Fisica Semicondutores

HILTON ANDRADE DE MELLO RONALDO SRGIO DE BIASI
INTROOUCAo A ,
FISICA , DOS I SEMICONDUTORES
I I
I
I
I I I
I
1
I
I
I " .," .,' "
~ "
I I
I I
.,'
.~---------------~~MEC
I NTRODUCO FSICA DOS SEMICONDUTORES

I
FICHA CATALOGRFICA
(Preparada pelo Centro de Catalogao-na-fonte, Cmara Brasileira do Livro, SP)
Meio, Hilton Andrade de. M485i Introduo fsica dos semicondutores Ipor 1 Hilton Andrade de Mello [a [Bonaldo Srgio de Biasi. So Paulo, Edgard Blcher; Braslia, INL, 1975. p. ilust. Bibliografia. 1. Semicondutores I. Biasi, Ronaldo Srgio de, 194311. Instituto Nacional do Livro. 111. Ttulo.
CCF/CBL/SP-75-1026
COO: 537.622 COU: 536.311
ndice para catlogo sistemtico (CDD): 1. Semicondutores: Fsica 537.622
Eng.o HILTON ANDRADE
DE MELLO
Engenheiro Eletrnico e Nuclear; Enq," pela Stanford University, California, EUA; Chefe do Laboratrio de Instrumentao e Controle do Instituto de Engenharia Nuclear
Ph. D. RONALDO
SRGIO DE BIASI
Engenheiro Eletrnico; Ph. D. pela University of Washington, Washington, EU A; Professor de Fsica do Estado Slido do Instituto Militar de Engenharia
INTRODUCO FSICA DOS SEMICONDUTORES

I
EdiTORA
EDGARD BLUCHER lTdA.
EM CONV~NIO COM O INSTITUTO NACIONAL DO LIVRO- MINISTRIO DA EDUCAO E CULTURA
1975 Editora Edgard Blcher Ltda.
Este livro foi coeditado com o Instituto Nacional do Livro/Ministrio da Educao e Cultura, dentro do Programa do Livro Didtico-Ensino Superior, patrocinado pela Secretaria de Planejamento da Presidncia da Repblica.
proibida a reproduo total ou parcial por quaisquer meios sem autorizao escrita da editora
EDITORA
EDGARD
BLCHER
LTDA.
CAIXA POSTAL 5450 - RUA PEIXOTO GoMIDE, 1400 END. TELEGRFICO: BWCHERLIVRO - FONES (011)287-2043 E 288-5285 SO PAULO SP BRASIL
O 1000
Impresso no Brasil Printed in Brazil
A nossas esposas
MARIA DE PAULA
e
MARLIA
Contedo
Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. IX Constantes fsicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. XI Parmetros de alguns semicondutores a 27 DC XII 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. Consideraes clssicas sobre a estrutura atmica................ Noes bsicas de mecnica quntica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Aplicaes da mecnica quntica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. Noes de cristalografia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. Aplicao da mecnica quntica a um cristal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. Propriedades bsicas dos materiais semicondutores . . . . . . . . . . . . . . .. Distribuies estatsticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. Aplicao da distribuio de Fermi-Dirac a um material semicondutor Transporte de cargas nos semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. Junes PN . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . .. Transistores de juno Outros fenmenos observados nos semicondutores 1 8 13 27 42 49 61 70 83 93 107 114
Apndices A. Teorema de Bloch 119 B. Experincias em semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 121 Respostas e sugestes para os exerccios propostos . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 123
Introduo
Desde a inveno do transistor, o estudo da Eletrnica tem-se concentrado cada vez mais no projeto e utilizao dos dispositivos semicondutores. Em conseqncia, passou-se a exigir do estudante de Eletrnica um conhecimento das propriedades bsicas da matria que at ento no era realmente necessrio para sua profisso. Ao mesmo tempo, o estudo dos materiais semicondutores foi includo no currculo das escolas de Fsca, como uma aplicao de grande interesse prtico dos conceitos abstratos da Fsica do Estado Slido. Neste livro, que foi escrito tendo em vista tanto os estudantes de Eletrnica como os de Fsica, procuramos relacionar as propriedades bsicas dos dispositivos semicondutores aos conceitos fundamentais da Mecnica Quntica e da Fsica do Estado Slido. O Capo 1 uma introduo histrica teoria eletrnica da matria; as noes fundamentais de Mecnica Quntica so apresentadas no Capo 2. No Capo 3 so discutidas duas aplicaes importantes da Mecnica Quntica: o estudo da estrutura eletrnica dos tomos e o estudo do Gs de Fermi. Os conceitos de cristalografia necessrios aos estudo dos slidos so expostos no Capo 4; no Capo 5, estudamos a aplicao dos princpios de Mecnica Quntica a um slido cristalino, surgindo naturalmente o conceito de faixas de energia permitidas e faixas proibidas. O Capo 6 dedicado ao estudo das propriedades bsicas dos materiais semicondutores; nesse captulo so definidos e discutidos os conceitos de ligao covalente, buraco, recombinao, impureza, energia de ionizao e massa efetiva. As distribuies estatsticas, essenciais para a compreenso dos fenmenos coletivos nos slidos, so examinadas no Capo 7; no Capo 8, a distribuio de Fermi-Dirac aplicada a um material semicondutor, como meio para calcular as concentraes de eltrons e buracos. O Capo 9 trata dos fenmenos de transporte nos semicondutores, introduzindo os conceitos de mobilidade e difuso. Os Caps. 10 e 11 mostram que os conceitos desenvolvidos nos captulos anteriores podem ser aplicados diretamente aos dois dispositivos semicondutores mais usados na prtica: os diodos semicondutores (Cap. 10) e os transistores de juno (Cap. 11). O Capo 12 trata de alguns fenmenos importantes que no foram discutidos nos captulos anteriores: Luminescncia, Efeito Tnel e Efeito Hall. O Teorema de Bloch, essencial para a compreenso dos fenmenos de conduo nos slidos, demonstrado no Apndice A; o Apndice B uma lista de referncias a experincias simples que ilustram os fenmenos estudados neste livro.
No final de cada captulo, o leitor encontrar uma srie de exerccios. As respostas ou sugestes para alguns exerccios - assinalados com um asterisco se encontram no final do livro. Queremos expressar nossos agradecimentos a todos que colaboraram conosco, em especial ao fsico Luiz Teimo Auler por seus comentrios e sugestes, ao Sr. Luis Antonio Costa Ferreira pela cuidadosa execuo das ilustraes, e Sr". Eneida A. Mendona pelo excelente trabalho de datilografia dos originais. H.A.M. R.S.B.
CONSTANTES FSICAS
Smbolo Gerais Nome Valor e unidade
c
L No k Atmicas h
fi
velocidade da luz no vcuo nmero de Loschmidt nmero de Avogadro constante de Boltzmann
2,998 x 108 m/s 2,69 x 1025 m-3 6,0225 x 1023 moi-I 1,381 x 1O-23J/K
ao
Eltricas
Eo
110
constante de Planck hl2n raio de Bohr
6,626 x 101,054 x 105,292 x 10-
34 34 11
J-s J-s m
permissividade permeabilidade
do vcuo do vcuo
8,854 x 10-12 Fim 1,257 x 1O-6H/m
Partculas
me
Mp Mn q Gases
Ro
massa massa massa valor
de repouso de repouso de repouso absoluto da
do eltron do prton do nutron carga do eltron
9,108 1,672 1,675 1,601
x x x x
10- 31 kg 10- 27 kg 1O-27kg 10-19 C
constante
dos gases perfeitos
8,31 Jjmol-K
PARMETROS DE ALGUNS SEMICONDUTORES A 27C

Ge Densidade Constante Largura (tomos/em") da rede (nm) da faixa proibida (eV) 4,42 x 10 0,556 5,32 0,67 2,40 x 1013 3900 1900 16,3 1,04 x 1019 6,00 x 1018
22
Si 5,00 0,543 2,33 1,11 1,45 1350 480 11,7 2,80 1,04
X X X X
GaAs 10
22
2,21 0,565 5,32 1,40
1022
Massa especfica (g/cm'') Concentrao intrnseca (portadores/em") Mobilidade Eltrons Buracos Constante dieltrica Densidade efetiva de estados: Faixa de conduo: Nc(cm-3) Faixa de valncia: N,,(cm-3) (cm jY s):
2
1010
9,00 8600
106
250
12,0 1019 1019 4,70 7,00
X X
1017 1018
1 Consideraes
clssicas a estrutu ra atm ica
sobre
No incio deste sculo, no havia unanimidade entre os cientistas a respeito da estrutura dos tomos. Thomson (1907)(*) props um modelo segundo o qual as partculas positivas e negativas estariam uniformemente distribudas em todo o tomo. Experincias realizadas com partculas alfa (ncleos de hlio) emitidas por uma substncia radioativa mostraram que essas partculas sofrem um desvio quando atravessam uma lmina fina de ouro ou prata. O desvio chamado de espalhamento. De acordo com o modelo de Thomson, o ngulo de espalhamento, 0, deveria ser sempre menor que 90, como na Fig. 1.1 (a). Entretanto, as experincias de Geiger e Marsden (1909) mostraram que algumas das partculas alfa sofrem um desvio maior que 90, como na Fig. 1.1 (b).
--,~--+ Au
<,
-, -,
<,
Figura 1.1 Espalhamento de partculas alfa: (a) ngulo 0 < 90; (b) ngulo 0> 90
(a)
+ Au
------[7--/
/ /
/ (b)
Para explicar esse fato, Rutherford (1911) sugeriu que as partculas que constituem o tomo no esto uniformemente distribudas, mas que toda a carga positiva est concentrada em uma regio central (ncleo), enquanto que a carga negativa est distribuda em torno da regio central. Posteriormente, verificou-se que a regio central do tomo (ncleo) constituda por dois tipos diferentes de partculas, o prton, que possui uma carga eltrica positiva, e o nutron, que no possui carga eltrica. As cargas negativas distribudas em torno do ncleo foram associadas s partculas chamadas eltrons, que possuem carga eltrica negativa. As cargas e massas dos trs tipos de partculas esto indicadas na Tab. 1.1.
(*)No final do captulo o leitor pode encontrar a referncia completa
2
Tabela Partcula Eltron Nutron
Prton
Introduo
fsica dos semicondutores
1.1 Carga eltrica
Massa me
=
9,1083 x 10-
31
kg
-1,609
10-19 coulomb O 10-19 coulomb
Mn = 1838,65 me M p = 1836,12 me
+ 1,609
o tomo em seu estado normal eletricamente neutro; como a carga do prton tem o mesmo valor numrico que a carga do eltron, o nmero de eltrons em um tomo deve ser igual ao nmero de prtons no ncleo. Esse nmero chamado de nmero atmico e representado pela letra Z. A soma do nmero de prtons e do nmero de nutrons chamada de nmero de massa e representada pela letra M. Sem nos preocuparmos com a distribuio dos eltrons em torno do ncleo, podemos representar esquematicamente um tomo como na Fig. 1.2.
E lt rons
Figura tomo
1.2 Representao
esquemtica
de um
Nosso prximo passo ser o estudo da distribuio dos eltrons em torno do ncleo. Antes, porm, convm mencionar um outro fenmeno, estudado por Planck, cuja explicao serviu de base para a formulao de duas importantes teorias: a teoria da emisso fotoeltrica de Einstein e a teoria do espectro do hidrognio de Bohr, Trata-se do estudo da distribuio da energia irradiada por um corpo negro'"? em funo do comprimento de onda da radiao (Rayleigh, 1900 - Jeans, 1905). Quando o problema do corpo negro resolvido utilizando-se a teoria eletromagntica clssica, chega-se concluso de que a intensidade da radiao do corpo negro deve variar inversamente com a quarta potncia do comprimento de onda. Na Fig. 1.3 vemos os resultados previstos usando a teoria eletromagntica clssica e os resultados experimentais. A frmula de Rayleigh-Jeans concorda com os dados experimentais para grandes comprimentos de onda, mas conduz a resultados absurdos para pequenos comprimentos de onda. Planck (1901) verificou que admitindo que o corpo
1*ICorpo negro definido como qualquer corpo cuja emissividade igual a 1, isto , qu irradia energia com o mximo possvel de eficincia. O corpo negro tambm tem um fator de absoro unitrio, isto , absorve toda a energia que incide sobre ele
Consideraes
clssicas
sobre a estrutura
atmica
lei de
Rayleigh-Jeans
~
(!}
a:
w
z
w
COMPRIMENTO
DE ONDA A
Figura 1.3 Distribuio espectral da energia irradiada pelo corpo negro. tromagntica clssica conduz Lei de Rayleigh-Jeans, segundo a qual R).
= 2n
teoria eleckTr4
negro no irradia continuamente, como a teoria eletromagntica clssica prev, mas em quanta'"" de energia, cada quantum com uma energia hv onde v a freqncia da radiao e h uma constante escolhida convenientemente, era possvel obter uma boa concordncia com os dados experimentais. Planck atribuiu a h o valor de 6,55 x 10-27 erg-s. evidente que uma proposio arbitrria como a de Planck, que contrariava a estabelecida teoria eletromagntica de Maxwell, no teve grande receptividade por parte dos cientistas da poca. Entretanto, Einstein (1905) utilizou a hiptese de Planck para explicar com grande sucesso o fenmeno da emisso fotoeltrica, que consiste na emisso de eltrons por um metal quando este exposto a uma fonte Iuminosa'"?", Passemos agora ao estudo do movimento dos eltrons em torno do ncleo. Como o eltron possui uma carga eltrica e est em movimento, deveria, de acordo com a teoria eletrodinmica clssica, irradiar energia continuamente. Em conseqncia, no existiriam tomos estveis, ao contrrio do que se observa na prtica. Essa contradio permaneceu at que Bohr (1913, 1915), contrariando as leis da eletrodinmica clssica, props que o eltron gira em torno do ncleo em rbitas estveis, nas quais no emite energia eletromagntica. Bohr props ainda que as rbitas nas quais o eltron no irradia so rbitas estacionrias, tais que o momento angular(***l do eltron igual a um nmero
'*'Quanta o plural de quantum '**'De acordo com Einstein, o fenmeno fotoeltrico representado pela equao: hv = mv2/2 + + </>, onde hv o quantum da luz, mv2/2 a energia cintica com que o eltron emitido e </> a funo trabalho do material, que corresponde energia necessria para deslocar o eltron at a superficie
do metal
,u*IDe um modo geral, chamamos de momento angular o momento da Quantidade de movimento (m . ;) em relao ao ponto considerado (definido pelo raio vetor momento angular = m . ~ x (Nessa expresso x significa produto vetorial)
r):
Introduo
inteiro de h/2n, onde h a mesma constante usada por Planck: momento angular onde
n = mvr = nh/2n
um nmero inteiro. Finalmente, Bohr introduziu outra hiptese, baseada nos estudos de Planck. Ele sups que quando o eltron passa de uma rbita de energia E2 para uma rbita de energia E1 (E2 > E1), irradia energia com uma freqncia tal que a relao de Planck satisfeita, isto , E2 - E 1 = hv. Vamos aplicar as hipteses de Bohr ao caso simples do tomo de hidrognio, que possui apenas um eltron. Suponhamos que esse eltron est descrevendo uma trajetria circular em torno do ncleo (Fig. 1.4).
Figura 1.4 Representao esquemtica do tomo de hidrognio
Para que a rbita seja estvel, a fora de atrao que o ncleo exerce sobre o eltron deve ser equilibrada pela fora centrfuga resultante do movimento de rotao; isto <*), (Eq. 1.1) onde
q a carga do eltron, m a massa do eltron,
v a velocidade tangencial do eltron, r o raio da rbita. A energia total do eltron a soma da energia potencial e da energia cintica; isto , mv2 q2 E = Ec + Ep = ----4(Eq. 1.2) 2 TCEO r Vamos agora introduzir a restrio de que o momento angular deve ser um nmero inteiro de h/2n:
mvr de atrao entre duas cargas
= nh/2n
(Eq. 1.3)
<*)0 leitor deve observar que estamos usando o sistema MKS racionalizado, no qual a fora ql e q2 dada por F = Q1Q2/47CEor2, Caso estivssemos usando o sistema no-racionalizado, teramos
Consideraes
clssicas
sobre a estrutura
atmica
De acordo
com as Eqs. 1.1, 1.2 e 1.3, temos
E
Para duas rbitas El
=-
o 1 e 2, as energias
mq4 8E2n2h2
sero dadas por mq"
(Eq. 1.4)
=-
mq"
SEonlh
2 '
E2
=-
8Eon2h
2 '
(Eq. 1.5)
onde os nmeros inteiros n1 e n2 caracterizam as duas rbitas. A diferena de energia entre as duas rbitas dada por !!.E = E2 Finalmente,
-
m El = 8 ;h42
Eo
(~-4\
n1
n2)
hv.
(Eq. 1.6)
a freqncia
v da radiao
dada por
12) . (Eq. 1.7) o 1 2, O resultado anterior, obtido por Bohr, est de pleno acordo com os resultados experimentais. Na verdade, os espectroscopistas j haviam observado o espectro do hidrognio, chegando a frmulas empricas que permitiam prever as radiaes monocromticas emitidas. Essas frmulas eram usadas para calcular, no o comprimento de onda ou a freqncia, mas o chamado nmero de onda (freqncia da radiao dividida pela velocidade da luz). Rydberg, por exemplo, mostrou que as sries observadas por Lyman, Balmer e Paschen podiam ser enquadradas na frmula geral seguinte:
8:;:3 (:2 - n
nmero
de onda
= R (~-~}
(Eq. 1.8)
onde M e N so nmeros inteiros e R a chamada constante de Rydberg (R = = 109,737 em - 1). Em termos de nmeros de onda, a expresso obtida por Bohr (Eq. 1.6) pode ser escrita: nmero ou nmero onde: de onda = R' de onda =
Q':!zqh:
=0
(~-~),
n1.
n2
(Eq. 1.9)
(4-4\ n n
j
(Eq. 1.10)
2)
R' - ---.!!!L - 8E~h3C

A constante R' que aparece na Eq. 1.10 concorda excepcionalmente com o valor experimental (R) obtido por Rydberg. Na Fig. 1.5 ilustramos algumas transies entre rbitas permissveis o tomo de hidrognio. bem para
Neste ponto pode parecer que o problema est completamente resolvido.

Entretanto quando o espectro do hidrognio examinado com mais cuidado, verifica-se que as linhas previstas pela teoria de Bohr so na realidade compostas
Introduo fsica dos semicondutores
Figura 1.5 Algumas transies correspondentes s linhas do espectro do hidrognio de vrias linhas muito prximas, que constituem a chamada estrutura fina do espectro. Esse desdobramento das linhas do espectro, que no previsto na teoria original de Bohr, pode ser explicado a partir dos princpios da Mecnica quntica.
EXERCCIOS
<*)1.1.Calcule, usando a Eq. 1.4, o raio da rbita de menor energia do tomo de hidro- . gnio, o chamado raio de Bohr. (*)1.2.Calcule as freqncias das radiaes correspondentes srie de Lyman e srie de Balmer,
REFERNCIAS
BOHR, N., "On the Constitution of Atoms and Molecules", Phi/. Mag. 10, 91 (1905). BOHR, N., "On the Quantum Theory of Radiation and the Structure of the Atom", ibid., 30 (1915). EINSTEIN, A., "Uber einen die Erzengung und Verwandlung des Lichtes be treffenden heuristischen Gesichtspunkt", Ann. Physik 17, 132 (1905). GEIGER, H. e E. MARSDEN, "On a Diffuse Reflection of the ct - Particles", Proc. Roy. Soco 82, 495 (1909). GEIGER, H. e E. MARSDEN, "The Laws of Deflection of (1. - Particles Through Large Angles", Phil. Mag. 25, 604 (1913). JEANS, J. H., "On the Partition of Energy between Matter and Aether", Phil. Mag. 10,
91 (1905). (*IAs respostas e/ou sugestes para os exerccios Iinal do livro em todo o livro, indicados com (*l,esto no
Consideraes
clssicas sobre a estrutura
atmica
PLANCK, M., "Uber das Gesetz der Energieverteilung in Normalspectrum", Ann. Physik 4, 553 (1901). RAYLEIGH, J. W., "Remarks upon the Law of Complete Radiation", Phil. Mag. 49, 539 (1900). RUTHERFORD, E., "The Scattering of IX - and f3 - Particles by Matter and the Structure of the Atom", Phil. Mag. 21, 669 (1911). THOMSON, J. J., The Corpuscular Theory of Mat ter, (New York: Charles Scribner 's Sons, 1907), 103.
BIBLIOGRAFIA Beiser, A., Conceitos de Fsica Moderna (So Paulo: Editora Polgono, 1969). Boorse, H. A. e Lloyd Motz, eds., The World of lhe Atom (New York: Basic Books, 1966). Lopes, J. L., Introduo Teoria Atmica da Matria (Rio de Janeiro; Ao Livro Tcnico, 1959).
2 Noes bsicas de mecnica

quntica
Como vimos no captulo anterior, provara-se que a teoria de Bohr continha os fundamentos necessrios soluo do problema do espectro dos tomos. Conceitualmente, a maior dificuldade dessa teoria estava associada prpria idia de quantizao, usada por Planck, Einstein e Bohr, esse ltimo quantizando inclusive o momento angular. Qual a justificativa para a hiptese de que a energia e o momento angular tinham que ser mltiplos de uma certa constante? Por que a mecnica clssica resolvia alguns problemas com preciso suficiente, enquanto em outros problemas levava a resultados absurdos? Existiria uma teoria mais geral, da qual a mecnica clssica seria apenas um caso particular? Um grande passo para resolver essas dificuldades foi dado em 1924, quando de Broglie (1925, 1926) apresentou sua teoria ondulatria da matria. De acordo com de Broglie, a matria no apenas corpuscular, mas qualquer partcula tambm possui propriedades ondulatrias, sendo caracterizada por um comprimento de onda dado por
r
= -,h
mv
(Eq. 2.1)
onde h a constante de Planck, m a massa e v a velocidade da partcula. Essa hiptese de de Broglie no pode ser demonstrada teoricamente, mas Davidson e Germer (1927) mostraram que os eltrons so difratados por uma substncia cristalina e os comprimentos de onda observados so exatamente os previstos pela teoria de de Broglie. interessante notar que a teoria proposta por de Broglie d um carter todo especial s orbitas estacionrias imaginadas por Bohr. De acordo com as Eqs. 1.3 e 2.1, o permetro da circunferncia de uma rbita de Bohr dado por
= n (Eq. 2.2) mv mv Assim a concepo de de Broglie d s rbitas previstas por Bohr o significado de que a circunferncia da rbita igual a um nmero inteiro de comprimentos de onda do eltron (onda estacionria). A Fig. 2.1 ilustra esse fato. Em 1925, Schroedinger criou a Mecnica ondulatria (Schroedinger, 1926), partindo da equao clssica que descreve as ondas estacionrias e usando a concepo de de Broglie para definir o comprimento de onda do eltron. Com isso chegou a uma equao, atualmente conhecida como equao de Schroedinger,que, convenientemente interpretada, conduz soluo geral do problema das rbitas dos eltrons. Na mesma poca em que Schroedinger publicou seus trabalhos sobre Mecnica ondulatria, Max Bom e Werner Heisenberg criaram a chamada
= Znr
2n nh/2n = n ~
Mecnica matricial'>', que primeira vista era independente da formulao

C*IA formulao matricial envolve o uso de operadores que geralmente so estudados em cursos mais avanados
Noes bsicas de mecnica quntica
Figura 2.1 Onda estacionria
jJ
Ncleo
de Schroedinger. Estudos subseqentes demonstraram a total equivalncia das duas teorias, que atualmente so englobadas sob a designao geral de Mecnica quntica. Neste captulo adotaremos a formulao de Schroedinger, j que o uso da Mecnica matricial exige uma matemtica mais sofisticada. Do ponto de vista didtico, o maior problema do estudo da Mecnica quntica o carter postulatrio da apresentao. Em outras palavras, a equao de Schroedinger tem como nica justificativa o fato de que sua aplicao conduz a resultados tericos que concordam com os dados experimentais. Outro ponto que contribui para a dificuldade da Mecnica quntica o seu carter probabilstico. Vamos estudar, por exemplo, uma funo que se relaciona probabilidade de encontrarmos um eltron em um determinado estado. Na Mecnica quntica nunca sabemos com certeza se o eltron est no estado A ou no estado B; tudo que conhecemos a probabilidade de que esteja em cada um desses estados. Schroedinger props que o movimento de um eltron submetido a um potencial Vobedece seguinte equao: 2m
h2 [82
fi? + 8y2 + a?
82
82
J....
!/I(r, t) -Ver,
....
-+
t)l/I(r, t)
= T -8-t -,
h 8 !/I (;, t)
(Eq. 2.3)
onde h = hj2rr.; x, y e z so as coordenadas do eltron; -; o raio vetor que define a posio do eltron; t o tempo; m a massa do eltron e t) o potencial a que est submetido o eltron. A funo 1/1(-;, t) que aparece na Eq. 2.3 chamada de funo de onda do eltron. Como a quantidade i = Ftaparece explicitamente no segundo membro da Eq. 2.3, a funo de onda em geral uma funo complexa. Mas isso equivale a dizer que no podemos atribuir-lhe significado fsico algum. O que possui significado fsico o mdulo da funo I/I(r, t). Postula-sev" que o quadrado do mdulo da funo de onda representa a densidade de probabilidade -
Ver,
(*)No existe qualquer argumento terico que justifique a interpretao atribuda a t/t(;, t). Por isso, aconselhamos o leitor a aceitar a Equao de Schroedinger da mesma forma como aceitou a Lei da Gravitao Universal de Newton
10
Introduo
probabilidade por unidade de volume e por unidade de tempo - de encontrarmos o eltron entre; e ; + d; e entre t e t + dto Em outras palavras, se chamarmos de p(r, t) a probabilidade de encontrarmos o eltron entre; e ; + d; e entre t e t + dt, teremos
pC;,
Se chamarmos de
t)
IljJ(;, t)
dxdydzdt: de probabilidade, teremos
(Eq. 2.4)
PCr, t)
a densidade
IljJ(;, t)
1
PC;, t) =
= ljJ(r, t) '1/1*(;, t),
(Eq. 2.5)
onde 1/1*(;, t) o complexo conjugado de I/I(r, t). A Eq, 2.3 a Equao de Schroedinger para o caso geral em que o potencial V funo das coordenadas espaciais e do tempo. Quando o potencial funo apenas das coordenadas espaciais, a equao fica bem mais simples. Suponhamos que o eltron est submetido a um potencial V(;) independente do tempo. Nesse caso, podemos usar o mtodo de separao de variveis para resolver a equao diferencial 2.3. A idia tentar':" escrever a funo de onda ljJ(;, t) como produto de duas funes, uma que s depende das coordenadas espaciais, ljJ(r), e outra que s depende do tempo, T(t). 1/1(;, t) = 1/1(;) . T(t). Substituindo . h2 [82 -2 2m x ou T(t) h2 [ 82 { 2m 8x2 a Eq. 2.6 na Eq. 2.3, obtemos (Eq. 2.6)
+ -2 + -2 y z
82
82
82 ]
ljJ(r) T(t) - Ver) ljJ(r) T(t)
= -:- -I/I(r)
I
li 8
t
. T(t),
(Eq. 2.7)
+-
8y2
+-
82]
8z2
1/1(1")-
_}
Ver) I/I(r) T(t) = -:-I/I(r) -,

I
li
_ 8T(t) 8t
(Eq. 2.8)
e, finalmente,
12
2m
-8x-z + -8y-Z+ -8z-2 1/1(1')
--"'~-I/J-(-=';)------""'--
_ Ver)
1 8T(t) (Eq. 2.9)
= - T T(t) iJt .
o primeiro membro da Eq. 2.9 apenas funo das coordenadas espaciais, enquanto o segundo membro ' apenas funo do tempo. Como no fizemos qualquer restrio Eq. 2.9, ela deve ser vlida para todos os pontos do espao, em qualquer instante. Para que isso acontea, preciso que os dois membros sejam iguais a uma mesma constante. Chamando essa constante de E, devemos ter
(Eq. 2.10)
(*JMuitas vezes o processo de separao de variveis no permite a soluo da equao. O leitor pode estudar o assunto em um livro de equaes diferenciais
Noes bsicas de mecnica
quntica
11
Obtemos, portanto,
- -
duas equaes independentes:

