EI Tema 3.1.diodos Potencia

Electrnica Industrial
10

El diodo de
potencia

P A R T A D O

3
3
3
.
.
.
1
1
1

A


A I ntroduc c i n

11

3.1
A. Introduccin

Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos,
aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones:

Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido
contrario al de conduccin.
El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo.

Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser
capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En senti-
do inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con
una pequea intensidad de fugas, tal y como se muestra en su curva caracterstica.

donde:

V

: tensin de codo
V
BD
: tensin de ruptura

A continuacin vamos a ir viendo las caractersticas ms importantes del diodo, las
cuales podemos agrupar de la siguiente forma:
Caractersticas estticas:
o Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa).
o Parmetros en conduccin.
o Modelo esttico.
Caractersticas dinmicas:
o Parmetros de encendido.
o Parmetros de apagado
o Influencia del t
rr
en la conmutacin.


E l d i o d o d e p o t e n c i a

12

3.1
B. Caractersticas del diodo de potencia

Caractersticas estticas

Parmetros en bloqueo

Tensin inversa de trabajo (V
RWM
): Mxima tensin inversa que puede soportar
de forma continuada sin peligro de avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (V
RRM
): Mxima tensin inversa que puede
soportar por tiempo indefinido si la duracin del pico es inferior a 1ms y su fre-
cuencia de repeticin inferior a 100 Hz.
Tensin inversa de pico nico (V
RSM
): Mxima tensin inversa que puede so-
portar por una sola vez cada 10 ms minutos si la duracin del pico es infe-
rior a 10 ms.
Tensin de ruptura (V
BD
): Valor de la tensin capaz de provocar la avalancha
aunque solo se aplique una vez por un tiempo superior a 10 ms

Parmetros en conduccin
Intensidad media nominal (I
FW(AV)
): es el valor medio de la mxima intensidad
de impulsos sinusoidales que el diodo puede soportar en forma continuada .
Intensidad de pico repetitivo (I
FRM
): es aquella que puede ser soportada cada
20 ms, con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la
cpsula (normalmente 25).
Intensidad directa de pico no repetitiva (I
FSM
): es el mximo pico de intensidad
aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms.
Modelos estticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se represen-
tan en la siguiente figura. Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual
debemos escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin que necesitemos.

i
D

v
D

i
D
v
D V

i
D
v
D

V


B C a ra c te r sti c a s d e l d i o d o d e p o t e n c i a

13

3.1
Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos ms
complejos para programas de simulacin como PSPICE. Dichos modelos suelen ser
proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las libreras del pro-
grama.

Caractersticas dinmicas

Estas caractersticas estn referidas al proceso de conmutacin del diodo, tanto en el
proceso de encendido como de apagado

Parmetros de encendido

Tensin directa, V
ON
. Cada de tensin del diodo en rgimen permanente para
la corriente nominal
Tensin de recuperacin directa, V
F
. Tensin mxima durante el encendido.
Tiempo de recuperacin directa, t
ON
. Tiempo para alcanzar el 110% de V
ON
.
Tiempo de subida, t
r
. Tiempo en el que la corriente pasa del 10% al 90% de su
valor directo nominal. Suele estar controlado por el circuito externo

Este ltimo tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa (que se estudia-
r a continuacin) y no suele producir prdidas despreciables.

Parmetros de apagado

El paso del estado de conduccin al de bloqueo (y viceversa) en el diodo no se efecta
instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad I
F
, la zona
central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con una mayor den-
sidad de stos, cuanto mayor sea I
F
. Si mediante la aplicacin de una tensin inversa
V
R
forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di
D
/dt, resultar que des-
pus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cam-
bian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario
durante un instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta
despus del tiempo t
a
llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores
empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La intensidad
todava tarda un tiempo t
b
(llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico ne-



14

3.1
gativo (I
rr
) a un valor despreciable mientras va desapareciendo el exceso de portado-
res.

Teniendo estas caractersticas en cuenta se definen los siguientes parmetros:

t
a
(tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por
cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
t
b
(tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de inten-
sidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la
unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pi-
co negativo de la intensidad hasta el 25 % de ste.
t
rr
(tiempo de recuperacin inversa): es la suma de t
a
y t
b
.
b a rr
t t t + =

Por lo tanto, t
rr
representa el tiempo que durante el apagado del diodo, tarda la
intensidad en alcanzar su valor mximo (negativo) y retornar hasta un 25 % de
dicho valor (Tpicamente 10 seg para los diodos normales y 1 seg para los
diodos de recuperacin rpida)
Q
rr
: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa
de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo.
I
rr
: es el pico negativo de la intensidad y tambin se puede encontrar represen-
tado como I
rrm

La relacin entre t
b
/t
a
es conocida como factor de suavizado "SF".

