistores ms comunes que usan este encapsulado

BC548, NPN BC558, PNP 2N3904, General purpose NPN 2N3905, PNP 2N3906, General purpose PNP 2N7000, N-Channel FET PN2222A, 2N2222 NPN

El Esquema de transistor (A-92) es un paquete encapsulado basado en bastidor de conductores, de plstico que es muy adecuado para aplicaciones que requieren un rendimiento ptimo en el empaquetado transistor. Paquete pasante TO-92 estndar de la industria es fcilmente adaptable para su uso en equipos de insercin automtica. La letra pequea del pie est diseado para ahorrar espacio en la placa al tiempo que proporciona un gran volumen y valor aadido, soluciones de bajo costo para una amplia gama de aplicaciones. A BOM verde es estndar, permitiendo que los dispositivos cumplan con los estndares RoHS aplicable Pb libre y. A-92 Caractersticas: Paquete JEDEC estndar de esquema Servicios de prueba de llave en mano, incluyendo las opciones de la tira reactiva Materiales verdes son estndar - Sin plomo y RoHS

TO-92 Proceso Highlights Servicios backgrinding oblea disponibles

NiPdAu (PPF) o mate Sn opciones leadfinish Marcado lser en el cuerpo del paquete

Calificacin Confiabilidad TO-92 Amkor paquete de cualificacin utiliza tres lotes de produccin independientes y un mnimo de 77 unidades por grupo de ensayo. Todas las pruebas incluyen precondicionamiento JSTD-020 humedad. MSL-JEDEC Nivel 1: 85 C/85% RH, 168 horas MSL-JEDEC Nivel 3: 30 C/60% RH, 192 horas UHAST 130 C / 85% RH, sin sesgo, 96 horas Temperatura ciclo -65 / +150 C, 500 ciclos De almacenamiento de alta temperatura de 150 C, 1.000 horas

Servicios de ensayo Generacin / conversin Programa Sonda Wafer Burn-in -55 C a 165 C de prueba disponibles Tira de pruebas disponibles Servicio y soporte Amkor tiene una amplia base de recursos disponibles para ayudar a nuestros clientes introducir nuevos productos de calidad al mercado de forma rpida y con el menor coste posible. Leadframes personalizados Paquete completo caracterizacin Trmica, tensin mecnica y el modelado rendimiento elctrico Montaje llave en mano, de prueba y nave de la gota Pruebas de fiabilidad de clase mundial y anlisis de fallas A-92 Opciones de Envo bolsa antiesttica Cdigo de Barras Seque Paquete nave de la gota.