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INDICE
1- APLICACIONES DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA ............................ 2 2- HISTORIA DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA ..................................... 4 3- DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA ............................. 5 4- CARACTERSTICAS DE CONTROL DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA ......................................................................................................... 10 6- DISEO DE UN EQUIPO DE ELECTRONICA DE POTENCIA ................ 15 7- EFECTOS PERIFERICOS .......................................................................... 15 8- MODULOS DE POTENCIA ........................................................................ 16 9- MODULOS INTELIGENTES ....................................................................... 16 10- DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA .................................. 18 10-1- TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA ................................................ 20 10-2- DIODOS EN SERIE Y EN PARALELO............................................ 21 10-3- EL PROCESO DE LA CONMUTACION .............................................. 23 La Conmutacin .............................................................................................. 23 Conmutacin Natural ...................................................................................... 23 Tensin de Conmutacin ................................................................................ 24 Corriente de Conmutacin .............................................................................. 24 Angulo de Solapamiento () ........................................................................... 25 Angulo de Avance () ...................................................................................... 25 Angulo de Avance () ..................................................................................... 26 Influencia de las resistencias Rk en la conmutacin ...................................... 26 Caractersticas de carga de un Rectificador Controlado ................................ 27
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FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA DE POTENCIA

1- APLICACIONES DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA

Durante muchos aos ha existido la necesidad de controlar la potencia elctrica de los sistemas de traccin y de los controles industriales impulsados por motores elctricos; esto ha llevado a un temprano desarrollo del sistema WardLeonard con el objeto de obtener un voltaje de corriente directa variable para el control de los motores e impulsores. La electrnica de potencia ha revolucionado la idea del control para la conversin de potencia y para el control de los motores elctricos. La electrnica de potencia combina la energa, la electrnica y el control. El control se encarga del rgimen permanente y de las caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo cerrado. La energa tiene que ver con el equipo de potencia esttica y rotativa o giratoria, para la generacin, transmisin y distribucin de energa elctrica. La electrnica se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado slido requeridos en el procesamiento de seales para cumplir con los objetivos de control deseados. La Electrnica De Potencia se puede definir como la aplicacin de la electrnica de estado slido para el control y la conversin de la energa elctrica. En la figura 1-1 se muestra la interrelacin de la electrnica de potencia con la energa, la electrnica y el control. La Electrnica De Potencia se basa, en primer trmino, en la conmutacin de dispositivos semiconductores de potencia. Con el desarrollo de la tecnologa de los semiconductores de potencia, las capacidades del

manejo de la energa y la velocidad de conmutacin de los dispositivos de potencia han mejorado tremendamente. El desarrollo de la tecnologa de los microprocesadores-microcomputadoras tiene un gran impacto sobre el control y la sntesis de la estrategia de control para los dispositivos semiconductores de potencia. El equipo de electrnica de potencia moderno utiliza (1) semiconductores de potencia que pueden compararse con el msculo, y (2) microelectrnica, que tiene el poder y la inteligencia del cerebro. La Electrnica De Potencia ha alcanzado ya un lugar importante en la tecnologa moderna y se utiliza ahora en una gran diversidad de productos de alta potencia, que incluyen controles de calor, controles de iluminacin, controles de motor, fuentes de alimentacin, sistemas de propulsin de vehculos y sistemas de corriente directa de alto voltaje (HVDC por sus siglas en ingls).
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Resulta difcil trazar los limites de las aplicaciones de la Electrnica De Potencia; en especial con las tendencias actuales en el desarrollo de los dispositivos de potencia y los microprocesadores, el lmite superior est an indefinido. En la Tabla 1.1 se muestran algunas de las aplicaciones de la electrnica de potencia.
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2- HISTORIA DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA

La historia de la Electrnica De Potencia empez en el ao 1900, con la introduccin del rectificador de arco de mercurio. Luego aparecieron, gradualmente, el rectificador de tanque metlico, el rectificador de tubo al alto vaco de rejilla controlada, el ignitrn, el fanotrn y el tiratrn. Estos dispositivos se aplicaron al control de la energa hasta la dcada de 1950. La primera revolucin electrnica inicia en l948 con la invencin del transistor de silicio en los Bell Telephone Laboratories por los seores Bardeen, Brattain y Schockley. La mayor parte de las tecnologas electrnicas avanzadas actuales tienen su origen en esta invencin. A travs de los aos, la microelectrnica moderna ha evolucionado a partir de los semiconductores de silicio. El siguiente gran parteaguas, en 1956, tambin provino de los Bell Telephone Laboratories: la invencin del transistor de disparo PNPN, que se defini como un tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR por sus siglas en ingls). La segunda revolucin electrnica empez en 1958 con el desarrollo del tiristor comercial por General Electric Company. Ese fue el principio de una nueva era en la electrnica de potencia. Desde entonces, se han introducido muy diversos tipos de dispositivos semiconductores de potencia y tcnicas de conversin. La revolucin de la microelectrnica nos dio la capacidad de procesar una gran cantidad de informacin a una velocidad increble. La revolucin de la Electrnica De Potencia nos est dando la capacidad de dar forma y controlar grandes cantidades de energa con una eficiencia cada vez mayor. Debido a la fusin de la Electrnica De Potencia, que es el msculo, con la microelectrnica, que es el cerebro, se han descubierto muchas aplicaciones potenciales de la electrnica de potencia, y se descubrirn ms. Dentro de los siguientes 30 aos, la Electrnica De Potencia formar y condicionar la electricidad, en alguna parte de la lnea de transmisin, entre el punto de

generacin y todos los usuarios. La revolucin de la Electrnica De Potencia ha ganado inercia, desde el fin de los aos 80 y principios de los 90. En la figura 1.2 se muestra la historia cronolgica de la electrnica de potencia.
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3- DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Desde que se desarroll el primer tiristor de rectificador controlado de silicio (SCR), a fines de 1957, ha habido grandes adelantos en los dispositivos semiconductores de potencia. Hasta 1970, los tiristores convencionales se haban utilizado en forma exclusiva para el control de la energa en aplicaciones industriales. A partir de 1970, se desarrollaron varios tipos de dispositivos semiconductores de potencia que quedaron disponibles en forma comercial. stos se pueden dividir en cinco tipos principales: (1) diodos de potencia, (2) tiristores, (3) transistores bipolares de juntura de potencia (BJT), (4) MOSFET de potencia, y (5) transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) y transistores de induccin estticos (SIT). Los tiristores se pueden subdividir en ocho tipos: (a) tiristor de conmutacin forzada, (b) tiristor conmutado por lnea, (c) tiristor desactivado por compuerta (GTO), (d) tiristor de conduccin inversa (RCT), (e) tiristor de induccin esttico (SITH), (f) tiristor desactivado con asistencia de compuerta (GATT), (g) rectificador controlado de silicio fotoactivado (LASCR), y (h) tiristores controlados por MOS (MCT). Los transistores de induccin estticos tambin estn disponibles en forma comercial. Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (o de recuperacin rpida) y Schottky. Los diodos de uso general estn disponibles hasta 3000 V, 3500 A, y la especificacin de los diodos de recuperacin rpida puede llegar hasta 3000 V, 1000 A. El tiempo de recuperacin inversa vara entre 0.1 y 5 s. Los diodos de recuperacin rpida son esenciales para la interrupcin de los convertidores de potencia a altas frecuencias. Un diodo tiene dos terminales: un ctodo y un nodo. Los diodos Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de recuperacin muy pequeo, tpicamente en nanosegundos. La corriente de fuga aumenta con el voltaje y sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A. Un diodo conduce cuando el voltaje de su nodo es ms alto que el de su ctodo; siendo la cada de voltaje directa de un diodo de potencia muy baja, tpicamente 0.5 y 1.2 V. Si el voltaje de ctodo es ms alto que el voltaje de nodo, se dice que el diodo est en modo de bloqueo. En la figura 1-3 aparecen varias configuraciones de diodos de uso general, mismos que se agrupan bsicamente en dos tipos. Uno se conoce como de perno o montado en perno y el otro como de disco empacado a presin o de disco de hockey. En el de perno, tanto el nodo como el ctodo podran ser el perno. Un tiristor tiene tres terminales: un nodo, un ctodo, y una compuerta. Cuando una pequea corriente pasa a travs de la terminal de la compuerta hacia el
Figura 1-3 Varias configuraciones de diodos de uso general

