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1. OBJETIVOS:
Reconocer las caractersticas de los dispositivos semiconductores. Realizar las medidas aplicando los diodos rectificadores. Relacionar los valores tericos con los prcticos
2. EL DIODO DE POTENCIA
Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas. Curva caracterstica del diodo
Tensin umbral, de codo o de partida (V ): La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. Corriente mxima (Imax ): Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la
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La curva caracterstica ser la que se puede ver en la parte superior, donde: o VRRM: tensin inversa mxima o VD: tensin de codo.
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Parmetros en bloqueo Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms. Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo. Tensin inversa continua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.
Parmetros en conduccin Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos sinusoidales de 180 que el diodo puede soportar. Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms, con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25). Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms. Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conduccin.
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Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin que necesitemos.
2.2 Caractersticas dinmicas: El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultar que despus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo t b (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciedo el exceso de portadores.
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De donde:
Para el clculo de los parmetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes casos: Para ta = tb ; trr = 2ta
Y en el segundo caso:
Influencia del trr en la conmutacin Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable: o Se limita la frecuencia de funcionamiento. o Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa.
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3. TIPOS DE DIODOS
Existen varios tipos de diodos, que pueden diferir en su aspecto fsico, impurezas, uso de electrodos, que tienen caractersticas elctricas particulares usados para una aplicacin especial en un circuito. El funcionamiento de estos diodos es fundamentado por principios de lamecnica cuntica y teora de bandas. Los diodos normales, los cuales operan como se describa ms arriba, se hacen generalmente de silicio dopado o germanio. Antes del desarrollo de estos diodos rectificadores de silicio, se usaba el xido cuproso y el selenio: su baja eficiencia le dio una cada de tensin muy alta (desde 1,4 a 1,7V) y requeran de una gran disipacin de calor mucho ms grande que un diodo de silicio. La gran mayora de los diodos pn se encuentran en circuitos integrados CMOS, que incluyen dos diodos por pin y muchos otros diodos internos.
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Resistencia dinmica del diodo Cuando el diodo esta en polarizacin directa, osea el terminal positivo en el material de tipo p y el terminal negativo en el material de tipo n, el diodo semiconductor deja pasar la corriente. Haciendo la simulacin en el PROTEUS con el voltaje de 10 voltios.
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Rdiodo
Resistencia dinmica del diodo Cuando el diodo esta en polarizacin directa, osea el terminal positivo en el material de tipo n y el terminal negativo en el material de tipo p, el diodo semiconductor no deja pasar la corriente y se abre. Haciendo la simulacin en el PROTEUS con el voltaje de 10 voltios.
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