--2
fi2 [ a2
2m
+ -2 + -2 y z
a2
J _+
t/J(r)
V(r) l/J(r)
El/J(r),
(Eq.2.11) (Eq .. 2 12)
aTat(t) = - Efii T(t).
A equao original foi desmembrada em duas equaes, uma que s depende das coordenadas espaciais do eltron e outra que s depende do tempo: A Eq. 2.11 chamada de Equao de Schroedinger independente do tempo. A interpretao da constante E introduzida na Eq. 2.10 importante. No segundo termo da Eq. 2.11, a funo de onda l/J aparece multiplicada pela energia potencial V(r} Assim para que a equao seja dimensionamente correta E deve ser uma energia. Alm disso, como E uma constante, essa energia deve ser constante. Ora, de acordo tanto com a Mecnica clssica como com a Mecnica quntica, a energia total de um sistema constante (Princpio da Conservao da Energia). Assim, a constante que aparece na soluo da Equao de Schroedinger interpretada como sendo a energia total do eltron (energia cintica mais energia potencial). A soluo da Eq. 2.12 T(t) = e-iErlh. (Eq. 2.13) Assim, de acordo com a Eq. 2.6, temos t/JCi,t) E a densidade de probabilidade
= l/J(i) e-iErih.
(Eq.2.14) (Eq. 2.15)
dada por!"!
P(r, t) = t/J(r, t) . t/J*(r, t) = l/J*(r) t/J(r).
A funo t/J(r) possui uma propriedade importante. Suponhamos, por exemplo, que estamos estudando o movimento de um eltron em torno de um ncleo. evidente que em certo instante o eltron estar em algum ponto do espao. Assim a probabilidade de encontrarmos o eltron em algum ponto do espao deve ser unitria, de acordo com o conceito clssico de probabilidade. Nesse caso devemos impor a rjJ(i) a seguinte condio, conhecida como condio de normalizao: . t/J(r)* . l/J(r) dxdydz = 1 (Eq.2.16) todo o espao
Resumindo, podemos dizer que o movimento de um eltron submetido a um potencial V que s depende das coordenadas espaciais descrito pelas seguintes equaes: .
fi2 -
2m
[ --2 8
8 + -2 8 + -2 y z
2 ]
l/J(r)
+ [ E- V(r) ] t/J(r) = O;
1;
(Eq.2.17) (Eq. 2.18)
f
ceIam na Eq. 2.15
T(t)
= e":",
dxdydz
=
t(7)* . t/J(7)
=
(Eq. 2.19) (Eq. 2.20)
t/J(r, t)
t/J()T(t)
= t/J(r) e-iErjh.
l*)Observe que os fatores e-iEljh, que aparece em .p(;, t), e eiEl;'r, que aparece em .p*(;, tl. se can-
12
EXERCCIOS
Introduo f sica dos semicondutores
2.1. Calcule o comprimento de onda de um eltron que foi submetido a uma diferena de potencial V.
2.2. Por que o modelo de Bohr no explica completamente os resultados experimentais? t/t? Que significado dado a 1 t/t12? 2.4. Se o eltron de um tomo de hidrognio substitudo por um mson pi negativo, temos o chamado tomo pinico. Supondo que a teoria de Bohr se aplica ao tomo pinico, calcule a freqncia da radiao emitida pelo mson pi ao passar do primeiro estado excitado para o estado fundamental. (A massa do mson pi igual a 273 me' onde me a massa do eltron). <*)2.5. Considere uma partcula de massa m submetida a uma fora F que depende apenas do deslocamento da partcula em relao a uma certa posio de equilbrio. Um sistema desse tipo chamado de oscilador harmnico. Definindo a fora aplicada partcula atravs da equao F = -kx, onde x o deslocamento da partcula em relao posio de equilbrio e k uma constante de proporcionalidade, possvel demonstrar que as funes de onda do sistema so dadas por
2.3. Por que no podemos atribuir sentido fisico algum a t/ln(x)
Ane-x2/2Hn(fax),
n = 1,2, ... ,
onde
!X 2
= ::
e Hn o chamado polinmio de Hermite de ordem n.
Determine a constante An' REFERNCIAS DAVISSON, C. J. e L. H. GERMER, "Diffraction of Electrons by a Crystal of Nickel",
Phys. Rev. 30, 705 (1927).
de BROGLIE, L., "Recherche Sur Ia Theorie des Quanta", Ann. Phys. 3, 22 (1925). de BROGLIE, L., "A Tentative Theory of Light Quanta", Phil. Mag. 47, 446 (1926). SCHROEDINGER, E., Ann. Physik, 79, 361, 489 (1926); 80, 437 (1926) e 81, 109 (1926).
BIBLIOGRAFIA Dicke, R. H. e J. P. Wittke, Introduction to Quantum Mechanics (New York: Addison-Wesley, 1960). Gamow, G., Mr. Tompkins in Paperback (New York: Cambridge University Press, 1965). Schiff, L. 1., Quantum Mechanics (New York: McGraw-Hill, 1965). White, R. L., Basic Quantum Mechanics (New York: McGraw-HiIl, 1966).
3 Aplicaes da mecnica quntica
Agora que dispomos das ferramentas bsicas da Mecnica quntica, podemos aplic-Ia a dois exemplos importantes. Em primeiro lugar, estudaremos a estrutura eletrnica dos tomos, mostrando quais so os estados possveis para os eltrons de um tomo. No segundo exemplo, vamos examinar as propriedades do chamado Gs de Fermi, de importantes aplicaes para o estudo dos' materiais semicondutores.
3.1. ESTRUTURA ELETRNICA DOS TOMOS
Consideremos o caso do tomo de hidrognio, representado esquematicamente na Fig. 3.1.
-q
Figura 3.1 Representao tomo de hidrognio esquemtica do
<.
Eletron
Nosso problema resolver a Eq. 2.3 para o sistema da Fig. 3.1. Sabemos que, para o sistema representado, o potencial apenas funo de r e dado por
V{r)
= --
q2
47rEo
-'
(Eq. 3.1)
O problema se resume portanto soluo de uma equao diferencial. Infelizmente a soluo completa bastante trabalhosa, de modo que nos limitamos a reproduzir aqui os resultados, deixando os pormenores para uni livro que trate especificamente de Mecnica quntica (Sherwin, 1959). Durante a soluo do problema, aparecem trs parmetros; para que haja soluo, esses parmetros, chamados de n, 1 e m, devem guardar uma certa relao entre si: . . n = 1,2,3, . l = O, 1,2, ,n-l m = 0, 1, 2, ... , l. O nmero n o mesmo parmetro usado empiricamente por Bohr para quantizar o momento angular. Os parmetros I, e m s podem ser calculados pela Mecnica quntica. Aparentemente poderamos caracterizar o estado de um eltron pelos trs nmeros n, I e m. Entretanto um outro fenmeno, que somente a teoria da rela-
14
Introduo
tividade conseguiu explicar de modo satisfatrio, exige um quarto nmero para completa caracterizao do estado do eltron. Trata-se do spin do eltron, que pode ser imaginado como o movimento de rotao do eltron em torno de si mesmo; em outras palavras, um novo tipo de momento angular entra em jogo?". A Mecnica quntica relativstica demonstra que o parmetro associado ao spin do eltron (ms) s pode assumir os valores + 1/2 e -1/2. Em resumo podemos dizer que quatro parmetros, os chamados nmeros qunticos, so necessrios para descrever completamente o estado de um eltron: n, I, m e ms . possvel mostrar tambm que a energia total E do eltron"?" funo apenas do nmero quntico n (tambm chamado de nmero quntico principal) e do nmero quntico 1<***):
E
= funo (n, I).
(Eq. 3.2)
Isso equivale dizer que quando dois eltrons tm o mesmo nmero quntico principal e o mesmo nmero quntico I, eles tm a mesma energia. Os eltrons podem entretanto estar em estados diferentes, bastando para isso que um dos outros nmeros qunticos seja diferente. Na Tab. 3.1 vemos todos os estados possveis de um eltron cujo nmero quntico principal 2.
Tabela 3.1 Estados possveis do eltron de um tomo para n = 2
n
m O O O O
ms
2 2 2
2
+1/2
-1/2
Estados com a mesma energia E (n = 2, I = O)
1
1
-1
-1 O O
+1/2
-1/2
2 2 2 2
1
1
1
1
+1 +1
+ 1/2 -1/2 + 1/2 -1/2
Estados
com a mesma energia
(n = 2, 1= 1)
De acordo com a Tab. 3.1, existem 8 diferentes estados com n = 2. De modo geral, possvel demonstrar que o nmero de estados diferentes com o mesmo nmero qunticoprincipal n igual a 2n2 Um grupo de estados que possui o mesmo nmero quntico principal chamado de camada. Assim, os estados disponveis do eltron do tomo de hidrognio podem ser dispostos em camadas. Quanto menor o nmero quntico associado a uma camada, menor a energia dos estados correspondentes. O estado em que a energia mnima (no caso do hidrognio, n = 1) chamado de estado fundamental. Nos tomos dos elementos mais complexos do que o hidrognio, que possuem mais de um eltron, os estados disponveis tambm podem ser dispostos em camadas, cada uma associada a um valor do nmero quntico principal n.
<*'Anteriormente tnhamos apenas considerado o momento angular do eltron no seu movimento em torno do ncleo 1**'Na ausncia de um campo magntico externo
(***'Exceto no caso do hidrognio, em que a energia s depende de n
Aplicaes
da mecnica quntica
15
Cada um desses estados s pode ser ocupado por um eltron, devido ao importante princpio de excluso de Pauli. Esse princpio estabelece que num mesmo sistema fisico dois eltrons no podem ocupar o mesmo estado. Em outras palavras, os quatro nmeros qunticos no podem ser iguais para dois eltrons. Assim, por exemplo, se dois eltrons no mesmo tomo possuem os mesmos valores de n, I e m, o valor de ms para esses eltrons no pode ser o mesmo; um tem que ter ms = 1/2 e o outro ms = -1/2(*). Em qualquer tomo a ordem de ocupao dos estados tal que a energia total do tomo, isto , a soma das energias dos estados ocupados, a menor possvel. De modo geral, isto significa que as diferentes camadas so ocupadas sucessivamente, medida que aumenta o nmero de eltrons. Em certos elementos, entretanto, como a prata, o ndio, o estanho, etc., a interao entre os eltrons favorece energeticamente a ocupao de uma camada antes que a camada anterior esteja completa. Os diferentes estados dos eltrons de um tomo so designados de vrios modos. A maneira mais conveniente, naturalmente, seria especificar os quatro nmeros qunticos. Existem, entretanto, dois sistemas de nomenclatura que datam dos primeiros dias da espectroscopia. O primeiro usado quando estamos interessados apenas no nmero quntico principal. Nesse caso as camadas so designadas por letras sucessivas do alfabeto, comeando pela letra K. Assim, a camada K corresponde a n = 1, a camada L a n = 2, etc. O segundo usado para especificar os nmeros qunticos n e l. Nesse sistema de nomenclatura, cada grupo de estados indicado por um nmero e uma letra. O nmero o nmero quntico principal. A letra indica o valor de l. Por motivos histricos, os estados correspondentes a I = O so indicados pela letra s (do ingls sharp); os estados em que I = 1 so indicados pela letra p (principal); os estados em que I = 2 so indicados pela letra d (diffuse). Os estados em que I = 3 so indicados pela letra f (fundamental). De I = 4 em diante, os estados so indicados em ordem alfabtica, comeando pela letra g. Assim o grupo de estados 2p inclui todos os estados em que n = 2 e I = 1; o grupo 5d compreende os estados em que n = 5 e I = 2, etc., Na Tab. 3.2 vemos os estados normalmente ocupados dos diferentes elementos. 3.1.1. Espectros dos elementos A distribuio da Tab. 3.2 se aplica aos tomos no estado normal, no-excitado, em que a energia mnima (estado fundamental). Quando um eltron em um certo estado recebe energia suficiente, pode passar para um estado de maior energia que se encontre desocupado. A energia necessria para causar essa transio pode ser fornecida por uma onda eletromagntica ou por um
(OIAspartculas que tm spin 1/2, 3/2, ... so chamadas partculas an-simetricas (o eltron, o prton e o nutron esto nessa categoria). As partculas que tm spin O, 1, 2, ... so chamadas partculas simtricas (os ftons esto includos nesse grupo). O Princpio de Excluso de Pauli no
se aplica apenas aos eltrons, mas a todas as partculas anti-smtricas, Assim, o princpio de excluso
de Pauli pode ser enunciado do seguinte modo: "Duas partculas idnticas anti-simtricas no podem
ocupar o mesmo estado".
interessante ainda observar que as partculas anti-simtricas obedecem
chamada estatstica de Fermi-Dirac, (Capo 7), sendo portanto chamadas de frmions. As partculas simtricas obedecem estatstica de Bose-Einstein, sendo portanto chamadas de bsons. O eltron , conseqentemente, um frmion. Essa nomenclatura muito usada nos livros de Mecnica Quntica
16
Tabela 3.2 Estrutura 1 K eletrnica
Introduo fsica dos semicondutores dos elementos 2 L 3 M 1 2p 4 N
Nmero quntico principal n Nomenclatura das camadas Nmero quntico J Notao espectroscpica Z Elemento 1 2 3 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 31 32 33 34 35 36 Hidrognio Hlio Ltio Berlio Carbono Nitrognio Oxignio Flor Nenio Sdio Magnsio Alumnio Silcio Fsforo Enxofre Cloro Argnio Potssio Clcio Escndio Titnio Vandio Crmio Mangans Ferro Cobalto Nquel Zinco Glio Germnio Arsnio Selnio Bromo Criptnio (H) (He) (Li) (Be)
O
Is
O
2s
O
3s
1 3p
2
3d
O
4s
1 4p
2 2
2 1 2
5 Boro
(B)
(C) (N) (O) (F) (Ne) (Na) (Mg) (AI) (Si) (P) (S) (C I) (A) (K) (Ca) (Sc) (Ti) (V) (Cr) (Mn) (Fe) (Co) (Ni)
2
2
2
2
1
2 3 4 5 6 1
2
2 2 2
2
2 2 2
2
Configurao do nenio 2 2 2 2 2 2 1
2
3 4 5 6 1
2
1 2
3
Configurao do argnio
5 5 6 7
2 2 2 1 2 2
29 Cobre
(Cu)
(Zn) (Ga) (Ge) (As) (Se) (Br) (Kr)
10
10 10 10 10 10 10 10
2 2 1
2 2 I 2 3 4 5 6
2
2 2 2 2
Aplicaes da mecnica quntica
17
Tabela 3.2 (continuao) 4 N 2 4d Configurao das camadas internas 3 4f O 5
O
Nmero quntico principal Nomenclatura das camadas Nmero Notao quntico I. espectroscpica
11
6 P 2 O
5s
5p
5d
6s
Z 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71
Elemento Rubdio Estrncio trio Zircnio Nibio Molibdnio Tecncio Rutnio Rdio Paldio Prata Cdmio ndio Estanho Antimnio Telrio Iodo Xennio Csio Brio Lantnio Crio Praseodmio Neodmio Promcio Samrio Eurpio Gadolnio Trbio (Rb) (Sr)
(Y)
(Zr) (Nb) (Mo) (Tc) (Ru) (R h) (Pd)
(Ag)
1 Configurao do criptnio
1 2 2
2
4 5 6 7 8 10
2
1 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 2
(Cd) (In) (Sn) (Sb) (Te) (I) (Xe) (Cs) (Ba) (La) (Ce) (Pr) (Nd) (Pm) (Sm) (Eu) (Gd) (Tb) (Dy) (Ho) (Er) (Tm) (Yb) (Lu)
Configurao do paldio
1 2 3 4 5
6
1 2
2
2 3 4 5 6 7 7 8 2 2 2 As camadas 5s a 5p contm 8 eltrons
As camadas Is a 4d contm 46 eltrons
2
2 2 2 2
1 1
Disprsio
Hlmio rbio Tlio Itrbio Lutcio
9
10
11
1
1 1
2
2 2 2 2
2
12 13
14
1
1
1
18
Tabela 3.2 (continuao) Nmero quntico principal n Nomenclatura das camadas Nmero quntico I Notao espectroscpica
Z 5
6
p
O 2
5d
7 Q 2 6(1 O 7s
3
51
O 6s
1 6p
Elemento Hfnio Tntalo Tungstnio Rnio smio Irdio Platina Ouro Mercrio Tlio Chumbo Bismuto Polnio Astatnio Radnio Frncio Rdio Actnio Trio Protactnio Urnio Netnio Plutnio Amercio Crio Berqulio Califrnio Einstenio Frmio Mendelvio Noblio Laurncio (Hf) (Ta)
(W)
Configurao das camadas internas 2

3
72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103
(Re) (Os) (Ir) (Pt) (Au) (Hg) (TI) (Pb) (Bi) (Po) (At) (Rn) (Fr) (Ra) (Ac) (Th) (Pa)
As camadas 15a 5p contm 68 eltrons
4
5
6 9 9
2 2 2 2 2 O 1 1
2
2
2
2 2 As camadas 1s a 5d contm 78 eltrons

2
2
2 2
1 2 3 4 5 6
6
2 1(-) 2(1) 3 5(4) 6(5) 7

7
2
2
6 6 6 6
6
1 2 1 1(2) 1(2) 1 -(1) -(1)

2
2 2
2
(U)
(Np) (Pu) (Am) (Cm) (Bk) (Cf) (Es) (Fm) (Md) (No) (Lw)
2
2 2
6
6 6 6 6 6
2
2
9 10 11 12 13 14 14
2 2 2 2 2
2
2 2 2
2
6 6
6
2 2
6
6 1
2 2 2 2 2
choque com outra partcula. Depois de um certo tempo, o tomo volta espontaneamente ao estado fundamental, emitindo o excesso de energia sob a forma de radiao eletromagntica. Assim os tomos de um elemento, quando excitados, emitem ondas eletromagnticas com comprimentos de onda bem caractersticos, que variam de elemento para elemento. O conjunto de radiaes emitidas pelos tomos de um elemento chamado de espectro do elemento.
Aplicaes
da mecnica
quntica
19 de um tomo
3.1.2. Representao
esquemtica
Vamos concluir nosso estudo da estrutura eletrnica dos tomos apresentando duas representaes grficas muito usadas na prtica. A primeira dessas representaes est ilustrada na Fig. 3.2 para o caso do silcio, cuja estrutura eletrnica, de acordo com a Tab. 3.2, K2L8M\ onde os nmeros representam o nmero de eltrons em cada camada. Nessa representao grfica, as camadas so representadas por crculos e os eltrons em cada camada por pontos. O crculo central representa o ncleo. O nmero indicado no interior do ncleo representa a carga eltrica total do ncleo, que em um tomo no estado normalv" igual soma das cargas de todos os eltrons.
Figura 3.2 Representao de silcio
esquemtica
de um tomo
O tomo de germamo, sentado como na Fig. 3.3.
cuja estrutura
eletrnica
K2LsM18N4,
repre-
Figura 3.3 Representao esquemtica de um tomo de germnio
Como os fenmenos que vamos estudar neste livro envolvem apenas os eltrons da camada externa (os chamados eltrons de valncia], podemos usar uma representao mais simples, em que apenas os eltrons de valncia so indicados. Nesse caso, associamos parte central do tomo uma carga igual diferena entre a carga positiva do ncleo e a carga negativa dos eltrons restantes. Como tanto o silcio como o germnio possuem quatro eltrons de valncia (na camada M e na camada N, respectivamente), essa representao simplificada a mesma para os dois elementos (Fig. 3.4). 3.2. GS DE FERMI Duas razes importantes justcam o estudo do Gs de Fermi neste livro. Em primeiro lugar, o Gs de Fermi um exemplo simples e ilustrativo da apli!*lNo-ionizado
20
Introduo
E lt ron de Valncia Figura 3.4 Representao esquemtica simplificada dos tomos de silcio e germnio
cao da Mecnica quntica a um problema prtico. Em segundo lugar, usaremos uma das equaes deduzidas nesta seo para o estudo do comportamento dos eltrons em um material semicondutor. . O Gs de Fermi definido como um conjunto de partculas totalmente livres, mas sujeitas ao Princpio de Excluso de Pauli. Em muitos metais, os eltrons de conduo se comportam como se constitussem um Gs de Fermi. Consideremos por exemplo o caso do cobre, cuja estrutura eletrnica lS22s22p63s23p63dl04s1 (os sobrescritos indicam o nmero de eltrons em cada estado). O eltron 4s est fracamente ligado rede cristalina, podendo se movimentar com liberdade quase completa no interior do material. Quando usamos o modelo do Gs de Fermi para estudar as propriedades eltricas do cobre, estamos supondo que os eltrons 4s esto inteiramente livres, isto , que sua energia potencial nula. claro que na prtica os eltrons "livres" do cobre interagem com a rede cristalina e com outros eltrons "livres", mas essa interao to fraca que pode ser desprezada em primeira aproximao. . 3.2.1. Gs de Fermi em uma dimenso Vamos estudar inicialmente o comportamento do Gs de Fermi em uma dimenso. Suponhamos um eltron de massa m confinado a uma linha de comprimento L por barreiras infinitas de potencial nas extremidades da linha (Fig. 3.5).
I
1,(
I
I I I
I
BARREIRAS ~
INFINITAS DE POTENCIAL
I
Figura 3.5 Gs de Fermi em uma dimenso
I v=o
I I
X=L
x-o
Nosso problema resolver a Equao de Schroedinger (Eq. 2.17) para o caso em que V = O no interior da Iinhav", Nesse caso, temos 2 ~ d ljJ(x) + Et/J(x) = O. (Eq. 3.3) 2m dx2 . Como a funo de onda ljJ(x) uma funo contnua e como t/J(x) deve ser zero para x ::5 O e para x 2: L. j que o eltron no pode atravessar uma barreira infinita de potencial, a soluo da Eq. 3.3 deve satisfazer s condies
(*JA condio V = O significa que o eltron est livre
Aplicaes
da mecnica
quntica
21
de contorno: 1/1(0)
= I/I(L) = O.
(Eq. 3.4)
Como estamos interessados em obter todos os estados disponveis para os eltrons, vamos caracterizar cada estado por um ndice n colocado em I/I(x) e E, isto , vamos escrever 2 ~ d 1/1n(x) + E .1. (x) = O (Eq. 3.5) 2m dX2 n'Pn ' I/In(O)
= I/In(L) =
nnx
o.
diferencial, obtendo n = 1,2,3, ... ;
(Eq. 3.6)
leitor pode facilmente

I/Jn
resolver = A sen
essa equao
L ;
(Eq. 3.7) (Eq. 3.8)
_ f2 (nn)2. E --n 2m L Vamos proceder inversamente e simplesmente mostrar que
uma soluo De fato,
da equao. dl/ln nnA rmx -=--cos-, dx L L d 21/1 n2n2 nnx __ n = ---Asen-. dx2 L2 L
Portanto
s:
2m
t/1n(x)
= ~[_
nn
2 2
A seu nnx] =
dx2
2m
=-
L2
f2 ( [ 2m
tt "T.
)2J
nn:x AsenL=-Enl/ln(x).
Assim para um eltron confinado a uma linha de comprimento L, os estados disponveis so caracterizados por uma funo de onda da forma I/In e por uma energia da forma
=
Asen
L,
nnx
(Eq.3.9)
e, =
Para calcular a constante
;:(n:y.
a condio
(Eq. 3.10) de normalizao: (Eq. 3.11)
A, usamos
22 No nosso caso, temos
(Eq. 3.12)
=-=-)
L
2
(Eq. 3.13)
(Eq. 3.14) Em conseqncia, as expresses finais para as funes de onda e para as energias permitidas so as seguintes:
t/ln =
sen
nlx
n = 1,2,3, ... ; n
(Eq. 3.15) (Eq. 3.16)
E"
= 2m h2.(nrr)2 L
= 1,2,3,...
De acordo com a Eq. 3.16, a energia de um eltron confinado linha no pode variar continuamente; os nicos valores permitidos para a energia do eltron so da forma (Eq. 3.17) onde:
h Ll=2m L
2 (rr)2
Suponhamos agora que estamos interessados em acomodar N eltrons na linha. De acordo com o Princpio de Excluso de Pauli, o mesmo estado no pode ser ocupado por mais de um eltron. Para cada valor de n na Eq. 3.15, existem dois valores possveis para o spin do eltron, + 1/2 e -1/2, e portanto dois estados disponveis. temperatura do zero absoluto (OK)" o sistema se encontra no estado fundamental (estado de mnima energia) e portanto os estados disponveis so preenchidos em ordem crescente de energia. Assim, por exemplo, se existem 13 eltrons na linha, a distribuio desses eltrons entre os diferentes estados a O K ser a seguinte:
n n
=
n=2
= 3
n=4
n = 5
n=6 n=7
n>7
2 eltrons, 2 eltrons, 2 eltrons, 2 eltrons, 2 eltrons, 2 eltrons, 1 eltron, O eltrons,
(nvel incompleto), (nveis vazios).
A energia mais elevada para a qual ainda existem estados ocupados a O K

(E7' no exemplo anterior) chamada de energia de F ermi.
Aplicaes da mecnica quntica
23
Repare que como a energia uma funo quadrtica do nmero quntico n (Eq. 3.17), o nmero de estados disponveis dentro de uma dada faixa de energias fill diminui medida que n aumenta (e portanto medida que E aumenta). Para analisarmos quantitativamente a variao do nmero de estados com a energia, definimos a chamada densidade de estados D(E) como o nmero de estados disponveis por unidade de energia. , Vamos agora calcular a densidade de estados do Gs de Fermi em uma dimenso. Nosso ponto de partida pode ser a Eq. 3.16. Considerando a energia En como uma Juno contnua de n(*), podemos diferenciar a Eq, 3.16, obtendo (Eq. 3.18)
dn -=m
dEn
(L)2 1th
-'-
1 _.
n
(Eq. 3.19)
Como existem dois estados disponveis para cada valor de n, a densidade de estados dada por
D(E) = 2~ = . rlEn
2m(Lnh)J2 .L n
!2;;;
21th 2E
4L
(m.)1/2 ,
(Eq, 3.20)
ou, finalmente,
D(E) = -
L E1th V""'" .
1/2.
(Eq. 3.21)
A Fig. 3.6 um grfico da variao da densidade de estados D(E) com a energia para o Gs de Fermi em uma dimenso. temperatura de O K, todos os estados com energias entre O e EF (energia de Fermi) esto ocupados e todos os estados com energias maiores que EF esto vazios.
O(E}
Figura 3.6 Variao da densidade de estados

com a energia para o Gs de Fenni em uma
dimenso
EF
(*)Embora no seja estritamente vlida, j que, como vimos, o nmero n s pode assumir valores inteiros, essa aproximao usada em muitos problemas de Mecnica quntica e em geral conduz a resultados corretos
24 3.2.2. Gs de Fermi em trs dimenses
Embora matematicamente mais complexo, o problema do Gs de Fermi em trs dimenses no passa de uma extenso do problema unidimensional. Suponhamos, por exemplo, que os eltrons esto confinados a um cubo de aresta a (Fig. 3.7).
---..,.,
,/ ,/
---(
,
I
,,
I y
Figura 3.7 Gs de Fermi em trs dimenses
Nosso problema resolver a equao de Schroedinger em trs dimenses

h 2m 8x2
2
[8
+ 8y2 + 8z2 ]
8 8
2
ljJ(x, y, z)
+ EIjJ(x, y, z)
0,
(Eq. 3.22)
sujeita s seguintes condies de contorno:

1jJ(0,y, z) = ljJ(a, y, z) = O; ljJ(x, 0, z) = ljJ(x, a, z) = O; ljJ(x, y, O) = ljJ(x, y, a) = O.
(Eq. 3.23)
As Eqs. 3.23 so uma conseqncia do fato de que a funo de onda deve se anular nas faces do cubo. Por analogia com a soluo unidimensional, Eqs. 3.7 e 3.8, a soluo da Eq. 3.22 dada por
nttx n ny n.sts: ljJ(x, y, z) = A sen -sen _Y- sen --- ;
(Eq. 3.24) (Eq. 3.25)
En -
h2 n 2 [ 2 -2 ma 2 nx
2 2J + ny + n; ,
onde
Fica a cargo do leitor verificar que as funes de onda (Eq. 3.24) satisfazem equao de Schroedinger (Eq. 3.22). Para calcularmos a constante A usamos a condio de normalizao seguinte:
fff
IIjJ(x, y, z)j2 dxdydz
= 1.
(Eq. 3.26)
Aplicaes
da mecnica
quntica
25
Substituindo a Eq. 3.24 na Eq. 3.26, temos

A2
a i
O
n nx sen2-X--dx a
ia
o
n ny sen2-Y-dy a
ia
o
nznz sen2--dz a
= l.
(Eq. 3.27)
Como cada uma das integrais igual a a/2, temos (Eq. 3.28) e conseqentemente a Assim o estado de um eltron confinado a uma regio tridimensional caracterizado por quatro nmeros qunticos: trs nmeros qunticos espaciais, nx, n nz, que podem assumir os valores 1,2,3, ... e um nmero quntico de spin, ms' que pode assumir os valores + 1/2 e -1/2. Vamos agora calcular a densidade de estados do Gs de Fermi em trs dimenses. Nosso ponto de partida ser a equao que nos d as energias permitidas para o eltron:
y,
I/Iix,y,z)
nx ttx n [ffzzsen--sen-Y-sen-- a a a
It
Itz
tez
(Eq. 3.29)
(Eq. 3.30)
Se representarmos os valores de I1x, l1y e nz em um sistema de eixos cartesianos, o lugar geomtrico dos pontos de mesma energia E ser dado por
2
11
+ 112 + 112 = 2ma --E 2 2

y
z
hn
= [~a
hn
E1/2
J2
(Eq. 3.31)
o que corresponde superficie de uma esfera de raio