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ctodo, el tiristor conduce, siempre y cuando la terminal del nodo est a un potencial ms alto que el ctodo. Una vez que el tiristor est en un modo de conduccin, el circuito de la compuerta no tiene ningn control y el tiristor contina conduciendo. Cuando un tiristor est en un modo de conduccin, la cada de potencial en directa es muy pequea, tpicamente 0.5 a 2 V. Un tiristor que conduce se puede desactivar haciendo que el potencial del nodo sea igual o menor que el potencial del ctodo. Los tiristores conmutados en lnea se desactivan en razn de la naturaleza senoidal del voltaje de entrada, y los tiristores conmutados en forma forzada se desactivan mediante un circuito adicional conocido como circuitera de conmutacin. En la figura 1-4 se muestran varias configuraciones de tiristores de control de fase (o de conmutacin de lnea): tipo perno, tipo disco de hockey, tipo plano, y tipo de aguja. Los tiristores naturales o conmutados en lnea estn disponibles con especificaciones de hasta 6000 V, 3500 A. El tiempo de desactivacin de los tiristores de bloqueo inverso de alta velocidad ha mejorado en forma sustancial y es posible obtener de 10 a 20 s con un tiristor de 1200-V, 2000-A. El tiempo de desactivacin se define como el intervalo de tiempo entre el instante en que la corriente principal se reduce a cero despus de la interrupcin externa del circuito de voltaje principal, y el instante en que el tiristor es capaz de aceptar un voltaje principal especiticado, sin activarse. Los RCT y los GATT se utilizan en gran medida para la interrupcin de alta velocidad, en especial en aplicaciones de traccin. Un RCT se puede considerar como un tiristor que incluye un diodo inverso en paralelo. Los RCT estn disponibles hasta 2500 V, 1000 A (y 400 A de conduccin inversa) con un tiempo de interrupcin de 40 s. Los GATT estn disponibles hasta 1200 V, 400 A con una velocidad de interrupcin de 8 s. Los LASCR, que se fabrican hasta 6000 V, 1500 A, con una velocidad de interrupcin de 200 a 400 s, son adecuados para sistemas de energa de alto voltaje, especialmente en HVDC. Para aplicaciones de corriente alterna de baja potencia los TRIAC, se utilizan ampliamente en todo tipo de controles sencillos de calor, de iluminacin, de motor, as como interruptores de corriente alterna. Las caractersticas de los TRIAC son similares a dos tiristores conectados en inverso paralelo con una sola terminal de compuerta. El flujo de corriente a travs de un TRIAC se puede controlar en cualquier direccin. Los GTO y los SITH son tiristores auto desactivados. Los GTO y los SITH se activan mediante la aplicacin de un pulso breve positivo a las compuertas, y se desactivan mediante la aplicacin de un pulso corto negativo a las mismas. No requieren de ningn circuito de conmutacin. Los GTO resultan muy atractivos para la conmutacin forzada de convertidores y estn disponibles
Figura 1-4 Varias configuraciones de tiristores

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hasta 4000 V, 3000 A. Los SITH, cuyas especificaciones pueden llegar tan alto como 1200 V, 300 A, se espera que puedan ser aplicados a convertidores de mediana potencia con una frecuencia de varios cientos de kilohertz y ms all

