TRANSITOR IGBT

IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del BJT (transistor bipolar de unin) y del MOSFET (transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor). Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el BJT. Generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta. Introduccin

Durante mucho se tiempo se busco la forma de obtener un dispositivo que tuviera una alta impedancia de entrada y que fuera capaz de manejar altas potencias a altas velocidades, esto dio lugar a la creacin de los Transistores bipolar de puerta aislada (IGBT). Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no haban sido viables hasta entonces y se describirn ms adelante. El mismo se puede identificar en un circuito con la simbologa mostrada en la figura I. Estructura El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que son controlados por un metal-xido-semiconductor (MOS), estructura de la puerta sin una accin regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) celular se construye de manera similar a un MOSFET de canal n vertical de poder de la construccin, excepto la n se sustituye con un drenaje + p + capa de colector, formando una lnea vertical del transistor de unin bipolar de PNP. Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como

interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. En la figura II se observa la estructura interna de un IGBT, el mismo cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C). Funcionamiento Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta , el IGBT enciende inmediatamente, la corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo de encendido en que la seal en la puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G.

Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de colector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en la puerta es muy baja.

El IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal G. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz.

EL IGBT requiere un valor lmite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VCE cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el G debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente IC se autolimita. Caractersticas tcnicas

ICmax Limitada por efecto Latch-up. VGEmax Limitada por el espesor del xido de silicio. Se disea para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 us. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde puerta.

VCEmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como es muy baja, ser VCEmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV). La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan valores mayores) Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp. En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

Aplicaciones El IGBT es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. Se usan en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en maquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: Automvil, Tren, Metro, Autobs, Avin, Barco,Ascensor, Electrodomstico, Televisin, Dom tica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc. Los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) actan como interruptores para proporcionar una serie de pulsos de corriente continua al motor. Como la mayora de los controles de frecuencia del motor de CA son para motores trifsicos, hay seis IGBTs, dos para cada fase. Una IGBT conecta cada terminal del motor con el lado positivo de la fuente de la CC y uno se conecta cada terminal del motor al lado negativo de la fuente de la CC. De esta forma, cada terminal del motor a la terminal o en la lnea de tensin de la lnea puede ser positivo o negativo. Al controlar la secuencia de conmutacin de los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT), el control proporciona una simulacin de tres tensin senoidal de frecuencia y fase con control de tensin. La forma de onda se compone de pulsos de corriente continua y no se parecen demasiado a una onda sinusoidal, pero el valor efectivo es una simulacin bastante buena de una onda sinusoidal. Cada transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) tiene un diodo en paralelo, pero en condiciones de conducir la corriente en la direccin opuesta. El "anti-paralelo" diodos realizar la parte de la onda de corriente del motor que retrasa el voltaje.