R=--E hn
~2ma
1/2
'
(Eg. 3.32)
conforme vemos na Fig. 3.8.
nz
E = ete. Figura 3.8 Superficie de energia constante de um Gs de Fermi em trs dimenses ny
26
Introduo
Como os nmeros qunticos nx' ny e nz so positivos por definio, todos os estados de energia menor que E esto compreendidos em um volume igual a 1/8 do volume de uma esfera de centro na origem e raio R. Nesse caso, o nmero de estados com energia menor que E dado por n
<E
1 43 = 2-'-nR
8
=-
3n2
/ a3 [2mJ3 _
h2
E3/2
'
(Eq. 3.33)
onde o fator 2 se deve existncia de duas orientaes possveis para o spin do eltron. Procedendo como para o caso unidimensional, diferenciamos a Eq. 3.33, obtendo
D(E)
= ~; =
2: [~~T/2
2
El/2.
(Eq. 3.34)
A Eq. 3.34 nos d a densidade de estados de um Gs de Fermi em trs dimenses. Podemos definir tambm a densidade de estados por unidade de volume como sendo a relao entre a densidade de estados e o volume no qual os eltrons esto confinados. Como supusemos que os eltrons estavam confinados a um cubo de lado a (volume a3), a densidade de estados por unidade de volume do Gs de Fermi em trs dimenses dada por
D (E)
v
= ~ D(E) =
V
_1_
/2 [2mJ3 2n h
2 2
E1/2.
(E
q..
335)
Como veremos no Capo 8, a Eq. 3.35, embora deduzida para o Gs de Fermi, pode ser reinterpretada de modo a representar a densidade de estados por unidade de volume dos eltrons de conduo de um semicondutor.
EXERCCIOS 3.1. Faa uma lista dos estados possveis de um eltron de um tomo cujo nmero quntico principal 3. 3.2. Mostre que a energia de Fermi do Gs de Fermi em uma dimenso dada por
E
F
=~
2m
(Nn)2, 2L
onde N o nmero total de eltrons. 3.3. Neste captulo, para obtermos as densidades de estados nos casos unidimensional e tridimensional, consideramos a energia como uma funo de n. Analise cuidasamente a validade dessa aproximao. 3.4. Estude o comportamento de um Gs de Fermi confinado a uma semi-esfera de centro na origem dos eixos cartesianos, raio R e face plana apoiada no plano xy (z ~ O). REFERNCIAS SHERWIN, C. W., Introduction ta Quantum Mechanics (New York: Holt, Rinehart and Winston, 1966), Capo 4. BIBLIOGRAFIA Kittel, C; Introduction to Solid State Physics (New York: John Wiley, 1967), Capo 7.
4 Noes de cristalografia
4.1. SUBSTNCIAS CRISTALINAS
Chamamos de substncia cristalina qualquer substncia cujos tomos esto dispostos regularmente no espao (Fig. 4.1).
/
Figura 4.1 Estrutura de uma substncia cristalina
/ /
/
V V
/ / /
/ /
/ / /
Um modo interessante de caracterizar um cristal como o da Fig. 4.1 definir uma estrutura puramente geomtrica, a cujos pontos so associados um ou mais tomos para reproduzir o cristal. Esse mtodo de representar as substncias cristalinas est ilustrado na Fig. 4.2.
/ / /
l/ /
/ /
A'"'<, '
/ / 1/
V
-:
tomo /' -o
(b)
/ / /
./
/
V
V
V
V
V / /
/ V V
(a)
1/
V
(c)
Figura 4.2 A estrutura cristalina que aparece em (c) formada associando-seum tomo (b) a cada ponto de uma estrutura puramente geomtrica (a) A estrutura puramente geomtrica chamada de rede cristalina da substncia consideradav", O conjunto de tomos que associado a cada ponto da rede cristalina (no caso da Fig. 4.2, apenas um tomo) chamado de base. Qualquer cristal pode ser definido atravs de uma rede cristalina associada a uma base apropriada. A Fig. 4.3 mostra a rede cristalina e a base correspondente para o caso do cloreto de sdio (NaCI). Repare que neste exemplo a base constituda por dois tomos diferentes, Na e Cl. (*)CrystaC Cartice, em ingls
28
Introduo
/I
/
i/ V
1/
1/
/ / /
/
/
/
1/
/
7
/
Na
CI
( b)
'/
V
(a)
(c)
Figura 4.3 Cristal de cloreto de sdio. (a) rede cristalina; (b) base; (c) cristal completo
importante observar que o mesmo cristal pode ser representado por mais de uma redecristalina. Nesse caso, naturalmente, as bases associadas a cada rede sero diferentes. 4.2. CLULA UNITRIA E SISTEMAS CRISTALINOS Um fato importante a respeito das redes cristalinas que qualquer rede cristalina tridimensional pode ser gerada pela translao de um paraleleppedo ao longo de trs eixos mutuamente perpendiculares. Assim, por exemplo, a rede cristalina da Fig. 4.2 pode ser gerada pela translao de um cubo (Fig. 4.4).
,I
Figura 4.4 Gerao de uma rede cristalina pela translao de um cubo
O paraleleppedo que gera a rede cristalina chamado de clula unitria da rede. A mesma rede cristalina pode ser gerada por paraleleppedos de diferentes tamanhos. O menor paraleleppedo capaz de gerar a rede cristalina chamado de clula primitiva da rede. De acordo com as relaes entre os lados e os ngulos da clula unitria, as redes cristalinas podem ser divididas em sete sistemas cristalinos. Cada um desses sistemas por sua vez compreende um ou mais tipos de rede cristalina, de acordo com as simetrias apresentadas pela rede. Existem ao todo 14 tipos possveis de rede cristalina tridimensional. As Figs. 4.5 a 4.11 mostram as clulas unitrias (que no so necessariamente
clulas primitivas) dos 14 tipos de redes cristalinas.
Convm lembrar que, como a rede cristalina, a clula unitria uma estrutura puramente geomtrica, a cujos pontos deve ser associada uma base adequada para gerar o cristal. evidente que podemos definir qualquer cristal por
Noesde cristalografia
29
l1;DrIlJrIIJ
(a)
(bl
(e)
a
O(
= b =
= f3
= '1 = 90'
Figura 4.5 Sistema cbico; (a) cbico simples; (b) cbico de corpo centrado; (c) cbico de faces centradas
Figura 4.6 Sistema tetragonal; (a) tetragonal simples; (b) tetragonal de corpo centrado (al a = b
;i
(b)
oi.=j3=I=90
D[]DO
(a)
(bl a
0\
(e)
;i
(d)
;i
f3 = ~ = 90'
Figura 4.7 Sistema ortorrmbico; (a) ortorrmbico simples; (b) ortorrmbico de bases
centradas; (c) ortorrmbico de corpo centrado; (d) ortorrmbico de faces centradas
(a)
(b)
a t- b t- e
01
=~
= 90;fo
a ;.b ; c rXt:f3t:1
Figura 4.9 Sistema triclnico
Figura 4.8 Sistema monoclnico; (a) monoclinico
simples; (b) monoclnico de bases centradas
uma clula unitria com os tomos devidamente posicionados, j que uma

estrutura desse tipo capaz de gerar todo o cristal por translao. Por que,
ento, nos darmos ao trabalho de definir separadamente uma rede cristalina e uma base? A razo que em um tratamento matemtico mais profundo dos cristais, a definio do cristal pela rede e pela base torna as equaes mais simples.
30
Introduo
a
o(
= b ;t e
= f3 = 90
t" 120
oI.={J=6
< 120,;, 90
4.10 Sistema trigonal Figura 4.11 Sistema hexagonal Por outro lado, como estamos interessados apenas nas aplicaes da cristalografia ao estudo das propriedades dos materiais semicondutores, vamos nos ater representao das clulas unitrias j com os tomos posicionados, o que permite uma visualizao mais simples da estrutura cristalina. A Fig. 4.12 ilustra o que acabamos de explicar.
Figura
Cr
(a)
(e)
Figura 4.12 (a) Clula unitria cbica de corpo centrado; (b) base a ser associada rede cristalina; no caso, tomo de cromo; (c) clula unitria do cromo com os tomos posicionados
A partir deste momento vamos apresentar as estruturas dos cristais na

forma da Fig. 4.12(c), deixando a cargo do leitor a identificao da rede cristalina
e da base correspondente. Outros elementos que possuem a mesma estrutura cristalina que o cromo (cbica de corpo centrado) so o ltio, o brio, o nibio, o csio e o tungstnio.
Cs Cs
~-----
Cs
'---~------.CS
Figura
4.13
Estrutura
cristalina
do alumnio
Cs Cs Figura 4.14 Estrutura cristalina do cloreto de csio
Noes de cristalografia
31
A Fig. 4.13 mostra a estrutura cristalina do alumnio (cbica de faces centradas). Outros elementos com a mesma estrutura so o cobre, o ouro, o chumbo, o nquel e a prata. A Fig. 4.14 mostra um exemplo de cristal composto, o cloreto de csio. A rede cristalina do cloreto de csio cbica simples; a base consiste em dois tomos, um de cloro e um de csio. Finalmente apresentamos na Fig. 4.15 a clula unitria do diamante, que nada mais que o carbono na forma cristalina'?', Aproveitamos esse exemplo para introduzir o parmetro a, a chamada constante da rede; como vemos na Fig. 4.15, a constante de rede igual ao lado da clula unitria. interessante observar que a estrutura da Fig. 4.15 exatamente a mesma do germnio e do silcio, duas substncias de vital importncia para a tecnologia dos dispositivos semicondutores; apenas a constante da rede diferente.
Figura 4.15 Estrutura
cristalina do diamante
Figura 4.16 Ligaes tetradricas
A Fig. 4.16 mostra a parte inferior esquerda da Fig. 4.15, onde esto localizados os tomos A, B, C, D e E. . Os tomos B, C, D e E formam um tetraedro regular, com o tomo A exatamente no centro. Assim, o tomo A est mesma distncia dos quatro tomos mais prximos, B, C, D e E. Como veremos mais tarde, entre o tomo A e os tomos B, C, D e E existe uma ligao especial, chamada ligao cova lente, que mantm os tomos firmemente presos rede cristalina. Essa ligao, que no caso de cristais como o diamante, o germnio e o silcio tambm chamada de ligao tetradrica (porque os tomos vizinhos de qualquer tomo considerado formam um tetraedro) tem uma profunda influncia sobre as propriedades dos materiais semicondutores.
(*>Chamamos a ateno do leitor para a diferena extraordinria cristalina (diamante) e amorfa (grafita) entre o carbono na sua forma
32
Introduo
4.3. CLCULO DE NMERO DE TOMOS DE UM CRISTAL POR UNIDADE DE VOLUME Conhecida a clula unitria de um cristal e a constante de rede, o nmero de tomos do cristal por unidade de volume pode ser calculado facilmente. Consideremos, por exemplo, uma substncia cristalina cbica de corpo centrado (Fig. 4.17). .
As
I)-------Q
As
A4 _--t---~Al
Figura 4.17 Exemplo do clculo do nmero de tomos por unidade de volume em um cristal
Como vimos, a clula unitria deve ser transladada ao longo de trs dimenses mutuamente perpendiculares para gerar o cristal no espao. Assim um tomo como Ai' localizado no vrtice do cubo, pertence simultaneamente a 8 clulas adjacentes. Para efeito de clculo, apenas 1/8 desse tomo pertence clula unitria da Fig. 4.17. Como existem 8 vrtices, a contribuio dos tomos dos vrtices para uma clula unitria igual a 8 x 1/8 = 1 tomo. Por outro lado, o tomo A9' localizado no centro do cubo, pertence exclusivamente clula da ilustrao. Assim, o nmero total de tomos pertencentes clula dado por: N = 1 (contribuio dos tomos dos vrtices) + 1 (contribuio do tomo central) = 2 tomos. Como o volume da clula a3, onde a a constante de rede, o nmero de tomos por unidade de volume de um cristal como o da Fig. 4.17 igual a 2/a3 Vamos agora calcular o nmero de tomos por unidade de volume para os materiais que nos interessam mais de perto, o germnio e o silcio, cuja estrutura cristalina a representada na Fig. 4.15. No caso da estrutura da Fig. 4.15, cada tomo situado no vrtice do cubo pertence simultaneamente a 8 clulas, exatamente como o exemplo anterior. Assim a contribuio total dos tomos dos vrtices igual a 1 tomo. Os tomos situados nos centros das faces do cubo pertencem a duas clulas vizinhas; como existem faces, a contribuio total para uma clula igual a 6 X 1/2 = 3 tomos. Os 4 tomos situados no interior da clula pertencem exclusivamente clula considerada.
33
Podemos sumarizar o nosso clculo como segue.

Nmero de tomos nos vrtices da clula = 8 Nmero de tomos nos centros das faces da clula = 6 Nmero de tomos no interior da clula = 4 Contribuio de cada tomo dos vrtices para a clula = 1/8 Contribuio de cada tomo dos centros das faces para a clula = 1/2 Contribuio de cada tomo interior para a clula = 1/1 Contribuio total para a clula: 8 x 1/8 = 1 6 x 1/2 = 3
4 x 1/1 = 4 Nmero total de tomos da clula 8
Como o volume da clula a3, o nmero por unidade de volume ser nmero de tomos/unidade de volume = 8/a3 Os valores numricos correspondentes so os seguintes:
Substncias diamante germnio silcio Constante Nmero de tomos/cm3 1,77 4,42 5,00
X X
de rede (nm)*
0,356 0,566 0,543
1023 1022 1022
Esse processo para o clculo do nmero de tomos por unidade de volume de um cristal utilizando-se a clula unitria e calculando-se a contribuio de cada tomo para a clula pode ser aplicado a qualquer cristal. 4.4. POSIO E ORIENTAO DOS PLANOS DE UM CRISTAL Os tomos de um cristal definem uma srie de planos. A Fig. 4.18, por exemplo, mostra trs dos planos definidos pelos tomos de um cristal cbico de faces centradas. O conhecimento da posio e orientao desses planos em uma dada amostra pode ser extremamente importante. Muitos cristais, por exemplo, possuem os chamados "planos de clivagem", que apresentam a seguinte propriedade: quando golpeamos a amostra na direo de um plano de clivagem, a fratura ocorre exatamente nesse plano. Quando a direo do golpe no coincide com nenhum dos planos de clivagem, a fratura irregular e a amostra pode ser estilhaada. A lapidao das pedras preciosas feita utilizando-se esse princpio. A maneira mais imediata de definir um plano de um cristal seria indicar as coordenadas dos traos desse plano nos trs eixos de referncia. Assim, por exemplo, o plano P da Fig. 4.19 seria definido pelos pontos: A(a, 0, O), B(O, a, O) e C(O, 0, a), onde a a constante de rede. Em cristalografia, entretanto, prefere-se definir os planos atravs dos chamados ndices de Miller, obtidos pelo seguinte processo (Fig. 4.20): .
<*)1 nm (1 nanometro)
10-9
34
Introduo
Figura 4.18 Planos de um cristal
Figura 4.19 Definio de um plano cristalino por seus traos
-y
x
do plano
a) Calculam-se as distncias da origem aos pontos A, B e C de interseo com os eixos de referncia, tomando como unidade a constante de rede. No caso da Fig. 4.20,
DA = 1,
DB
2,
De
2.
35 z
Figura 4.20 Exemplo de clculo dos ndices de Miller
2a B
3a
3a
b) Tomam-se os recprocos dos valores encontrados:

l/DA
=
1,
1/0B
= 1/2,
l/De
= 1/2.
c) Reduz-se os resultados a nmeros inteiros que guardem entre si a mesma relao que os valores do item (b). No caso da Fig. 4.20, multiplicamos todos os nmeros por 2, obtendo: 2 x 1 = 2, 2 x 1/2 = 1, 2 x 1/2 = 1. Os nmeros obtidos so chamados de ndices de Miller e representados entre parnteses: (211). evidente que os ndices de Miller no definem apenas um plano, mas toda uma famlia de planos paralelos.
/
Figura 4.21 Plano com trao no semi-eixo negativo
y
a
X/2a
36
Introduo
Quando o plano intercepta um dos eixos no semi-eixo negativo, atribumos um sinal negativo coordenada correspondente. A Fig. 4.21 ilustra esse caso. O clculo seria o seguinte:
OA = -2, 1/0A = -1/2 OB = 2, 1/0B = 1/2,
oe
3;
1/0e = 1/3; 6 x 1/3
6 x (-1/2) = -3, 6 x 1/2 = 3, ndices de Miller: (3 3 2).
= 2.
Repare que o sinal negativo colocado sobre o nmero. A Fig. 4.22 mostra alguns planos de um cristal cbico simples e os ndices de Miller associados a esses planos. Repare que quando um dos ndices de Miller zero, isto significa que o plano paralelo ao eixo correspondente. z z
NDICES DE MILLER (i OO) NDICES DE MILLER (O 2 O)
y
aF---Y
a (c)
(d)
Figura 4.22 Alguns planos de um cristal cbico: (a) plano (100), (b) plano (O2 O), (c) plano (1 1 1), (d) plano (2 O O)
fcil demonstrar que os ndices de Miller de um plano so proporcionais aos co-senos diretores da perpendicular traada da origem ao plano considerado; na Fig. 4.23 esto indicados os parmetros envolvidos.
37
op= perpendicular
ao plano p
c
p
Figura 4.23 Relao entre os ndices de Miller e os co-senos diretores da perpendicular baixada da origem ao plano considerado
Os co-senos
diretores
da reta definida cos f3
por OP so dados por cos y
cos o: = dl a,
= dfb,
= dlc,
onde d a distncia da origem ao plano considerado. Assim os co-senos diretores so proporcionais a l/a, l/h, l/c, do mesmo modo que os ndices de Miller. 4.5. DIREES EM UM CRISTAL
Convencionalmente, os ndices que caracterizam uma direo em um cristal so definidos pelos trs menores nmeros inteiros que guardam entre si a mesma relao que as componentes de um vetor de mdulo arbitrrio, paralelo direo considerada. ~ A Fig. 4.24 mostra um exemplo. A direo dada a direo d. Um vetor v, traado paralelamente a d, possui as seguintes componentes:
"z = 1,
Multiplicando por 2 as componentes 2 x 1
"s = 7/2.
de v, obtemos 2 x 7/2
= 2,
2 x 1
= 2,
= 7.
Direo d: [22 7J. Repare que os ndices que definem a direo so colocados entre colchetes. Pode-se demonstrar (Prob. 4.5) que em um cristal cbico o plano (h k l) perpendicular direo [h k I]. Os exemplos da Fig. 4.25 ilustram esse fato. 4.6. IMPORTNCIA DOS NDICES DE MILLER Provavelmente o leitor ainda no est convencido da utilidade dos ndices de Miller. Por que indicar um plano cristalino pelos ndices de Miller, quando
38
Introduo
z
5a
4a
Figura 4.24 Direo em um cristal

2a 3a
y
3a
x
PLANO P: (100)
DIREO DO EIXO DOS X: [100]
z
PLANO P: (1 1 1 )
DIREO d: [111]
Figura 4.25 Exemplos de planos e direes com os mesmos ndices
seria muito mais simples defini-lo pelas coordenadas dos seus traos? Na verdade, a importncia dos ndices de Miller est intimamente relacionada ao conceito de rede recproca, que infelizmente foge ao escopo deste livro. Mesmo assim, fizemos questo de definir os ndices de Miller para que o leitor possa
39
compreender como so indicados os planos de um cristal nos artigos cientficos. Por exemplo, se o leitor encontrar a expresso "um cristal de germnio, com o plano (100) paralelo direo do campo magntico aplicado ... ", saber imediatamente que o campo magntico paralelo a uma das faces do cubo da clula unitria do cristal de germnio. 4.7. DETERMINAO DA ESTRUTURA DE UM CRISTAL
A tecnologia atual ainda no permite, exceto em raros casos, a observao direta da estrutura de um cristal. Como possvel, ento, determinar a posio dos tomos no interior do cristal, isto , as dimenses e a composio da clula unitria? A soluo para esse problema consiste em fazer incidir um feixe de radiao (ftons, nutrons, eltrons) sobre o cristal. Quando o comprimento de onda da radiao da mesma ordem de grandeza que a constante de rede do cristal, o feixe difratado pelos tomos do cristal. A anlise do feixe difratado permite calcular matematicamente as posies dos tomos do cristal. Vejamos agora como a anlise do feixe difratado nos permite determinar a estrutura de um cristal. Vamos supor que faamos incidir um feixe de raios X em uma amostra cristalina (Fig. 4.26).
FEIXE INCIDENTE (RAIOS X) FEIXE/DIFRATADO
Figura 4.26 Feixe de raios incidindo em um cristal
A Fig. 4.27 uma vista de perfil do cristal da Fig. 4.26, que mostra como os raios X so difratados pelo conjunto de planos paralelos P l' P 2' ... do cristal. Como vemos na Fig. 4.27, os raios so refletidos pelos tomos localizados nos planos P I' P 2' .. e em seguida so registrados em uma placa fotogrfica. Chamando de d a distncia entre os planos e de ()o ngulo entre o feixe incidente e o conjunto de planos paralelos, a distncia entre os pontos de incidncia no filme de dois raios refletidos por planos vizinhos, como P e P igual a (d cos 8). Ora, como a extremamente pequeno, o ponto de incidncia no filme dos raios refletidos Rl' R2' R3"" praticamente o mesmo. Em conseqncia a imagem produzida no filme pelos raios RI' R2' R3' etc. ser um ponto.
1 2'
40
Introduo
Figura cristal trando ralelos
4.27 Vista de per/il do da figura anterior, moso conjunto de planos paP

1'
P2
' ...
Para que os raios refletidos produzam uma imagem, entretanto, preciso que estejam em fase, isto , que a diferena de percurso entre eles seja igual a um mltiplo inteiro do comprimento de onda da radiao utilizada. De acordo com a Fig. 4.27, a diferena de percurso entre os raios refletidos por dois planos vizinhos dada por
e
AO
OB
= 2dsen(J.
(Eq. 4.1)
Assim a condio para que os planos paralelos P l' P 2' ... produzam uma imagem na placa fotogrfica expressa pela seguinte equao:
2d sen
n,
(Eq. 4.2)
onde d a distncia entre os planos, O o ngulo de incidncia da radiao, n qualquer nmero inteiro e o comprimento de onda da radiao. A Eq. 4.2 chamada de Lei de Bragg em homenagem ao fsico ingls W. L. Bragg, que a deduziu em 1913 (Bragg, 1913). De acordo com a Lei de Bragg, um conjunto de planos paralelos do cristal s produz uma imagem na placa fotogrfica para certos ngulos e da radiao incidente, que satisfaam Eq. 4.2. Por outro lado, como vimos nos pargrafos anteriores, um cristal possui muitas famlias de planos paralelos. Assim, variando o ngulo de incidncia, podemos obter as imagens correspondentes a vrias famlias de planos. A anlise dessas imagens permite deduzir a estrutura do cristal e sua orientao em relao ao feixe incidente. Na verdade a Lei de Bragg exprime apenas uma condio necessria para que o feixe difratado produza uma imagem. Isso porque sua deduo se baseia apenas na periodicidade da rede cristalina, sem levar em conta os tomos que esto associados a cada ponto da rede. Assim, a Lei de Bragg pode ser satisfeita sem que aparea ponto algum na placa fotogrfica. A influncia da base do cristal pode ser incorporada ao estudo do fenmeno de difrao atravs da introduo de dois fatores. O primeiro, chamado fator de estrutura, representa a influncia puramente geomtrica dos tomos da base e portanto no depende do tipo do tomo considerado. O segundo, o chamado
Noes de cr ista lograf ia
41
fator de forma, uma medida do poder de espalhamento dos tomos que constituem a base. Para uma discusso elementar desses dois fatores, consulte por exemplo Kittel (1967). Um estudo mais completo pode ser encontrado em Azaroff (1968). EXERCCIOS <*)4.1.O ouro tem uma massa especfica de 19,32g/cm", um peso atmico de 197,0 e uma estrutura cbica de faces centradas. (a) Calcule o nmero de tomos de ouro por centmetro cbico; (b) Calcule a constante de rede. 4.2. O sistema tetragonal de faces centradas equivalente a um dos 14 tipos de rede cristalina ilustrados nas Figs. 4.5 a 4.11. Qual esse tipo? 4.3. Calcule a distncia entre dois tomos vizinhos em um cristal de silcio. <*)4.4.Calcule o valor do ngulo existente entre as ligaes tetradricas de um cristal de Si. Esse valor difere para o caso do Ge e do diamante? 4.5. Prove que em um cristal cbico o plano definido pelos ndices (hkl) sempre perpendicular direo [hklJ. 4.6. Mostre as posies atmicas do Ga e do As nos planos (11 O) e (1 OO) de um cristal de GaAs. <*)4.7.Quais os planos que contm os trs tipos de direes de baixo ndice, [10 OJ, [110J e [111]? 4.8. Em uma experincia de difrao, quais as condies que devem ser satisfeitas para que se tenha uma imagem na chapa fotogrfica, correspondente a um conjunto de planos paralelos? 4.9. Lembrando que a luz visvel est na faixa de comprimentos de onda de 400 a 800 nm, explique por que no se pode usar luz visvel para estudar a rede cristalina de um cristal por difrao. REFERNCIAS AZAROFF, L. V., Elements of X-Ray Crystallography (New York: McGraw-Hill, 1966), Cap.8. BRAGG, W. L., "Structure ofSome Crystals as Indicated by their Diffraction ofX-Rays", Proc. Roy. Soco A 89, 248 (1913). KITIEL, C., lntroduction to Solid State Physics (New York: John Wiley, 1967), Capo 2. BIBLIOGRAFIA Kittel, C; Introduction to Solid State Physics (New York: John Wiley, 1967), Capo I. Wang, S., Solid State Electronics (New York: McGraw-HiIl, 1966), Capo 2.
5 Aplicao da mecnica quntica

a um cristal
Neste captulo vamos aplicar as idias desenvolvidas nos captulos anteriores ao estudo dos estados de energia dos eltrons em um cristal. O problema; em sua forma geral, extremamente complexo, pois os eltrons, alm de serem atrados pelos ncleos dos tomos que formam a rede cristalina, so repelidos pelos outros eltrons. No caso de um cristal, a equao de Schroedinger assume
a forma
(Eq. 5.1) que uma generalizao da Eq. 2.17. Na Eq. 5.1, os ndices ie i- so usados para distinguir as coordenadas dos diferentes eltrons e o somatrio se estende a todos os eltrons do cristal. A energia potencial V(r'ij) pode s.:r decomposta em dois termos, um que s depende da posio do eltron i, VI (rJ, e que corresponde energia potencial do eltron i no campo eltrico dos ncleos dos tomos do cristal, e um segundo termo, Vir'i)' que corresponde energia potencial do eltron i no campo eltrico de todos os outros eltrons e que portanto depende da posio de todos os eltrons do cristal. Se o termo V2(r'i) da energia potencial fosse desprezvel, a Eq. 5.1 assumiria a forma (Eq. 5.2) Vamos agora demonstrar que a soluo da Eq. 5.2 pode ser escrita na forma
onde l/t 1(r 1)' l/t ir 2)' ... , l/tk(rk), ... ,l/tll(rll)
satisfazem a equaes do tipo

k
;~ [::~ + :;~ + ::~] l/tlrk) +
[Ek2
V1(r'k)] = O
= 1,2, ... , n.
(Eq.5.4)
Para isso vamos substituir a Eq. 5.3 na Eq. 5.2. Fazendo isso, temos
~ {, 2m
h2 [ 82
-3
Xi
8 8 +~ +~
uy,
J ~
l/t 1(r 1) . t/I z{r 2) ...
-->
t/I
kk)
-->
...
UZi
Aplicao da mecnica quntica
a um cristal
43
(Eq. 5.6)
(Eq. 5.7)
(Eq. 5.8)
equao que satisfeita para E=I,E;.

i
(Eq. 5.9)
Assim a soluo da Eq. 5.2
1/1(;1' 72,,rn)
e a energia total dada por
E
= 1/11(71)l/1irz)I/1/r,.), +
Ez
(Eq. 5.10)
(Eq.5.11)
El
+ ... +
En'
onde E l' E2,
En so as energias individuais dos eltrons.
44
o uso da Eq. 5.10 implica que a probabilidade de encontrar o eltron i no ponto ri' 1 1/1i 12, depende apenas de ri' isto , da coordenada do eltron i em relao a uma origem arbitrria. Naturalmente, se existe uma interao entre o eltron i e o eltron i. a densidade de probabilidade do eltron i envolve tambm as coordenadas do eltron j. Mesmo assim, na aproximao de "um eltron", muito usada na prtica, supomos que uma funo produto como a da Eq. 5.10 uma boa aproximao para a funo de onda. Nessa aproximao de "um eltron", a equao de Schroedinger se reduz a
2m ox2
1
2 [
iP
+ oy2 + OZ2
I/Ik (r)
-+
+ [Ek
- V(r)]
-+-+
I/Ik (r) = O,
(Eq. 5.12)
onde Ver) o potencial no qual o eltron est se movendo (potencial dos ncleos dos tomos do cristal) e o ndice k serve para distinguir as diferentes solues. A Eq. 5.12 se aplica a qualquer eltron do cristal, isto , o somatrio da Eq. 5.1 foi transformado em um sistema de n equaes idnticas, quando desprezamos o termo V2(r'i). Assim podemos estudar o movimento de cada eltron como se ele estivesse sozinho na rede cristalina (ncleos) e da o nome de aproximao de "um eltron". Devido regularidade da disposio dos ncleos em um cristal, o potencial V(r) peridico no espao. Essa periodicidade, por sua vez, impe certas restries forma das solues da Eq. 5.12. Essas restries so expressas pelo Teorema de Bloch, que demonstrado no Apndice A. O Teorema de Bloch diz que a soluo mais geral da equao de Schroedinger para um eltron em um cristal da forma
I/Ik(r)
-),
= e
ik'--;"-+
J1k (r),
(Eq. 5.13)
onde J1k (r) uma funo com a mesma periodicidade espacial que a rede cristalina. A nica restrio imposta funo J1k (r') pelo Teorema de Bloch que ela deve ter a periodicidade da rede cristalina. Sua forma detalhada depende da forma do potencial V(r') da Eq. 5.12. Vamos agora examinar o caso simples de um cristal de uma dimenso apenas e verificar qual a forma assumida pela funo
J1k (r').
5.1. CRISTAL DE UMA DIMENSO Consideremos um tomo ionizado e um eltron. O potencial do eltron no campo do tomo ionizado dado por q2
V
= --,
(Eq.5.14)
onde r a distncia entre o eltron e o ncleo do tomo ionizado. Esse potencial est representado na Fig. 5.1. Consideremos agora um "cristal unidimensional", isto , o conjunto formado por uma linha de tomos ionizados e uma srie de eltrons. O potencial de qualquer um desses eltrons no campo dos tomos ionizados est representado na Fig. 5.2.
Aplicao da mecnica quntica a um cristal
45
V(r)
Figura 5.1 Energia potencial de um eltron nas vizinhanas de um tomo ionizado
vrx:
Figura 5.2 Energia potencial dos eltrons interior de um cristal unidimensional
no
Como para um potencial desse tipo no existe soluo analtica da equao de Schroedinger, vamos substitu-lo por um potencial que, em certas condies, se parece com o potencial do cristal, e para o qual a equao de Schroedinger apresenta uma soluo simples. Nesse modelo, mostrado na Fig. 5.3 e sugerido por Kronig e Penney (1931), o potencial peridico consiste em um nmero infinito de barreiras de potencial de largura b, com regies de potencial zero de largura a entre as barreiras. A altura das barreiras Vo (Fig. 5.3). A equao de Schroedinger do sistema ser (Eq. 5.15)
onde E a energia do eltron, m a massa do eltron e V(x) a energia potencial.
46
Introduo
v I)X
Figura 5.3 Energia potencial dos eltrons no modelo de Kronig-Penney
Vo -b o a -
Na regio O < x < a, V = O, a soluo

I/tl(X) = AeiPx
da Eq. 5.15 assume a forma (Eq.5.16)
+ Be-iPX,
onde f3 = 2 Em/li. Na regio O > x > -b, V assume a forma

1/t2(X) = Ce"
= Vo e E - Vo < O; assim, a soluo

(Eq. 5.17)
+ De :";
onde o: = 2m(Va - E)/Ii. Os coeficientes A, B, C e D so relacionados entre si pelas condies de fronteira. Como o valor de E - V(x) finito na fronteira, a derivada dljJ/dx e a prpria funo I/t devem ser contnuas na fronteira x = o. Em outras palavras,
A
+B =
=
+ D,
a Eq. 5.13 se torna
if3(A-B)
rx(C-D).
(Eq. 5.18)
No caso de um cristal de uma dimenso,

IjJ(x) = eikxJ-l(x).
(Eq. 5.19)
Como J-l(x) tem a mesma periodicidade

J-l(x)
que a rede cristalina,
J-l(x
+ a + b).
=
eik(a+bJI/t(x).
Ento
I/t(x
+ a + b) =
1/t3(x
eik(a+bJeikxJ-l(x)
Assim, a soluo na regio a < x < a + b da forma

ou: As condies
+a +
em x
b) = eik(a+bJI/t2(X)
IjJ3(X) = eik(a+bJI/t2(x-a-b).
de fronteira
AeiPa if3(Aeipa_Be-iPa)
a so portanto
+ Be-ipa =
(Ce-ab
+ Deab)eik(a+bJ,
dos coeficientes
a(Ce-lXb_DelXb)eik(a+bJ.
(Eq. 5.20) deve ser
Para uma soluo no-trivial, nulo e portanto (Prob. 5.1)

y2 _
o determinante
f32
2!J.f3 senh ab sen f3a
+ cosh
c cos f3a = cos k(a
+ b).
(Eq. 5.21)
Aplicao
da mecnica
quntica
a um cristal
47
Em princpio, a Eq. 5.21 nos d a energia para qualquer valor de k, ou o valor de k associado a uma energia particular E. Embora a Eq. 5.21 seja complicada demais para permitir uma soluo analtica, podemos observar que a um valor de k correspondem vrios valores diferentes de energia. Para simplificar o problema, vamos fazer b tender a zero e Vo tender a infinito, de modo que o produto b Va se mantenha finito. Nesse caso, a Eq. 5.21 se reduz a sen f3a (Eq. 5.22) p + cos f3a = cos ka
-----pa-
onde
2 Na Fig. 5.4, desenhamos o lado esquerdo da Eq. 5.22 em funo de f3a. Como I cos kal ~ 1, s so permitidos os valores de f3a para os quais o lado esquerdo da Eq. 5.22 esteja entre -1 e 1. Dentro dessa faixa, para cada valor de f3a existe um valor correspondente de ka (Fig. 5.4).
F(~a)
p=_.
aba. 2
Figura 5.4 Representao grfica da funo:

F({3a) = p --
sen {3a {1a
+ cos f3a
I I I
TT
2TT
3if
Como f3 est diretamente relacionado energia E do eltron, possvel obter, a partir da Fig. 5.4, um grfico de E em funo de ka. Esse grfico aparece na Fig. 5.5. Os trechos AR, CD, EF, etc. das Figs. 5.4 e 5.5 so chamados de faixas permitidas de energia porque os eltrons que possuem essas energias podem propagar-se livremente no cristal. Por outro lado, os eltrons com energias entre B e C,C e D, etc., devem ter um k imaginrio para satisfazerem Eq. 5.22. Assim
E
Figura 5.5 Energia E dos eltrons em funo de ka C
I I ~D
B
vl'
: I I . I I I I
I
vi
I I I I I
I
-2T
-T
2T
31T
41T
ka
48
Introduo fsica dos sernicondutores
o movimento dos eltrons muito atenuado e eles encontram grande dificuldade para se propagarem no cristal. Essas faixas de energia so chamadas de faixas
proibidas de energia.
5.2. CONDUTORES,
ISOLANTES, SEMICONDUTORES
O que dissemos no pargrafo anterior pode ser generalizado para um cristal tridimensional. Assim ficamos sabendo que um eltron em um cristal s pode se propagar se sua energia estiver dentro de uma das faixas permitidas. Em um cristal, os eltrons tendem a ocupar sempre os estados de menor energia. Assim as faixas permitidas mais baixas esto sempre cheias. Suponhamos que o nmero de eltrons no cristal seja suficiente para encher completamente um certo nmero de faixas permitidas" deixando as outras vazias. Nesse caso os eltrons do cristal, quando submetidos a um campo eltrico, no podem se propagar, pois qualquer movimento aumentaria sua energia, colocando-os dentro da faixa proibida. Nesse caso dizemos que o cristal um isolante. Se, por' outro lado, os eltrons enchem apenas parcialmente uma das faixas permitidas, os eltrons podem mover-se com facilidade sob a ao de campos eltricos, passando para estados de energia ligeiramente maior. Nesse caso, o cristal pode ser um condutor, um semicondutor ou um semimetal. Em um condutor, as faixas permitidas parcialmente cheias possuem um grande nmero de eltrons. Em um semicondutor ou semimetal, as faixas parcialmente cheias possuem um pequeno nmero de eltrons ou 'esto quase completamente cheias; em ambos os casos, a conduo de corrente menor que nos metais. A diferena entre um semicondutor e um semimetal que na temperatura do zero absoluto um semicondutor se torna isolante, enquanto um semimetal continua a conduzir corrente.
EXERCCIOS 5.1. Forme um determinante com os coeficientes A, B, C e D das Eqs. 5.18 e 5.20. Em seguida, forme um novo determinante somando e subtraindo as colunas da seguinte forma: l' = (1-2)/2i; 2' = (1 + 2)/2; 3' = (3 + 4)/2; 4' = (4-3)/2, onde os nmeros 1,2,3 e 4 representam as colunas do antigo determinante e os nmeros 1',2',3' e 4' representam as colunas do novo determinante. Prove a Eq. 5.21 expandindo o novo determinante. 5.2. Faa um grfico de F(f3a) = (p/fJa) sen fJa + cos fJa, Eq. 5.22, em funo de fJa, para p = 3n/2, como na Fig. 5.4. Em seguida, use o grfico para obter os valores de ka para vrios valores de fJa. Use os valores de ka e fJa para traar o grfico de E = fJ2a2/n2 em funo de ka (Fig. 5.5). 5.3. Explique a diferena entre os nveis permitidos de energia em um tomo e os nveis permitidos de energia em um cristal. REFERNCIAS KRONIG, R. e PENNEY, W. G., Proc. Roy. Soco 130, 499 (1931). BIBLIOGRAFIA B!att, F. J., Physics of E/ectronic Conduction in Solids (New York: McGraw-Hill, 1968), Cap.4. Hunter, L. P., "Electronic Conduction in Solids", in Handbook of Semiconductor Electronics (New York: McGraw-Hill, 1962).
6 Propriedades bsicas dos materiais semicondutores
Como vimos no captulo anterior, os semicondutores se caracterizam por apresentarem, temperatura ambiente, uma resistividade intermediria entre a dos metais e a dos isolantes. Na prtica, os semicondutores mais usados so o germnio e o silcio, dois elementos cuja estrutura cristalina j foi descrita no Capo 4. Neste captulo vamos examinar mais de perto as propriedades que fazem do germnio e do silcio materiais semicondutores. 6.1. ESTABILIDADE DAS SUBSTNCIAS CRISTALINAS A Mecnica quntica permitiu explicar a estabilidade das substncias cristalinas luz da estrutura eletrnica dos tomos. Para compreendermos por que os tomos se unem para formar um cristal, consideremos primeiramente o caso dos gases raros. Os gases raros so os elementos mais estveis da natureza; praticamente no participam de reao qumica alguma. Ora, examinando a estrutura eletrnica dos gases raros (Tab. 6.1), notamos uma peculiaridade; com exceo do hlio, a ltima camada de todos os gases raros contm exatamente 8 eltrons.
Tabela 6.1 Estrutura eletrnica dos gases raros Hlio
K2
Nenio
Argnio Criptnio: Xennio Radnio :
K2U
K2L8M8
K2L8M18NB K2L8M18N1808 K2L8M18N32018p8
Na verdade, possvel demonstrar que no se trata de uma coincidncia; para ser quimicamente estvel, um tomo de nmero atmico maior que 2 deve ter oito eltrons na ltima camada (camada de valncia). por isso que todos os elementos, exceto os gases raros, so quimicamente ativos; unindo-se em molculas ou cristais, os tomos dos elementos ativos redistribuem seus eltrons de tal forma que cada tomo fica efetivamente com 8 eltrons na camada de valncia. Assim, por exemplo, o sdio e o cloro possuem as seguintes estruturas atmicas: Sdio: K2LBM1, Cloro: K2L8M7 Quando esses elementos se unem para formar o cloreto de sdio, cada tomo de sdio cede um eltron a um tomo de cloro. Assim a rede cristalina
50
do cloreto de sdio constituda na realidade por ons de cloro e de sdio, com a seguinte estrutura eletrnica: on de sdio: K2L8, on de cloro: K2L8M8 Repare que tanto os ons de sdio como os ons de cloro possuem 8 eltrons na camada de valncia. Esse tipo de ligao, em que um tomo cede um ou mais eltrons a outro tomo, chamado de ligao inica. 6.2. LIGAES COVALENTES Nos cristais de germnio e silcio, os tomos so unidos .por um tipo mais complexo de ligao, a chamada ligao coualente. Para compreendermos melhor a natureza da ligao covalente, consideremos o tetraedro formado pelos tomos mais prximos de um tomo qualquer de um cristal de germnio ou silcio (Fig. 6.1)<*). Como vimos no Capo3, tanto o silcio como o germnio possuem 4 eltrons na camada de valncia. De acordo com a discusso precedente, de se esperar que quando os tomos de um desses elementos se unem para formar um cristal, os eltrons sejam redistribudos de modo que cada tomo fique com 8 eltrons de valncia. No caso de uma estrutura como a da Fig. 6.1, uma redistribuio do tipo ligao inica seria obviamente impossvel,j que todos os tomos so do mesmo elemento. O que acontece que cada eltron da camada de valncia passa a pertencer simultaneamente a dois tomos. Esse tipo de ligao chamado de
ligao cova/ente.
Vamos esclarecer melhor a situao. O tomo A da Fig. 6.1 possui 4 eltrons na camada de valncia. Cada um desses eltrons pertence tambm a um dos tomos vizinhos. Do mesmo modo, um eltron de cada tomo vizinho pertence tambm ao tomo A. Assim o tomo A passa a dispor de oito eltrons em sua camada de valncia, O mesmo ocorre para todos os outros tomos do cristal.
Figura 6.1 tomo de silcio localizado

no centro do tetraedro formado pelos
Figura 6.2 Representao esquemtica das ligaes covalentes de um cristal de
4 tomos vizinhos
germnio ou silcio
(.,A estrutura cristalina do germnio e do silcio j foi discutida no Capo 4
Propriedades
bsicas dos materiais semicondutores
51
Na Fig. 6.2 as ligaes covalentes esto representadas por segmentos de reta que unem os tomos envolvidos. Cada segmento de reta representa um dos eltrons que participam da ligao. Embora permita uma visualizao mais precisa da estrutura do cristal, a representao tridimensional da Fig. 6.2 desnecessariamente complexa. Para estudarmos as propriedades bsicas dos semicondutores, podemos usar uma representao bidimensional, como a da Fig. 6.3.
-=O=O=O~Covalente
II
II
II
/EI~trons da ligao
Figura 6.3 Representao
bidimen-
II= O 11); 11 -= O = 0=
ou ~
sional do um cristal do Si ou
oe
II
II
II
II
II
=0=0=0=
II
Repare que a representao bidimensional reproduz corretamente as posies relativas dos tomos e ligaes covalentes, mas que os ngulos entre as ligaes so alterados. Entretanto esses ngulos no so importantes para as propriedades que vamos estudar. . 6.3. ELTRONS E BURACOS Como os eltrons de valncia dos semicondutores formam pares covalentes, eles no so normalmente livres como no caso dos metais. Na verdade em temperaturas muito baixas, prximas do zero absoluto, em que as ligaes covalentes se mantm praticamente intactas, o cristal se comporta como um isolante. Entretanto medida que a temperatura cresce, algumas ligaes covalentes se rompem, devido agitao trmica'w. Na Fig. 6.4 vemos um cristal em que uma das ligaes covalentes deixou de existir.
II II II -=0"=0,, ~~
I
eL~~:~~~nJ~~:lente
Incompleta
-=O=O=O=Figura 6.4 Quebra de uma ligaO" covalente " "
=O=O=O=-
II
II
II
(*)Fenmeno conhecido como gerao trmica e estudado no pargrafo 6.3.1
52
Introduo
Em conseqncia, um dos eltrons ficou livre para vagar por todo o cristal, e ficou um "vazio" em uma das ligaes covalentes do cristal. A ausncia do eltron na ligao covalente est representada por uma linha tracejada. Esse "vazio" chamado de buraco. Os buracos tambm podem servir para o transporte de cargas, pelo mecanismo que explicaremos em seguida. . Quando uma ligao covalente est incompleta, isto , quando existe um buraco, o eltron de um tomo vizinho pode deixar sua ligao covalente e vir preencher esse "vazio". Com isso, entretanto, o eltron deixa um buraco em sua posio original, que por sua vez pode ser preenchido por outro eltron. Assim um buraco pode "caminhar" por um cristal, na direo contrria do movimento dos eltrons que procuram "ench-lo". No que se refere ao transporte de cargas, o buraco se comporta como uma carga positiva, com o mesmo valor absoluto da carga do eltron. Na verdade, para simplificar o estudo, podemos considerar o buraco como uma entidade real; preciso ter sempre em mente, entretanto, que se trata de um artificio e que os buracos no passam de "vazios" nas ligaes covalentes do cristal. Outro ponto que vale a pena destacar o seguinte: o movimento dos eltrons e o movimento dos buracos se realiza de modo diferente - enquanto os eltrons caminham no cristal de forma mais livre, os buracos s podem passar de ligao covalente para ligao covalente. por isso que a velocidade com que os eltrons se movem no interior do cristal em geral maior do que a dos buracos':". 6.3. GERAO E RECOMBINAO 6.3.1. Gerao trmica Definimos como gerao trmica o processo de criao de pares eltron-buraco em um cristal pela rutura de ligaes covalentes devido agitao trmica da rede cristalina. medida que a temperatura de um cristal aumenta, a partir do zero absoluto (O K), os tomos da rede comeam a vibrar em torno de suas posies ideais, fazendo variar as distncias entre os tomos e os ngulos entre as ligaes covalentes. Quanto maior a temperatura, maior a amplitude das oscilaes. Parte da energia das oscilaes transferida para os eltrons de valncia dos tomos da rede. Alguns dos eltrons recebem energia suficiente para abandonarem a ligao covalente de que participam. Naturalmente a rutura de uma ligao covalente resulta na criao de um eltron livre e um buraco. Para descrevermos a criao de pares eltron-buraco pela agitao trmica da rede, definimos a chamada taxa de gerao trmica, G(T), que representa o nmero de pares eltron-buraco criados no cristal, por unidade de volume e por unidade de tempo. pra um determinado material semicondutor, a taxa de gerao trmica funo apenas da temperatura. 6.3.2. Recombinao Definimos como recombinao a associao de um eltron a um buraco,
com a reconstituio de uma ligao covalente e a liberao de uma certa quan(*)0 parmetro conhecido como mobilidade, que ser definido no Capo 7, relaciona a velocidade dos eltrons (ou buracos) ao campo eltrico aplicado. Em geral, a mobilidade dos eltrons maior que a dos buracos
Propriedades bsicas dos materiais semicondutores
53
tidade de energia. Essa energia pode ser irradiada (emisso de ftons) ou absorvida pela rede cristalina (emisso de fnons). Embora os mecanismos da recombinao sejam bastante complexos, o fenmeno pode ser descrito por uma equao fenomenolgica bastante simples: Como o processo de recombinao depende da presena simultnea de um eltron e um buraco em um mesmo ponto do cristal, a taxa de recombinao, R, proporcional s concentraes de eltrons e buracos no cristal, isto ,(*) R = np (Eq. 6.1) onde R a taxa de recombinao, n e p so as concentraes de eltrons e buracos, respectivamente, e IX um parmetro que depende da temperatura e do mecanismo de recombinao considerado. A Eq. 6.1 chamada de Lei da Ao das Massas, por analogia com a lei que descreve a evoluo das reaes qumicas.
6.3.3. Equilbrio trmico
Dizemos que um sistema est em equilbrio trmico quando sua temperatura constante e uniforme. Como vimos nos pargrafos anteriores, as concentraes de eltrons e buracos em um semicondutor dependem de dois processos competitivos, a gerao trmica e a recombinao. Para uma dada temperatura, a taxa de gerao trmica G(T) tem um valor constante. Assim se o semicondutor estiver em equilbrio trmico, o nmero de pares eltron-buraco gerados por unidade de tempo ser constante. Ora, o nmero de eltrons buracos no cristal no pode aumentar indefinidamente, j que, como vimos, a taxa de recombinao diretamente proporcional s concentraes de eltrons e buracos. Em conseqncia, quando mantemos um semicondutor a uma temperatura constante durante um tempo suficientemente longo, as concentraes de eltrons e buracos assumem valores tais que a taxa de recombinao se torna exatamente igual taxa de gerao trmica: G(T) = R = anp. (Eq. 6.2) Naturalmente a Eq. 6.2 s vlida para um semicondutor em equilbrio trmico.
6.4. SEMICONDUTORES INTRNSECOS At agora, supusemos implicitamente que o material semicondutor a que nos referamos era um semicondutor puro, isto , que no continha tomos de outros elementos (impurezas). Quando um semicondutor no contm impurezas em quantidade suficiente para alterar-lhe as propriedades, dizemos que se.trata de um semicondutor intrnseco. Em um semicondutor intrnseco, o nmero de eltrons igual ao nmero de buracos, pois cada vez que uma ligao covalente rompida ou formada, um par eltron-buraco gerado ou eliminado no processo. Usando o ndice i para indicar que se trata de um material intrnseco, podemos escrever n p n (Eq.6.3)
= =
(*lA taxa de recombinao definida como o nmero de pares que se recombinam por uni-
dade de volume e por unidade de tempo
54
Introduo
o parmetro n, chamado de concentrao intrnseca dos portadores e funo da temperatura e do material considerado. A concentrao intrnseca dos portadores de um semicondutor ser calculada no Capo 8.
6.5. SEMICONDUTORES EXTRNSECOS OU IMPUROS A adio de pequenas quantidades de outras substncias a um semicondutor pode modificar consideravelmente as propriedades do material. Essas impurezas podem substituir os tomos da rede cristalina (impurezas substitucionais) ou ocupar posies vagas entre os tomos da rede (impurezas intersticiais). Na prtica, as propriedades dos semicondutores so controladas atravs da adio de certas impurezas em concentraes cuidadosamente medidas. As impurezas substitucionais mais usadas so certos elementos pentavalentes (arsnio, fsforo, antimnio) e trivalentes (boro, alumnio, glio, ndio). As Figs. 6.5 e 6.6 mostram as representaes esquemticas dos tomos dessas impurezas.
/'
;
I
--
<,
"-
I
\
'\
V
.....
~
I
Figura
6.5 Representao
esquemtiea
do tomo
de
uma impurezapentavalente.Esto indicadosos cinco

eltrons de valncia e a carga positiva equivalente associada parte central do tomo. Nessa categoria esto fsforo, arsnio, o antimnio, ete.
..- ---..
/
/
--"-
/
~ /
I \
\....
@)
\ T
/
Vamos analisar primeiro o caso em que acrescentamos a um semicondutor puro (por exemplo, o silcio) uma pequena quantidade de uma impureza pentavalente (por exemplo, o arsnio). Nesse caso, alguns tomos de arsnio ocupam o lugar dos tomos de silcio no cristal. Entretanto um tomo de arsnio s tem quatro tomos vizinhos de silcio para estabelecer ligaes covalentes. Assim apenas quatro tomos devalncia do arsnio ficam retidos nas ligaes covalentes; o eltron que sobra fica praticamente livre para vagar pelo cristal, indo fazer companhia aos eltrons livres j existentes, provenientes da quebra das ligaes covalentes dos tomos de silcio. Na Fig. 6.7 vemos o que acontece no interior do cristal. Como os tomos das impurezas pentavalentes cedem eltrons ao cristal, essas impurezas so chamadas de impurezas doadoras ou impurezas tipo N (a
--
Figura 6.6 Representao esquemtica do tomo de uma impureza trivalente. Esto indicados os trs eltrons de valncia e a carga equivalente associada parte central do tomo. Nessa categoria esto o boro, o alumnio, o glio, o ndio, etc.
/
.-/
letra N a inicial de negativa, referindo-se carga do eltron).

Quando acrescentamos ao silcio uma impureza trivalente - ndio, por exemplo -, ocorre exatamente o oposto, pois como cada tomo de ndio s
55
Figura 6.7 Impureza pentavelmente adicionada a um cristal de Si ou Ge. O eltron extra fica praticamente livre para se deslocar no cristal
possui trs eltrons de valncia e pode estabelecer ligaes covalentes com quatro tomos vizinhos de silcio, uma dessas ligaes covalentes fica incompleta, isto , fica "faltando" um eltron. Ora, como j vimos, a "falta" de um eltron em uma ligao covalente pode ser considerada como a "presena" de um buraco. A Fig. 6.8 mostra o efeito da adio de uma impureza trivalente a um cristal de silcio ou germnio.
Figura 6.8 Impureza trivalente adicionada a um cristal de Si ou Ge. A ligao covalente incompleta corresponde a um buraco introduzido pela impureza
Como os tomos das impurezas trivalentes cedem buracos ao cristal (retiram eltrons do cristal), essas impurezas so chamadas de impurezas aceitadoras ou impurezas tipo P (a letra P a inicial de positiva, referindo-se carga buraco). Os eltrons livres e buracos de um semicondutor so chamados de portadores, pois atravs deles que se realiza qualquer transporte de cargas de um' ponto para outro do material. Como vimos, em um semicondutor intrnseco (puro) o nmero de eltrons igual ao nmero de buracos. Nos semicondutores tipo N, isto , que contm impurezas doadoras, pentavalentes, o nmero de eltrons maior, naturalmente, que nos sernicondutores intrnsecos. Alm disso, o nmero de buracos menor, pois havendo excesso de eltrons, os buracos tm maior oportunidade de se recombinarem. Nos seoposto; como a concentrao de buracos maior que a concentrao o nmero de eltrons menor que no material intrnseco. de eltrons,
do
micondutores tipo P, contendo impurezas aceitadoras, trivalentes, ocorre o
56
o que dissemos anteriormente demonstrado matematicamente no Capo 8, onde provamos que (Eq. 6.4)
A Eq. 6.4 vlida para qualquer semicondutor, seja intrnseco, tipo N ou tipo P. Essa equao nos diz simplesmente que o produto das concentraes de eltrons e buracos em um semicondutor igual a uma constante, n2 Como vimos, a grandeza n- pode ser definida como a concentrao intrnseca de portadores para o material semicondutor em questo. . Assim o fato de acrescentarmos uma impureza a um semicondutor intrnseco no s aumenta o nmero total de portadores, mas tambm altera a proporo entre eltrons e buracos. Nos materiais tipo N, os eltrons so chamados de portadores em maioria e os buracos de portadores em minoria. Nos materiais tipo P, os papis se invertem. Como j vimos, para transformar um eltron firmemente preso a uma ligao covalente em eltron livre necessrio fornecer-lhe energia. Essa energia pode ser fornecida, por exemplo, sob a forma de calor. Assim quando dizemos que a agitao trmica rompe ligaes covalentes, na verdade estamos afirmando que a energia trmica eleva alguns eltrons de valncia a um nvel mais alto de energia, tomando-os livres. Por que no acontece o mesmo nos isolantes? Por que nos metais, mesmo a temperaturas baixssimas, existem muitos eltrons livres? ESSas perguntas foram respondidas pela Mecnica quntica, como veremos no prximo pargrafo. .
_ I
6.5. NVEIS DE ENERGIA NOS SEMICONDUTORES No captulo anterior, verificamos que em um slido cristalino existem certas faixas de energias permitidas, separadas por faixas de energias proibidas, isto , energias que os eltrons no podem assumir. No nosso caso, o que nos interessa so apenas duas faixas seguintes: a faixa dos eltrons firmemente presos s ligaes covalentes, chamada de faixa de valncia, e a faixa dos eltrons de valncia que se tomaram eltrons livres, e que chamada de faixa de conduo. Em um metal, no existem faixas proibidas entre a faixa de valncia e a faixa de conduo; as duas se superpem parcialmente. Isso significa que em um metal, mesmo a temperatura muito baixa, h eltrons com suficiente energia para serem eltrons livres. Isso explica por que os metais so condutores. Nos isolantes, por outro lado, a faixa de valncia est completa e separada da faixa de conduo por uma faixa proibida. Isso significa que para termos um eltron livre em um isolante, preciso fornecermos a um eltron da faixa de valncia suficiente energia para que ele passe para a faixa de conduo. Entretanto a largura da faixa proibida nos isolantes muito grande, isto , a energia necessria para colocar um eltron na faixa de conduo elevada. Assim os isolantes praticamente no apresentam eltrons livres. As Figs. 6.9(a) e 6.9(b) mostram como as bandas de energia esto dispostas nos metais e nos isolantes. Nos semicondutores tambm existe uma faixa proibida, mas ela muito mais estreita que no caso dos isolantes. A temperaturas muito baixas, os semicondutores se comportam como isolantes, pois seus eltrons no tm energia
Propriedades
bsicas dos materiais semicondutores
57
(a)
(b)
Figura 6.9 Faixas de energia (a) nos metais; (b) nos isolantes suficiente para passarem para a faixa de conduo. Nesse caso as ligaes covalentes se mantm intactas. Quando aumentamos a temperatura, entretanto, alguns eltrons adquirem energia suficiente para transporem a faixa proibida e passarem para a faixa de conduo, deixando buracos na faixa de valncia. As Figs. 6.1O(a),(b) e (c) mostram o que acontece nos trs tipos de semicondutores.
Conduo { F.proibida{ Valncia { + + + +'
--
-.;;;-
--Eltrons
)uracos
------0----0+ +
(b)
_Eo
- 0-----0+++ +++ (c)

__ EA
(a)
Figura
(n
6.10
Faixas de energia nos semicondutores
A Fig. 6.10(a) corresponde ao caso de um semicondutor intrnseco p = nJ Como vimos, tanto os eltrons da faixa de conduo como os buracos da faixa de valncia contribuem para o transporte de carga. Na Fig. 6.10(b) vemos a situao em um semicondutor do tipo N. Repare que a incluso da impureza doadora deu origem a um nvel permitido de energia (ED) dentro da faixa proibida, prximo da faixa de conduo. nesse nvel que esto os eltrons em excesso dos tomos doadores. Assim, temperatura ambiente, quase todos esses eltrons adquirem energia suficiente para passarem para a faixa de conduo e se tornarem "livres". Com isso os tomos dos doadores ficam positivamente carregados, como est indicado na Fig. 6.1O(b).A situao da Fig. 6.10(b) a mesma que a da Fig. 6.7, Nos cristais do tipo P, em que as impurezas so aceitadoras, o nvel permitido (E.A) est prximo da faixa de valncia. Assim" os eltrons da faixa de valncia podem passar com grande facilidade para o nvel dos aceitadores, deixando buracos na faixa de valncia. Com isso, os aceitadores ficam carregados negativamente, como est indicado na Fig, 6.10(c), que equivale Fig. 6.8. A Tab. 6.2 mostra as energias de ionizao das impurezas mais comuns, expressas em eltrons-volt (Conwell, 1958).
58
Tabela Impurezas D O A D p As Sb Li 6.2 Energias de ionizao Semicondutor Silcio 0,044 0,049 0,039 0,033
em eltrons-volt
(eV)
Germnio 0,0120 0,0130 0,0096 0,0010 Valncia Conduo
O
R
A
S A C E I T A D O R
0,045
0,010
AI
0,057
0,010
Conduo
Ga
0,065
0,011
._------.-Valncia
---1
A
S
In
0,160
0,011
6.6. MASSAS EFETIVAS DOS ELTRONS E BURACOS EM UM SEMICONDUTOR Como vimos nos pargrafos anteriores, existem dois tipos de portadores de carga em um material semicondutor, isto , os eltrons e os buracos. Evidentemente o estudo do movimento desses portadores sob a ao de foras externas (produzidas, por exemplo, pela aplicao de campos eltricos) extremamente complexo, pois os portadores esto tambm submetidos influncia dos tomos da rede cristalina, dos tomos das impurezas e dos outros portadores. Uma maneira simples de resolver o problema definir massas fictcias para os eltrons e buracos tais que a segunda lei de Newton (F = ma) seja satisfeita. Em outras palavras, escolhemos valores tais para as "massas" do eltron' e do buraco que as relaes (Eq. 6.5) Fe = meae (Eq.6.6) Fh = mhah sejam satisfeitas. Nas equaes anteriores, F a fora externa aplicada, a" e ah so as aceleraes dos eltrons e buracos e me e mh so as chamadas massas efetivas dos' eltrons e buracos, respectivamentel'" (Shockey, 1950). .
(*>Amassa efetiva do buraco representada pelo smbolo mh porque o buraco em ingls chamado de hole
59
Na verdade o uso do conceito de massa efetiva s se justifica porque em um semicondutor as foras internas do cristal so vrias ordens de grandeza maiores que as foras externas normalmente aplicadas. Em conseqncia, o uso de uma massa efetiva reflete adequadamente o efeito do cristal sobre o movimento dos portadores. ' Repare que ao introduzirmos o conceito de massa efetiva estamos supondo que o cristal foi substitudo por um meio homogneo, no qual os eltrons e buracos se deslocam com as respectivas massas efetivas, satisfazendo s leis da Mecnica clssica e sujeitos apenas a foras externas. As Figs. 6.11 e 6.12 ilustram melhor essa idia.
-O====O-O=Figura 6.11 Eltron de massa real mo deslocando-se no interior de um cristal semicondutor sob o efeito de um campo eltrico externo. Devemos aplicar as leis da Mecnica quntica
II
II
II
-=O====O-O===11
/I 11~ll
II
TI
r+:
II
Figura 6.12 O cristal foi substitudo por um meio homogneo que no oferece resistncia alguma ao movimento. A massa "real" foi substituda pela massa efetiva. Podemos aplicar as leis da Mecnica clssica
E Na prtica, as massas efetivas so determinadas com o auxlio da ressonncia de ciclotron dos eltrons e buracosv" (Lax e Mavroids, 1960). . Voltaremos ao conceito de massa efetiva no Capo 8, quando calcularmos as concentraes de eltrons e buracos em um semicondutor. EXERCCIOS
6.1. Verificamos a possibilidade da introduo de impurezas em um material sernicondutor,
transformando-o
em
um semicondutor
tipo P ou tipo N, dependendo
do
<*)0 nome "ressonnciade ciclotron" provm do fato de que os eltrons e buracos descrevem rbitas circulares no interior do cristal, sob o efeito de campos eltricos e magnticos. O mesmo ocorre com as partculas carregadas no interior de um "ciclotron" (acelerador de partculas)
60
Introduo
tipo de impureza adicionada. Entende-se por solubilidade slida de uma impureza a mxima concentrao dessa impureza que pode ser "dissolvida" no silcio (ou germnio) slido, a uma dada temperatura. . a) Procure explicar fisicamente por que colocamos entre aspas o termo "dissolvida"; b) A mxima solubilidade do arsnio no silcio da ordem de 2 x 1021 tomos/em" (Trumbore, 1960). Qual a mxima concentrao (%) de As que pode ser utilizada em um dispositivo semicondutor de silcio? 6.2. Considere um material semicondutor em equilbrio trmico, iluminado por um feixe de luz cuja freqncia pode ser variada. Um fotodetetor usado para medir a luz que atravessa o cristal. Pense cuidadosamente e procure explicar o que dever indicar o detetor, medida que a freqncia da luz for variada. 6.3. Considere um material semicondutor a uma dada temperatura T. Suponha que um feixe de luz constante aplicado a esse semicondutor. Chamando de G(T) e G(J) as taxas de gerao devido temperatura e iluminao, respectivamente, qual a equao de equilbrio do sistema? REFERNCIAS CONWELL, E. M., "Properties of Silicon and Germanium", Proc. IRE 46, 1281 (1958). LAX, B. e J. G. MAVROIDS, "Cyclotron Resonance" in F. Seitz and D. Turnbull (eds.), Solid State Physics, Vol. 11 (New York: Academic Press, 1960). SHOCKLEY, W., Electrons and Holes in Semiconductors (New York: Van Nostrand, 1950). TRUMBORE, F. A., "Solid Solubilities ofImpurity Elements in Germanium and Silicon", Dell Syst. Tech. J. 39, 205 (1960). BIBLIOGRAFIA Gibbons, J. F., Semiconductor Electronics (New York: McGraw-Hill, 1966), Capo 4. Grove, A. S., Physics and Technology of Semiconductor Devices (New York: Jobn Wiley, 1967), Capo 5.
7 Distribuies estatsticas
J sabemos quais so os estados permitidos para os eltrons em um semicondutor. Neste captulo, vamos investigar qual a probabilidade de que esses estados estejam ocupados. Aproveitaremos a oportunidade para examinar as distribuies estatsticas de um modo geral. 7.1. NECESSIDADE DAS DISTRIBUIES ESTATSTICAS O melhor meio de ilustrar a necessidade das distribuies estatsticas para o estudo das propriedades da matria apresentar algumas perguntas-chave, conforme segue. . a) Suponhamos que estamos estudando um sistema constitudo por molculas que no interagem entre si, a no ser atravs de choques (esse sistema chamado de gs perfeito). A pergunta que temos a fazer a seguinte: qual a distribuio de energia das molculas desse gs? Em outras palavras, quantas molculas estaro em uma determinada faixa de energias? Qual a energia mdia das molculas? b) Nos slidos cristalinos, os eltrons de conduo s podem ocupar determinados nveis de energia. Como os eltrons se distribuem entre esses nveis? Basta uma ligeira reflexo do leitor para verificar que perguntas como essas s podem ser respondidas estatisticamente. Existe um ramo da Fsica, chamado Mecnica estatstica, que trata exclusivamente desses problemas. No restante deste captulo vamos apresentar alguns resultados obtidos pela Me-. cnica estatstica. A primeira observao a fazer que os resultados obtidos dependem das restries impostas ao sistema em estudo. Por exemplo, para o gs perfeito, definido anteriormente, o nmero de estados permitidos muito maior que o nmero de partculas presentes; assim, no h sentido em aplicarmos o Princpio de Excluso de Pauli. Por outro lado, devemos aplic-lopara calcularmos a distribuio de energia dos eltrons de conduo em Um slido cristalino, j que nesse caso o nmero de eltrons da mesma ordem de grandeza que o nmero de estados permitidos. Com essa idia em mente, vamos estudar algumas distribuies importantes. 7.2. SISTEMAS DILUDOS - DISTRIBUIO DE BOLTZMANN Sistemas diludos podem ser definidos como aqueles em que o nmero de partculas muito menor que o nmero de estados permissveis. Um exemplo de sistema diludo o gs perfeito. Vamos ver agora como as N partculas de um sistema diludo se distribuem entre os n estados permissveis de energia. Nosso clculo ser baseado nas seguintes hipteses: a) As partculas so distintas. O conceito de partculas distintas e idnticas muito importante para a formulao estatstica do problema Quando dizemos que as partculas so distintas, isso significa que podemos localizar uma de-
62
Introduo
fsica dos sernicondutores
terminada partcula e ter certeza de que se trata da partcula A e no de B, C ou outra partcula qualquer. Suponhamos, por exemplo, que o sistema consiste de apenas trs partculas, A, B e C. Se essas partculas so distintas, ento existem trs grupamentos distintos de duas partculas, ou seja AB, AC e BC. Grupamentos como AB e BA so considerados idnticos, porque contm as mesmas partculas. Por outro lado, se as partculas fossem idnticas, no poderamos distinguir agrupamento AB do grupamento AC, por exemplo. A Fig. 7,1 ilustra essa diferena?", .
IABCI
LQJ
IABcl
L2J
~ ~ ~
13 I
12
PARTI
O
PART PARTI
13 PART I
1
~ ~ ~ ~
11
PARTI
11
~ARTI
llU
~
(b)
Figura 7.1 Diferentes modos de distribuir trs partculas entre dois estados. (a) partculas distintas. (b) partculas idnticas. No caso (b), como no podemos distinguir entre as partculas, indicamos apenas o nmero de partculas em cada estado
LU LU ~I
(a)
b) O nmero total de partculas conservado. Essa hiptese no se aplicaria, por exemplo, a um sistema contendo partculas jnstveis. ' c) A energia total do sistema conservada. Isso equivale a supormos que o sistema est livre de influncias externas. Vamos agora distribuir as N partculas do sistema entre os n estados permitidos,de tal forma que N 1 partculas sejam alojadas no estado 1, N 2 no estado 2 e assim por diante (Fig. 7.2).
estado 1 estado 2 estado i estado n
N 1 part.
N1
N 2 part. N
N, part.
N n part.
+ N2 + ... + N; + ... + Nn =
7.2 Distribuio
= Nmero total de partculas.