del rango de frecuencia de los GTO. Un MCT se puede "activar" mediante un pequeo pulso de voltaje negativo sobre la compuerta MOS (respecto a su nodo), y desactivar mediante un pulso pequeo de voltaje positivo. Es similar a un GTO, excepto en que la ganancia de desactivacin es muy alta. Los MCT estn disponibles hasta 1000 V, 100 A. Los transistores bipolares de alta potencia son comunes en los convertidores de energa a frecuencias menores que 10 kHz y su aplicacin es eficaz en las especificaciones de potencia de hasta 1200 V, 400 A. Un transistor bipolar tiene tres terminales: base, emisor y colector. Por lo general, se opera en forma de interruptor con la configuracin de emisor comn. Mientras que la base de un transistor NPN este a un potencial ms alto que el emisor, y la corriente de base sea lo suficientemente grande como para excitar al transistor en la regin de saturacin, el transistor se conservar activado, siempre que la unin del colector al emisor est correctamente polarizada. La cada directa de un transistor en conduccin est en el rango de 0.5 a 1.5 V. Si el voltaje de excitacin de la base es retirado, el transistor se conserva en modo de no conduccin (es decir desactivado). Los MOSFET de potencia se utilizan en convertidores de potencia de alta velocidad y estn disponibles en una especificacin de relativamente poca potencia en rango de 1000 V, 50 A, en un rango de frecuencia de varias decenas de kilohertz. Los IGBT son transistores de potencia controlados por voltaje. Por naturaleza, son ms rpidos que los BJT, pero an no tan rpidos como los MOSFET. Sin embargo, ofrecen caractersticas de excitacin y de salida muy superiores a las de los BJT. Los IGBT son adecuados para altos voltajes, altas corrientes y frecuencias de hasta 20 KHz. Los IGBT estn disponibles hasta 1200 V, 400 A. Un SIT es un dispositivo de alta potencia y de alta frecuencia. Es, en esencia, la versin en estado slido del tubo de vaco triodo, y es similar a un JFET. Tiene una capacidad de potencia de bajo ruido, baja distorsin y alta frecuencia de audio. Los tiempos de activacin y desactivacin son muy cortos, tpicamente de 0.25 s. La caracterstica de normalmente activo y la alta cada de voltaje limitan sus aplicaciones para conversiones de energa de uso general. La especificacin de uso de corriente de los SIT pueden ser hasta de 1200 V, 300 A, y la velocidad de interrupcin puede ser tan alta como 100 kHz. Los SIT son adecuados para aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia (es decir audio, VHF/UHF, y amplificadores de microondas). Las especificaciones de los dispositivos semiconductores de potencia comercialmente disponibles aparecen en la tabla 1.2, donde el voltaje activo es la cada del voltaje de estado activo del dispositivo a la corriente especificada. En la tabla 1.3 aparecen las caractersticas v-i y los smbolos de los dispositivos semiconductores de potencia comnmente utilizados.
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Las hojas de datos para un diodo, SCR, GTO, BJT, MOSFET, IGBT y MCT se dan en los manuales respectivos de cada frabicante. En la figura 1-6 se muestran las aplicaciones y los rangos de frecuencia de los dispositivos de potencia. Un superdispositivo de potencia debera (1) tener un voltaje activo igual a cero, (2) soportar un voltaje fuera de conduccin infinito, (3) manejar una corriente infinita, y (4) "activarse" y "desactivarse" en un tiempo cero, teniendo por lo tanto una velocidad de conmutacin infinita.
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4- CARACTERSTICAS DE CONTROL DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA

Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden operar como interruptores mediante la aplicacin de seales de control a la terminal de compuerta de los tiristores (y a la base de los transistores bipolares). La salida requerida se obtiene mediante la variacin del tiempo de conduccin de estos dispositivos de conmutacin. En la figura 1-7 se muestran los voltajes de salida y las caractersticas de control de los dispositivos de interrupcin de potencia de uso comn. Una vez que un tiristor est en modo de conduccin, la seal de la compuerta ya sea positiva o negativa no tiene efecto; esto aparece en la figura 1-7a. Cuando un dispositivo semiconductor de potencia est en modo de conduccin normal, existe una pequea cada de voltaje a travs del mismo. En las formas de onda de voltaje de salida de la figura 1-7, estas cadas de voltaje se consideran despreciables y, a menos que se especifique lo contrario, esta suposicin se conservar a travs de los captulos siguientes. Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden clasificar a partir de: 1. Activacin y desactivacin sin control (por ejemplo diodo) 2. Activacin controlada y desactivacin sin control (por ejemplo SCR) 3. Caractersticas de activacin y desactivacin controladas (por ejemplo BJT, MOSFET, GTO, SITH, ICBT, SIT, MCT) 4. Requisito de seal continua en la compuerta (BJT, MOSFET, IGBT, SIT) 5. Requisito de pulso en la compuerta (por ejemplo SCR, GTO, MCT) 6. Capacidad de soportar voltajes bipolares (SCR, GTO) 7. Capacidad de soportar voltajes unipolares (BIT, MOSFET, GTO, IGBT, MCT) 8. Capacidad de corriente bidireccional (TRIAC, RCT) 9. Capacidad de corriente unidireccional (SCR, GTO, BIT, MOSFET, MCT, IGBT, SITH, SIT, diodo)
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5- TIPOS DE CIRCUITOS ELECTRONICOS DE POTENCIA Para el control de la potencia elctrica o del acondicionamiento de la misma, es necesario convertir la potencia de una forma a otra, las caractersticas de interrupcin de los dispositivos de potencia permiten dicha conversin. Los convertidores de potencia estticos llevan a cabo estas funciones de conversin de potencia. Un convertidor se puede considerar como una matriz de conmutacin. Los circuitos electrnicos de potencia se pueden clasificar en seis tipos: 1. Rectificadores de diodos 2. Convertidores AC-DC (rectificadores controlados) 3. Convertidores AC-DC (controladores de voltaje de ca) 4. Convertidores DC-DC (pulsadores de cd) 5. Convertidores DC-AC (inversores) 6. Interruptores estticos Los dispositivos de los convertidores siguientes se utilizan nicamente para ilustrar los principios bsicos. La accin de interrupcin de un convertidor puede ser llevada a cabo por ms de un dispositivo. La seleccin de un dispositivo en particular depender del voltaje, la corriente y los requisitos de velocidad del convertidor. Rectificadores. Un circuito rectificador por diodos convierte el voltaje de ca en un voltaje fijo de cd como se muestra en la figura 1-8. El voltaje de entrada al rectificador puede ser monofsico o trifsico. Convertidores AC-DC. Un convertidor monofsico con dos tiristores de conmutacin natural aparece en la figura 1-9. El valor promedio del voltaje de

salida se puede controlar variando el tiempo de conduccin de los tiristores o el ngulo de retraso de disparo, . La entrada puede ser una fuente mono o trifsica. Estos dispositivos se conocen tambien como rectificadores controlados.
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Convertidores AC-AC. Estos convertidores se utilizan para obtener un voltaje de salida de corriente alterna variable a partir de una fuente de corriente alterna fija, la figura 1-10 muestra un convertidor monofsico con un TRIAC. El voltaje de salida se controla mediante la variacin del tiempo de conduccin de un TRIAC o el ngulo de retraso de disparo, . Estos tipos de convertidores tambin se conocen como controladores de voltaje de ca. Convertidores DC-DC. Un convertidor dc-dc tambin se conoce como un pulsador o un regulador de conmutacin, en la figura 1-11 aparece un pulsador de transistor. El voltaje promedio de salida se controla mediante la variacin del tiempo de conduccin t, del transistor Q'. Si T es el periodo de corte, entonces t1 = T. se conoce como el ciclo de trabajo del pulsador. Convertidores DC-AC. Un convertidor de dc-ac tambin se conoce como un inversor. Un inversor monofsico de transistor se muestra en la figura 1-12. Si los transistores M1 y M2 conducen durante medio periodo, y M3 y M4 conducen
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durante la otra mitad, el voltaje de salida tiene una forma alterna. El voltaje de salida puede ser controlado variando el tiempo de conduccin de los transistores. Interruptores estticos. Dado que los dispositivos de potencia pueden ser operados como interruptores estticos o contactores, la alimentacin a estos interruptores puede ser de ca o de cd y se conocen como interruptores estticos de ca o interruptores de cd.
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6- DISEO DE UN EQUIPO DE ELECTRONICA DE POTENCIA

