PRACTICA NUMERO 8

Desarrollo En el desarrollo de esta prctica emplearemos la definicin de cada uno de los 2 Primeros parmetros para su medicin prctica. Tambin tomaremos algunas mediciones para obtener la curva de transconductancia del JFET que emplearemos. 3. implementar o simular el siguiente circuito de la figura L8.1:

El voltaje de la fuente V1 variarlo desde 1.5v hasta 10v. Medir la corriente ID Observar en el momento que la corriente ID = constante. En ese momento: IDSS=ID Vari el voltaje de la fuente variable v1 desde 1.5v hasta 10 voltios y anote en la tabla T8.1 el valor de la corriente ID y el valor de VDS. TABLA T8.1 VDD=V1 ID(ma) VDS(V) 1.5V 5.02 0.39 2V 6.60 0.55 2.5V 8.07 0.72 2.8V 8.89 0.84 3V 9.37 0.94 4V 0 1.80 5V 0 2.80 6V 0 3.80 10V 0 7.80

Graficar VDS VS ID

4. implementar o similar el circuito de lka figura L8.2. V3 fuente variable. Incremente el valor de VGG=V3 hasta que ID=0. En ese momento tome la lectura de VGS (OFF)=VGS.

VGG ID VGS

0 24.8 -0.58

1 21.9 -0.48

2 2.50 -0.50

3 0.10 -1.50

4 0.10 -2.50

5 0.10 -3.50

6 0.10 -4.50

7 0.10 -5.50

8 0.10 -6.50

9 0.10 -7.50

5. implemente el circuito de la figura L8.3. (Circuito de autopolarizacion)

Reportar: 1. Valores obtenidos de IDSS, VGS (OFF). Compara estos valores con los especificados con el fabricante. 2. 2. Valores y curva de transconductancia. 3. 3. Ganancia de voltaje del JFET (circuito 3).

PRACTICA NUMERO 9 Procedimiento Parte 1: Obtenga las curvas de salida VCE VS IC. En forma terica. Arme el circuito de la figura L9.3. Mida con el multmetro Rc yRm. Ajustar Vdd para obtener VCEQ= 10V. Calcule la corriente ICQ resultante. Trazar la recta de carga y marcar el punto de polarizacin obtenido.

Medicin de hie En el circuito, sin el capacitor y el potencimetro de salida, coloque seal de forma que no recorte a la salida, mida la Ib, sobre Rm y la tensin Vbe. La impedancia de entrada del transistor es aproximadamente: Hie= Vbe /Ib Hie = Medicin de hoe Medir en seal la tenion de salida, colocar el capacitor y el potencimetro Ajustar el potencimetro hasta que la seal a la salida se reduzca a la mitad. Medir con el multmetro el valor dl potencimetro Rpot=hoe-1// Rc ----hoe

Hoe= Medicion de hif Quitando la seal, medir incrementos de Ib e Ic en torno a Icq, La variacion de Ic no debe exeder el 20% para que V ce no varie

parte 2: polarizacin del transistor / parmetros h para la etapa de la figura: a) Calcular Re de modo de obtener el valor de Icq correspondiente (una vez realizado el calculo, normalizar su valor). b) Calcular el punto de polarazacion (Icq, Vceq) con el valor normalizado de Re. c) Calcular el valor de la ganancia de tensin Av=Vo/Vi.Y d) Realizar las mediciones de la polarizacin y la ganancia de tensin en el laboratorio y compararlas con los valores calculados analticamente Usar los siguientes datos de acuerdo al grupo que corresponda GRUPO 1 Q1:BC548B Vcc=12 v R1=100K R2=10K Rc=5.6K RL=22K Icq=1 ma GRUPO 2 Q1:BC548B Vcc=12 v R1=120K R2=27K Rc=2.7K RL=33K Icq=2 ma GRUPO 3 Q1:BC548B Vcc=12 v R1=150K R2=10K Rc=10K RL= Icq=0.5 ma GRUPO 4 Q1:BC548B Vcc=12 v R1=220K R2=27K Rc=3.9K RL=47K Icq=1.5 ma

Para cada caso obtener los parmetros del transistor (Vbe, hie, Hfe, hfe,hoe) tanto de polarizacin como seal, a partir de las hojas de datos del mismo, para el valor de corriente de colector que corresponda a cada caso El circuito a utilizar es el siguiente