SUBSECRETARA DE EDUCACIN SUPERIOR DIRECCIN GENERAL DE EDUCACIN SUPERIOR TECNOLGICA

INSTITUTO TECNOLGICO DE OAXACA

ELECTRONICA INDUSTRIAL.

INTRODUCCION A LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA.

EQUIPO 1:

Castro Hernandez Francisco Eli.

Hernndez Ramrez Edwin Jhovany. Reyes Castellanos Oscar Alejandro. Salazar Mendoza Juan Carlos.

Ingeniera Elctrica.

Hora:
Introduccin

9:00-10:00.

Dentro de los dispositivos electrnicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, as como otros derivados de stos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunin o UJT, el transistor uniunin programable o PUT y el diodo Shockley. Existen tiristores de caractersticas especiales como los fototiristores, los tiristores de doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO). Lo ms importante a considerar de estos dispositivos, es la curva caracterstica que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la cada de tensin entre los electrodos principales. El componente bsico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos:

Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conduccin). Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequea potencia. Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando est en estado de bloqueo, con pequeas cadas de tensin entre sus electrodos, cuando est en estado de conduccin. Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias. Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

El ltimo requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habr una mayor disipacin de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia.

Ahora veremos los tres bloques bsicos de semiconductores de potencia y sus aplicaciones fundamentales:

Semiconductores de alta potencia Dispositivo Intensidad mxima

Rectificadores estndar o rpidos 50 a 4800 Amperios Transistores de potencia Tiristores estndar o rpidos GTO Aplicaciones:

5 a 400 Amperios 40 a 2300 Amperios 300 a 3000 Amperios

Traccin elctrica: troceadores y convertidores. Industria: o Control de motores asncronos. o Inversores. o Caldeo inductivo. o Rectificadores. o Etc.

Mdulos de potencia Dispositivo Mdulos de transistores Intensidad mxima 5 a 600 A. 1600 V.

SCR / mdulos rectificadores 20 a 300 A. 2400 V. Mdulos GTO IGBT Aplicaciones:

100 a 200 A. 1200 V. 50 a 300A. 1400V.

Soldadura al arco. Sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI). Control de motores. Traccin elctrica.

Semiconductores de baja potencia Dispositivo Intensidad mxima SCR Triac Mosfet Aplicaciones: 0'8 a 40 A. 1200 V. 0'8 a 40 A. 800 V 2 a 40 A. 900 V.

Control de motores. aplicaciones domsticas. Cargadores de bateras. Control de iluminacin. Control numrico. Ordenadores, etc.

Aplicaciones generales: evolucin prctica