El diseo de un equipo de electrnica de potencia se puede dividir en cuatro partes: 1. Diseo de los circuitos de potencia 2. Proteccin de los dispositivos de potencia 3. Determinacin de la estrategia de control 4. Diseo de los circuitos lgicos y de mando En el anlisis se supone que los dispositivos de potencia son interruptores ideales, a menos que se indique lo contrario, desprecindose los efectos de la inductancia de dispersin de circuito, la resistencia del circuito y la inductancia de la fuente. Los dispositivos y circuitos de potencia prcticos difieren de estas condiciones ideales quedando los diseos de los circuitos tambin afectados. Sin embargo, en las primeras etapas del diseo, resulta muy til el anlisis simplificado del circuito para comprender la operacin del mismo y para establecer las caractersticas y la estrategia de control. Antes de elaborar un prototipo, el diseador deber investigar los efectos de los parmetros del circuito (y las imperfecciones de los dispositivos) modificando el diseo, si es necesario. Slo despus de que se haya construido y probado el prototipo, el diseador podr confiar en la validez del mismo y podr estimar con ms exactitud algunos de los parmetros de circuito (por ejemplo la inductancia de dispersin).

7- EFECTOS PERIFERICOS
Las operaciones de los convertidores de potencia se basan principalmente en la conmutacin de dispositivos semiconductores de potencia; y como resultado, los convertidores introducen armnicas de corriente y de voltaje en el sistema de alimentacin y en la salida de los convertidores. Estas pueden originar problemas de distorsin del voltaje de salida, generacin de armnicas en el sistema de alimentacin e interferencia con circuitos de comunicacin y sealizacin. Normalmente es necesario introducir filtros en la salida y en la entrada de un sistema convertidor, para reducir a una magnitud aceptable el nivel de armnicas. En la figura 1-13 se muestra el diagrama de bloque de un convertidor de potencia generalizado. La aplicacin de la electrnica de potencia para alimentar cargas electrnicas sensibles presenta un reto sobre temas de calidad de la potencia y presenta problemas y preocupaciones que deben ser resueltas por los investigadores. Las cantidades de entrada y de salida de los convertidores pueden ser ca o cd. Factores tales como la distorsin armnica total (THD), el factor de desplazamiento (HF) y el factor de potencia de entrada (IPF) son medidas de la calidad de una forma de onda. A fin de determinar estos factores, es necesario encontrar el contenido armnico de las formas de onda. Para evaluar el rendimiento de un convertidor,
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los voltajes/corrientes de entrada y de salida de un convertidor se expresan en series de Fourier. La calidad de un convertidor de potencia se juzga por la calidad de sus formas de onda de voltaje y de corriente. La estrategia de control para los convertidores de potencia juega un papel importante en la generacin de armnicas y en la distorsin de la forma de onda de salida, y puede guiarse a fin de minimizar o reducir estos problemas. Los convertidores de potencia pueden causar interferencia de radio frecuencia, debido a radiacin electromagntica, y los circuitos de mando generar seales errneas. Esta interferencia se puede evitar mediante un blindaje aterrizado.

8- MODULOS DE POTENCIA
Los dispositivos de potencia estn disponibles como unidades individuales o como mdulos. A menudo un convertidor de potencia requiere de dos, cuatro o seis dispositivos, dependiendo de su topologa. Los mdulos de potencia con dual (en configuracin de medio puente), quad (en puente completo), o seis (trifsicos) estn disponibles para prcticamente todos los tipos de dispositivos de potencia. Los mdulos ofrecen las ventajas de menores prdidas en estado activo, altas caractersticas de interrupcin de voltaje y corriente y una velocidad ms alta que la de los dispositivos convencionales. Algunos mdulos incluyen circuiteria para la proteccin de transitorios y de la excitacin de compuerta.

9- MODULOS INTELIGENTES
Los circuitos de excitacin de compuerta estn disponibles comercialmente para excitar dispositivos individuales o mdulos. Los mdulos inteligentes, que representan el estado ms avanzado de la electrnica de potencia, integran el mdulo de potencia junto con el circuito perifrico. El circuito perifrico est formado por un aislamiento de entrada/salida de una interfaz con el sistema de la seal y el sistema de alto voltaje, un circuito de excitacin, un circuito de proteccin y de diagnstico (para evitar una corriente excesiva, corto circuito, carga abierta, sobrecalentamiento y voltaje excesivo), control por microcomputadora y una alimentacin de energa de control. Los usuarios slo necesitan conectar fuentes de alimentacin externas (flotantes). Un modelo

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inteligente tambin se conoce como potencia inteligente. Estos mdulos se utilizan cada vez ms en la electrnica de potencia.