entre os estados 1,2, ... , n
Figura
de N partculas
Vejamos inicialmente de quantos modos possvel alojar as partculas da forma indicada na Fig. 7.2" O nmero de modos de colocar N 1 partculas no primeiro estado CZ'l**). Aps colocarmos as N 1 partculas no estado 1, restam N - N 1 partculas; existem C~:"N, modos possveis de colocar essas N - N par1
(*)0 leitor deve observar que estamos permitindo que mais de uma partcula ocupe o mesmo estado, isto , estamos ignorando o Princpio de Excluso de Pauli '**ICZ' representa combinao de N elementos N, a N,
Distribuies
estat sticas
63
tculas no estado 2. Do mesmo modo, existem C~'-Nl-N2 modos possveis de colocar as partculas restantes no estado 3, e assim por diante. O nmero total de modos possveis de se colocar N 1 partculas no estado 1, N 2 no estado 2, etc., dado por
w=
=
C'~1 x H
C'Y'~\'
C'Nv,-" _";'12 "I
X ...
X C'\\.'~" _.\' _ ...

. '11 2
_" I~n
=
X
N! N1 !(N -N1)!
(N - N I)! N2 !(N -N1 -N2)!
(N - N 1- N J! N3 !(N -N1 -N2 - N3)! .. N !

II
(N-N1-N2 -Nn_I)! x ... N,,!(N -N -N . -Nn)!

1 2
N! N1 !N2 !N !
3
(Eq.7.1)
Vamos introduzir agora duas hipteses adicionais que podem ser deduzidas rigorosamente no contexto da termodinmica, mas que so suficientemente intuitivas para serem aceitas sem demonstrao: d) Quando o sistema est em equilbrio, a distribuio de partculas entre os diferentes estados a mais provvel. e) A distribuio mais provvel de partculas a que pode ser obtida maior nmero de vezes, isto , a que maximiza o valor de W na Eq. 7.l. Estamos agora de posse de garmos chamada distribuio chamada de distribuio clssica, Vamos recordar as hipteses a) b) c) d) e) todas as informaes necessrias para chede Boltzmann. Essa distribuio tambm pois ignora o Princpio de Excluso de Pauli. que conduzem distribuio de Boltzmann:
as partculas so distintas; o nmero total de partculas conservado; a energia total conservada; em equilbrio, a distribuio de partculas a mais provvel; a distribuio mais provvel a que maximiza W. maximizar a funo W (Eq. 7.1) usando
=
Nosso problema portanto condies adicionais N1 + Nz + N3 ... + ... + N"

N', EI
como
+ NzEz
+ N3E3 +
(Eq. 7.3) onde E, a energia do estado i. Um artificio bastante conveniente para facilitar o desenvolvimento matemtico maximizar ln W<*) em lugar de W, o que evidentemente no altera a soluo do problema. A condio necessria para que ln W seja mximo dlnW Alm disso de acordo JlnW =" L. aNo dN = O.
j
I ,
I:N; = Nmero total de partculas = Constante; ... = 'LNjEj = Energia total = = Constante,
(Eq.7.2)
(Eq. 7.4) ter

(Eq. 7.5)
com as Eqs. 7.2 e 7.3, devemos

= constante
=
L:N
i
ydN
= O;
I.NjEj
(*J/n W
constante
W
(Eq. 7.6)
= Logaritmo neperiano de
64
Neste ponto temos que fazer alguns comentrios sobre o problema matemtico que enfrentamos. Suponhamos que queremos maximizar urna funo
f(x, y, z).
Ora, sabemos que

df
f ax dx
af ay dy
af
+ az
dz.
Se os incrementos dx, dy e dz so independentes, para que f seja mxima
a condio necessria
af
af
ay
af
O
.
No nosso caso, queremos maximizar lnW, mas os incrementos dNi no so independentes, pois devem satisfazer s Eqs. 7.6 e 7.7. bvio portanto que no podemos anular diretamente as derivadas de lnW em relao s variveis Ni, como fizemos para encontrar o mximo da funo f(x, y, z). Torna-se ento necessrio utilizar um artifcio, os chamados coeficientes indeterminados de Laqranqe. A idia transformar o problema para o caso mais simples em que os incrementos so independentes entre si. Vamos multiplicar as Eqs. 7.5 e 7.6 por Il( e 13, respectivamente, e somar o resultado Eq. 7.5. Fazendo isso, obtemos
alnW ~ [ aN i
+ r:t. + f3Ei ]
dNi = O.
(Eq. 7.7)
Ora, podemos sempre escolher dois dos incrementos, dN 1 e dN 2' por exemplo, de tal forma que as Eqs. 7.5 e 7.6 sejam satisfeitas, qualquer que seja o valor dos outros incrementos. Em seguida, escolhemos os coeficientes o: e 13 de forma que os coeficientes de dN1 e dN2 na Eq. 7.7 se anulem, isto , fazemos
lnW N
1
+ o: + f3El = O, + (:I. + f3E2

=
alnW aN
2
O.
Ora, nesse caso, a Eq. 7.7 se reduz a
. I
t*
1,2
[8~~ +
t
r:t.
+ f3EiJ
dNi
o,
(Eq. 7.8)
em que os incrementos dN 3' dN 4' ... so todos independentes. Em conseqncia, podemos igualar separadamente a zero cada uma das parcelas do somatrio, obtendo':"
81nW aN
i
+ r:t. + f3Ei =
O.
(Eq. 7.9)
Mas de acordo com a Eq. 7.1,

alnW -~[l aN. aN.
I. l
--~""l N L n N'i' --~l n N'-""l . L n N i' ']
N:
I.
I. I
n N'i'
(Eq. 7.10)
<*lEstritamente falando, a Eq. 7.9 s vlida para i = 3,4,5, ... ; entretanto assim como escolhemos os incrementos dN 1 e dN 2' poderamos ter escolhido qualquer outro par de incrementos; assim a equao pode ser aplicada, qualquer que seja o valor de i
Distribuies estatfsticas
65 prticas, N. um nmero extremausar a aproximao de Stirling para 1). (Eq. 7.11) (Eq. 7.12)
Para qualquer sistema de dimenses mente grande; em conseqncia, podemos a funo fatorial: Ento
lnNi! = Ni(lnNi
alnW aNo
I
= I N.
n
t:
De acordo
com as Eqs. 7.9 e 7.12, temos
lnN i =
N, = Fazendo ea
(J.
+ {3Ei ;
= eaePEi.
ea+pEi
= A, temos finalmente Ni =
AePE"
(Eq. 7.13)
que a chamada distribuio de Boltzmann. Repare que na distribuio de Boltzmann o nmero de partculas N, com energia E, depende exponencialmente da energia E, do estado considerado. Em geral, a Eq. 7.13 escrita sem o ndice i, isto , na forma (Eq. 7.14) Uma deduo puramente matemtica, como a apresentada anteriormente, no permite calcular o valor de {3, que deve ser obtido atravs de consideraes fsicas. possvel provar, entretanto, utilizando conceitos da termodinmica, que {3= -1jkT, onde k a constante de Boltzmann e T a temperatura absoluta. Vamos agora aplicar a Eq. 7.14 a um problema especfico; o clculo da distribuio de energia potencial das molculas de um gs perfeito. Chamando de z a cota do ponto onde est localizada a molcula, sua energia potencial dada por E = mgz, (Eq. 7.15) onde m a massa da molcula e g a acelerao da gravidade. De acordo com a Eq. 7.14, o nmero de molculas com cota z (e conseqentemente com energia mgz) dada por . Nz = A Eq. 7.16 est representada
N
Ae-mgz/kT.
(Eq. 7.16) na Fig. 7.3.
graficamente
Figura 7.3 Distribuio
de Boltzmann
66
lntroduo fsica dos semicondutores
Vamos calcular o valor da constante A. Chamando de N T o nmero total de molcula do gs, temos
e portanto
NTmg A=-- kT
(Eq. 7.17)
De acordo com as Eqs. 7.16 e 7.17, a distribuio de energia potencial das molculas de um gs perfeito dada por
mg N - N _T __
Z -
kT
-mgzlkT
(Eq. 7.18)
7.2. SISTEMAS CONCENTRADOS - DISTRIBUIO DE FERMI-DIRAC No pargrafo anterior, estudamos o caso de sistemas diludos de partculas distintas; consideremos agora o caso de um sistema constitudo por partculas idnticas; alm disso, suponhamos que o sistema concentrado, isto , que h necessidade de aplicar o Princpio de Excluso de Pauli. A distribuio que resulta a chamada distribuio de Fermi-Diracv", As hipteses que conduzem distribuio de Ferrni-Dirac so as seguintes: a) b) c) d) e) as partculas so idnticas; o nmero total de partculas conservado; a energia total conservada; o Princpio de Excluso de Pauli respeitado; a distribuio mais provvel a que maximiza W
Nosso primeiro problema calcular o valor de W Seja N, o nmero de estados permitidos com energia Ei' e ni o nmero de partculas distribudas entre estes N, estados (Fig. 7.4). El E2
{N n {N
:
estados partculas
z estados n2 partculas
Ei
{Nnii
estados partculas
Figura 7.4 Distribuio das ni partculas entre os estados permissveis no tem anlogo algum na Mecnica Clssica, tambm chamada de distribuio
<*IComoa distribuio de Fermi-Dirac leva em conta o Princpio de Excluso de Pauli, que quntica
Distribuies
estatsticas
67
Consideremos o grupo Ei; como em cada um dos estados N, s pode haver uma das partculas ni<*l, o nmero total de modos de colocar as ni partculas nos N, estados dado por W
= C", =
N,
N.! I ni !(Nj - n)! W usando
(Eq. 7.19) como condies adi-
o problema
cionars:
agora maximizar
a funo
Lni = constante; "LnjEj = constante. Deixamos a cargo do leitor o desenvolvimento completo usando ficientes de Lagrange (Problema 7.1). O resultado o seguinte:
n.
I
(Eq. 7.20) (Eq. 7.21) os coe-
+ ea-fJE,
Nj
(Eq. 7.22)
Fazendo
n N.'
I
vemos
que
corresponde
probabilidade
de encon-
trarmos ni partculas com energia E, (para a qual existem N, estados). De acordo com a Eq. 7.22, temos
n.
1 1+
= ea-fJEi
f = r-Ji =
Novamente possvel mostrar que fJ
1 kT'
obtendo-se
ento
f = 1+
Definimos uma nova varivel
1
ea+E;/kT
EF tal que ()(~_EF. kT
N esse caso, temos
ou eliminando
o ndice i: 1
f =
1+
elE
EF)/kT
(Eq. 7.23)
A Fig. 7.5 mostra o grfico de f em funo da energia para vrias temperaturas. Repare que para T = O todos os estados com E < EF esto ocupados (f = 1) e todos os estados com E > Ep esto vazios (f = O).Repare ainda que
(*)1550
uma conseqncia
do Princpio de Excluso de Pauli
68 fIE)
Introduo
Figura 7.5 Distribuio de Fermi-Dirac 2"

1
em qualquer temperatura, f = 1/2 para E = Ey, isto , que a probabilidade de ocupao do nvel Ey sempre igual a 1/2. A energia EF chamada de nvel de Fermi. E fcil demonstrar (Prob. 7.2) que para sistemas diludos, isto , quando ni ~ Ni' a distribuio de Fermi-Dirac se reduz distribuio de Boltzmann. 7.3. OUTRAS DISTRIBUIES
A distribuio de Boltzmann e a distribuio de Fermi-Dirac no so as nicas distribuies possveis. Dependendo das hipteses iniciais, outras distribuies podem ser obtidas. Por exemplo: se supusermos que as partculas so idnticas, mas no obedecem ao Princpio de Excluso de Pauli (como o caso dos ftons) chegaremos chamada distribuio de Bose-Einstein. O leitor interessado em maiores pormenores deve consultar um livro de Mecnica Estatstica (Kittel, 1958).
EXERCCIOS 7.1. Demonstre a Eq. 7.22. 7.2. Mostre que para sistemas diludos a distribuio de Fermi-Dirac se reduz distribuio de Boltzmann. (*)7.3. Determine a distribuio de energia cintica das molculas de um gs perfeito (distribuio de Maxwell). Para calcular a constante multiplicativa, suponha que o gs contm N molculas. 7.4. Neste exerccio vamos mostrar com um exemplo particular que a constante f3 da Eq. 7.14 igual a -ljkT. Considere um gs perfeito em um recipiente a uma temperatura T, sob a ao da gravidade. Definindo:
n(z) - nmero de molculas com cota z por unidade de volume, m - massa de cada molcula;
g -
acelerao da gravidade; constante de Boltzmann;

que
p
k
- massa especfica do gs; - temperatura absoluta.
a) Prove, sem usar a distribuio de Boltzmann,

n(z) =
Ae-rngz/kT
onde
uma constante.
Distribuies estatsticas
69
b) Compare essa expresso com a Eq. 7.14 e verifique que
f3
=--
kT
REFERNCIA KITTEL, c.,

Elementary
Statistical
Mechanics (New York: John Wiley, 1958).
BIBLIOGRAFIA Blakemore, J. S., Semiconductor Statistics (New York: Pergamon Press, 1962). Mayer, J. E. e M. G. Mayer, Statistical Mechanics (New York: John Wiley, 1950).
8 Aplicao da distribuio de Fermi-Dirac a um material semicondutor
8.1. APROXIMAES PARA A FUNO DE FERMI-DIRAC
DE DISTRIBUIO governada pelas anterior. O prinFermi-Dirac, que E esteja ocupado . (Eq. 8.1)
A distribuio de energia dos eltrons em um slido leis de estatstica de Fermi-Dirac, j examinadas no captulo cipal resultado dessa estatstica a funo de distribuio de nos d a probabilidade de que um estado eletrnico com energia por um eltron: j.(E) _ - 1+
1
e(E-EF)/kT
Essa funo contm um parmetro, EF' que chamado de nvel de Fermi. Uma definio rigorosa do nvel de Fermi o descreve como o potencial qumico dos eltrons em um slido. Para nossos propsitos, entretanto, suficiente observar que o nvel de Fermi a energia para a qual a probabilidade de ocupao desse nvel de energia exatamente 1/2U = 1/2 se E = EF). A funo de distribuio de Fermi-Dirac est representada na Fig. 8.l(a) para o caso de um semicondutor intrnseco. Na faixa de conduo existe um grande nmero de estados disponveis. Entretanto a probabilidade de ocupao desses estados pequena; assim, haver um nmero relativamente pequeno de eltrons na faixa de conduo. A faixa de valncia tambm tem um grande nmero de estados disponveis. Quase todos esses estados esto ocupados por eltrons, j que li- probabilidade de ocupao desses estados grande; assim, haver um nmero relativamente pequeno de estados desocupados, isto , de buracos, na faixa de valncia. A funo de distribuio de Fermi-Dirac simtrica com relao ao nvel de Fermi EF Assim se o nmero de estados disponveis nas faixas de conduo e de valncia o mesmo e se o nmero de eltrons na faixa de conduo igual ao nmero de buracos na faixa de valncia (o que sabemos ser verdade no caso
E E E
-L-.-L-EC ___ ~Ev fIE) EF
...LLLLL..Ec ---EF --,,---Ev fIE)
~Ec ___ EF ....".."",..Ec f (E)

(e)
(aI
Figura 8.1 Aplicao da distribuio
(bl
de Fermi-Dirac
a semicondutores:
intrnseco (a),
tipo N (b) e tipo P (c)
Aplicao da distribuio de Fermi-Dirac a um material semicondutor
71
de um semicondutor intrnseco), o nvel de Fermi estar no centro da faixa proibida. O nvel de Fermi de um semicondutor intrnseco chamado de nvel de F ermi intrnseco e designado pelo smbolo Ei' Em um semicondutor tipo N, o nmero de eltrons na faixa de conduo maior que no caso intrnseco. Como, entretanto, a densidade de estados disponveis de energia o mesmo que no caso intrnseco, conclui-se que, em um semicondutor tipo N, o nvel de Fermi, e com ele toda a funo de distribuio de Fermi-Dirac, ser deslocado para cima, para mais perto da faixa de conduo. Ao contrrio, em um semicondutor tipo P o nvel de Fermi e a funo de distribuio de Fermi-Dirac se deslocam para baixo. Os dois casos esto ilustrados nas Figs. 8.1(b) e 8.1(c). . Para energias muito acima ou muito abaixo do nvel de Fermi, a distribuio de Fermi-Dirac pode ser aproximada pelas seguintes expresses: .
f(E)~e-(E-EF)!kT f(E) ~ l_e-(ErE)!kT
(para (para
IE-EFI~kT,
IE-EFI ~ kT,
E>E,F)' E < E,F)'
(Eq.8.2) (Eq.8.3)
O segundo termo do segundo como a probabilidade de ocupao 8.2. CONCENTRAO
membro da Eq. 8.3 pode ser considerado de um nvel de energia E por um buraco. EM UM CRISTAL
DE PORTADORES
Normalmente, a concentrao de impurezas em um semicondutor tipo N ou tipo P no suficiente para que o nvel de Fermi se aproxime muito da faixa de conduo ou de valncia. Nesse caso as aproximaes anteriores so vlidas e fcil calcular a concentrao dos portadores em funo do nvel de Fermi. 8.2.1. Determinao das concentraes em funo do nvel de Fermi de eltrons e buracos esteja ocupado, (Eq. 8.4)
A probabilidade de que um estado da faixa de conduo no caso em que E - EF ~ kT, dada por fc(E) ~ e - (E- Ep)!kT,
Por outro lado, a densidade de estados por unidade de volume na faixa de conduo dada pela Eq. 3.35
D (E)
c.
_1_ (2m
2n2
h2
e)3!2
[E _ E ] 1/2,
G
(E
q.
85)
..
onde tomamos como referncia de energia o topo da faixa de valncia (Fig. 8.2). Repare que a -Eq. 3.35 foi deduzida para o Gs de Fermi. O que fizemos foi supor que o efeito do cristal sobre os portadores pode ser descrito por uma massa efetiva, me' usada em lugar da massa "real", m (veja o pargrafo 6.6). Ora, conhecendo a probabilidade de ocupao dos estados da faixa de conduo, f(E), e a densidade de estados disponveis nessa mesma faixa, D(E), podemos calcular a concentrao de portadores, n, atravs da equao: .
00
D(E)f(E)
dE.
(Eq. 8.6)
EG
72
Faixa de
Introduo
Conduo
f-
-- -- Faixa de Valncia
Nvel de Fermi/
f-
Figura 8.2 Diagrama ilustrando a referncia de energias (topo da faixa de valncia)
Substituindo as Eqs. 8.4 e 8.5 em 8.6, obtemos (Eq. 8.7)
(Eq. 8.8) A integral anterior pode ser encontrada em qualquer tabela de integrais.
O resultado
Jo
(00
xl/2e-x/kT dx =
TJ nkT.
kT
(Eq. 8.9)
Substituindo a Eq. 8.9 em 8.8 e lembrando que li = hj2n, obtemos (Eq. 8.10)
A Eq. 8.10 pode ser usada para calcular a concentrao de eltrons a partir dos parmetros do material considerado. A Eq. 8.10 em geral escrita na forma
(Eq. 8.11) onde

N
c
kT)3/2 = 2 2nmh2 e (
(Eq. 8.12)
uma constante chamada de densidade efetiva de estados na faixa de conduo. Para calcular a concentrao de buracos, basta observar que a probabilidade de ocupao dos nveis da faixa de valncia por buracos dada pelo' segundo termo da Eq. 8.3, que pode ser escrito na forma:
fv{E)
= E-EF)/kT
(para
IE-EFI
~ kT)
(Eq.8.13)
Aplicao da distribuio de FermiDirac a um material semicondutor
73
e que a densidade de estados por unidade de volume na faixa de valncia dada por
D (E)
v.
= _1_
2n2
h)3/2(_E)1/2 (2m 12 .'
(E 8 14) q. .
onde mh a massa efetiva dos buracos. Deixamos a cargo do leitor o restante da manipulao matemtica para provar que (Eq. 8.15) onde N
v.
2 (2nmhkT)3/2 h2
(Eq. 8.16)
chamada de densidade efetiva de estados na faixa de valncia. Por outro lado, se tomarmos como referncia um nvel arbitrrio de energia, localizado abaixo do topo da faixa de valncia (Fig. 8.3), as Eqs. 8.11 e 8.15 podero ser escritas na forma mais usual
n
NcelEF-EC>/kT, Nve-(EF-Ev)/kT,
p =
(Eq. 8.17) (Eq, 8.18)
onde Ec e E; so as energias correspondentes base da faixa de conduo e ao topo da faixa de valncia, respectivamente. Repare que a escolha do nvel de referncia totalmente arbitrria, j que as Eqs. 8.17 e 8.18 envolvem apenas diferenas entre os diversos nveis.
Faixa de
ConduFo
Figura 8,3 Referncia arbitrria para a energia

Faixa de Valncia
Ev
8.2.2. Produto np Multiplicando a Eq. 8.11 pela Eq. 8.15, obtemos

np =
NcNve-EG/kT.
(Eq. 8.19)
A Eq. 8.19 mostra que em qualquer material semicondutor, o produto da concentrao de eltrons pela concentrao de buracos no depende das impurezas presentes. 8.2.3. Concentraes de portadores em um semicondutor intrnseco
Em um semicondutor intrnseco, a concentrao de eltrons igual con-
centrao de buracos, isto

n = p = ni,
.
(Eq. 8.20)
intrnseca de portadores.
onde ni chamada de concentrao
74
Combinando ou ni
a Eq. 8.20 com a Eq. 8.19, obtemos
n~ = N c N v e-EG/kT
l
'
(Eq. 8.21) (Eq. 8.22)
NcNve-EG/2kT.
A Eq. 8.22 permite calcular a concentrao intrnseca de portadores, conhecidos os parmetros do material e a temperatura em que este se encontra.' 8.2.4. Taxa de gerao trmica Podemos tambm usar as Eqs. 8.10, 8.15 e 8.16 para calcular a taxa de gerao trmica de um semicondutor em equilbrio trmico. Com efeito, de acordo com a Eq. 6.2, temos G(T) = np. Substituindo n e p por seus valores, temos G(T) = AT3e-EG/kT, onde (Eq. 8.25) uma constante independente da temperatura. A Eq. 8.24 mostra que a variao da taxa de gerao trmica com a temperatura da forma T3 e - a/To Essa dependncia pode ser verificada experimentalmente. 8.2.5. Nvel de Fermi de um semicondutor intrnseco semicon(Eq. 8.24) (Eq. 8.23)
Como vimos, as seguintes expresses so vlidas para qualquer dutor: n

p
= =
Nce(EF-Ec)/kT; Nve-(EF-Ev)/kT.
Para um semicondutor intrnseco, n = p = n., Assim chamando de Fermi do semicondutor intrnseco de Ei, temos
o nvel
ou (Eq. 8.26) Ora, de acordo com as Eqs. 8.12 e 8.16, a nica diferena entre N, e N v est no fato de que as massas efetivas dos eltrons e dos buracos no so iguais .. Como em geral a diferena entre as duas massas no grande, o nvel de Fermi do material intrnseco est localizado aproximadamente no centro da faixa
proibida. Com efeito, se tomarmos Nc:::: Nv' ln(NJNJ Ec + Ev Ei ~ . 2 .
::::O e portanto
(Eq. 8.27)
Aplicao
da distribuio
de Fermi-Dirac
a um material
semicondutor
75
8.2.6. Concentraes de portadores em funo de n e E,

j
As concentraes de eltrons e buracos em um semicondutor tipo P ou tipo N tambm podem ser expressas em funo da concentrao intrnseca, n., e do nvel de Fermi intrnseco, E; Com efeito, combinando as Eqs. 8.17, 8.18, 8.22 e 8.26, fcil demonstrar que
n = n e(EF- Eil/kT, i
(Eq. 8.28) (Eq. 8.29)

p
= n e<E;- Eyl/kT.
i
Naturalmente, quando Ep = E, nas equaes anteriores, obtemos n = a concentrao de portadores em um material intrnseco. 8.3. Neutralidade de carga eltrica nos semicondutores
= n.,
Consideremos um bloco isolado de um semicondutor. evidente que o bloco como um todo deve ser neutro, isto , o nmero de cargas negativas. no interior do bloco deve ser igual ao nmero de cargas positivas. Essa neutralidade global chamada de neutralidade macroscopica. A neutralidade macroscpica no impede que existam pequenas regies no cristal em que a neutralidade local (a chamada neutralidade microscpica) no respeitada. A Fig. 8.4 mostra um exemplo. Se considerarmos a pequena regio em tomo do tomo de arsnio, encontraremos um saldo de carga positiva. Entretanto, o eltron cedido faixa de conduo pelo tomo de arsnio no pode sair do cristal, de modo que o cristal como um todo continua neutro.
Cristal Figura 8.4 Neutralidade macroscpica. O cristal como um todo continua neutro de Si
-(0'I~~i --I-r:+\A+ -II "-11--"
Eltron livre
-tl----
_I
Vejamos agora as implicaes da neutralidade macroscpica para o equilbrio dos portadores em um semicondutor. . 8.3.1. Semicondutores intrnsecos No caso dos semicondutores intrnsecos, a condio de neutralidade pode ser expressa pela relao n = p, que satisfeita automaticamente devido natureza dos processos de gerao e recombinao de portadores'?", . 8.3.2. Semicondutores extrnsecos No caso dos semicondutores extrnsecos (tipo N ou tipo P), a condio de neutralidade se toma mais complexa, pois alm dos portadores, os tomos ionizados das impurezas tambm participam do equilbrio de cargas. Suponhamos um semicondutor que possui uma concentrao NAde impu-
rezas aceitadoras e uma concentrao N D de impurezas doadoras. Essas impurezas

(*'Mais rigorosamente, deveramos escrever qn = qp para a condio de neutralidade, mas como as cargas dos portadores so iguais em valor absoluto, elas podem ser ignoradas
76
Faixa de Conduo
Introduo
,-----
----Faixa de Valncia
Figura
8.5 Diagrama
ilustrando
os nveis de energia
Ey,
Ec,EA,ED
introduzem, na faixa proibida, os nveis de energia E A e ED' respectivamente

