NDICE

Contenido NDICE ............................................................................................................................................................. 1 INTRODUCCIN........................................................................................................................................... 3 OBJETIVO ........................................................................................ Error! Bookmark not defined. MATERIALES ................................................................................................................................................ 5 MARCO TEORICO ........................................................................................................................................ 6 TRANSISTOR. ................................................................................................................................................ 6 PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL .................................... Error! Bookmark not defined.1 BIBLIOGRAFIA ............................................................................ Error! Bookmark not defined.4 APENDICE ....................................................................................... Error! Bookmark not defined.

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INTRODUCCIN
Un diodo es un elemento electrnico que tiene un cierto comportamiento cuando se le induce una corriente elctrica a travs de l, pero depende de las caractersticas de esta corriente para que el dispositivo tenga un comportamiento que nos sea til. La utilidad del diodo est en los dos diferentes estados en que se puede encontrar dependiendo de la corriente elctrica que este fluyendo en l, al poder tener estos dos estados, estos dos comportamientos los diodos tienen la opcin de ser usados en elementos electrnicos en los que estos facilitan el trabajo. Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo.

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OBJETIVO
La polarizacin de un transistor para los propsitos que se tenga en mente en materia de ampliacin de pequea seal a bajas frecuencias y potencias menores de 1 watt. , y fundamentalmente obtener la polarizacin por divisor de tensin, la cual es la ms usada por su versatilidad.

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MATERIALES
Resistencias Fuentes de voltaje 10V y 3V Transformadores Conexiones Multimetros digital y analgico Protoboard Transistores

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FUNDAMENTOS TERICOS
El transistor Un transistor es un dispositivo semiconductor que tiene, bsicamente, dos funciones: - Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una pequea seal de mando. - Funciona como un elemento amplificador de seales. Existe una gran variedad de transistores. En principio, se explicarn los bipolares. Los smbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes:

Transistor NPN

Estructura de un transistor Transistor NPN PNP

Estructura de un transistor PNP

Veremos ms adelante como un circuito con un transistor NPN se puede adaptar a PNP. El nombre de estos hace referencia a su construccin como semiconductor. Funcionamiento bsico En el transistor, el emisor es el encargado de inyectar electrones en la base, la cual se encarga de gobernar dichos electrones y mandarlos finalmente al colector. La fabricacin del transistor se realiza de forma que la base es la zona ms pequea, despus el emisor, siendo el colector el ms grande en tamao. Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1).
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Figura 1

Figura 2

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por la Base. As el transistor disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasar una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lmpara. (Figura 2). En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE Polarizacin de un transistor Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.

Polarizacin de un transistor NPN

Polarizacin de un transistor PNP

Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza directamente y la unin base - colector inversamente.

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Zonas de trabajo Corte.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor tambin es nula. La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat Saturacin.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el Colector. Activa.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente. Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor. La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los transistores ya que relaciona la variacin que sufre la corriente de colector para una variacin de la corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de caractersticas, tambin aparece con la denominacin hFE. Se expresa de la siguiente manera: = IC / IB En resumen: Saturacin VCE VRC IC IB VBE ~0 ~ VCC Mxima Variable ~ 0,8v Corte ~ VCC ~0 = ICEO lang=EN-GB~ 0 =0 < 0,7v Activa Variable Variable Variable Variable ~ 0,7v

El transistor se puede considerar como la unin de dos diodos, por lo que debe de tener dos uniones PN NP. Un transistor tiene por tanto tres zonas de dopado, en un transistor PNP, por ejemplo, existen tres zonas de dopado, diferenciadas entre s y con diferentes cualidades. En un transistor PNP, la base es la zona N y las otras dos zonas P se denominan colector y emisor y viceversa. El emisor y la base de un transistor es como si fuera un diodo (una

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unin PN) y la base y el colector forman la otra unin PN. A efectos prcticos, un transistor no funciona como la unin de dos diodos.

Los smbolos del transistor Recta de carga de un transistor Esta es la recta que refleja todos los posibles puntos de funcionamiento que pueden darse para unos valores determinados de Rc y tensin de alimentacin. Esta recta se debe de hacer sobre las curvas caractersticas de un transistor, tomando como un punto P1 una intensidad de colector que debe de ser por debajo de la mnima y como un punto P2, una tensin de alimentacin. Si nos situamos en un punto alto de esta recta estamos cerca de la Intensidad mxima de colector, lo cual crea una situacin de saturacin. Si nos situamos en un punto demasiado bajo de esta recta, estamos ms cerca de la Vce mxima, con la cual se crea un situacin de Corte.

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PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL
Se arman los circuitos en los protoboard y se conectan los voltajes de corriente continua, a. El voltmetro se conecta en paralelo con los puntos en los cuales se quiere ver la diferencia de potencial. b. El ampermetro se conecta en serie con circuito en donde se quiere medir.
Elaborar el circuito y tomar las medidas mostrado en la figura 1
Fig.: 01 RC
+VCC

VB

VC IC

VE
R1

IE
RE

Tabla #1 datos tericos datos R1 RC RE VCC 390K 1100 0.0001 10V VBB 3V

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( )

Tabla #2 datos obtenidos de ecuaciones V Ideal

5 VE 2.3V IB 5.9uA IC 4.04mA VC 9.3202V ISATURACION 9.1mA VCE 5.434V

Tabla #3 datos experimentales V Ideal

5 VE 2.3V IB 5.85mA IC 4.11mA VC 9.35 ISATURACION 9.01mA VCE 5.47V

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VCE vs IC
10 9 8 7 6 5 5, 4.505 4 3 2 1 0 0 2 4 6 8 10 10, 0 12 0, 9.01

Qexperimental

5.47, 4.11

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CONCLUSIONES
En un circuito de polarizacin por IBQ constante, la recta de carga est determinada por RC. Para modificar el punto Q variara el valor de RB. Con RC determino la recta de carga, y con RB manejo la IB para mover el punto Q sobre la recta. Por otro lado si se observa el circuito, si aumenta el HFE tambin lo hace IC, y as crece la cada de tensin en RE, haciendo que baje IB. Esto significa que IC no aumentara en gran medida. Segn la seal de entrada. De ser muy baja, el punto Q no perjudicar la simetra de la seal teniendo un pequeo cuidado de no estar extremadamente cerca de la saturacin o el corte. Si la seal es grande, habra que tomar un margen de 1V antes de llegar a la saturacin y un margen similar para el corte. De esta manera VCEQ estara en medio de estos valores. Al aumentar IC la cada de tensin en el colector disminuye, lo mismo sucede en RB. Si disminuye la cada de tensin en RB, IB tambin lo hace. De esa manera se compensa el incremento de IC al disminuir IB para que se mantenga estable IC. Estando saturado el transistor, VCE vale casi 0V. Si esta al corte se acerca a VCC Si RE disminuye, IC crece. Si observamos la recta de carga un incremento de IC confiere que VCE disminuye. Tambin se puede ver que la cada de tensin en RE disminuye, as aumenta la cada de tensin en RC para que aumente IC. Si RE disminuye el punto Q sube la recta de carga. Como se dijo en el punto anterior ICQ aumenta.

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BIBLIOGRAFIA
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor.php http://r-luis.xbot.es/edigital/qnpn_pnp.html

http://html.rincondelvago.com/transistores_1.html http://iesvillalbahervastecnologia.files.wordpress.com/2008/04/transistores. pdf

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