Si observamos la grfica podemos considerar Q
rr
por el rea de un tringulo:

rr rr rr
I t Q
2
1
=
De donde:
a
D
rr
t
dt
i d
I =
) (


C Ti pos d e d i o d o s d e p o t e n c i a

15

3.1

Para el clculo de los parmetros I
rr
y Q
rr
podemos suponer uno de los dos siguientes
casos:
Para t
a
= t
b
t
rr
= 2t
a

Para t
a
>> t
b
t
rr
=t
a

En el primer caso obtenemos:
dt i d
Q
t
D
rr
rr
/ ) (
4
=
dt
i d
Q I
D
rr rr
) (
=

Y en el segundo caso:
dt i d
Q
t
D
rr
rr
/ ) (
2
=
dt
i d
Q I
D
rr rr
) (
2 =

Influencia del t
rr
en la conmutacin

El tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable, por lo tanto:
Se limita la frecuencia de funcionamiento.
Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa.
Por lo tanto, si operamos a altas frecuencias debemos operar con diodos de recupera-
cin rpida.

Los principales factores de los que depende el tiempo de recuperacin inversa son los
siguientes:

I
F
; cuanto mayor sea, mayor ser t
rr
. Esto se debe a que la carga almacenada
ser mayor
V
R
; cuanto mayor sea, menor ser t
rr
. En este caso si la tensin inversa es ma-
yor se necesita menos tiempo para evacuar los portadores almacenados.
di
D
/dt; cuanto mayor sea, menor ser t
rr
. No obstante, el aumento de esta pen-
diente aumentar el valor de la carga almacenada Q. Esto producir mayores
prdidas

C. Tipos de diodos de potencia

Diodo rectificador normal

Presenta altos tiempos de recuperacin inversos y es normalmente utilizado en aplica-
ciones de baja frecuencia



16

3.1

Diodos Schottky

Se utilizan cuando se necesita una cada de tensin directa muy pequea (0.3 V tpi-
cos) para circuitos con tensiones de salida pequeas. Tienen limitada su capacidad de
bloquear tensin a 50 - 100 V.

Diodos de recuperacin rpida

Son adecuados en circuitos de frecuencia elevada en combinacin de conmutadores
controlables, donde se necesitan tiempos de recuperacin pequeos. Para unos nive-
les de potencia de varios cientos de voltios y varios cientos de amperios, estos diodos
poseen un t
rr
de pocos microsegundos. Un diodo con esta variacin de corriente tan
rpida necesitar circuitos de proteccin, sobre todo cuando en el circuito exterior en-
contramos elementos inductivos.


D Estudi o d e h o j a s d e c a r a c t e r st i c a s

17

3.1

D. Estudio de hojas de caractersticas

En la prctica vamos a trabajar con una serie de hojas de caractersticas que nos se-
rn proporcionadas por los distintos fabricantes, en las cuales se nos detallan las prin-
cipales caractersticas del semiconductor de potencia en cuestin.
Toda hoja de caractersticas suele estructurarse de la siguiente forma:
Descripcin externa y enfatizada de las caractersticas ms interesantes del
elemento. Ambas se efectan de una forma general y sin incorporar medidas o
parmetros especficos. Adicionalmente puede darse el patillaje del elemento.

Valores lmites: se corresponden con las caractersticas del elemento. Normal-
mente el fabricante agrupar las caractersticas por grupos (trmicas, dinmi-
cas, estticas, etc...), indicando en todo momento las condiciones en que se
han realizado las medidas para obtener los valores dados. Los valores se sue-
len dar indicando los extremos mximos y mnimos admisibles, tambin puede
darse el valor tpico o medio en algunos fabricantes.



18

3.1

A continuacin se presentarn las curvas caractersticas ms apropiadas al tipo
de diodo que tratemos. Normalmente habr una serie de curvas que aparece-
rn en todas las hojas sea cual sea el tipo de diodo y otras que slo las dar el
fabricante si son necesarias para poder trabajar con el elemento. Tambin es
posible que se adjunte la definicin de algn parmetro para comprender mejor
los datos proporcionados.

Adicionalmente el fabricante puede proporcionar los circuitos empleados para
efectuar las medidas de una o todas las caractersticas, adems de la explica-
cin de algn parmetro importante.



19

3.1

Finalmente se aaden las caractersticas mecnicas del elemento, que propor-
cionan las medidas del mismo para su correcta situacin y montaje.

Hay que resaltar el hecho de que cada fabricante puede alterar segn su conveniencia
el orden de la estructura dada, anular alguna parte, o aadir informacin adicional
(como tablas de conversin, referencia rpida de la familia, etc.).

A continuacin vamos a mostrar hojas de caractersticas reales tomadas directamente
de las pginas web de los fabricantes. Para este caso, diodos de potencia, se han em-
pleado en su mayora las de Philips Semiconductors, ya que son las ms completas y
por tanto las ms adecuadas para iniciar nuestro estudio.



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