(Fig. 8.5).
No caso mais geral, nem todos os tomos doadores e aceitadores estaro ionizados. Vamos chamar de N; a concentrao de tomos doadores ionizados':" e de N2 a concentrao de tomos doadores neutros. Podemos imediatamente escrever (Eq. 8.30) Do mesmo modo,
N-;'
=
NA-N~,
(Eq.8.31)
onde N;; a concentrao de tomos aceitadores ionizados'<" e N~ a concentrao de tomos aceitadores neutros. . Nesse caso a condio de neutralidade macroscpica assume a seguinte forma: (Eq. 8.32) n + N;; = p + N;. 8.4. CONCENTRAES DE PORTADORES SEMICONDUTOR EXTRNSECO EM UM
As Eqs. 8.17 e 8.18 s permitem calcular as concentraes de portadores se conhecermos a posio do nvel de Fermi, EF, em relao ao topo da faixa de valncia ou em relao base da faixa de conduo. No caso de um semicondutor intrnseco, como vimos, a posio do nvel de Fermi pode ser calculada facilmente (Eq. 8.26), a partir da condio n = p. . No caso de um semicondutor extrinseco, em que n =I: p, a situao mais complexa. Para determinarmos o nvel de Fermi, temos que usar a equao de neutralidade (Eq. 8.32). Para isso, entretanto, preciso exprimir N-;' e N; em funo do nvel de Fermi. o que veremos a seguir. 8.5. CLCULO DAS CONCENTRAES DE IMPUREZAS IONIZADAS EM FUNO DO NVEL DE FERMI Vamos comear estudando o caso das impurezas aceitadoras. Podemos escrever
(Eq. 8.33)
(*)0 sinal positivo indica que os doadores ionizados so ons positivos (**>0 sinal negativo indica que os aceitadores ionizados so ons negativos
77
onde iA a probabilidade de que o estado de energia EA introduzido pela impureza aceitadora na faixa proibida esteja ocupado (ou seja, a probabilidade de que o tomo da impureza esteja ionizado). Ora, de acordo com a Eq. 8.1, a probabilidade de que um estado de energia E A esteja ocupado por um eltron dada por
iA
N-
1
e<EA EF)/kT
(Eq. 8.34)
De acordo com as Eqs. 8.33 e 8.34,

A
= 1 + e(E NA, EF)/kT A
Eq. 83) . 5
equao que permite calcular a concentrao de tomos aceitadores ionizados em funo do nvel de Fermi. No caso das impurezas doadoras, temos NZ = iDND, (Eq.8.36) onde a probabilidade de que o estado de energia ED introduzido pela impureza doadora na faixa proibida esteja ocupado (ou seja, a probabilidade de que o tomo da impureza no esteja ionizado). Nesse caso, portanto, (Eq. 8.37) = (l-iD)ND' O valor de iD dado por uma equao anloga Eq. 8.34:
N;
iD
= 1
1
e<ED-EF)/kT
(Eq. 8.38)
De acordo com as Eqs. 8.37 e 8.38,

ND , (Eq. 8.39) D 1 + e<EF-ED)/kT equao que permite calcular a concentrao de tomos doadores ionizados N+ =
em funo do nvel de Fermi. Substituindo n. p, N~ e Ni,

N
c e-(Ec-EF)/kT
por seus valores na Eq. 8.32, obtemos

e-(EF-Ev)/kT
+
se
N 1 + e(EA
A EF)/kT
=N
ND + --=-'''--;:-:-;-;-;;; 1 + e<EF ED)/kT
(Eq. 8.40)
Teoricamente a Eq. 8.40 permite calcular o nvel de Fermi a uma dada

temperatura,
corrncccmoe u.:t l'UlalU~UVO
n'c' n'v' "-TA' "<u> Z:;.c' Z:;A' D,V' DJJ"
Na prtica, entretanto, a Eq, 8.40 no possui soluo analtica, de modo que preciso recorrer a mtodos numricos ou grficos. Um mtodo grfico que mostra com clareza a influncia dos diferentes parmetros sobre a posio do nvel de Fermi e a concentrao dos portadores ser examinado a seguir. 8.6. MTODO DE SCHOCKLEY PARA A DETERMINAO CONCENTRAES DE PORTADORES EM UM SEMICONDUTOR INTRNSECO do nvel de Fermi: (Eq. 8.41) DAS
Voltemos Eq. 8.17, que exprime a concentrao de eltrons em funo
78
Tomando os logaritmos de ambos os membros da Eq. 8.41, obtemos

- 1 N Ec - E,F . 1 og10n - og10 c - 2,3kT
(Eq. 8.42)
Assim, se traarmos um grfico de n em funo de EF' usando uma escala logartmica para n e uma escala linear para EF, obteremos uma linha reta (Fig. 8.6).
log n
I
. -,-:;t----
Figura 8.6 Variao do logaritmo da concentrao de eltrons com o nvel de Fermi
I
1
I
2.3kT I I
1
Ec
A Eq. 8.42 mostra que uma variao de uma dcada na concentrao de eltrons, n, corresponde a uma variao de 2,3kT no nvel de Fermi, EF Analogamente, a variao da concentrao de buracos com o nvel de Fermi pode ser expressa pela equao
1 oglOP = 1oglON v Ev-EF =vr:
(Eq. 8.43)
A Eq. 8.43 est representada graficamente na Fig. 8.7. log P

1019 ---Nv
1018
-P2
I
1017
-
-4; I
,-
-P1
Figura 8.7 Variao do logaritmo da concentrao de buracos com o nvel de Fermi
: 2,3kT:
Por outro lado a concentrao de doadores ionizados em funo do nvel de Fermi dada pela Eq. 8.39:
N+ D -
1+ e
(Ev
EF)/kT
(Eq. 8.44
E,F'
Vamos
analisar
por
partes
a variao
de N D com
Quando
EF = ED,
N;; = ND12. Quando EF ~ ED, (ED - EF)/kT ~ O e portanto N;; ~ ND' Por
79
outro lado, quando
EF ~ ED,
e-(En-EFl/kT
1 e portanto
-(EF-Enl/kT
N+ ~
D -
ND
(En EFl/kT
- N
-
De
logloND
ogloND
ED-EF
kT
(Eq. 8.45)
A Eq. 8.45 tem a mesma forma que a Eq. 8.43, o que mostra que quando varia com EF da mesma forma que p. Os casos extremos EF ~ ED e EF ~ ED nos do as assntotas da curva que representa a variao de logloN; com EF Para obtermos alguns pontos intermedirios, podemos usar a seguinte tabela, baseada na Eq. 8.44:
EF ~ ED, N;
ED-EF
ED-EF
e-(E[)-EFl/kT
kT
N;. N D/l,33 N D/1,90 ND/2 ND/2,1 ND/4 ND/5 ND/8
1,1 kT 0,1 kT -0,1 kT -1,1 kT

-1,39 kT -1,95 kT -2,3 kT
-1,1 -0,1 +0,1 +1,10 +1,39 +1,95 +2,30
kT
0,33 0,90 1 1,10 3,00 4,00 -7,00 -9,00
= 0,75 N D = 0,53 N D = 0,50ND = 0,48 ND

=
0,25 ND
ND/lO
= 0,2ND = 0,125ND = 0,1 ND

EF.
Podemos agora traar o grfico da variao de log N; com
(Fig. 8.8).
2.3kT/
dcada
Figura 8.8 Variao de log N;
com EF. Para EF ~ ED, essa variao linear, com coe-
ficiente angular de uma dcada de variao de N; para cada 2,3 kT de variao de EF
80
Introduo
Na prtica, trs pontos na regiao intermediria so suficientes para se conseguir uma preciso razovel no traado da curva. A anlise do comportamento de N;i em funo de EF inteiramente anloga e fica a cargo do leitor (Prob. 8.9). Agora que descrevemos a variao de n,p, NZ e N;i com o nvel de Fermi, vejamos em que consiste o mtodo de Schockley, A idia traar em um mesmo grfico (Moll, 1964) as curvas de n, p, NZ e N;i em funo de EF e resolver a equao n + N;i = p + N;, procedendo da seguinte forma (Fig. 8.9): 1. Traam-se as curvas de n, p, N;i e N;; ; 2. Somam-se ponto a ponto os valores de n e N;i; 3. Somam-se ponto a ponto os valores de p e N;; 4. Determina-se o ponto de interseo das curvas log(n
log (p,n,Nb,N)
+ N~) e log(p + N;).
,p
v
N -
;<N
-NC
Ev
Ec
Figura 8,9 Ilustrao do mtodo de Schockley para a determinao de Ep. No ponto de interseo, p + N; = n + N;; A abscissa do ponto de interseo o valor de EF que satisfaz Os valores de n, p, N;; e N-;;' tambm podem ser obtidos diretamente Na prtica, entretanto, mais conveniente obter do grfico apenas se trata de uma escala linear, o erro no muito grande) e calcular n das equaes
Eq. 8.40.
do grfico. EF (como e p atravs
(Eq. 8.46)
(Eq. 8.47)
81
ou ento atravs
das equaes
p
Nve-(EF-Evl/kT,
(Eq. 8.48) (Eq. 8.49)
n2 n=---L
p
Do mesmo modo, mais conveniente

N+
D =N DI
calcular N; 1
e (ED EFl/kT
e N atravs das equaes (Eq. 8.50) (Eq. 8.51)
+
+e
N:;'
= NA 1
1
(EA EFl/kT
Com referncia
Fig. 8.8 convm notar
o seguinte:
1) A escala das ordenadas logartmica. Assim para Ep ~ Ev, P + N; ~ P; para EF ~ Ec" n + N ~ n. Na interseo da curva de p com a curva de N;, p +N; ~ 2N; (em escala logartmica). 2) A inclinao das curvas de n e p e das assntotas oblquas de N; e N; depende da temperatura.
EXERCCIOS <*)8.1.Considere um semicondutor tipo N, em equilbrio trmico, que contm uma concentrao N D de tomos doadores. Chamando de n. e P. as concentraes de portadores em maioria e minoria no material, respectivamente: a) calcule nn e Pn' supondo que todas as impurezas esto ionizadas; b) a aproximao P. = n;/N D muito usada na prtica. Para um cristal de germnio com ND = 7,5 X 1013 cm" ", calcule o erro cometido usando essa aproximao. 8.2. Calcule a localizao do nvel de Fermi intrnseco no silcio a -78C, 27C e 300C. razovel supor que o nvel de Fermi est no centro da faixa proibida? 8.3. Desenhe (em escala) o diagrama de nveis de energia para o silcio com 1016 tomos de boro por centmetro cbico. Indique as faixas de conduo e de valncia, o nvel de Fermi intrnseco e o nvel de Fermi real. 8.4. O ouro no silcio uma impureza peculiar, pois pode comportar-se tanto como doador como aceitador. Em outras palavras, o ouro introduz dois nveis na faixa proibida, um a 0,35eV da banda de valncia e outro a 0,54 eV da banda de conduo. Pergunta-se: a) Um cristal de silcio com uma certa concentrao N x de ouro tipo N ou tipo P?; b) Qual a posio do nvel de Fermi? 8.5. Quando discutimos o fenmeno da neutralidade macroscpica, consideramos apenas as impurezas mais simples. Existem impurezas, como o zinco no silcio, que podem se comportar como um aceitador simples ou como um aceitador duplo, isto , que podem capturar um ou dois eltrons. No caso de um cristal de silcio com uma concentrao NAde tomos de zinco e N D tomos de fsforo, escreva a equao de neutralidade macroscpica. <*)8.6.O zinco introduz no silcio os seguintes nveis na faixa proibida; E1, 0,35 eV acima do topo da banda de valncia; E2, 0,2 eV acima de El' Para um cristal de silcio
com 2x
1Q15
tomos/em' de As e 0,9 x W5 tomos/em" de Zn, calcule: a) a
posio do nvel de Fermi; b) a concentrao de eltrons; c) a concentrao de buracos.
82
Introduo
8.7 -, a) Explique o fenmeno da compensao de impurezas, isto , a diminuio do nmero de portadores e da condutividade de um cristal quando este contm simultaneamente impurezas tipo P e tipo N; b) Podemos verificar se um cristal intrnseco simplesmente medindo a sua condutividade? Justifique. 8.8. Calcule n, p e EF para um cristal de silcio contendo 1,1 x 1016 tomos/em? de boro e 9 x 1015 tomos/em? de fsforo a 27 "C, 8.9. Analise a variao' da concentrao de aceitadores ionizados com o nvel de Fermi. Desenhe a curva de loglo N A em funo de Ep.
REFERNCIA
MOLL, J. L., Physics of Semiconductors (New York: McGraw-Hill, 1964), p. 86.
BIBLIOGRAFIA
Blatt, F. J., Physics of Electronic Conduction in Solids (New York: McGraw Hill, 1968), Cap.8. Grove, A. S., Physics and Technology of Semiconductor Devices (New Y ork: John Wiley, 1967), Capo 4.
9 Transporte
de cargas semicondutores
nos
Neste captulo vamos estudar o movimento dos portadores de carga nos semicondutores e apresentar as leis que regem os dois processos bsicos de transporte de cargas, que so a deriva':" e a difuso. 9.1. ESTUDO DA DERIVA 9.1.1. O processo de deriva Consideremos um semicondutor tipo N com uma concentrao uniforme de doadores. Na ausncia de campo eltrico externo, os eltrons do cristal esto em movimento trmico aleatrio, interrompido por colises (Fig. 9.la).
8 18
..
.
I I I I
to
I I I 15
t, t817
I I I
t,
t, t, t, t, t2t1 to
( b)
(a)
15
Deslocamento total em t =19

(c)
Figura 9.1 Deriva de portadores. (a) Movimento trmico dos portadores na ausncia de campo eltrico externo. (b) Componente de deriva, produzida pelo campo externo. (c) Efeito combinado da deriva e da agitao trmica
fcil demonstrar que o deslocamento total do eltron, depois de um grande nmero de colises, zero, pois no h uma direo preferencial para o movimento do eltron depois de cada coliso. Se aplicarmos um campo eltrico ao cristal, o eltron ser acelerado pelo campo eltrico entre cada duas colises. Essa acelerao tem uma direo preferencial: a do campo eltrico aplicado. Assim, superposta velocidade trmica, haver uma pequena componente da velocidade devido ao efeito do campo eltrico [Fig. 9.l(b)]. Essa componente chamada de velocidade de deriva; se somarmos os efeitos da velocidade trmica aos da velocidade de deriva, teremos o movimento real do eltron sob a ao do campo eltrico [Fig. 9.1(c)]. Para termos uma idia de ordens de grandeza, a velocidade trmica dos eltrons no silcio temperatura de 27C de 105 m/s, enquanto a velocidade de deriva sob o efeito de um campo eltrico de 10 V/em de 390 m/s, muito menor, portanto. C0n10 a velocidade de deriva est sen1pre superposta a uma velocidade trmica muito maior, no faz sentido acompanharmos o movimento de um
1*)Em
ingls, drift
84
Introduo
eltron em particular; o que devemos fazer calcular o movimento mdio de muitos eltrons em um momento especfico de tempo. Suponhamos que a probabilidade de que um eltron sofra uma coliso em um intervalo de tempo dt dth; onde. uma constante de tempo. Seja no o nmero de eltrons que sofreram uma coliso no tempo to e suponhamos que desses eltrons, n no sofreram colises subseqentes no intervalo de tempo t- to; ento: dt dn = -n-, (Eq. 9.1)
n = noe-(t-tol!<.
(Eq.9.2)
De acordo com a Eq. 9.1, o nmero de eltrons que sofrem colises entre t e t + dt igual a ndt] r. Para esses eltrons, o tempo entre colises t - to. Assim o tempo mdio entre colsesv" para os no eltrons dada por <t-to> = -1
no
oo
(t-to)n~ dt =i
r
t.
. (Eq.
9.3)
to
A velocidade mdia de deriva pode ser calculada de forma semelhante. A velocidade de um eltron que sofreu a ltima coliso em to dada por qe(t - to) v = vom* ' (Eq.9.4) onde o primeiro termo representa a velocidade inicial depois da coliso e o segundo termo representa a velocidade causada pelo campo eltrico e(**l. O smbolo m* representa a massa efetiva dos eltrons no cristal. A massa efetiva uma grandeza que substitui a massa de um eltron livre (veja o Capo 6) em vrios clculos. Ela reflete o efeito da rede do cristal sobre o comportamento do eltron. Como a velocidade Vo depois da coliso no tem uma direo preferencial, a mdia de Vo para muitos eltrons zero. Para calcularmos o valor mdio de v no tempo t, entretanto, precisamos conhecer a distribuio de eltrons em funo de to. Seja w a porcentagem de eltrons que ainda no sofreram uma coliso no tempo t depois de sofrerem uma coliso em to. De acordo com a Eq. 9.2, w = ~ = e-(t-tol!<
no
(Eq.9.5)
Assim o nmero de eltrons que sofreram uma coliso no intervalo de tempo entre to e to + dto e ainda no sofreram outra coliso no tempo t dado por (Eq. 9.6)
<*)Estamos representando (**.Chamamos
E
o valor mdio de uma grandeza
pelo smbolo
<f >
a ateno do leitor para a simbologia
que estamos utilizando:
permissividade,
t:
= campo eltrico,
neperianos
E = energia, e = base dos logaritmos
Transporte
de cargas nos semicondutores
85
Nesse caso, a velocidade mdia de deriva dos eltrons ser:

<v>
= ---*
q8 nom
fI
_
a)
now(t-to)~
dt
7:
-*7:
q8 m
-f1.8.
(Eq. 9.7)
A constante f1. = qilm" definida como a mobilidade dos eltrons e ser estudada na Seco9.1.3. Naturalmente, a velocidade mdia de deriva independente do tempo. O sinal negativo da Eq. 9.7 indica que a velocidade de deriva dos eltrons tem o sentido contrrio ao do campo eltrico C. De acordo com a Eq. 9.7, a densidade de corrente de deriva dos eltrons dada por (Eq. 9.8) No caso de buracos, a equao correspondente Eq, 9.7 ser (Eq. 9.9) onde o segundo membro positivo, porque a velocidade de deriva dos buracos tem o mesmo sentido que o campo eltrico. Assim, a densidade de corrente de deriva dos buracos dada por
Jp
= tn-:v,> =
pqf1.pc.
(Eq.9.10)
Quando a corrente de deriva consiste em eltrons e buracos, podemos combinar as Eqs. 9.8 e 9.10, obtendo
Jc = J"
+ Jp
= q(nf1.n
+ pf1.pk
(Eq.9.11)
9.1.2. Resistividade de um sernicondutor
Considere um bloco de um material qualquer de seo reta A e comprimento I, ao qual aplicada uma tenso V, produzindo uma corrente I (Fig. 9.2).
I_
Figura 9.2 Definio de resistividade I
~I
~----- ~J
RI ~
I+
Por definio, a densidade de corrente J dada por
J=_. A
-I
(*)A equao J = qnv uma equao bsica que relaciona a densidade de corrente (J), em qualquer material, velocidade dos portadores de carga nesse material (v), densidade de portadores (11) e carga de cada portador (q)
86
Por outro lado chamando de p a resistividade do material, a resistncia entre as duas sees transversais ser
I R=p-' A
Assim, temos
1
v V 1 =-=-=--v,
R pilA
ou
p I
A=p'T'
porm, Il A = J e VII seqentemente,
= e, onde e o campo eltrico no interior do bloco. ConJ = -'
= ae,
(Eq. 9.12)
onde a = IIp a condutividade do material. Comparando essa expresso com a Eq. 9.11, verificamos que em um semicondutor (Eq. 9.13)
(Eq. 9.14)
De acordo com a Eq. 9.14, a resistividade dos semicondutores varia inversamente com a mobilidade e com a concentrao de portadores. Assim, a uma dada temperatura, a resistividade depende apenas da concentrao de impurezas (doadoras ou aceitadoras) do material. Na prtica, a variao da resistividade com a concentrao de impurezas s obedece a uma equao simples para baixas concentraes de impurezas, caso em que a mobilidade dos eltrons e buracos praticamente constante; para concentraes elevadas, tanto a mobilidade como a concentrao dos portadores dependem da concentrao de impurezas (veja 9.1.3). A Fig. 9.3 mostra a variao da resistividade do silcio com a concentrao de impurezas para cristais tipo P e tipo N. A mobilidade dos portadores se mantm constante at a concentrao de impurezas atingir valores da ordem de 1016 tomos/em", 9.1.3. Mobilidade dos portadores em um semicondutor A mobilidade dos portadores de carga em um cristal depende das interaes desses portadores com os tomos da rede cristalina, com os tomos de impurezas, com defeitos da rede, com outros portadores, etc. Todas essas interaes so conhecidas pelo nome genrico de mecanismos de espalhamento iscatterinq
mecnanismss ,
No caso dos semicondutores usados na prtica, que esto relativamente livres de defeitos e cuja densidade de portadores no muito grande, os me-
Transporte de cargas nos semicondutores

1028
6
4
87
'\
f\
101a
6
(J
""r-.
P
N
~
I
~ ::t: .2w O
6
4 2
r-,
i'.
10-~
6
4
r-,
<;
Cl
s
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C/)
r-,
t-,
10':2
6 4 2
8
u;
w
I'..
a::
1'-...'
16~
6 4
10-4
'"
2 468
1d4
10
2468 15
2468
10
16
1d
2468 7
10
2468 18
10
2468 19
10
20
2468
10
21
CONCENTRAO
DE IMPUREZAS (CM-3)
Figura 9.3 Resistividade do silcio a 300 K em funo da concentrao de impurezas. [Irvin, J. c., "Resistivity of Bulk Silicon and of Diffused Layers in Silicon", Reli Syst.
Tech. J. 41, 387 (1962). Reproduzido legraph Company.] com a permisso da American Telephone and Te-
canismos de espalhamento mais importantes so o espalhamento pela rede (lattice scattering) e o espalhamento por impurezas ionizadas (ionized impurity scattering) (Fan, 1955). O espalhamento pela rede resulta da interao entre os portadores e os tomos que constituem a rede cristalina. Como vimos no Capo 6, os tomos da rede cristalina no esto imveis, mas oscilam em relao posio de equilbrio. A amplitude dessas oscilaes diretamente proporcional temperatura do cristal. fcil ver portanto que o tempo mdio entre colises dos portadores com a rede, 't'R' deve ser inversamente proporcional temperatura. Por analogia com a Eq. 9.7, podemos definir uma constante flR atravs da equao. (Eq. 9.15) onde f.1R a contribuio do espalhamento pela rede para a mobilidade total, o tempo mdio entre colises com a rede e m* a massa efetiva do portador considerado. Outro mecanismo importante de espalhamento, principalmente em baixas temperaturas, ou para grandes concentraes de impurezas, o espalhamento por impurezas ionizadas. Esse tipo de espalhamento se deve ao fato de que tanto os portadores como os tomos ionizados das impurezas possuem cargas eltricas. Ao passar pelas proximidades de um tomo ionizado, o portador sofre um desvio em sua trajetria, devido interao entre o campo eltrico
'R
88
Introduo
do tomo ionizado e a carga do portador. Naturalmente, quanto maior a velocidade do portador, menor a deflexo sofrida; assim, o espalhamento por impurezas ionizadas mais importante em baixas temperaturas, que implicam em uma menor velocidade trmica dos portadores. Como no caso do espalhamento pela rede, podemos associar ao espalhamento por impurezas ionizadas uma constante de tempo, "I' o tempo mdio entre colises dos portadores com os tomos das impurezas ionizadas, Podemos definir tambm uma constante, 11r, atravs da equao:
l1r = q"I *' m (Eq. 9.16)
ondeu, a contribuio do espalhamento por impurezas ionizadas para a mobilidade total. Naturalmente, "I e J.lI so inversamente proporcionais concentrao de impurezas ionizadas. Os outros mecanismos de espalhamento s so importantes em circunstncias especiais. O espalhamento eltron-eltron, o espalhamento buraco-buraco e o espalhamento eltron-buraco, caracterizados por diferentes tempos mdios entre colises, "e-e' "h-h e "e-h' resultam da interao direta de portadores e s so importantes quando a densidade de portadores muito elevada. O espalhamento por impurezas neutras (neutral impurity scattering), caracterizado por um tempo entre colises "N' resulta da interao de portadores com impurezas neutras e s importante em temperaturas muito baixas, quando nem todos os tomos das impurezas esto ionizados. Se supusermos que Os mecanismos de espalhamento que ocorrem no material so independentes entre si (o que nem sempre verdade), a mobilidade total dos portadores pode ser calculada a partir das mobilidades parciais atravs de uma equao bastante simples. Com efeito,basta observar que se" 1, "2' "3' ... so os tempos mdios entre colises para os diversos mecanismos de espalhamento, ento 1/" i > 1/"2' l/r 3 ' . .. representam os nmeros mdios de colises por unidade de tempo para os referidos mecanismos. Assim, supondo que os mecanismos so independentes, o nmero mdio total de colises por unidade de tempo dado por
(Eq. 9.17)
Ora, como por definio J.l = q,,/m*,
J.ll
= q't1/m*, J.lz
= q"z/m*,
... , temos
- =-
1 J.l
1 J.ll
1 ++ J.l3 -1 + ... J.lz
(Eq. 9.18)
onde J.l a mobilidade total e J.ll ' J.l2 ' J.l3' ... so as contribuies para a mobilidade total dos diversos mecanismos de espalhamento. Quando os mecanismos de espalhamento considerados so apenas o espalhamento pela rede e o espalhamento por impurezas ionizadas, a Eq. 9.18 se reduz a uma expresso muito usada na prtica
-=-+-' It It R ItI
(Eq.9.19)
A mobilidade que aparece na tabela de constantes no incio deste livro a mobilidade do material intrnseco temperatura ambiente e corresponde
Transporte
de cargas nos semicondutores
89
praticamente mobilidade resultante do espalhamento pela rede. Entretanto, esse valor tambm usado na prtica para materiais tipo P e tipo N, desde que a concentrao de impurezas no seja muito grande. Finalmente, completando nosso estudo da mobilidade, vamos discutir a influncia do campo eltrico sobre a mobilidade dos portadores. Voltemos equao bsica que relaciona a velocidade de deriva dos portadores, v, ao campo eltrico aplicado, 8: . v
= /1,13.
(Eq. 9.20)
Se f1 no dependesse do campo eltrico, o grfico de v em funo de 8 seria uma linha reta de coeficiente angular igual a u. A Fig. 9.4 mostra o que acontece na prtica medida que o campo eltrico aumenta.
Vmax - - - ---
8
CIO
- - -~=-=~---Eltrons Buracos
'" ~
'" '
;li:
6 4 2
Q2
Q4
Q6
0,8
1 E (V/em)
1,2
1.4
1.6
1,8
2 x 104
Figura 9.4 Variao da velocidade de deriva com o campo eltrico no silcio (Ryder, 1953)
Para campos eltricos fracos, a velocidade aumenta linearmente com o campo; para campos eltricos intensos, a velocidade dos portadores passa a aumentar mais lentamente, tendendo para um valor constante. Esse fenmeno, que chamado de efeito dos eltrons quentes, se deve ao fato de que os portadores no se mantm em equilbrio trmico com a rede cristalina quando sua energia cintica muito grande (Ryder, 1953). 9.2. ESTUDO DA DIFUSO 9.2.1. O processo de difuso Ao calcularmos a densidade de corrente de deriva, Eq. 9.11, no levamos em conta a variao espacial das concentraes de portadores, n e p. Se n e p variarem ao longo do cristal, haver uma outra contribuio para a corrente que ser somada corrente de deriva. Consideremos o movimento trmico de partculas no espao unidimensional
da Fig. 9.5, onde
VI
a velocidade trmica das partculas e I o caminho livre
mdio, definido por 1 = Vtr. (r = tempo mdio entre colises). O nmero de partculas que atravessam a linha A da esquerda para a direita por unidade de tempo e por unidade de rea igual a nz v/2, enquanto o n-
90
A
Figura 9.5 Processo de difuso
mero correspondente da direita para a esquerda n1 v/2, onde n2 e n1 so as concentraes de partculas esquerda e direita de linha A, respectivamente. O fluxo total de partculas por unidade de tempo e por unidade de rea dado por S
VI
n2;
n1
(Eq. 9.21) igualou menor que o diferena n2 - nl deve e n2 = no - (njx)l, em srie de Taylor.
Como apenas as partculas que esto a uma distncia caminho livre mdio da linha A conseguem atravess-Ia, a ser calculada a essa distncia. Assim, nj = no + (njx)l tomando apenas os primeiros dois termos da expanso Substituindo na Eq. 9.21, obtemos S
= -v, x l.
(Eq. 9.22) dessas partculas
Se as partculas possuem carga eltrica, o movimento constitui uma corrente, cuja densidade dada por n qk'T dn dn Jd = -qS = qv,l x = dx = qD x'
rn*
(Eq.9.23)
onde, por definio, I = vt T, m*v: = kT. No caso tridimen sion ai, a Eq. 9.23 fornece a componente x da corrente de difuso se substituirmos Vt pela componente x da velocidade, vtx' A corrente J definida pela Eq. 9.23 chamada de corrente de difuso. A constante D chamada de coeficiente de difuso. Repare que de acordo com as Eqs. 9.7 e 9.23 existe uma relao entre D e Jl: D = kTlljq. Essa relao chamada de relao de Einstein.
9.3. SUPERPOSIO
DOS PROCESSOS
DE DERIVA
E DIFUSO
De acordo com as Eqs. 9.11 e 9.23, a densidade total da corrente de eltrons ao longo do eixo dos x em um semicondutor dada por (Eq.9.24)
Transporte de cargas nos semicondutores
91
onde o primeiro termo representa a corrente de difuso e o segundo a corrente de deriva. Do mesmo modo, a corrente de buracos dada por
Jpx EXERCCIOS
9.1. Sugira um mtodo para medir a condutividade de um semicondutor. 9.2. Descreva dois mtodos para verificar experimentalmente se um semicondutor tipo P ou tipo N. 9.3. Calcule a resistividade de um cristal de silcio com 1,4 x 10'6 tomos de fsforo por cm ' e 1,0 x 10'6 tomos de boro por em", temperatura de 27 "C, (*'9.4. Uma pequena concentrao de portadores em minoria injetada em um ponto de um cristal semicondutor homogneo. Um campo eltrico de 10 Vjcm aplicado ao cristal; esse campo faz com que os portadores injetados percorram uma distncia de 1 em em 250 JlS. Calcule a velocidade de deriva e o coeficiente de difuso dos portadores em minoria. 9.5. Em um cristal semicondutor, os eltrons tm uma mobilidade de 500 cm2jV' s. Calcule o tempo mdio entre colises. Para um campo eltrico de 100 Vjcm, calcule tambm a distncia mdia percorrida pelos eltrons entre duas colises sucessivas. Nesses clculos, use m* = m, onde m a massa do eltron livre. (*19.6. A resistncia: de um cristal de germnio tipo P (figura a seguir), entre os planos A e B, igual a 100 Q a 300 K. Calcule a concentrao de eltrons e buracos na amostra. Dados:
0
-qDp
ax
ap
+ qpPpsx'
(Eq.9.25)
para o gerrnamo a 27C,

Jlp
l1i
= 2,4
2
10'3 em ~ 3;
= 1900cm jV-s;
Jln
= 3900cm jV-s.
9.7. Considere um bloco retangular de GaAs de dimenses 1 mm x 1 mm (seo) e comprimento I = 1 em, ao qual aplicada uma tenso de 100 V no sentido do comprimento do bloco. Sabendo que o material possui 1015 eltrons/em" e que
a mobilidade dos eltrons de 8 x 103 cnr' IV . s, calcule a corrente que circula

no material. <*)9.8. Considere um semicondutor intrnseco. Raciocinando qualitativamente, podemos dizer que a condutividade do material deve aumentar com a temperatura, j que
92
. Introduo
medida que a temperatura aumenta o nmero de ligaes covalentes que so rompidas tambm aumenta. Prove matematicamente que isso verdade, isto , que dald'T maior que zero para qualquer temperatura. <*)9.9. Mostre que a velocidade mdia dos eltrons em um semicondutor submetido a um campo eltrico alternado da forma E = Re [Eoeia,,] dada por
<v >
= Re
r-~ L
m*
1+
T iWT
F. eiWI ]
REFERNCIAS
FAN, H. Y., "Valence Semiconductors, Germanium and Silicon", em F. Seitz e D. Turnbull (eds.), Solid State Physics, Vol. 1 (New York: Academic Press, 1955). RYDER, E. J., "Mobility of Holes and Electrons in High Electric Fields", Phys. Rev.90,
766 (1953).
BIBLIOGRAFIA
Conwell, E. M., High Field Effects in Semiconductors (New York: Academic Press, 1967). Paige, E. G. S., The Electrical Conductivity of Germanium, em Progr. Semiconductors, VaI. 8 (1964).
1 O Junes PN
Vamos agora aplicar os conhecimentos desenvolvidos nos captulos anteriores ao estudo de um dispositivo semicondutor muito usado na prtica: a juno PN, cuja estrutura est representada de forma esquemtica na Fig. 10.l. Como est indicado na figura, uma juno PN um bloco de material semicondutor que consiste em duas regies distintas, uma tipo P e outra do tipo N.
Figura 10.1 Representao esquemtica de uma juno P-N
10.1. JUNO PN EM EQUILBRIO Suponhamos, apenas para efeito de discusso, que acabamos de formar uma juno PN, simplesmente "justapondo" um bloco de material tipo P em um bloco de material tipo N. claro que existem mais eltrons do lado N e mais buracos do lado P; assim, existe uma regio em que nlx e plx so diferentes de zero. Surge naturalmente a pergunta: haver corrente, mesmo na ausncia de campo eltrico externo? A resposta sim, mas por tempo limitado. Se os eltrons e buracos no tivessem carga eltrica, as correntes de difuso continuariam at que as distribuies de eltrons e buracos fossem uniformes em todo o cristal. Mas como os eltrons e buracos possuem cargas eltricas e os cristais contm os tomos ionizados das impurezas, a situao bem diferente. medida que, em conseqncia das correntes de difuso, os eltrons do lado N passam para o lado P e os buracos do lado P passam para o lado N, este vai se tornando mais positivo devido presena de doadores ionizados, e o lado P vai se tornando mais negativo devido presena de aceitadores ionizados. Assim, criado um campo eltrico nas proximidades da juno, como vemos na Fig. 10.2. Esse campo eltrico tem um sentido tal que tende a manter os buracos no lado P da juno e os eltrons no lado N. Assim, depois que um certo nmero de eltrons e buracos atravessa a juno, criado um campo eltrico que interrompe o movimento de portadores. .
Neoe00o eO eO eO
Figura 10.2 Distribuio de cargas
no interior de uma juno
0 0 0 0
'e
p
P-N em
N~+o~+.
~\;!;Ie
equilibrio
0e0
-,",,-
I-e
'00

eee
94
assim que se atinge o equilbrio, no qual a corrente total zero; as correntes de difuso dos eltrons e buracos so equilibradas exatamente pelas correntes de deriva devido ao campo eltrico interno. Vamos agora traduzir essa afirmao em termos matemticos. De acordo com a Eq. 9.25, a corrente de buracos dada por Jp
-qDpox
op
+ qJ.1pPf..
de buracos
[Eq.9.25J por seu valor [Eq. 8.29J
Substituindo nessa expresso a concentrao em termos do nvel de Fermi intrnseco (Eq. 8.29) P = ni elE, - EF)/kT e sua derivada
dp _ P [dEi dEp] dx - k T dx - dx '

temos
(Eq. 10.1)
(Eq. 10.2) Sabemos da eletrosttica que, em uma dimenso, 1 oE

f.
= --,
q ox
(Eq.1O.3)
onde e o campo eltrico, E a energia potencial da partcula considerada e q a carga dessa partcula. Como vimos nos captulos anteriores, a energia potencial do eltron representada pela energia na borda da faixa de conduo, Ec' e a energia de um buraco representada pela energia na borda da faixa de valncia, Ev' Entretanto como estamos interessados apenas na derivada da energia potencial, podemos usar qualquer nvel de energia que seja paralelo s faixas de conduo e de valncia. Em particular, podemos escolher o nvel de Fermi intrnseco e escrever 1 .u: e = - -' . (Eq. 10.4) q dx Substituindo obtemos a Eq. 10.4 em 10.2 e usando a relao de Einstein J.1p = qD )kT,
Jp
= q kTP dx =
Dp
dEp
J.1pP
dEF dx .
(Eq. 10.5)
Assim, para que a corrente total de buracos seja zero preciso que o nvel de Fermi no varie ao passarmos de um lado para outro da juno. Se aplicarmos o mesmo tratamento matemtico corrente de eltrons, obteremos a expresso (Eq. 10.6) e portanto para que a corrente total de eltrons seja zero o nvel de Fermi tambm deve ser constante. Assim, em umajuno PN em equilbrio o nvel de Fermi constante ao longo de todo o cristal.
Junes PN
95
Para calcularmos as caractersticas da regio de carga espacial que formada nas proximidades da juno, vamos supor que ela consiste inteiramente nas cargas dos aceitadores e doadores ionizados. Isso equivale a dizer que a regio de carga espacial est totalmente desprovida de portadores, ou melhor, que as concentraes de portadores n e p so desprezveis em comparao com a concentrao de impurezas na regio de carga espacial. Na Fig. 10.3(a) vemos a distribuio de cargas em uma juno PN em funo da distncia, para o caso em que a concentrao de impurezas nas regies p e n uniforme. ~
qNo
I--W--1
I
rxn+-xp-l
c
Cmax
I
18 x
(a)
qNA
( bl
x
Ec Ei EF Ev
Figura 10.3 Distribuio de cargas, campo

eltrico e nveis de energia em uma juno
-?
( c)
0-
abrupta
Uma juno desse tipo chamada de juno abrupta. As densidades de carga nos lados N e P da juno so dadas por qND e -qN A' respectivamente. As larguras das duas partes da regio de carga espacial so xn e xp e a largura total (XII + xp) chamada de W A distribuio de campo eltrico, obtida por integrao da distribuio de carga, est representada na Fig. lO.3(b).Integrando a distribuio de campo eltrico, obtemos a energia E, dos eltrons em funo da distncia [Fig, 10.3(c)].Naturalmente, de acordo com a Eq. 10.4, as bordas das faixas de conduo e de valncia acompanham as variaes do nvel de Fermi intrnseco s; Vamos agora calcular a curvatura das faixas de energia, isto , a variao
da energia quando passamos do lado P para o lado N. Examinando a Fig. lO.3(c),
vemos que, como o nvel de Fermi constante, a variao de energia a soma de duas parcelas, EFp e EFII' que so definidas do seguinte modo: (Eq. 10.7) Para calcularmos os valores de EFp e EFn, vamos supor que na regio P neutra, isto , fora da regio de carga espacial, p :::::: NA' enquanto que na regio N neutra, n :::::: N D' Nesse caso, as Eqs. 8.28 e 8.29 fornecem . EFP
E
r
= -kTln n;;
=
(Eq. 10.8)
(Eq. 10.9)
N -kTln---12
.
i
Epp
A variao total de energia

ET
ET
em equilbrio ser a soma de
EFn:
= EFP
+ EFII
(Eq. 10.10)
96
Como sabemos da eletrosttica, por o potencial
= - ~,
Introduo
eltrico de um eltron dado
(Eq. 10.11) q onde E a energia do eltron e q a sua carga. Assim, a variao total do potencial eltrico cp atravs de uma juno PN em equilbrio dada por .
,
cp
= _ ET =
q
'l'B
kT ln NAND. q. n~
(Eq.l0.12)
O potencial cpB chamado de potencial de difuso da juno PN. Como o campo eltrico nas regies neutras do semicondutor deve ser zero, as cargas totais dos dois lados da juno devem ser iguais e opostas, isto , NDxn O campo eltrico mximo
= NAx
P'
(Eq. 10.13)
da juno
dado por qNAx (Eq. 10.14)
e max
onde
= -- DE
qN x
lI
= --, E p
E a permissividade do materialv". A variao total de potencial eltrico dada pela rea sob a curva da Fig. W.3(b), ou seja 1 cpT = TBmax W (Eq. 10.15)
Combinando as Eqs. 10.13, 10.14 e 10.15 e lembrando que xn + xp = W, vemos que nesse caso a largura da regio de carga espacial dada por
W
J 2E
q
p.
NA + N D cpT NAND trmico,
(Eq. 10.16)
onde, em equilbrio, cpT = cpB' Voltando Eq. 9.25, vemos que em equilbrio Jp = 0, temos
qp. pe
=
ou seja, quando (Eg. 10.17)
qD p x
8p
ou, usando
a relao de Einstein flp
= D /kT,
o
!Edx = dp (Eq. 10.18) kT p Integrando a Eq, 10.18 de A a B [Figo W.3(a)], j que no resto do cristal o campo eltrico zero, temos
BdJ!. = ..!L fB edx

P
kT
A
-'
o
(Eq. 10.19)
1 p(B) _ qcpT n p(A) - kT '
(Eq. 10.20) (Eq. 10.21)
Ppo
!*INovamente lembramos que
E
r;
eqtPTlkT,
= permissividade,
= campo eltrico
Junes PN
97
onde
Ppo
e Pno so as concentraes de buracos em equilbrio trmico nas regies npo = e -q<l>TlkT, ; (Eq. 10.22)
P
P e N, respectivamente. Para os eltrons, a relao equivalente a Eq. 10.21 ser
onde npo e
nno
so as concentraes de eltrons nas regies
10.2. JUNO POLARIZADA 10.2.1. Polarizao direta e polarizao inversa Quando aplicamos juno PN uma tenso J-; tal que o lado N fique positivo em relao ao lado P, a variao total de potencial eltrico atravs da juno aumenta de J-;. Assim, ifJT = ifJB + ~. (Eq. 10.23) Em conseqncia, a largura da regio de carga espacial aumenta. Essa situao est ilustrada na Fig. 10.4. Nessas condies, dizemos que a juno est polarizada inversamente.
I.
I W Xp---, I
'1
I
E
Cmax
t--Xn---l--xp~
-1-I
1
1
L- Xn-+---qNo1---1----1
1 I ( b)
1 I x
:
qNA-- - -
....L..
(a)
--I'
Figura 10.4 Distribuio de carga, campo eltrico e nveisde energia em uma juno P N polarizada inversamente Substituindo a Eq. 10.23 na Eq. 10.16, podemos calcular a largura da regio de carga espacial em funo da tenso li aplicada. Quando a juno polarizada diretamente, isto , quando aplicamos uma tenso VD tal que o lado N fique negativo em relao ao lado P, a variao total de potencial eltrico diminui e portanto a largura da regio de carga espacial tende a diminuir. Entretanto como veremos mais tarde, em uma juno polarizada diretamente a corrente muito grande - imensamente maior do que no caso da polarizao inversa. Assim a concentrao de portadores na regio de carga espacial se torna considervel e portanto a aproximao de que a carga espacial se deve apenas aos doadores e aceitadores ionizados, usada para deduzir a Eq. 10.16, perde sua validade.
10.2.2. Juno polarizada inversaD1ente
Em condies de equilbrio, pares eltron-buraco so gerados constantemente no cristal. Na ausncia de campo eltrico externo, os pares eltron:
98
Introduo
-buraco se recombinam e a corrente total zero. Entretanto quando aplicamos uma tenso positiva regio N da juno PN, como na Fig. 10.4, os pares, uma vez formados, so imediatamente separados e sua probabilidade de recombinao diminui. Esse o mecanismo bsico que d origem corrente nas junes PN polarizadas inversamente. Todas as correntes em uma juno polarizada inversamente so devidas a pares eltron-buraco gerados no semicondutor. Esses pares podem ser gerados em duas regies distintas do cristal: a regio de carga espacial e as regies neutras P e N longe da juno (Fig. 10.5).
-wN p
+ VI
Figura 10.5 Juno PN polarizada inversamente, np(O)
Pn(O)
A corrente que resulta da gerao de pares eltron-buraco na regio de carga espacial chamada de corrente de gerao. A corrente que resulta de pares criados nas regies neutras chamada de corrente de difuso. A principal diferena entre essas correntes que enquanto os pares gerados na regio de carga espacial esto submetidos a um campo eltrico e se movem principalmente por deriva, os pares gerados nas regies neutras no sofrem a ao de campo eltrico algum e portanto podem mover-se apenas por difuso. Demonstra-se que a densidade de corrente de gerao dada aproximadamente por . J ger
= ~q-'!i w
2
T '
(Eq.
10.24)
onde n, a concentrao intrnseca de portadores do material, r o tempo mdio de vida dos portadores (tempo que os portadores levam para se recombinarem, depois que so gerados) e W a largura da regio de carga espacial. A corrente de gerao proporcional intensidade da tenso aplicada: quanto maior a tenso, maior a largura da regio de carga espacial, W, e portanto maior o nmero de pares produzidos nesta regio. Esta corrente tambm aumenta com a temperatura, pois ni aumenta com a temperatura. A densidade de corrente de difuso dada aproximadamente por (Eq. 10.25) onde npo e Pno so as densidades de portadores em minoria longe da regio de carga espacial e n/O) e Pn(O) so as densidades de portadores em minoria na fronteira entre a regio neutra e a regio de carga espacial (Fig. 10.5).
Junes PN
99
Quando pares eltron-buraco so gerados na regio N neutra, os buracos que chegam regio de carga espacial so levados imediatamente para a regio P pelo campo eltrico que.existe na regio de carga espacial. Do mesmo modo, os eltrons da regio P neutra que chegam regio de carga espacial so logo carregados para a regio N. Assim, para uma juno polarizada inversamente,
niO)
= Pn(O) = O.
(Eq. 10.26)
E a Eq. 10.25 se reduz a

J dif
= qnpo'./
!Dn
-:t + qPno'./
!li;
--:-'
(Eq. 10.27)
onde npo e Pno so as densidades de portadores em minoria. Para avaliarmos a importncia relativa dessas duas correntes, vamos calcular a relao entre elas. De acordo com as Eqs. 10.24 e 10.27, temos
Jdif -=2 Jger
: + v: __ ~
, W
Como nponno =PnoPpo = n; e tomando nno ~ NA,ppo ~ ND,

Jdif J ger
temos (Eq. 10.28)
= 2n.(NA
I
+ ND).JD,;. NA' N D W
Essa relao portanto diretamente proporcional concentrao intrnseca de portadores, n., Assim medida que a temperatura aumenta, a corrente de difuso se torna mais importante. A corrente total em uma juno PN polarizada inversamente, que chamada de corrente inversa, dada por 1[ = A(Jger onde A a rea da juno.
10.2.3. Juno polarizada diretamente
+ Jdif),
(Eq. 10.29)
Quando polarizamos diretamente uma juno PN, como na Fig. 10.6, a variao total de potencial eltrico, <PT, diminui. Em equilbrio, a condio de corrente zero era estabelecida por uma compensao exata entre as correntes de deriva e difuso de cada portador. Como em uma juno polarizada diretamente a variao de potencial eltrico e portanto o campo eltrico na regio de carga espacial menor do que em equilbrio, a corrente de deriva dos portadores diminui e o equilbrio entre as correntes de deriva e as correntes de difuso rompido, o que torna a corrente total diferente de zero. importante observar que embora a diferena de potencial entre os dois lados da juno seja menor do que em equilbrio, no desaparece totalmente. Em conseqncia, o campo eltrico na regio de carga espacial ainda se ope a que os eltrons no lado N e os buracos do lado P atravessem a juno. Assim,a corrente ser contra o sentido do campo eltrico. Isso possvel graas aos enormes gradientes de concentrao njx e p/x que existem perto da juno. Outro modo de encarar o fenmeno o seguinte: quando aplicamos um potencial negativo ao lado N e um potencial positivo ao lado P da juno, os
100
Introduo
J
0a-vo
_- - - ---'./
EVN
ECN
:~p
Evp
Figura 10.6 Nveis de energia em uma juno PN polarizada diretamente
buracos da regio P so "empurrados" em direo ao lado N e os eltrons da regio N so "empurrados" em direo ao lado P. Os buracos e eltrons se encontram nas proximidades da juno, onde se recombinam em grandes quantidades. .
primeira vista, pareceria que em pouco tempo no haveria mais portadores no interior do cristal. Entretanto a fonte de tenso externa est constantemente injetando eltrons na regio N e buracos na regio P. Assim, os eltrons e buracos que se recombinam so imediatamente substitudos por outros. Esse movimento de portadores constitui uma corrente. De acordo com essa segunda interpretao, a corrente direta resulta da recombinao de pares eltron-buraco, do mesmo modo que a corrente inversa, examinada no pargrafo anterior, resultava da gerao de pares eltron-buraco no cristal. . Como no caso da corrente inversa, podemos dividir a corrente em duas componentes. A corrente que resulta da recombinao de pares eltron-buraco na regio de carga espacial chamada de corrente de recombinao; a corrente que resulta de recombinao nas regies neutras P e N chamada de corrente de difuso.
Demonstra-se que a densidade de corrente de recombinao dada aproximadamente por

_~ J rec '" 2
q!!.L 't'
u'eQVn/2kT
YY/ ,
(Eq. 10.30)
onde VD a tenso aplicada. A corrente de recombinao varia exponencialmente com a tenso aplicada. A densidade de corrente de difuso dada pela mesma expresso que a usada para o caso da polarizao inversa, Eq. 10.25. Entretanto, no caso da polarizao direta, as concentraes dos portadores em minoria na fronteira entre a regio neutra e a regio de carga espacial, n/O) e Pn(O), so diferentes de zero (Fig. 10.7).
-wN
.... ...... ....

Pno
f:=o
-o Pn(o)
f:=o
"piO)
-o -o -o ~
"pO
Figura 10.7 Juno PN polarizada
diretamente,
'pn(O), np(O) 'f- O
Junes PN
101
Vamos calcular esses dois valores. Em primeiro lugar, evidente que a diferena entre o nvel de conduo do lado P e o nvel de conduo do lado N, Ecp - Ectl' que era igual a 4>B em equilbrio, passa a ser igual a (4)B - VD) quando polarizamos diretamente a juno (Fig. 10.6).Se supusermos que uma equao semelhante Eq. 10.22 ainda vlida, a concentrao de eltrons em minoria do lado P ser dada por
n
p
(O)
n e-q(</>B-VD)/kT
n
n
po
ci>B/kT e-q(ci>B-VD)/kT
n
po'
eqVD/kT
(Eq. 10.31)
N
Do mesmo modo, a concentrao de buracos do lado

Pn(O)
ser dada por (Eq. 10.32)
PnoeqVD/kT.
Substituindo as Eqs. 10.31 e 10.32 em 10.25, temos

Jdif
= -[
qnpo~
+ qPno~J
[eqVDlkT
-1].
(Eq. 10.33)
Como no caso da polarizao inversa, vamos calcular a relao entre as duas correntes. De acordo com as Eqs. 10.30 e 10.33 temos
Jdif
Jrec
_ =
2 npo
+ Pno.
.
Dn r [VDlkT
-1J
W
+ND)JDnr[eQVD/kT_1J. N W VD/2kT
A D .
- Zn,
(NA N
(Eq. 10.34)
No caso da polarizao direta, o fator mais importante da Eq. 10.34 o fator exponencial. Em geral, para pequenos valores de tenso aplicada, a corrente de recombinao a mais importante. medida que VD aumenta, a influncia da corrente de difuso se torna cada vez maior. . A corrente total em uma juno PN polarizada diretamente, que chamada de corrente direta, dada por .
ID
= A(Jec
+ Jdif),
(Eq. 10.35)
onde A a rea da juno.

10.3. EQUAO DO DIODO IDEAL
Vamos agora calcular a relao entre a corrente direta e a corrente inversa. De acordo com as Eqs. 10.24, 10.27, 10.29, 10030, 10034e 10.35, temos
~ ~
T
WeQVD/2kT
!D,. + P fIi;)
~"j ~
~
(eqvDlkT
1)
1
1
/;
I~
-"j ~ 2 ~ W + ; -:;+ Pno

1 n;
Se supusermos que tanto a corrente direta como a corrente inversa so dominadas pelas correntes de difuso, teremos
.\~r \
VD kT / -
1; (Eq. 10.36)
ID = Is(eqVDlkT
-1),
102
onde
ls
= -1[ = -
npo~
it; --t + Pno ~ ~) -:
A.
A relao entre corrente e tenso dada pela Eq. 10.36 chamada de equao do diodo ideal e est representada graficamente na Fig. 10.8. Para tenses inversas r; ~ kTjq, a corrente tende para o valor constante II = -1s' A corrente ls chamada de corrente inversa de saturao. Para tenses diretas Vn ~ kTjq, a corrente aumenta exponencialmente: 1 D ~ l, eqV"jkT.
1D rs-
Figura 10.8 Curva caracterstica diodo ideal (Eq. 10.36)
do
qVI
Is
+5
qVD
I<T
kT
10.4. CAPACITNCIA
DE UMA JUNO
PN
A capacitncia dinmica por unidade de rea de um material qualquer de seo reta uniforme definida por
(Eq. 10.37) onde dQ a variao incremental de carga por unidade de rea e dV a variao incremental de tenso aplicada. . No caso de uma juno PN, uma variao na tenso aplicada faz variar a carga espacial e portanto a juno PN possui uma capacitncia diferente de zero. Para calcularmos o valor desta capacitncia, suponhamos que a carga espacial total de um dos lados da juno Q (do outro lado da juno, naturalmente, a carga ser -Q). Nesse caso, quando aumentamos a tenso aplicada juno de uma quantidade dV, a carga aumenta de dQ. De acordo com a Equao de Poisson, a variao de campo eltrico dada por de=-,
E
dQ
(Eq. 10.38)
onde
a permissividade do material.
Junes PN
103
Por outro lado, a variao dV da tenso aplicada dada por

dV
= Wde,
(Eq. 10.39)
onde W a largura da regio de carga espacial. Combinando as Eqs. 10.37, 10.38 e 10.39 obtemos
c=~
(Eq. 10.40)
A Eq. 10.40 vlida para qualquer distribuio de impurezas. Como exemplo, vamos calcular a capacitncia de uma juno abrupta. De acordo com a Eq. 10.16, a largura da regio de carga espacial de uma juno abrupta dada por [Eq. 10.16J Combinando a Eq. 10.16 com a Eq. 10.40, obtemos
c=
(Eq. 10.41)
onde V a tenso externa aplicada juno. Repare que V positivo quando a polarizao inversa e negativo quando a polarizao direta. A Eq. 10.41 mostra um fato muito importante: a capacitncia de uma juno PN depende da tenso externa aplicada. Embora esse fato tenha sido demonstrado apenas para a juno abrupta, ocorre tambm em outros tipos de juno. Esse fenmeno utilizado em uma classe de dispositivos semicondutores, os chamados oaractores, que so usados como capacitores variveis. Os varactores no passam de junes PN cuja capacitncia controlada por uma tenso externa.
10.5. RUPTURA DE UMA JUNO PN
Como vimos, a juno PN apresenta uma baixa resistncia quando polarizada diretamente e uma resistncia elevada quando polarizada inversamente. Entretanto todas as junes PN tambm apresentam uma baixa resis-' tncia quando so polarizadas inversamente com uma tenso suficientemente elevada. Esse fenmeno chamado de ruptura da juno. A ruptura pode ser causada por dois mecanismos, que estudaremos a seguir.
10.5.1. Efeito Zener
Quando um semicondutor submetido a um campo eltrico elevado, como o que existe por exemplo na regio de carga espacial de uma juno PN polarizada inversamente, as ligaes covalentes ficam distorcidas. Se
Q
campo el-
trico for suficientementeintenso, as ligaes podem ser rompidas, com a formao' de pares eltron-buraco. Essa ruptura de ligaes covalentes por efeito direto do campo eltrico chamada de efeito Zener.
104
Introduo
10.5.2. Efeito de avalanche Outro mecanismo que pode provocar a ruptura da juno o efeito de avalanche,o qual ocorre quando os portadores gerados termicamente no interior da regio de carga espacial so acelerados pelo campo eltrico aplicado e adquirem suficiente energia cintica para romperem ligaes covalentes. A ruptura de ligaes covalentes produz novos portadores, que por sua vez so acelerados pelo campo, rompem novas ligaes covalentes, etc. Devido a essa "reao em cadeia", o fenmeno chamado de efeito de avalanche. evidente que a energia cintica adquirida pelos portadores entre duas colises diretamente proporcional tenso inversa aplicada e ao caminho livre mdio dos portadores. Para baixas concentraes de portadores, o caminho livre mdio maior e a ruptura provocada pelo efeito de avalanche; para altas concentraes, a ruptura, em geral, provocada pelo efeito Zener. A Fig. 10.9 mostra a curva caracterstica de uma juno PN real, onde podemos ver claramente o fenmeno da ruptura. Io
Vo
Figura 10.9 Curva caracterstica de uma juno PN. (a) regio de conduo direta. (b) regio de conduo inversa; (c) regio de ruptura
(C)
11
EXERCCIOS
(*)10.1. Em uma juno PN abrupta de gerrnnio, a concentrao dores do lado P igual concentrao N D de tomos NA = ND = 1015 tomos/em". Calcule a largura da regio de carga espacial: a) para uma polarizao direta de 0,1 v; b) para uma polarizao inversa de 0,1 V. da juno Suponha que todas as impurezas esto ionizadas e que a temperatura 300 K. NAde tomos aceitadoadores do lado N:
Junes
PN
105
para o germnio
E
Dados:
a 300K, 16,3 Eo
11;
= 2,4 x 1Q13cm-3;
x
1,4
10-
12
Fiem ..
10.2. Na figura a seguir, vemos a distribuio de cargas em uma juno PN em funo da distncia, para o caso em que a distribuio de impurezas varia linearmente entre as duas regies. Uma juno desse tipo chamada de juno gradual. A distribuio de cargas (e de impurezas) em uma juno gradual caracterizada pelo gradiente de concentrao a, definido pela equao p(x) onde p(x) a densidade
= - qax
(-1112.:: x.:: 1112)
de carga e q a carga do eltron.
Para uma juno
gradual,
pede-se
a) o potencial de difuso cfJB da juno; b) a distribuio de campo eltrico r;(x) na regio de carga espacial, c) a largura da regio de carga espacial quando uma tenso inversa J-; aplicada externamente juno. Dados l. O gradiente de concentrao, a. 2. A largura da regio de carga espacial 3. A temperatura da juno, T. Suponha conhecidos os parmetros em equilbrio, Wo.
do material
de que feita a juno.
1*)10.3. Duas junes PN so ligadas em oposio, como na figura a seguir. Pede-se a) a tenso entre os terminais de cada uma das junes; b) a corrente no circuito. Dados 1. As duas junes obedecem equao do diodo ideal. 2. A corrente inversa de saturao das duas junes 10 f.1A. 3. A temperatura das junes 27C.
+
10V 10.4. Um meio de detetar a presena de radiaes - raios gama, por exemplo - utilizar uma juno inversamente polarizada. Se a tenso inversa conveniente-
106
mente escolhida, a largura da regio de transio tal que os ftons dos raios gama perdem toda a sua energia dentro da regio de transio. a) Explique como funciona este detetor de radiao. b) Qual a necessidade de a partcula perder toda a sua energia dentro da regio de transio? c) Que acontece quando a corrente de fuga muito elevada? d) Que mais vantajoso, dopar mais fortemente a regio N (lado em que a radiao incide) ou a regio P? Justifique.
BIBILIOGRAFIA
Grave, A. S., Physics and Technology of Semiconductor Devices (New York: John Wiley, (Rio de Janeiro: Ao Livra Tcnico,
1967), Capo 6
Mello, H. A. e Intrator, 1972). E., Dispositivos Semicondutores
1 1 Transistores de juno
o dispositivo semicondutor mais usado hoje em dia sem dvida o tran- . sistor de juno. Sua inveno revolucionou a eletrnica, tomando possvel fabricao de aparelhos mais compactos, mais eficientes e mais econmicos. Neste captulo vamos estudar os princpios de funcionamento dos transistores de juno, baseando-nos na teoria das junes P N,estudada no captulo anterior.
11.1. Estrutura do transistor de juno
A estrutura do transistor de juno est representada de forma esquemtica na Fig. 11.1. Como podemos ver na ilustrao, o transistor de juno um bloco de material semicondutor que consiste de trs regies distintas. Existem dois tipos de transistores de juno. No primeiro, o tipo PNP, Fig. l1.1(a), a regio central do tipo N e as regies externas so do tipo P. No segundo, o tipo NPN, a regio central do tipo P e as regies externas so do tipo N. Figura 11.1 Representao esquemtica da estrutura de transistores de juno: (a) PNP; (b)
NPN
c:EEJ
(a)
~
( b)
De acordo com o que vimos no captulo anterior, o transistor pode ser considerado como a combinao de duas junes PN (Fig. 11.2).
[T]
[T]
c:EEJ
EEJ+[T]=~
Figura 11.2 Combinao puramente esquemtica de duas junes, compondo um transistor
11.2. TRANSISTOR EM EQUILBRIO
Quando o transistor no est submetido a tenso externa alguma, ele se comporta como duas junes PN em equilbrio. Nesse caso" como vimos no captulo anterior, aparecem campos eltricos nas proximidades das junes que equilibram as correntes de difuso de eltrons e buracos. A Fig. 11.3 mostra o diagrama de nveis de energia de um transistor P N P em equilbrio.
P N P
Figura 11.3 Diagrama de nveis de energia em um transistor PNP em equilbrio
" "-
/'
Ec EF
Ev
./
108 11.3. TRANSISTOR POLARIZADO
Suponhamos agora que polarizamos diretamente rizamos inversamente a outra juno (Fig. 11.4).
uma das junes
e polap
Figura 11.4 Polarizao das junes de um transistor Figura 11.5 Diagrama de nveis de energia em um transistor polarizado Nesse caso, o diagrama de nveis de energia ser o representado na Fig. 11.5. A parte central do transistor chamada de base; a parte externa da juno polarizada diretamente chamada de emissor; a parte externa da juno polarizada inversamente chamada de coletar. primeira vista poderia parecer que em um transistor polarizado, como na Fig. 11.4, a corrente de emissor seria muito maior que a corrente de coletor, j que a juno emissor-base est polarizada diretamente e a juno base-coletor est polarizada inversamente. Entretanto, se a base for suficientemente estreita, a corrente de coletor ser quase igual corrente de emissor. Para compreendermos por que isso acontece, vamos examinar a Fig. 11.6. Emissor Base Coletor Tipo P Tipo N Tipo P
.--
++++ +++++ +++++ +++++ +++++
++ + +++++ +++++ +++++
+ + + ++ + + + + + + +
Figura 11.6 Funcionamento transistor P N P
de
um
+,
1-
+,
l-
I Repare que quando a juno emissor-base est polarizada diretamente, um grande nmero de buracos atravessa a juno e penetra na regio da base. Alguns desses buracos se combinam com os eltrons da base tipo N, como em uma juno P N comum; entretanto, se a base for muito estreita, a maioria dos buracos chegar a juno base-coletor. Assim que cruzam a juno base-coletor, esses buracos so atrados para o terminal do coletor. Como vimos no captulo anterior, os buracos que deixam o emissor so imediatamente substitudos por novos buracos criados nas vizinhanas do terminal de emissor, que retira eltrons da regio tipo P. Da mesma forma, os eltrons perdidos pela base ao se recombinarem com os buracos que cruzam a juno emissor-base so substitudos por novos eltrons, introduzidos atravs
Transistores de juno
109
do terminal de base. Os buracos que chegam ao terminal de coletor se combinam com eltrons injetados por esse terminal na regio tipo P. Ora o movimento dos eltrons constitui uma corrente eltrica. Usando o sentido convencional da corrente (sentido contrrio ao do deslocamento dos eltrons), podemos apresentar as correntes em um transistor P NP como na Fig. 11.7.
IE
Emissor Tipo P
Base Tipo N
Coletor Tipo P
Ic
IE
Emissor Tipo N
Base Tipo P
Coletor Tipo N
Ic
I8
+,
I
I
+,
I
- ,+
I ,
Ia
- ,+
Figura 11.7 Correntes em um transistor PNP No caso de um transistor NPN, a situao Repare que nos dois casos devemos ter
I Figura 11.8 Correntes em um transistor NPN est representada na Fig. 11.8. (Eq.ll.1)
IE=Ic+IB.
11.4. GANHO DO TRANSISTOR DE JUNO
Quando usamos um transistor em um circuito interessados em obter um ganho, isto , em obter sada maior que a corrente ou tenso de entrada. No caso de um transistor polarizado como derando o terminal de emissor como o terminal coletar como terminal de sada, temos Ganho de corrente
eletrnico, em geral estamos uma corrente ou tenso de na Fig. 11.7 ou 11.8, conside entrada e o terminal de 1 c
=~ =
1 IE
lc
+ IB
(Eq. 11.2)
Esse ganho de corrente representado pelo smbolo a. Examinando a Eq. 11.2, podemos ver que a sempre menor que 1. Entretanto, se a base for muito estreita, quase toda a corrente de emissor chegar ao coletor e IX ser muito prximo de 1. Assim, por exemplo, se 98 % dos portadores injetados pelo emissor chegarem ao coletar e apenas 2 % se recombinarem na base, teremos
IX
=T = E
lc
0,98 1 00
,
= 0,9
Surge imediatamente a pergunta: se a corrente de sada sempre menor que a corrente de entrada, como podemos usar um transistor para amplificar um sinal? Existem duas respostas para essa pergunta: em primeiro lugar, no somos obrigados a considerar o emissor como entrada e coletor como sada; existem outras maneiras de aplicar o sinal ao transistor, como veremos daqui a pouco, que permitem um ganho de corrente maior que 1. Em segundo lugar,
110
Introduo
mesmo considerando o emissor como entrada e o coletor como sada, podemos obter um ganho de tenso e um ganho de potncia maiores que a unidade. Vamos examinar essa segunda afirmao. Considerando apenas o transistor, sem levar em conta as resistncias externas do circuito, a tenso de entrada igual ao produto da corrente de emissor pela resistncia da juno emissor-base e a tenso de sada igual ao produto da corrente de coletor pela resistncia da juno base-coletor. Assim, temos Tenso de sada fcRBC G an h o d e tensao = _ = -' .. Tensao de entrada fEREB
RBC IX , REB
onde IX o ganho de corrente, RBC a resistncia da juno base-coletor e REB a resistncia da juno emissor-base. Ora, como a juno emissor-base est polarizada diretamente, sua resistncia pequena; como a juno base-coletor est polarizada inversamente, sua resistncia elevada. Em conseqncia, a relao RBc/REB muito maior que a unidade e portanto o ganho de tenso elevado. O ganho de potncia, que dado pelo produto do ganho de tenso pelo ganho de corrente, tambm elevado. Vejamos um exemplo numrico. 11.5. EXEMPLO No circuito da Fig. 11.7, a resistncia da juno emissor-base 25 Q e a resistncia da juno base-coletor 50 kQ. Sabemos que 98% dos buracos injetados na base chegam ao coletor. Calcule o ganho de corrente, o ganho de tenso e o ganho de potncia do transistor. Soluo: Ganho de corrente = IX = 0,98; Ganho Ganho de tenso de potncia
IX ~BC EB
= 0,98 x ~02~OO= 1960;

x 1 960
= Ganho
= 0,98
11.6. FUNCIONAMENTO CONFIGURAO
de corrente x Ganho = 1 920. NA
de tenso =
DO TRANSISTOR BASE COMUM
Quando o sinal de entrada aplicado ao emissor do transistor e o sinal de sada colhido no coletor, como supusemos at agora, dizemos que o tran-
r---..,r---..,r---, Ic ""IE= <ts

Re
Ia+
RL
+ -
(1-") IE- (1- ) Is
Figura 11.9 Ligao base comum

Ic= IE
~VV'\---
RL
Transistores
de juno
111'
sistor est funcionando na configurao base comum, A Fig. 11.9, mostra as correntes em um circuito base comum. Quando um transistor funciona na configurao base comum, como na Fig. 11.9, a corrente de sinal (I s) aplicada ao emissor. A corrente de sada, l s, atravessa o resistor de carga, RL' produzindo uma queda de tenso que a tenso de sada do amplificador. O ganho de corrente a, definido como IelI E' chamado de ganho de corrente base comum.
11.7. FUNCIONAMENTO EMISSOR COMUM
DE TRANSISTOR NA CONFIGURAO
Como vimos no incio deste captulo, o ganho de corrente base comum,

a, muito prximo da unidade, Isso significa que a corrente de base pequena
em comparao com as correntes de emissor e coletor do transistor. Com efeito, combinando as Eqs. 11.1 e 11.2, obtemos
IB = IE-Ic
= IE-aIE = IE(l-ct)
(Eq.11.3)
Assim, se tomarmos
= 0,98, teremos IB = 0,02 IE = 0,0204 Ic
O fato de que a corrente de base de um transistor muito menor que as correntes de emissor e coletor sugere o uso da base como terminal de entrada. Quando o sinal de entrada aplicado base e O sinal de sada colhido no coletor, dizemos que o transistor est funcionando na configurao emissor comum. A Fig. 11.10 mostra as correntes em um circuito emissor comum.
Rl
l
P Is=Is
N N
+
Ic
RL
RE IE : fIE
Figura 11.10 Ligao emissor comum
Quando um transistor funciona na configurao emissor comum como na Fig. 11.10, a corren te de sinal (I s = 1B) aplicada base. A corrente de sada, Ie' atravessa o resistor de carga, RL' produzindo uma queda de tenso que a tenso de sada do amplificador. Vamos calcular o valor dessa corrente de
sada em funo da corrente de entrada.

De acordo com as Eqs. 11.1 e 11.2, temos
112
Introduo
fsica dos semieondutores
Ento
ale
= Ie-aIB'
a
Ic = -l-IR
-a
Se definirmos agora o ganho de corrente emissor comum, {J, como a relao entre a corrente de sada e a corrente de entrada nessa configurao teremos
Ie _ P=IB-l-a a
Tomando a = 0,98, temos
f3
= 49.
Podemos ver portanto que na configurao emissor comum o ganho de COrrentepode ser bastante elevado. O ganho de tenso e o ganho de potncia, que tambm so elevados, podem ser calculados do mesmo modo que na configurao base comum, conhecidas as resistncias de entrada e sada do transistor. 11.8. TRANSISTORES DE DERIV N*> At agora supusemos que a distribuio de impurezas na base do transistor era uniforme. Nos transistores de deriva, a concentrao de impurezas na base muito maior em uma das extremidades da base do que na outra (Fig. 11.11).
Emissor No= ete.
Base:
Coletar
I I
N~= ete.
x
Figura 11.11 Distribuio

purezas em um transistor riva NPN
de imde de-
Naturalmente, a variao na concentrao de impurezas produz uma variao proporcional na concentrao de portadores em maioria. Em conseqncia da variao na concentrao de portadores, existe uma corrente de difuso no interior da base. Entretanto nas condies de equilbrio, a corrente total na regio da base deve ser zero, de modo que surge um campo eltrico no interior da base tal que a corrente de deriva seja igual e oposta corrente
de difuso.
No caso de um transistor NPN, a corrente de difuso na base tende a acumular buracos nas vizinhanas da juno base-coletor, Assim, o sentido do
(*IEm ingls, drift transistors
Transistores de juno
113
campo eltrico deve ser tal que a corrente de deriva dos buracos na base seja do coletor para o emissor. Ora, um campo eltrico com esse sentido acelera os eltrons injetados pelo emissor em direo ao coletor. Em conseqncia, o tempo que os portadores injetados pelo emissor levam para atravessar a base muito menor nos transistores de deriva do que nos transistores comuns, em que os portadores se movimentam apenas por difuso. Levando menos tempo para atravessarem a base, os portadores injetados tm menos tempo para se recombinarem com os portadores da base. O resultado que o ganho de corrente dos transistores de deriva muito elevado. BmLlOGRAFIA
Phillips, A. B., Transistor Engineering (New York: McGraw-HiIl, 1962) Mello, H. A. e Intrator, E., Dispositivos Semicondutores (Rio de Janeiro: Ao Livro Tcnico, 1972).
1 2 Outros fenmenos observados

nos semicondutores
12.1. EMISSO DE LUZ A recombinao de um par eltron-buraco envolve a liberao de uma certa quantidade de energia, equivalente necessria para romper uma ligao covalente. Na maioria dos casos, essa energia assume a forma de vibraes mecnicas (emisso de fnons). Em determinadas circunstncias, entretanto, a energia pode ser irradiada sob a forma de ondas luminosas (emisso de ftons). Assim, por exemplo, se submetermos um cristal de fosfeto de glio a radiao ultravioleta, o cristal emitir uma luz vermelho-alaranjada. O que acontece que a radiao ultravioleta rompe muitas ligaes covalentes no cristal, criando um excesso de pares eltron-buraco. Ao se recombinarem, os pares emitem uma radiao visvel. O mesmo fenmeno tambm pode ser observado nas junes P N de certos semicondutores. Quando uma juno PN polarizada diretamente, ocorre um grande nmero de recombinaes nas proximidades da juno. Quando as condies so favorveis, essas recombinaes podem produzir luz visvel. Normalmente, esse efeito no pode ser observado nos semicondutores mais comuns, o germnio e o silcio, porque nesses materiais a grande maioria das recombinaes resulta na emisso de fnons (vibraes mecnicas). Por outro lado, em alguns semicondutores compostos, como o fosfeto de glio e o arsenieto de glio, o efeito bem acentuado. Finalmente, preciso observar que a luz pode ser emitida pelo cristal de forma incoerente - sem uma fase definida -, ou de forma coerente - com uma fase bem definida. No primeiro caso, o fenmeno chamado de luminescncia; no segundo, de efeito laser.
12.2. EFEITO TNEL
Quando a densidade de portadores nas regies P e N de uma juno P N atinge o nvel de degenerao, a juno passa a apresentar novas propriedades. Vejamos como isso acontece. Na Fig. 12.l(a) vemos o diagrama de nveis de energia de uma juno PN degeneradaw'. Nesse caso, o nvel de Fermi est acima da base da faixa de conduo do lado N da juno e abaixo do topo da faixa de valncia do lado P. Os nveis ocupados esto indicados pela parte sombreada do desenho. Se aplicarmos juno uma pequena polarizao (negativa do lado N, positiva do lado P), haver uma corrente composta de duas parcelas: a primeira corresponde corrente de uma juno PN normal; a segunda conseqncia do chamado efeito tnel. De acordo com a Mecnica quntica, uma partcula tem uma probabilidade finita de atravessar uma barreira de potencial, embora classicamente no tenha energia suficiente para vencer a barreira. Assim, com
($)Para uma discusso do fenmeno da degenerao, veja Wannier, G. H., Elements of Solid State Theory (Londres: Cambridge University Press, 1960), p. 149
Outros fenmenos
observados nos semicondutores
115
Regio P
Regio N
(c)
( b)
Figura 12.1 Efeito tnel em uma juno PN degenerada. (a) Juno em equilbrio; (b) Juno submetida a uma pequena polarizao direta, que produz o efeito tnel; (c) Juno submetida a uma polarizao direta mais elevada. O efeito tnel deixou de existir
uma pequena polarizao direta, os eltrons podem passar da regio N para a regio P, ocupando os estados vagos da faixa de valncia da regio P, como na Fig. 12.1(b).Entretanto se aumentarmos a polarizao de maneira tal que a base da faixa de conduo do lado N tenha energia superior ao topo da faixa de valncia do lado P, como na Fig. 12.1(c),a corrente devido ao efeito tnel ser reduzida a zero, pois no haver estados disponveis para os eltrons do lado P com a mesma energia que eles possuam do lado N (no efeito tnel, a energia conservada). Em conseqncia, a corrente total diminuir. Se aumentarmos ainda mais a polarizao, a corrente tornar a aumentar, devido ao aumento da corrente normal da juno. Assim, a caracterstica corrente-tenso de uma juno P N degenerada polarizada diretamente tem a forma que vemos na Fig. 12.2. Repare que a curva apresenta uma regio em que a resistncia negativa.
Figura 12.2 Curva caracterstica corrente-tenso de um diodo tnel
!z
UJ
UJ
o:: o:: o u
I L.---Resist~ncia Negatlva ' lI I

TENSO
Regio de
116
Introduo
o diodo tnel, como chamado o dispositivo baseado nesse efeito, pode ser usado como elemento ativo nos circuitos, por exemplo, como oscilador de microondas. Os diodos tnel em geral so feitos de germnio, silcio ou arsenieto de glio.
12.3. EFEITO HALL Suponhamos que um cristal seja submetido simultaneamente a um campo eltrico e a um campo magntico, perpendiculares entre si (Fig. 12.3).
Figura 12.3 Geometria do efeito Hall
v
O campo eltrico pode ser aplicado, por exemplo, ligando-se uma fonte de tenso V s extremidades do cristal. O campo magntico pode ser aplicado colocando-se o cristal entre os plos de um eletrom. Sob a ao do campo eltrico, os portadores do cristal adquirem uma certa velocidade de deriva, v. Ora, sabemos do eletromagnetismo que uma partcula carregada sob a ao de um campo magntico est sujeita a uma fora perpendicular direo do movimento e direo do campo magntico. Essa fora dada pela equao vetorial
r; = q(v x ),
(Eq. 12.1)
onde q a carga da partcula. A Fig. 12.4(a) mostra o que acontece quando o portador um eltron. Quando o portador um buraco, a situao est representada na Fig. 12.4(b).
IE"ll~y_-~--:--~ I ~' x l
XB_~_
++++++++++++++++++++
(a)
++++++++++++++++++++
E"j
(b)
Figura 12.4 Efeito Hall para os dois tipos de portadores. (a) eltrons. (b) buracos. O sentido do campo magntico para dentro do papel
Outros fenmenos
observados
nos semicondutores
117
Sob a ao do campo magntico, os portadores se deslocam para uma das faces do cristal. Surge ento um campo eltrico transversal, SH' produzido pelo desequilbrio de cargas. Em equilbrio, a fora aplicada ao portador pelo campo magntico, F m' igual fora aplicada pelo campo eltrico transversal, Fe. Para a geometria das Figs. 12.3 e 12.4, podemos escrever Fm Assim, em equilbrio temos vB
=
qvB;
(Eq. 12.2) (Eq. 12.3) (Eq. 12.4)

a
Fe = qsw
SH'
Por outro lado, chamando de J a densidade de corrente e de de portadores, temos

J = qav.
a concentrao (Eq. 12.5)
Assim, temos (Fig. 12.3)

v=-=-=--'
J qa
I/A
qa
I
qaht
(Eq. 12.6)
Em conseqncia, temos
SH
= vB = -h
qa t
B.
(Eq. 12.7)
A diferena de potencial que aparece entre a face superior e a face inferior do cristal dada por
ou (Eq. 12.8) onde RH = 1/qa chamado de constante de HaU do material considerado. Quando os portadores so todos eltrons (carga -q, concentrao n), podemos escrever' .
R
H
=-~.
qn
(Eq. 12.9)
Quando os portadores so todos buracos, temos

R
H
=~.
qp
(Eq. 12.10)
As Eqs. 12.9 e 12.10 mostram que a polaridade da tenso VH (que chamada de tenso de HalQ depende do tipo de portador presente no cristal. O efeito Hall pode ser usado portanto para determinar se um semicondutor tipo N ou tipo P.
118
EXERCCIOS
<*)Considere a experincia esquematizada na figura a seguir.

~------IV +
VR Sabendo que
VR = 0,5 V;
I=10mA;
V = -1 V;
B = 2
10-3 T.
Pede-se a) o tipo dos portadores (eltrons ou buracos), b) a resistividade do material, c) a concentrao dos portadores, d) a mobilidade dos portadores. BIBLIOGRAFIA Wang, S., Solid State Electronics (New York: McGraw-Hill, 1966), Capo 11. Yariv, A., Quantum Electronics (New York: John Wiley, 1967), Capo 17. Chang, K. K. N., Parametric and Tunnel Diodes (New Jersey: Prentice Hall, 1964).
Blatt, F. J., Physics of Electronic Conduction in Solids (New York: McGraw-Hill, 1968),
Cap.8.
APNDICE A
Teorema de Bloch
o teorema de Bloch diz que a soluo mais geral da equao de Schroedinger para um eltron em um cristal
t/lr(r) =
'o 'JLr(i=),
(Eq. A.!)
onde J-I-k(1) uma funo com a mesma periodicidade espacial que a rede cristalina. Prova: Consideremos o operador onde
'0, definido
F(r
por (Eq. A.2)
R7 o vetor
'0 F(r) =
V(r)
=
+ R), + R).
de translao da rede, isto V(r
Aplicando o operador ~ Eq. 5.12, temos
~{-;~[::2:;2
+
1j[V(r)t/lk'(r)]
h2 2 ~ - 2m V ['0l/1r(r,]
+ :z22Jt/lr(Y) + v(r)t/lr(r)}
V(r
Er'0t/1r(r)
como
=
+ R)1jt/lr(r)
-+....
V(r)1jt/lr(Y).
...
temos
+ V(r)[1jl/lj/(r)]
= Er[1jl/lr(r)].
Assim, a funo 1jl/lk(r) satisfaz mesma equao que a funo l/Ik(r) (Eq.
5.12), Nesse caso, ~l/Iy;(r) s pode diferir de t/ly;(r) por um fator constante. Vamos
chamar esse fator constante de
aj
Assim, temos (Eq. A.3)
Vamos fazer
aj
=
eik' Ri,
(Eq.
A.4)
onde k um vetor complexo. Trata-se de uma maneira perfeitamente geral de escrever ai . Consideremos agora a aplicao sucessiva de dois operadores T: 1jT;t/lk{r) = ~.ait/ly;(r) = ajait/l-;C;) =
ir. (R.; + R.j)t/lr(l}
(Eq. A.S)
Como a aplicao sucessiva de dois operadores T corresponde translao de um vetor igual soma dos vetores de transaao individuais, a Eq. A.:> mostra por 9,ue escolhemos para aj a forma da Eq. A.4. Vemos tambm que preciso que k seja um vetor real, caso contrrio a funo de onda cresceria indefinidamente com a distncia ou seria atenuada rapidamente.
120
Vamos agora definir uma funo 111(r) do seguinte modo: 111(r) = e-ik' ~1(h Usando as Eqs. A.2, A.3 e AA, temos 1]11-':(;) = 11-,:(r+ R) = 1][e-ik'~1(r)] (Eq. A.6)
(Eq. A.7) Assim, a funo I1t(;) tem a periodicidade I1t(; da rede cristalina, isto ,
.
+ Rj) = 11-,:(i\ Multiplicando os dois membros da Eq. A.6 por exp (ik
1/11(r)= ei-':'-;l1tC;)
temos finalmente (Eq. A.8)
o que completa a prova do teorema de Bloch.
APNDICE
Experincias em semicondutores
o desenvolvimento da fsica dos semicondutores deve-se sem dvida a um exaustivo trabalho de pesquisa experimental, que prossegue at hoje em laboratrios de todo o mundo. Julgamos importante que o estudante Se familiarize desde cedo com as tcnicas experimentais, utilizadas para investigar o comportamento dos semicondutores. Por esse motivo, decidimos apresentar neste apndice uma lista de referncias a experincias simples em semicondutores. Essas experincias podero ser usadas, a critrio do professor, para ilustrar e/ou expandir os conceitos tericos desenvolvidos nesta obra.
REFERNCIAS
1. James F. Gibbons, Semiconductor electronics, McGraw-Hill, 1966. 2. R. B. Adler, A. C. Smith e R. L. Longini, Introduction to Semiconductor Physics, SEEC. VoI. 2, John Wiley, 1964. Este livro contm um apndice dedicado exclusivamente a experincias de laboratrio 3. Hilton A. Mello e E. Intrator, Dispositivos semicondutores, Ao Livro Tcnico, 1972
EXPERINCIAS
Experincia 1. Ilustrao do crescimento de um cristal utilizando blocos cbicos de madeira ou papel. Ref. 1. p. 58. Experincia 2. Ilustrao da estrutura de cristais utilizando bolas furadas e hastes cilndricas. Ref. 1. p. 59. Experincia 3. Determinao da freqncia crtica.j, na qual um cristal comea a absorver energia de um feixe de luz monocromtica iphotoelectric threshol). Ref. 1. p. 92. Experincia 4. Estudo do fenmeno da fotocondutividade, ou seja. da variao da condutividade de um material semicondutor em funo do fluxo luminoso incidente. Ref. 1. p. 93. Experincia 5. Ilustrao do fenmeno de luminescncia em um cristal. Ref. 1. p. 94. Experincia 6. Verificao do tipo de semicondutor (P ou N) para materiais fortemente dopados. Toca-se o cristal com uma ponta aquecida e observa-se a leitura de um voltmetro de alta impedncia ligado entre essa ponta e um outro ponto do cristal. Ref. 1. p. 87. Experincia 7. Experincia de Shockley-Haynes. Essa experincia permite medir as correntes de deriva e difuso e verificar experimentalmente a relao de Einstein (D/J1. = = kT/q). Ref. 1. p. 120, 143. Experincia 8. Medida da condutividade de uma amostra de germnio intrnseco, em funo da temperatura. Essa experincia permite medir o coeficiente de temperatura de a e tambm estimar a energia necessria para criar um par eltron-buraco. Ref. 1. p. 143. Experincia 9. Efeito Hall - Experincia extremamente interessante, que alm de suas aplicaes industriais (medida de corrente), permite uma confirmao da existncia de dois tipos de portadores de carga. Ref. 1. p. 126 e Ref. 2. pp. 195, 205.
122
Experincia 10. Ilustrao dos fenmenos de recombinao e tempo de vida de portadores. Ref. 1. p. 147. Experincia 11. Medida da capacitncia de uma juno PN em funo da tenso inversa aplicada. Ref. 1. p. 180. Experincia 12. Curva caracterstica de um diodo - Experincia que tem como finalidade levantar experimentalmente a curva caracterstica de um diodo. Ref. 3. pp. 38, 39 e 40. Experincia 13. Medida da condutividade de um semicondutor em funo da temperatura (experincia mais elaborada que a experincia 8). Ref. 2. p. 198. Experincia 14. Produo de pares eltron-buraco e largura da faixa proibida de energias (energy gap). Ref. 2. p. 213. . Experincia 15. Medida da mobilidade dos portadores em um material semicondutor. Ref. 2. p. 222. Experincia 16. Construo de um diodo tipo liga (alloy). Ref. 2, p. 230.
Respostas e sugestes para os exerccios propostos
1.1.
CAPTULO 1 ao = 5,292
10-
11m.
1.2. Use a Fig. 1.5 e a Eq. 1.10.
CAPTULO 2
2.5. possvel provar que a seguinte relao vlida para um polinmio de ordem n: f~~() e-~2 dI; = 2", n!n
-00
de Hermite
CAPTULO 4
4.1. a) 5,8 x 1022 b) 4,07 . 4.4. 109 28'. 4.7. Observe que [100], [010] e [001] so direes de "mesmo tipo". O plano (011) contm as direes [100], [011] e [111]. O plano (I01) contm as direes [010], [101] e [111]. O plano (110) contm as direes [OOlJ, [110] e [111].
CAPTULO 7
7.3. Considere o recipiente onde est o gs suficientemente variao da energia potencial. Nesse caso E = ~ ( ,2 2 [x raso e portanto
.2
despreze a
u)'
+ V 2)
z
= Px
+ 2m Py + Pz
CAPTULO 8
-Nn
8.1. a) P = b)~10%.
J2 ; + n~
8.6. Use o mtodo grfico de Schockley. a) Nvel de Fermi cerca de 8 kT aeima de E2. b) n ~ 2 x 1014em-3.
c) Desprezvel.
CAPTULO 9
9.4. vd = 4 X 103 em/s. D = 10 em2fs.
124
9.6. Suponha N A ~ nj e verifique depois se a suposio correta. p = 3,3 X 1014 cm "". n = 1,7 x 1012 cm ":'. 9.8. Prove que der dT = qEG
U
2 k T1
que
9.9. Prove primeiro
CAPTULO 10
10.1. a) 5,0 x 10 - 5 em. b) 9,9 x 10-5 em. 10J. a) Vi = 0,017 Y; V2 = 9,983 Y. b) 10 }-tA.
CAPTULO 12
a) b) c) d) Eltrons. 1 -cm. 6,2 x 1015 cm-3. 103 em2/ys.
Este trabalho foi elaborado pelo processo de FOTOCOMPOSIo Monophoto - no Departamento de Composio da Editora Edgard Blcher Ltda. - So Paulo - Brasil
impresso EDITORA
nas Oficinas da "AVE MARIA LTDA.
Rua Martim Francisco, 636

C. P., 615 - Tels.: 67-1956 - 66-1828
So
Paulo
ASN
EdITORA
EDGARD BLUCHER
lIdA.
INSTITUTO NACIONAL DO LIVRO
Cr$ 30,00
Este preo s se tornou possvel devido do Instituto Nacional do livro, que, em regime de coedio, J)ermitiu o aumento da tiragem e a conseqente reduo do custo industrial
participao
07421

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HILTON ANDRADE DE MELLO RONALDO SRGIO DE BIASI

FISICA , DOS I SEMICONDUTORES

I NTRODUCO FSICA DOS SEMICONDUTORES

COO: 537.622 COU: 536.311

ndice para catlogo sistemtico (CDD): 1. Semicondutores: Fsica 537.622

Eng.o HILTON ANDRADE

INTRODUCO FSICA DOS SEMICONDUTORES

EDGARD BLUCHER lTdA.

EM CONV~NIO COM O INSTITUTO NACIONAL DO LIVRO- MINISTRIO DA EDUCAO E CULTURA

1975 Editora Edgard Blcher Ltda.

Impresso no Brasil Printed in Brazil

velocidade da luz no vcuo nmero de Loschmidt nmero de Avogadro constante de Boltzmann

constante de Planck hl2n raio de Bohr

6,626 x 101,054 x 105,292 x 10-

8,854 x 10-12 Fim 1,257 x 1O-6H/m

massa massa massa valor

de repouso de repouso de repouso absoluto da

do eltron do prton do nutron carga do eltron

9,108 1,672 1,675 1,601

10- 31 kg 10- 27 kg 1O-27kg 10-19 C

dos gases perfeitos

PARMETROS DE ALGUNS SEMICONDUTORES A 27C

2,21 0,565 5,32 1,40

clssicas a estrutu ra atm ica

fsica dos semicondutores

1.1 Carga eltrica

10-19 coulomb O 10-19 coulomb

fsica dos semicondutores

Figura 1.4 Representao esquemtica do tomo de hidrognio

com as Eqs. 1.1, 1.2 e 1.3, temos

R' - ---.!!!L - 8E~h3C

Neste ponto pode parecer que o problema est completamente resolvido.

Introduo fsica dos semicondutores

clssicas sobre a estrutura

2 Noes bsicas de mecnica

Mecnica matricial'>', que primeira vista era independente da formulao

Noes bsicas de mecnica quntica

Figura 2.1 Onda estacionria

fsica dos semicondutores

dxdydzdt: de probabilidade, teremos

= ljJ(r, t) '1/1*(;, t),

ljJ(r) T(t) - Ver) ljJ(r) T(t)

Ver) I/I(r) T(t) = -:-I/I(r) -,

-8x-z + -8y-Z+ -8z-2 1/1(1')

1 8T(t) (Eq. 2.9)

Noes bsicas de mecnica

duas equaes independentes:

(Eq.2.11) (Eq .. 2 12)

aTat(t) = - Efii T(t).

(Eq.2.14) (Eq. 2.15)

P(r, t) = t/J(r, t) . t/J*(r, t) = l/J*(r) t/J(r).

(Eq.2.17) (Eq. 2.18)

(Eq. 2.19) (Eq. 2.20)

Introduo f sica dos semicondutores

e Hn o chamado polinmio de Hermite de ordem n.

3 Aplicaes da mecnica quntica

Consideremos o caso do tomo de hidrognio, representado esquematicamente na Fig. 3.1.

fsica dos semicondutores

= funo (n, I).

Estados com a mesma energia E (n = 2, I = O)

+ 1/2 -1/2 + 1/2 -1/2

com a mesma energia

ocupar o mesmo estado".

P(r, t) = t/J(r, t) . t/J(r, t) = l/J(r) t/J(r).